JP5297977B2 - 金属酸化物ナノロッドの製造方法 - Google Patents
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Description
上記ナノロッドは主としてM1 xM2 yOzの一般式で表される金属酸化物から成る。但し、M1及びM2は、チタニウム、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、テクネチウム、レニウム、鉄、オスミウム、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、スカンジウム、イットリウム、ランタン、ランタノイド系列の元素、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウム、ケイ素、ゲルマニウム、スズ、鉛、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム及びバリウムから成る群から選択された金属である。酸素に対する金属の割合は化合物内の金属の酸化状態による。一般的にx及びyの一方、並びにzはゼロより大きな整数である。即ち、上記化合物は化学量論的なものであり、酸素空孔が殆ど無い。M1とM2が同一の金属(またはyがゼロ)の場合には、2元金属酸化物は2元金属酸化物である。2元金属酸化物の特定例としては、MgO、Al2O3及びZnOが挙げられる。
(金属酸化物ナノロッドの合成)
金属酸化物ナノロッドを調製する上で使用される一般的な合成方法は3つの基本工程を含む。第1に、金属蒸気は、キャリヤガスにより基体へと搬送される金属源から発生されねばならない。第2に、金属蒸気は基体の表面上に結晶核を生成する。而して、基体は、予備形成された金属酸化物ナノクラスタ、または、単結晶の欠陥部位とされ得る。代わりに、例えば基体が炭素またはグラファイトである場合には、結晶核形成部は反応器内において原位置にて形成される場合もある。これにより金属酸化物ナノロッドは成長を開始する。最後にナノロッドの気相成長が生ずる。ナノロッドの形成に対して必須となる重要な工程は、結晶核の形成工程及び成長工程であり、これらの工程は金属酸化物ナノロッドの初期寸法及び最終直径を決定するものである。
何らかの理論に拘束されることを意図するものではないが、ナノロッドを形成するメカニズムは気固相成長を含むものであり、その場合、ナノ粒子または食刻された単結晶表面(もしくは他の基体)がナノロッドの成長に対する結晶核形成部を提供するものと考えられる。代わりに、単結晶グラファイトにおける炭素表面などの結晶核生成表面には、ナノ寸法の結晶核形成部は予備形成されていない。また、ナノロッド成長の為の結晶核形成部は、気相から(例えば酸化マグネシウムなどの)ナノクラスタが析出することにより、または、結晶核形成部として機能し得るナノメータスケールのピットを形成する炭素成長表面が酸化することにより、原位置にて生ずるものと考えられる。ナノロッドの平均直径はナノロッドの大量合成の間におけるナノ粒子のサイズにより部分的に決定される。単結晶基体の表面上に整列されたナノロッドを高密度で得る為には、単結晶基体の表面を新たに食刻する必要がある。このプロセスにより表面には結晶核生成及びナノロッド成長の為の多くのナノ寸法部位が提供されるが、これは、基体の表面とナノロッドの成長面との間に良好な格子整合があることが前提となる。
(金属酸化物ナノロッドの用途)
金属酸化物ナノロッドは、高密度磁気記録媒体などの、優れた機械的、電気的、光学的及び/または磁気的特性を有するナノ構造を調製する為に使用され得る。また、金属酸化物ナノロッドは研磨剤材料または環境に応じて変化する(賢い)材料として使用され得る。ナノロッドの小径及び高い縦横比により、ナノロッドは、金属、ガラス、有機高分子、及びセラミックマトリクス複合材料において有用である。特に、本発明の金属酸化物ナノロッドは超伝導体内に埋設される欠陥として有用である。
(金属酸化物ナノロッド/超伝導体−複合材料)
金属酸化物ナノロッド/超伝導体−複合材料は、塊状形態または薄膜状形態(例えば、BSCCO−2212またはBSCCO−2223を用いて製造されたシングルもしくはマルチフィラメントワイヤの如き、超伝導テープ、ワイヤ、ケーブル、またはフィルムなど)で作成され得るものである。而して、複合材料は柱状欠陥構造を有して大きな臨界電流挙動を呈する。複合材料はBi2Sr2CaCu2O8(BSCCO−2212)超伝導体のような高温超伝導体との反応性が非常に低いために、酸化マグネシウムナノロッドを用いて調製することが可能であるが、これを実験条件の簡単な変更により他の高温超伝導体及びBSCCO相に適用することも可能である。
酸化マグネシウム粉体及びグラファイト粉体を1:3〜3:1の重量比率で混合した。得られた粉体混合物をグラファイト舟形容器内に装填した。グラファイト舟形容器を100〜2000SCCMの流速のアルゴンガスが流れる石英管内に載置した。上記ガスは1〜10ppmの酸素を含んでいた。基体を、グラファイト舟形容器と該基体との間の温度勾配が100℃未満となる箇所において、石英管内でグラファイト舟形容器の下流に載置した。バルク酸化マグネシウムナノロッドの合成において、基体は5〜50nmの平均直径を有する酸化マグネシウムナノクラスタから構成されていた。ナノロッドは、石英管を約1200℃で0.5時間〜2時間加熱することにより得られた。
MgO及びグラファイト粉体の混合物を1:3〜3:1の重量比率で粉砕により混合し、グラファイト製の炉用舟形容器内に載置した。グラファイト舟形容器を石英炉管内に載置し、水平な管状炉の中央に配置した。グラファイト舟形容器及び反応体を含む上記管には次に、100〜2000SCCMの流速のアルゴンガスが流された。基体を、舟形容器から−100℃内において管の下流に載置した。番号9〜12が付された行においては、酸化マグネシウムと炭素の混合物の表面が基体として作用した(即ち、炉内には他の基体は含まれていなかった)。装填後、炉をその中心点で測定して1000〜1200℃の設定点温度にまで加熱した。炉の中心点は基体に依存して0〜60分に亙る時間(すなわち保持時間)だけ設定点温度に維持され、その後、炉の内容物を室温にまで冷却した。
ナノロッドは実施例1に記述された方法で調製されたが、基体表面上で整列されたナノロッドを得る為に、新たに食刻された単結晶が基体として使用された点が異なっている。特に、0.1〜0.5MのNiCl2水溶液により0.25〜2時間に亙り食刻されたMgO単結晶の(100)面が基体とされた。この基体を食刻の直後に炉内に載置した。而して、食刻時間が表面上のナノロッド密度に影響を与える。典型的には、0.5時間の食刻時間及び0.5Mの食刻溶液濃度が用いられる。
Al2O3粉体及びグラファイト粉体を1:3〜3:1の重量比率で混合した。この混合物をグラファイト舟形容器内に装填した。グラファイト舟形容器を100〜2000SCCMの流速でアルゴンガスが流れるアルミナ管内に挿入した。上記ガスは1〜10ppmの酸素を含んでいた。5〜10nmの平均直径を有するAl2O3ナノクラスタは、基体との間の温度勾配が100℃となる、グラファイト舟形容器の下流箇所に置かれた。上記管は1400℃で0.5時間〜2時間加熱することによりナノロッドが生成した。
実施例4:基体表面上で整列されたZnOナノロッド
ZnO粉体及びグラファイト粉体を1:3〜3:1の重量比率で混合した。この混合物を、100〜2000SCCMの流速のアルゴンガスが流れる石英管内に載置されたグラファイト舟形容器内に装填した。上記ガスは1〜10ppmの酸素を含んでいた。1〜100nmの厚みの金の薄膜で被覆された(100)SrTiO3単結晶基体は、グラファイト舟形容器と該基体との間の温度勾配が約300℃となる箇所において、グラファイト舟形容器の下流に載置された。石英管は900℃〜1000℃で0.25時間〜1時間加熱されてナノロッドを成長せしめた。
単結晶表面上に成長したナノロッドは直径及び長さに関して均一であり、夫々の値は10〜50nm及び1〜2μmであった。殆ど全てのナノロッドが結晶表面に対して配向していたが、表面に対して直交してはいなかった。
10〜100nmの直径及び1〜10μmの長さを有する酸化マグネシウムナノロッドを予備反応されたBSCCO(2212)粉体と混合し粉砕した。混合物は0〜15重量比率のナノロッドを含んでいた。細かな粉体混合物を(例えば20mm径のダイス上に10トンの力を加える)ペレット圧縮機を用いてペレットに圧縮した。得られたペレットを銀箔の表面上に載置し860〜880℃に加熱した。この材料を、この部分的に溶融された状態に10分〜30分に亙り保持した。また、温度を時間当り1℃〜5℃の速度にて760℃〜800℃まで下げた。材料はこの温度にて10時間〜24時間維持され、その後、試料は室温にまで冷却されて最終的な複合材料を得た。この複合材料の臨界電流密度は、酸化マグネシウムナノロッドを含まずに同様に処理された基準サンプルの臨界電流密度よりも大幅に大きかった。ナノロッドを欠いた基準サンプルと比較して、上記複合材料の臨界電流密度は、5K及び0テスラにおいて2×104〜2×105Acm−2だけ増大し、且つ、30K及び0テスラにおいては4×103〜5×104Acm−2だけ増大した。5〜60Kの温度範囲を越えると、臨界電流密度の増大は1段階(one magnitude)であった。
