JPS61117200A - 酸化テルルウイスカ−およびその製造方法 - Google Patents
酸化テルルウイスカ−およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「技術分野」
本発明は、酸化テルルウィスカーおよびその製造方法に
関する。
関する。
「従来技術およびその問題点」
金属酸化物は,棒状,線状,針状、フレーク状などの形
状をなすことがあり,ウィスカーと呼ばれている.ウィ
スカーを形成する金属酸化物としては,これまでに酸化
アルミニウム(A1203 ) 。
状をなすことがあり,ウィスカーと呼ばれている.ウィ
スカーを形成する金属酸化物としては,これまでに酸化
アルミニウム(A1203 ) 。
酪化亜鉛(ZnO) 、酸化ベリリウム(Bed) 、
酸化マグネシウム(MgO)などが知られている.これ
らのウィスカーは、上記のような特殊な形状をなすと共
に極めて強固なため、現在プラスチックのフィラーとし
て利用されているが、その他各種用途への利用が検討さ
れている。
酸化マグネシウム(MgO)などが知られている.これ
らのウィスカーは、上記のような特殊な形状をなすと共
に極めて強固なため、現在プラスチックのフィラーとし
て利用されているが、その他各種用途への利用が検討さ
れている。
このように、各種の金属酸化物からなるウィスカーが知
られているが、酸化テルル(Tent)については未だ
ウィスカーを形成することが知られておらず、その性状
も明らかでなかった。
られているが、酸化テルル(Tent)については未だ
ウィスカーを形成することが知られておらず、その性状
も明らかでなかった。
「発明の目的」
本発明の目的は、新規な工業用材料として各種用途への
応用が期待される酸化テルルウィスカーおよびその製造
方法を提供することにある。
応用が期待される酸化テルルウィスカーおよびその製造
方法を提供することにある。
「発明の構成」
本発明の酸化テルルウィスカーは,酸化テルルの針状も
しくは棒状単結晶からなっている。
しくは棒状単結晶からなっている。
また、本発明の酸化テルルウィスカーの製造方法は,金
属テルルを酸素含有雰囲気中で400°C以上の温度で
焼成する方法である。
属テルルを酸素含有雰囲気中で400°C以上の温度で
焼成する方法である。
次に本発明をより具体的に説明する。
本発明では、原料として金属テルルの粉末、粒塊等を使
用し、これを酸素含有雰囲気中で加熱焼成する。ここで
、酸素含有雰囲気とは、酸素もしくは酸素を含有する雰
囲気の意味であり、例えば酸素中や空気中であればよい
。加熱焼成は、例えばアルミナ基板、磁製ルツボ、石英
ルツボ等の耐熱性開口容器に上記金属テルルを入れて行
なうことができる。加熱焼成温度は400℃とされるが
。
用し、これを酸素含有雰囲気中で加熱焼成する。ここで
、酸素含有雰囲気とは、酸素もしくは酸素を含有する雰
囲気の意味であり、例えば酸素中や空気中であればよい
。加熱焼成は、例えばアルミナ基板、磁製ルツボ、石英
ルツボ等の耐熱性開口容器に上記金属テルルを入れて行
なうことができる。加熱焼成温度は400℃とされるが
。
特に金属テルルが酸化するときに重量が減少する温度、
すなわち酸化に伴ない金属テルルが昇華もしくは蒸発す
る温度以上とするのが好ましい、金属テルルは、その融
点(452〜453℃)付近において雰囲気中の酸素に
よって酸化されると共に、酸化時に昇華もしくは蒸発を
起こす、そして、蒸発もしくは昇華した酸化テルルによ
りウィスカーが形成されると考えられる。
すなわち酸化に伴ない金属テルルが昇華もしくは蒸発す
る温度以上とするのが好ましい、金属テルルは、その融
点(452〜453℃)付近において雰囲気中の酸素に
よって酸化されると共に、酸化時に昇華もしくは蒸発を
起こす、そして、蒸発もしくは昇華した酸化テルルによ
りウィスカーが形成されると考えられる。
こうして得られた酸化テルルウィスカーは太さIg、m
〜20B+a 、長さ0.1mm 〜lIem程度の
針状もしくは棒状の単結晶からなっている。
〜20B+a 、長さ0.1mm 〜lIem程度の
針状もしくは棒状の単結晶からなっている。
なお、酸化テルルウィスカーを工業的に製造するには、
例えば第2図に示すような製造装置を使用できる。すな
わち、この製造装置は、石英製チューブ11の一端に酸
素含有ガス12の供給口13が形成され、他端に酸素含
有ガス12の排出口14が形成され1石英製チューブ1
1の内部は酸素含有ガス12の流通路となっている。そ
して、石英製チューブ11の内部にはアルミナからなる
多孔板15が設置され、この多孔板15上に臨むように
金属テルルの供給管16が導入されている。また、多孔
板15の近傍に位置する石英製チューブ11の外周には
環状のヒータ17が取付けられている。
例えば第2図に示すような製造装置を使用できる。すな
わち、この製造装置は、石英製チューブ11の一端に酸