酸化マグネシウムナノロッドを最初に、実施例2で上述された酸化マグネシウム単結晶基体の(100)面上で成長させた。また、基体上には、室温にてパルスレーザ析出を用いて非晶質BSCCO(2212)が析出された。この点、パルスレーザ析出はたとえば「応用物理学」(Applied Phisics Letters)第63巻(1993年)第409〜411頁においてチュー(S.Zhu)等により記述されている。非晶質の複合材料は次に、実施例5における塊状複合材料に対して記述された加熱プログラムを用いて溶融組織化され、最終的な薄膜状複合材料を与えた。薄膜状複合材料の臨界電流密度は、ナノロッドを欠いた基準サンプルのそれよりも大幅に大きなものである。ナノロッドを欠いた基準サンプルと比較して、上記複合材料の臨界電流密度は、5K及び0.8テスラにおいて2×104〜1.5×105Acm−2だけ増大し、40K及び0.5テスラにおいて1×103〜2×104Acm−2だけ増大し、且つ、60K及び0.15テスラにおいては8×102〜1×104Acm−2だけ増大した。
酸化マグネシウムナノロッドアレイは、実施例2において上述した酸化マグネシウム単結晶基体の(100)面上に最初に成長せしめられた。而して、200℃にてパルスレーザ析出を用いて酸化マグネシウムナノロッド群上に非晶質のBa2Ca2Cu3O7が析出された。次に、試料は三領域炉(three−zonefurnace)内でタリウム化(thallinated)されて結晶化され、Tl2Ba2Ca2Cu3O10超伝導体を形成した。タリウム化の間、試料は少量のTl2Ba2Ca2Cu3O10と共に銀箔内に密閉されると共にアルミナ管の一端に載置された。また、Tl源(Tl2O3)はアルミナ管の他端に載置された。アルミナ管は銀箔により半密閉され、三領域炉内に載置された。試料の温度を790°に維持し、Tl源の温度を890℃に維持した。このタリウム化プロセスは例えば、材料抵抗(J.Mater.Res.)第11(6)巻(1996年)の第1349頁においてホルスタイン(W.L.Holstein)等により記述されている。最終的な薄膜状複合材料の臨界電流密度は、ナノロッドを欠いた基準サンプルの臨界電流密度よりも大幅に大きかった。ナノロッドを欠いた基準サンプルと比較して、上記複合材料の臨界電流密度は、50K及び0.4テスラにおいて1×103〜2×104Acm−2だけ増大し、60K及び0.3テスラにおいては1×103〜1.5×104Acm−2だけ増大し、且つ、90K及び0.15テスラにおいては100〜7000Acm−2だけ増大した。
上述した記述内容からは本発明の本質的特徴が確認され得よう。また、本発明の精神及び範囲から逸脱すること無く、発明の種々の変更及び改変を行い、本発明を幾多の用途ならびに条件に適合せしめ得ることが可能である。従って、他の実施例も請求の範囲の範疇に入るものである。
Claims (20)
- 炉内において金属蒸気を発生させる工程と、
炉内の成長領域内において、グラファイトからなるナノロッド成長用基体の表面上に金属酸化物ナノロッドが形成されるのに十分な時間だけナノロッド成長用基体を金属蒸気に曝す工程と、
ナノロッド成長用基体を成長領域から除去する工程と、
前記金属酸化物ナノロッドを酸化雰囲気中で加熱することにより、金属酸化物ナノロッドを精製し、直径が1nmから200nmの金属酸化物ナノロッドを得る工程と
からなる金属酸化物ナノロッドの製造方法。 - 前記成長領域は、金属蒸気の濃度が最大である部分と基体が配置された部分との間の100℃の温度降下内の領域である請求項1に記載の方法。
- 金属蒸気源はマグネシウムを含む請求項2に記載の方法。
- 前記基体から金属酸化物ナノロッドを物理的に分離することを更に備えてなる請求項3に記載の方法。
- 被曝段階の間にナノロッド成長用基体を成長領域を通して移動せしめる工程を更に備えてなる請求項1に記載の方法。
- 金属蒸気源を炉内に配置する工程と、
炉内にナノロッド成長用基体を配備する工程であって、前記金属蒸気源の下流にナノロッド成長用基体を配置し、かつ、炉内にキャリアガスを流すことを含む工程と、
前記金属蒸気源を500℃〜1600℃の温度に加熱する工程と、
ナノロッド成長用基体の表面上に金属酸化物ナノロッドを形成するに十分な時間に亙り上記温度を維持する工程と、
このように形成された金属酸化物ナノロッドであって、その直径が1nmから200nmの金属酸化物ナノロッドを収集する工程と
を備えてなる金属酸化物ナノロッドの製造方法。 - 前記ナノロッド成長用基体を配備する工程はナノロッド成長用基体を成長領域内に配置する工程を含む請求項6に記載の方法。
- 前記成長領域は、500℃〜1600℃の温度に加熱されたときに金属蒸気源と基体との間の100℃の温度勾配降下内の領域である請求項7に記載の方法。
- 前記ナノロッド成長用基体の表面上に金属酸化物ナノロッドを形成するに十分な時間の後で成長領域からナノロッド成長用基体を取り外す工程を更に備えて成る請求項8に記載の方法。
- 前記基体から金属酸化物ナノロッドを物理的に分離する工程を更に備えてなる請求項9に記載の方法。
- 前記ナノロッド成長用基体はグラファイトである請求項9に記載の方法。
- 酸化雰囲気中で金属酸化物ナノロッドを加熱してグラファイトを二酸化炭素に転換することにより、金属酸化物ナノロッドを精製する工程を更に備えてなる請求項11に記載の方法。
- 金属酸化物は酸化マグネシウムである請求項12に記載の方法。
- 金属酸化物ナノロッドを形成するに十分な時間に亙り、成長領域を通してナノロッド成長用基体を移動せしめる工程を更に備えてなる請求項9に記載の方法。
- 金属蒸気源を冷却して金属酸化物ナノロッドの形成を停止する工程を更に備えてなる請求項6に記載の方法。
- 金属蒸気源は、金属元素または金属酸化物と炭素との混合物を含み、上記金属は、チタニウム、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、テクネチウム、レニウム、鉄、オスミウム、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、スカンジウム、イットリウム、ランタン、ランタノイド系列の元素、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウム、ケイ素、ゲルマニウム、スズ、鉛、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム及びバリウムから成る群から選択される請求項6に記載の方法。
- ナノロッド成長用基体は、金属酸化物ナノクラスタ、金属蒸気源の表面、単結晶、グラファイトまたは金属被覆基体を含む請求項6に記載の方法。
- 前記金属酸化物は酸化マグネシウムである請求項16に記載の方法。
- 前記金属酸化物ナノロッドは前記基体の表面に対して整列されている請求項1に記載の方法。
- 前記金属酸化物ナノロッドは前記基体の表面に対して整列されている請求項6に記載の方法。
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US6933331B2 (en) * | 1998-05-22 | 2005-08-23 | Nanoproducts Corporation | Nanotechnology for drug delivery, contrast agents and biomedical implants |
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US6187823B1 (en) * | 1998-10-02 | 2001-02-13 | University Of Kentucky Research Foundation | Solubilizing single-walled carbon nanotubes by direct reaction with amines and alkylaryl amines |
US6531513B2 (en) * | 1998-10-02 | 2003-03-11 | University Of Kentucky Research Foundation | Method of solubilizing carbon nanotubes in organic solutions |
US6514897B1 (en) * | 1999-01-12 | 2003-02-04 | Hyperion Catalysis International, Inc. | Carbide and oxycarbide based compositions, rigid porous structures including the same, methods of making and using the same |
US7199997B1 (en) | 2000-06-09 | 2007-04-03 | U.S. Nanocorp, Inc. | Asymmetric electrochemical supercapacitor and method of manufacture thereof |
US8107223B2 (en) * | 1999-06-11 | 2012-01-31 | U.S. Nanocorp, Inc. | Asymmetric electrochemical supercapacitor and method of manufacture thereof |
US7576971B2 (en) * | 1999-06-11 | 2009-08-18 | U.S. Nanocorp, Inc. | Asymmetric electrochemical supercapacitor and method of manufacture thereof |