素含有ガス12の供給口13が形成され、他端に酸素含
有ガス12の排出口14が形成され1石英製チューブ1
1の内部は酸素含有ガス12の流通路となっている。そ
して、石英製チューブ11の内部にはアルミナからなる
多孔板15が設置され、この多孔板15上に臨むように
金属テルルの供給管16が導入されている。また、多孔
板15の近傍に位置する石英製チューブ11の外周には
環状のヒータ17が取付けられている。
この製造装置においては、金属テルルの粉末、粒塊など
を供給管18がら多孔板15上に供給する。
を供給管18がら多孔板15上に供給する。
そして、予め80℃程度に加温された酸素含有ガス12
を供給口13よ・り吹き込み、石英製チューブ11内部
を流通させて排出口14より排出させる。酸素含有ガス
12を予め加温するのは、石英製チューブ11内部の温
度低下を防ぐためと、金属テルルの酸化効率を上げるた
めである。ただし、室温の酸素含有ガス12を吹き込ん
でもかまわない。この状態でヒータ17により石英製チ
ューブll内を加熱して多孔板15の近傍を400°C
以上にする。金属テルルは酸素含有ガス12によって酸
化され、順次酸化テルルとなって昇華もしくは蒸発する
。昇華もしくは蒸発した酸化テルルは、酸素含有ガス1
2と共に上方に運ばれて酸化テルルウィスカーとなって
排出口14から流出する。したがって、排出口14から
流出した酸化テルルウィスカーを適宜手段により酸素含
有ガス12から分離して酸化テルルウィスカーを得るこ
とができる。なお、#素含有ガス12の流速は、酸化テ
ルルウィスカーの生成速度に合せて調整した方がよく、
あまり高速でない方がよい。
を供給口13よ・り吹き込み、石英製チューブ11内部
を流通させて排出口14より排出させる。酸素含有ガス
12を予め加温するのは、石英製チューブ11内部の温
度低下を防ぐためと、金属テルルの酸化効率を上げるた
めである。ただし、室温の酸素含有ガス12を吹き込ん
でもかまわない。この状態でヒータ17により石英製チ
ューブll内を加熱して多孔板15の近傍を400°C
以上にする。金属テルルは酸素含有ガス12によって酸
化され、順次酸化テルルとなって昇華もしくは蒸発する
。昇華もしくは蒸発した酸化テルルは、酸素含有ガス1
2と共に上方に運ばれて酸化テルルウィスカーとなって
排出口14から流出する。したがって、排出口14から
流出した酸化テルルウィスカーを適宜手段により酸素含
有ガス12から分離して酸化テルルウィスカーを得るこ
とができる。なお、#素含有ガス12の流速は、酸化テ
ルルウィスカーの生成速度に合せて調整した方がよく、
あまり高速でない方がよい。
実験によればO,li〜10M/分程度が好ましい。
「発明の実施例」
実施例1
金属テルルの粒塊(純度S9.*%、粒度2〜3 ra
m程度)をアルミナ基板に1g乗せ、空気中で400℃
にて2時間加熱焼成した結果、太さ104m以下、長さ
0.3 mm以下の棒状の酸化テルルウィスカーが得ら
れた。収率は約5%であった。
m程度)をアルミナ基板に1g乗せ、空気中で400℃
にて2時間加熱焼成した結果、太さ104m以下、長さ
0.3 mm以下の棒状の酸化テルルウィスカーが得ら
れた。収率は約5%であった。
実施例2
実施例1と同様な金属テルルの粒塊をアルミナ基板にI
g乗せ・、空気中で450℃にて2時間加熱焼成したー
果、太さIOpm以下、長さ0.5■以下の棒状の酸化
テルルウィスカーが得られた。収率は約10%であった
。
g乗せ・、空気中で450℃にて2時間加熱焼成したー
果、太さIOpm以下、長さ0.5■以下の棒状の酸化
テルルウィスカーが得られた。収率は約10%であった
。
実施例3
実施例1と同様な金属テルルの粒塊をアルミナ基板に1
g乗せ、空気中で500℃にて1時間加熱焼成した結果
、太さ20終■以下、長さ1 mm以下の針状もしくは
棒状単結晶からなる酸化チルルウイス−カーが得られた
。収率は約30%であった。なお、この酸化テルルウィ
スカーの15倍の顕微鏡写真を第1図に示す。
g乗せ、空気中で500℃にて1時間加熱焼成した結果
、太さ20終■以下、長さ1 mm以下の針状もしくは
棒状単結晶からなる酸化チルルウイス−カーが得られた
。収率は約30%であった。なお、この酸化テルルウィ
スカーの15倍の顕微鏡写真を第1図に示す。
実施例4
実施例1と同様な金属テルルの粒塊をアルミナ基板に1
g乗せ、空気中で600°Cにて1時間加熱焼成した結
果、太さ2G’pm以下、長さ1 mm以下の棒状の酸
化テルルウィスカーが得られた。−収率、ば約40%で
あった。
g乗せ、空気中で600°Cにて1時間加熱焼成した結
果、太さ2G’pm以下、長さ1 mm以下の棒状の酸
化テルルウィスカーが得られた。−収率、ば約40%で
あった。
実施例5
金属テルルの粉末(純度98.9%1粒度1 grtr
前後)をアルミナ基板にIg乗せ、空気中にて400°
C1500°C1600℃の各条件で加熱焼成した結果