EP2224508B1 (en) | 1999-07-02 | 2016-01-06 | President and Fellows of Harvard College | Method of separating metallic and semiconducting nanoscopic wires |
JP4682354B2 (ja) * | 1999-08-25 | 2011-05-11 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 100ナノメーター未満の直径とアスペクト比が1を越えるように発達させた無機質微細ロッドおよび前記ロッドの製造方法 |
US20020054995A1 (en) * | 1999-10-06 | 2002-05-09 | Marian Mazurkiewicz | Graphite platelet nanostructures |
US6919119B2 (en) * | 2000-05-30 | 2005-07-19 | The Penn State Research Foundation | Electronic and opto-electronic devices fabricated from nanostructured high surface to volume ratio thin films |
US8119571B2 (en) * | 2006-08-03 | 2012-02-21 | Amit Goyal | High performance electrical, magnetic, electromagnetic and electrooptical devices enabled by three dimensionally ordered nanodots and nanorods |
US7301199B2 (en) | 2000-08-22 | 2007-11-27 | President And Fellows Of Harvard College | Nanoscale wires and related devices |
KR100995457B1 (ko) * | 2000-08-22 | 2010-11-18 | 프레지던트 앤드 펠로우즈 오브 하버드 칼리지 | 나노센서 제조 방법 |
US20060175601A1 (en) * | 2000-08-22 | 2006-08-10 | President And Fellows Of Harvard College | Nanoscale wires and related devices |
KR20030055346A (ko) * | 2000-12-11 | 2003-07-02 | 프레지던트 앤드 펠로우즈 오브 하버드 칼리지 | 나노센서 |
JP3622147B2 (ja) * | 2001-06-19 | 2005-02-23 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 柱状ピン止め中心を有する超伝導薄膜及びその製造方法 |
DE60234776D1 (de) * | 2001-07-20 | 2010-01-28 | Harvard College | Übergangsmetalloxid-nanodrähte und diese enthaltende vorrichtungen |
US7259410B2 (en) * | 2001-07-25 | 2007-08-21 | Nantero, Inc. | Devices having horizontally-disposed nanofabric articles and methods of making the same |
US6706402B2 (en) | 2001-07-25 | 2004-03-16 | Nantero, Inc. | Nanotube films and articles |
US6574130B2 (en) * | 2001-07-25 | 2003-06-03 | Nantero, Inc. | Hybrid circuit having nanotube electromechanical memory |
US6924538B2 (en) * | 2001-07-25 | 2005-08-02 | Nantero, Inc. | Devices having vertically-disposed nanofabric articles and methods of making the same |
US6835591B2 (en) * | 2001-07-25 | 2004-12-28 | Nantero, Inc. | Methods of nanotube films and articles |
US6643165B2 (en) | 2001-07-25 | 2003-11-04 | Nantero, Inc. | Electromechanical memory having cell selection circuitry constructed with nanotube technology |
US6919592B2 (en) * | 2001-07-25 | 2005-07-19 | Nantero, Inc. | Electromechanical memory array using nanotube ribbons and method for making same |
US7566478B2 (en) * | 2001-07-25 | 2009-07-28 | Nantero, Inc. | Methods of making carbon nanotube films, layers, fabrics, ribbons, elements and articles |
US6855426B2 (en) * | 2001-08-08 | 2005-02-15 | Nanoproducts Corporation | Methods for producing composite nanoparticles |
US7176505B2 (en) * | 2001-12-28 | 2007-02-13 | Nantero, Inc. | Electromechanical three-trace junction devices |
US6784028B2 (en) * | 2001-12-28 | 2004-08-31 | Nantero, Inc. | Methods of making electromechanical three-trace junction devices |
KR100932409B1 (ko) | 2002-02-25 | 2009-12-17 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 금속 나노 로드 함유의 조성물, 코팅막, 고분자 필름 및광학 필터 |
US6872645B2 (en) * | 2002-04-02 | 2005-03-29 | Nanosys, Inc. | Methods of positioning and/or orienting nanostructures |
US20040026684A1 (en) * | 2002-04-02 | 2004-02-12 | Nanosys, Inc. | Nanowire heterostructures for encoding information |
US7335395B2 (en) * | 2002-04-23 | 2008-02-26 | Nantero, Inc. | Methods of using pre-formed nanotubes to make carbon nanotube films, layers, fabrics, ribbons, elements and articles |
CN1672052A (zh) * | 2002-06-27 | 2005-09-21 | 佐治亚技术研究公司 | 纳米级光学荧光标记及其用途 |
US7335908B2 (en) | 2002-07-08 | 2008-02-26 | Qunano Ab | Nanostructures and methods for manufacturing the same |
AU2003261205A1 (en) | 2002-07-19 | 2004-02-09 | President And Fellows Of Harvard College | Nanoscale coherent optical components |
US20050126628A1 (en) * | 2002-09-05 | 2005-06-16 | Nanosys, Inc. | Nanostructure and nanocomposite based compositions and photovoltaic devices |
AU2003298998A1 (en) * | 2002-09-05 | 2004-04-08 | Nanosys, Inc. | Oriented nanostructures and methods of preparing |
EP2399970A3 (en) * | 2002-09-05 | 2012-04-18 | Nanosys, Inc. | Nanocomposites |
CA2497451A1 (en) * | 2002-09-05 | 2004-03-18 | Nanosys, Inc. | Organic species that facilitate charge transfer to or from nanostructures |
US7572393B2 (en) | 2002-09-05 | 2009-08-11 | Nanosys Inc. | Organic species that facilitate charge transfer to or from nanostructures |
US6878871B2 (en) * | 2002-09-05 | 2005-04-12 | Nanosys, Inc. | Nanostructure and nanocomposite based compositions and photovoltaic devices |
US7985590B2 (en) * | 2002-09-26 | 2011-07-26 | Science Application International Corporation | Method and system for detection using nanodot taggants |
US20050142611A1 (en) * | 2002-09-30 | 2005-06-30 | Auburn University | Method of isolation and self-assembly of small protein particles from blood and other biological materials |
DE60327347D1 (de) | 2002-09-30 | 2009-06-04 | Univ Auburn | Verfahren und isolierung zur selbstzusammenlagerung kleiner proteinpartikel aus blut und anderen biologischen materialien |
US7035308B1 (en) | 2002-10-28 | 2006-04-25 | Science Applications International Corporation | Method and system for countering laser technology |
US7708974B2 (en) * | 2002-12-10 | 2010-05-04 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Tungsten comprising nanomaterials and related nanotechnology |
TWI245079B (en) * | 2002-12-30 | 2005-12-11 | Ind Tech Res Inst | Method for growing highly-ordered nanofibers |
US7560136B2 (en) * | 2003-01-13 | 2009-07-14 | Nantero, Inc. | Methods of using thin metal layers to make carbon nanotube films, layers, fabrics, ribbons, elements and articles |
US7083586B2 (en) * | 2003-02-03 | 2006-08-01 | Dj Orthopedics, Llc | Patellofemoral brace |
US7432522B2 (en) | 2003-04-04 | 2008-10-07 | Qunano Ab | Nanowhiskers with pn junctions, doped nanowhiskers, and methods for preparing them |
JP4701161B2 (ja) | 2003-04-04 | 2011-06-15 | キューナノ エービー | 正確に位置決めされたナノウィスカおよびナノウィスカアレイ、およびそれらを作成する方法 |
US7579077B2 (en) * | 2003-05-05 | 2009-08-25 | Nanosys, Inc. | Nanofiber surfaces for use in enhanced surface area applications |
US7074294B2 (en) * | 2003-04-17 | 2006-07-11 | Nanosys, Inc. | Structures, systems and methods for joining articles and materials and uses therefor |
US7972616B2 (en) * | 2003-04-17 | 2011-07-05 | Nanosys, Inc. | Medical device applications of nanostructured surfaces |
US20050038498A1 (en) * | 2003-04-17 | 2005-02-17 | Nanosys, Inc. | Medical device applications of nanostructured surfaces |
US20050221072A1 (en) * | 2003-04-17 | 2005-10-06 | Nanosys, Inc. | Medical device applications of nanostructured surfaces |
US7056409B2 (en) * | 2003-04-17 | 2006-06-06 | Nanosys, Inc. | Structures, systems and methods for joining articles and materials and uses therefor |
US20060122596A1 (en) * | 2003-04-17 | 2006-06-08 | Nanosys, Inc. | Structures, systems and methods for joining articles and materials and uses therefor |
JP4871726B2 (ja) * | 2003-04-28 | 2012-02-08 | ナノシス・インク. | 超疎液性表面、その作製法及び用途 |
US7803574B2 (en) * | 2003-05-05 | 2010-09-28 | Nanosys, Inc. | Medical device applications of nanostructured surfaces |
TWI427709B (zh) * | 2003-05-05 | 2014-02-21 | Nanosys Inc | 用於增加表面面積之應用的奈米纖維表面 |
US7910064B2 (en) * | 2003-06-03 | 2011-03-22 | Nanosys, Inc. | Nanowire-based sensor configurations |
US7091120B2 (en) * | 2003-08-04 | 2006-08-15 | Nanosys, Inc. | System and process for producing nanowire composites and electronic substrates therefrom |
KR100650528B1 (ko) * | 2003-11-06 | 2006-11-28 | (주)나노하이브리드 | 자외선 레이저용 ZnO 나노-어레이 및 ZnO 나노월어레이의 실리콘 기판상의 형성 방법 |
US7923109B2 (en) | 2004-01-05 | 2011-04-12 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Inorganic nanowires |
EP1709213A4 (en) * | 2004-01-15 | 2012-09-05 | Nanocomp Technologies Inc | SYSTEMS AND METHODS FOR SYNTHESIZING LONG LENGTH NANOSTRUCTURES |
US7553371B2 (en) * | 2004-02-02 | 2009-06-30 | Nanosys, Inc. | Porous substrates, articles, systems and compositions comprising nanofibers and methods of their use and production |
US8025960B2 (en) * | 2004-02-02 | 2011-09-27 | Nanosys, Inc. | Porous substrates, articles, systems and compositions comprising nanofibers and methods of their use and production |
US20110039690A1 (en) | 2004-02-02 | 2011-02-17 | Nanosys, Inc. | Porous substrates, articles, systems and compositions comprising nanofibers and methods of their use and production |