、いずれも棒状の酸化テルルウィスカーを得ることがで
きた。
前後)をアルミナ基板にIg乗せ、空気中にて400°
C1500°C1600℃の各条件で加熱焼成した結果
、いずれも棒状の酸化テルルウィスカーを得ることがで
きた。
なお、実施例1〜5で得られたウィスカーは、X線回折
の結果、いずれも酸化テルルであることが確認された。
の結果、いずれも酸化テルルであることが確認された。
「発明の効果」
以上説明したように、本発明の酸化テルルウィスカーの
製造方法によれば、金属テルルを酸素含有雰囲気中で4
00°C以上の温度で焼成することにより、効率的に酸
化テルルウィスカーを得ることができる。また、こうし
て得られた本発明の酸化テルルウィスカーは、酸化テル
ルの針状もしくは棒状の単結晶からなり、プラスチック
用フィラー等各種工業材料としての用途が期待される。
製造方法によれば、金属テルルを酸素含有雰囲気中で4
00°C以上の温度で焼成することにより、効率的に酸
化テルルウィスカーを得ることができる。また、こうし
て得られた本発明の酸化テルルウィスカーは、酸化テル
ルの針状もしくは棒状の単結晶からなり、プラスチック
用フィラー等各種工業材料としての用途が期待される。
第1図は本発明による酸化テルルウィスカーの結晶構造
を示す15倍の顕微鏡写真、@2図は本発明による製造
方法を工業的に行なうのに適した製造装置の一例を示す
断面図である。 なお、図中、11は石英製チューブ、12は酸素含有ガ
ス、13は酸素含有ガスの供給口、14は酸素含有ガス
の排出口、15は多孔板、18は金属テルルの供給管、
17はヒータである。
を示す15倍の顕微鏡写真、@2図は本発明による製造
方法を工業的に行なうのに適した製造装置の一例を示す
断面図である。 なお、図中、11は石英製チューブ、12は酸素含有ガ
ス、13は酸素含有ガスの供給口、14は酸素含有ガス
の排出口、15は多孔板、18は金属テルルの供給管、
17はヒータである。
Claims (2)
- (1)酸化テルルの針状もしくは棒状単結晶からなる酸
化テルルウィスカー。 - (2)金属テルルを酸素含有雰囲気中で400℃以上の
温度で焼成することを特徴とする酸化テルルウィスカー
の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59239009A JPS61117200A (ja) | 1984-11-13 | 1984-11-13 | 酸化テルルウイスカ−およびその製造方法 |
US06/797,641 US4634630A (en) | 1984-11-13 | 1985-11-13 | Tellurium oxide whiskers and a method of producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59239009A JPS61117200A (ja) | 1984-11-13 | 1984-11-13 | 酸化テルルウイスカ−およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61117200A true JPS61117200A (ja) | 1986-06-04 |
Family
ID=17038534
Family Applications (1)
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US3668062A (en) * | 1969-09-08 | 1972-06-06 | Gen Technologies Corp | Three-dimensional crystal whiskers and method for preparation thereof |
DE2234512C3 (de) * | 1972-07-13 | 1979-04-19 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zum Herstellen von (Umorientierten Halbleitereinkristallstäben mit zur Stabmitte abtauendem spezifischem Widerstand |
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1985
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2010018520A (ja) * | 1996-02-26 | 2010-01-28 | President & Fellows Of Harvard College | 金属酸化物ナノロッドの製造方法 |
Also Published As
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