US7354850B2 (en) | 2004-02-06 | 2008-04-08 | Qunano Ab | Directionally controlled growth of nanowhiskers |
US20090227107A9 (en) * | 2004-02-13 | 2009-09-10 | President And Fellows Of Havard College | Nanostructures Containing Metal Semiconductor Compounds |
US7465210B2 (en) * | 2004-02-25 | 2008-12-16 | The Regents Of The University Of California | Method of fabricating carbide and nitride nano electron emitters |
US7276389B2 (en) * | 2004-02-25 | 2007-10-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Article comprising metal oxide nanostructures and method for fabricating such nanostructures |
US7057881B2 (en) * | 2004-03-18 | 2006-06-06 | Nanosys, Inc | Nanofiber surface based capacitors |
JP4585212B2 (ja) * | 2004-03-19 | 2010-11-24 | Jx日鉱日石エネルギー株式会社 | ナノチューブ形状を有するチタニア及びその製造方法 |
US7105088B2 (en) * | 2004-03-29 | 2006-09-12 | Innoventor Engineering, Inc. | Methods and systems for converting waste into energy |
US7985345B2 (en) * | 2004-03-29 | 2011-07-26 | Innoventor, Inc. | Methods and systems for converting waste into complex hydrocarbons |
US7105428B2 (en) * | 2004-04-30 | 2006-09-12 | Nanosys, Inc. | Systems and methods for nanowire growth and harvesting |
US7785922B2 (en) | 2004-04-30 | 2010-08-31 | Nanosys, Inc. | Methods for oriented growth of nanowires on patterned substrates |
US20050279274A1 (en) * | 2004-04-30 | 2005-12-22 | Chunming Niu | Systems and methods for nanowire growth and manufacturing |
CA2567156A1 (en) * | 2004-05-17 | 2006-07-20 | Cambrios Technology Corp. | Biofabrication of transistors including field effect transistors |
JP4614063B2 (ja) * | 2004-05-20 | 2011-01-19 | 日産自動車株式会社 | ウィスカー形成体及びウィスカー形成体の製造方法 |
US7968273B2 (en) | 2004-06-08 | 2011-06-28 | Nanosys, Inc. | Methods and devices for forming nanostructure monolayers and devices including such monolayers |
TW201341440A (zh) * | 2004-06-08 | 2013-10-16 | Sandisk Corp | 奈米結構之沉積後包封:併入該包封體之組成物、裝置及系統 |
WO2005122235A2 (en) | 2004-06-08 | 2005-12-22 | Nanosys, Inc. | Methods and devices for forming nanostructure monolayers and devices including such monolayers |
US7776758B2 (en) | 2004-06-08 | 2010-08-17 | Nanosys, Inc. | Methods and devices for forming nanostructure monolayers and devices including such monolayers |
US8088483B1 (en) | 2004-06-08 | 2012-01-03 | Nanosys, Inc. | Process for group 10 metal nanostructure synthesis and compositions made using same |
US8563133B2 (en) | 2004-06-08 | 2013-10-22 | Sandisk Corporation | Compositions and methods for modulation of nanostructure energy levels |
US20070264623A1 (en) * | 2004-06-15 | 2007-11-15 | President And Fellows Of Harvard College | Nanosensors |
WO2006000790A1 (en) | 2004-06-25 | 2006-01-05 | Btg International Limited | Formation of nanowhiskers on a substrate of dissimilar material |
JP4788878B2 (ja) * | 2004-07-01 | 2011-10-05 | 日産自動車株式会社 | ウィスカー被覆材料及びその製造方法 |
JP2008506254A (ja) * | 2004-07-07 | 2008-02-28 | ナノシス・インコーポレイテッド | ナノワイヤーの集積及び組み込みのためのシステムおよび方法 |
US8558311B2 (en) | 2004-09-16 | 2013-10-15 | Nanosys, Inc. | Dielectrics using substantially longitudinally oriented insulated conductive wires |
US7365395B2 (en) * | 2004-09-16 | 2008-04-29 | Nanosys, Inc. | Artificial dielectrics using nanostructures |
US8089152B2 (en) * | 2004-09-16 | 2012-01-03 | Nanosys, Inc. | Continuously variable graded artificial dielectrics using nanostructures |
JP4698192B2 (ja) * | 2004-09-28 | 2011-06-08 | 富士フイルム株式会社 | 酸化亜鉛構造体の製造方法 |
US20060112983A1 (en) * | 2004-11-17 | 2006-06-01 | Nanosys, Inc. | Photoactive devices and components with enhanced efficiency |
US8154002B2 (en) * | 2004-12-06 | 2012-04-10 | President And Fellows Of Harvard College | Nanoscale wire-based data storage |
US8278011B2 (en) | 2004-12-09 | 2012-10-02 | Nanosys, Inc. | Nanostructured catalyst supports |
US7939218B2 (en) * | 2004-12-09 | 2011-05-10 | Nanosys, Inc. | Nanowire structures comprising carbon |
US7842432B2 (en) * | 2004-12-09 | 2010-11-30 | Nanosys, Inc. | Nanowire structures comprising carbon |
EP1829141B1 (en) | 2004-12-09 | 2013-05-29 | Nanosys, Inc. | Nanowire-based membrane electrode assemblies for fuel cells |
JP2007182360A (ja) * | 2005-02-16 | 2007-07-19 | Nissan Motor Co Ltd | ウィスカー形成体及びこれを用いた電気化学キャパシタ |
US7591871B1 (en) | 2005-02-17 | 2009-09-22 | Sandia Corporation | Solution synthesis of germanium nanocrystals |
JP2008538728A (ja) * | 2005-04-13 | 2008-11-06 | ナノシス・インク. | ナノワイヤー分散組成物およびその使用 |
EP1880413B1 (en) * | 2005-04-14 | 2017-10-18 | Tallinn University of Technology | Method of preparing zinc oxide nanorods on a substrate by chemical spray pyrolysis |
WO2006116424A2 (en) * | 2005-04-26 | 2006-11-02 | Nanosys, Inc. | Paintable nanofiber coatings |
US20100227382A1 (en) | 2005-05-25 | 2010-09-09 | President And Fellows Of Harvard College | Nanoscale sensors |
CA2609042A1 (en) * | 2005-06-02 | 2006-12-07 | Nanosys, Inc. | Light emitting nanowires for macroelectronics |
WO2006132659A2 (en) * | 2005-06-06 | 2006-12-14 | President And Fellows Of Harvard College | Nanowire heterostructures |
US8644003B2 (en) * | 2005-06-09 | 2014-02-04 | National University Corporation, Tokyo University Of Agriculture And Technology | Electrolytic capacitor element and process for producing the same |
KR100944889B1 (ko) * | 2005-06-29 | 2010-03-03 | 유니버시티 오브 휴스턴 | 이온 빔 주입에 의해 형성된 나노로드 어레이 |
JP4864093B2 (ja) * | 2005-07-28 | 2012-01-25 | ナノコンプ テクノロジーズ インコーポレイテッド | ナノ繊維質材料の形成および収穫に関するシステムおよび方法 |
US8034745B2 (en) * | 2005-08-01 | 2011-10-11 | Amit Goyal | High performance devices enabled by epitaxial, preferentially oriented, nanodots and/or nanorods |
EP1938381A2 (en) * | 2005-09-23 | 2008-07-02 | Nanosys, Inc. | Methods for nanostructure doping |
EP2607518B1 (en) * | 2005-11-04 | 2017-06-21 | Nanocomp Technologies, Inc. | Nanostructured antennas |
EP1952467B9 (en) | 2005-11-21 | 2012-03-14 | Nanosys, Inc. | Nanowire structures comprising carbon |
JP2009522197A (ja) * | 2005-12-29 | 2009-06-11 | ナノシス・インコーポレイテッド | パターン形成された基板上のナノワイヤの配向した成長のための方法 |
US7394094B2 (en) * | 2005-12-29 | 2008-07-01 | Massachusetts Institute Of Technology | Semiconductor nanocrystal heterostructures |
US7741197B1 (en) | 2005-12-29 | 2010-06-22 | Nanosys, Inc. | Systems and methods for harvesting and reducing contamination in nanowires |
US7826336B2 (en) | 2006-02-23 | 2010-11-02 | Qunano Ab | Data storage nanostructures |
US7498215B2 (en) * | 2006-04-03 | 2009-03-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of producing product including silicon wires |
US7718897B2 (en) * | 2006-05-19 | 2010-05-18 | General Electric Company | Low AC loss superconductor for a superconducting magnet and method of making same |
US7838774B2 (en) * | 2006-05-19 | 2010-11-23 | General Electric Company | Low AC loss single-filament superconductor for a superconducting magnet and method of making same |
JP2009540333A (ja) * | 2006-06-12 | 2009-11-19 | プレジデント アンド フェロウズ オブ ハーバード カレッジ | ナノセンサーおよび関連技術 |
KR100772014B1 (ko) * | 2006-07-14 | 2007-10-31 | 한국전기연구원 | 보조 클러스트빔 분사에 의한 고온 초전도막 제조방법,제조장치, 이 방법에 의해 제조되는 고온 초전도막 |
TW200806829A (en) * | 2006-07-20 | 2008-02-01 | Univ Nat Central | Method for producing single crystal gallium nitride substrate |
KR100785347B1 (ko) * | 2006-07-27 | 2007-12-18 | 한국과학기술연구원 | 금속전극 위에서의 반도체 나노선의 정렬방법 |
JP2010501002A (ja) * | 2006-08-14 | 2010-01-14 | マヨ ファウンデイション フォア メディカル エデュケイション アンド リサーチ | 希土類ナノ粒子 |
US8323789B2 (en) | 2006-08-31 | 2012-12-04 | Cambridge Enterprise Limited | Nanomaterial polymer compositions and uses thereof |
EP2057211B1 (en) * | 2006-08-31 | 2013-01-02 | Cambridge Enterprise Limited | Optical nanomaterial compositions |
US8058640B2 (en) | 2006-09-11 | 2011-11-15 | President And Fellows Of Harvard College | Branched nanoscale wires |
US7405420B1 (en) | 2006-09-29 | 2008-07-29 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Method and system for chalcogenide-based nanowire memory |
US8120448B2 (en) * | 2006-10-19 | 2012-02-21 | The Regents Of The University Of California | High frequency nanotube oscillator |
JP2010509171A (ja) * | 2006-11-07 | 2010-03-25 | ナノシス・インク. | ナノワイヤー成長用システム及び方法 |
JP5009993B2 (ja) | 2006-11-09 | 2012-08-29 | ナノシス・インク. | ナノワイヤの配列方法および堆積方法 |
EP2095100B1 (en) | 2006-11-22 | 2016-09-21 | President and Fellows of Harvard College | Method of operating a nanowire field effect transistor sensor |
US7786024B2 (en) * | 2006-11-29 | 2010-08-31 | Nanosys, Inc. | Selective processing of semiconductor nanowires by polarized visible radiation |
EP2126986B1 (en) | 2006-12-22 | 2019-09-18 | QuNano AB | Led with upstanding nanowire structure and method of producing such |
US8183587B2 (en) | 2006-12-22 | 2012-05-22 | Qunano Ab | LED with upstanding nanowire structure and method of producing such |
US8049203B2 (en) | 2006-12-22 | 2011-11-01 | Qunano Ab | Nanoelectronic structure and method of producing such |
WO2008079078A1 (en) | 2006-12-22 | 2008-07-03 | Qunano Ab | Elevated led and method of producing such |
US8257932B2 (en) * | 2007-02-21 | 2012-09-04 | The Regents Of The University Of California | Interfacing nanostructures to biological cells |
EP2962986B1 (en) * | 2007-02-27 | 2017-04-05 | Nanocomp Technologies, Inc. | Materials for thermal protection and methods of manufacturing same |
US7892610B2 (en) * | 2007-05-07 | 2011-02-22 | Nanosys, Inc. | Method and system for printing aligned nanowires and other electrical devices |
US7767272B2 (en) * | 2007-05-25 | 2010-08-03 | Imra America, Inc. | Method of producing compound nanorods and thin films |
US9061913B2 (en) * | 2007-06-15 | 2015-06-23 | Nanocomp Technologies, Inc. | Injector apparatus and methods for production of nanostructures |
AU2008293884A1 (en) * | 2007-07-09 | 2009-03-05 | Nanocomp Technologies, Inc. | Chemically-assisted alignment of nanotubes within extensible structures |
EP2173473A2 (en) * | 2007-07-25 | 2010-04-14 | Nanocomp Technologies, Inc. | Systems and methods for controlling chirality of nanotubes |
EP2176927A4 (en) * | 2007-08-07 | 2011-05-04 | Nanocomp Technologies Inc | ELECTRIC AND THERMALLY CONDUCTIVE NON-METAL ADAPTERS ON NANOSTRUCTURE BASE |
JP2010537410A (ja) * | 2007-08-14 | 2010-12-02 | ナノコンプ テクノロジーズ インコーポレイテッド | ナノ構造材料ベースの熱電発電装置 |
CN100581988C (zh) * | 2007-09-03 | 2010-01-20 | 中国科学院理化技术研究所 | 热蒸发稳定制备一维纳米结构材料的装置和方法 |
US8609333B2 (en) * | 2007-10-01 | 2013-12-17 | University Of Southern California | Detection of methylated DNA and DNA mutations |
EP2219572A4 (en) * | 2007-12-06 | 2014-05-28 | Nanosys Inc | RESORBABLE HEMOSTATIC STRUCTURES ENHANCED BY NANOMATERIAL AND BANDING MATERIALS |
US8319002B2 (en) * | 2007-12-06 | 2012-11-27 | Nanosys, Inc. | Nanostructure-enhanced platelet binding and hemostatic structures |
US8364243B2 (en) | 2008-04-30 | 2013-01-29 | Nanosys, Inc. | Non-fouling surfaces for reflective spheres |
US9198232B2 (en) * | 2008-05-07 | 2015-11-24 | Nanocomp Technologies, Inc. | Nanostructure-based heating devices and methods of use |
US8178784B1 (en) | 2008-07-20 | 2012-05-15 | Charles Wesley Blackledge | Small pins and microscopic applications thereof |
JP5029542B2 (ja) * | 2008-09-02 | 2012-09-19 | ソニー株式会社 | 一次元ナノ構造体の製造方法及びその装置 |
KR101126086B1 (ko) * | 2008-09-22 | 2012-03-29 | 한국과학기술원 | 금속 단결정 나노플레이트 및 그 제조방법 |
US9006133B2 (en) | 2008-10-24 | 2015-04-14 | Oned Material Llc | Electrochemical catalysts for fuel cells |
US20100204062A1 (en) * | 2008-11-07 | 2010-08-12 | University Of Southern California | Calibration methods for multiplexed sensor arrays |
US8540889B1 (en) | 2008-11-19 | 2013-09-24 | Nanosys, Inc. | Methods of generating liquidphobic surfaces |
US8337951B2 (en) * | 2009-04-03 | 2012-12-25 | Board Of Trustees Of The University Of Arkansas | Superhydrophobic surface and method of forming same using high-aspect ratio nano-texture |
WO2010115143A1 (en) * | 2009-04-03 | 2010-10-07 | University Of Southern California | Surface modification of nanosensor platforms to increase sensitivity and reproducibility |
JP5686988B2 (ja) * | 2009-05-04 | 2015-03-18 | シャープ株式会社 | 燃料電池用膜電極複合体に用いられる触媒層、それを用いる燃料電池用膜電極複合体、燃料電池、およびその製造方法 |
DK3859830T3 (da) | 2009-05-19 | 2022-04-11 | Oned Mat Inc | Nanostrukturerede materialer til batterianvendelser |
US20120135158A1 (en) | 2009-05-26 | 2012-05-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Methods and systems for electric field deposition of nanowires and other devices |
US8623288B1 (en) | 2009-06-29 | 2014-01-07 | Nanosys, Inc. | Apparatus and methods for high density nanowire growth |
WO2011038228A1 (en) | 2009-09-24 | 2011-03-31 | President And Fellows Of Harvard College | Bent nanowires and related probing of species |
US8685549B2 (en) * | 2010-08-04 | 2014-04-01 | Ut-Battelle, Llc | Nanocomposites for ultra high density information storage, devices including the same, and methods of making the same |
KR20120074901A (ko) * | 2010-12-28 | 2012-07-06 | 동국대학교 산학협력단 | 산화아연 나노로드, 금속 수송 증착법을 이용한 산화아연 나노로드 제조 방법 및 장치, 그 산화아연 나노로드를 이용한 전계 발광 디스플레이 나노로드 제조 방법 |
WO2013016339A2 (en) | 2011-07-26 | 2013-01-31 | Nanosys, Inc. | Nanostructured battery active materials and methods of producing same |
KR101348726B1 (ko) * | 2011-09-28 | 2014-01-08 | 인하대학교 산학협력단 | 무촉매 열증착법을 이용한 바늘 형상의 산화중석 나노구조체의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 바늘 형상의 산화중석 나노구조체 |
US8690964B2 (en) * | 2011-10-11 | 2014-04-08 | The Sweet Living Group, LLC | Fabric having ultraviolet radiation protection |
KR101491113B1 (ko) * | 2012-08-31 | 2015-02-10 | 김기호 | 고품위 나노 로드 성장이 가능한 열 화학 기상 증착 장치 |
ES2943257T3 (es) | 2013-06-17 | 2023-06-12 | Nanocomp Technologies Inc | Agentes exfoliantes-dispersantes para nanotubos, haces y fibras |
US10023795B2 (en) * | 2015-01-21 | 2018-07-17 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Ceramic composite systems and method |
US11434581B2 (en) | 2015-02-03 | 2022-09-06 | Nanocomp Technologies, Inc. | Carbon nanotube structures and methods for production thereof |
ES2913682T3 (es) | 2016-07-15 | 2022-06-03 | Oned Mat Inc | Procedimiento de fabricación para la fabricación de nanocables de silicio en polvos a base de carbono para su uso en baterías |
KR101815790B1 (ko) | 2016-11-03 | 2018-01-05 | 건국대학교 산학협력단 | 꽃 모양의 말단부를 가지는 중공 와이어 및 이의 제조방법 |
US10581082B2 (en) | 2016-11-15 | 2020-03-03 | Nanocomp Technologies, Inc. | Systems and methods for making structures defined by CNT pulp networks |
US11279836B2 (en) | 2017-01-09 | 2022-03-22 | Nanocomp Technologies, Inc. | Intumescent nanostructured materials and methods of manufacturing same |
US10543231B2 (en) | 2017-05-19 | 2020-01-28 | Mayo Foundation For Medical Education And Research | Methods and materials for treating cancer |
KR102044742B1 (ko) * | 2018-08-06 | 2019-11-15 | 한국기계연구원 | 금속 산화물 나노로드 및 이의 제조방법 |
CN109277580B (zh) * | 2018-11-13 | 2020-04-07 | 北京科技大学 | 一种制备Cr-Mn复合纳米线的方法 |
CN110112060A (zh) * | 2019-05-20 | 2019-08-09 | 山东大学 | 一种利用气固固生长模式控制高性能ⅲ-ⅴ族半导体纳米线生长方向的方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3361681A (en) * | 1964-06-12 | 1968-01-02 | Goodyear Tire & Rubber | Titanium tetraiodide suspensions |
US3668062A (en) * | 1969-09-08 | 1972-06-06 | Gen Technologies Corp | Three-dimensional crystal whiskers and method for preparation thereof |
US3711599A (en) * | 1970-04-13 | 1973-01-16 | Dow Chemical Co | Method of preparing fibrous magnesium oxide |
US3674455A (en) * | 1970-07-31 | 1972-07-04 | Us Air Force | Process for the synthesis of glass and single crystal germanates of identical composition |
US3951677A (en) * | 1970-09-04 | 1976-04-20 | Howard Wayne Jacobson | Mullite fibrils |
FR2500653A1 (fr) * | 1981-02-26 | 1982-08-27 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de reglage du debit d'un fluide |
JPS61117200A (ja) * | 1984-11-13 | 1986-06-04 | Alps Electric Co Ltd | 酸化テルルウイスカ−およびその製造方法 |
JPS61122198A (ja) * | 1984-11-15 | 1986-06-10 | Alps Electric Co Ltd | 酸化アンチモンウイスカ−の製造方法および製造装置 |
JPS61136998A (ja) * | 1984-12-06 | 1986-06-24 | Alps Electric Co Ltd | 酸化ゲルマニウムウイスカ−およびその製法 |
JPS62123100A (ja) * | 1985-11-22 | 1987-06-04 | Alps Electric Co Ltd | 酸化レニウムウイスカ−およびその製造方法 |
US4778716A (en) * | 1987-03-26 | 1988-10-18 | Basf Corporation | Method of increasing the toughness of fiber-reinforced composites without loss of modulus |
KR930007857B1 (ko) * | 1988-12-16 | 1993-08-20 | 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤 | 산화아연위스커의 제조방법 |
US5336558A (en) * | 1991-06-24 | 1994-08-09 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Composite article comprising oriented microstructures |
EP0530440A1 (en) * | 1991-09-02 | 1993-03-10 | International Software Corp. | Copper oxide whiskers and process for producing the same |
JP2697474B2 (ja) * | 1992-04-30 | 1998-01-14 | 松下電器産業株式会社 | 微細構造の製造方法 |
US5441726A (en) * | 1993-04-28 | 1995-08-15 | Sunsmart, Inc. | Topical ultra-violet radiation protectants |
DE69426813T2 (de) * | 1993-12-30 | 2001-09-27 | Sakai Chemical Industry Co | Feinteiliges nadelförmiges alpha-Eisen-III-oxid und Herstellungsverfahren |
-
1997
- 1997-01-22 US US08/790,824 patent/US6036774A/en not_active Expired - Lifetime
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