JPH02175854A - 多孔質溶射皮膜の形成方法 - Google Patents
多孔質溶射皮膜の形成方法Info
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- JPH02175854A JPH02175854A JP32977988A JP32977988A JPH02175854A JP H02175854 A JPH02175854 A JP H02175854A JP 32977988 A JP32977988 A JP 32977988A JP 32977988 A JP32977988 A JP 32977988A JP H02175854 A JPH02175854 A JP H02175854A
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- Pending
Links
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Landscapes
- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、多孔質溶射皮膜の形成方法の改良に関する。
従来、溶射皮膜に多孔性を与えるために粉末送給方式、
溶射距離、熱源の発生条件などの溶射・やラメータの制
御及び樹脂系材料の混合によって行りている。
溶射距離、熱源の発生条件などの溶射・やラメータの制
御及び樹脂系材料の混合によって行りている。
しかしながら、従来の溶射パラメータの制御だけでは十
分な多孔性が得られ々いとともに、多孔性の制御が困難
であるという問題点がある。また、多孔性を与える溶射
・臂うメータの条件は通常の溶射皮膜を形成する条件か
ら離れているため、溶射材料の歩留シが低下するという
問題点がある。
分な多孔性が得られ々いとともに、多孔性の制御が困難
であるという問題点がある。また、多孔性を与える溶射
・臂うメータの条件は通常の溶射皮膜を形成する条件か
ら離れているため、溶射材料の歩留シが低下するという
問題点がある。
一方、樹脂系材料を混合する方法においては形成した溶
射皮膜内部に樹脂が残存し、残存した樹脂の除去が困難
であるという問題点がある。また、残存し九樹脂は融点
が低いため、高温時に溶融あるいは半溶融状態になシ、
多孔性が阻害されるという問題点がある。
射皮膜内部に樹脂が残存し、残存した樹脂の除去が困難
であるという問題点がある。また、残存し九樹脂は融点
が低いため、高温時に溶融あるいは半溶融状態になシ、
多孔性が阻害されるという問題点がある。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、特殊な条件
を設定することなく、異なる多孔度の多孔質溶射皮膜を
容易に形成でき、かつ多孔性に優れた多孔質溶射皮膜の
形成方法を提供することを目的とする。
を設定することなく、異なる多孔度の多孔質溶射皮膜を
容易に形成でき、かつ多孔性に優れた多孔質溶射皮膜の
形成方法を提供することを目的とする。
本発明は、セラミックス又は金属の多孔質溶射皮膜を形
成する方法において、多孔質溶射皮膜の形成材料である
セラミックス粉末又は金属粉末と結晶セルロースとを混
合して溶射皮膜を形成した後、前記溶射皮膜を加熱して
結晶セルロースを除去することを要旨とする。
成する方法において、多孔質溶射皮膜の形成材料である
セラミックス粉末又は金属粉末と結晶セルロースとを混
合して溶射皮膜を形成した後、前記溶射皮膜を加熱して
結晶セルロースを除去することを要旨とする。
本発明において溶射皮膜の多孔性の制御はセラミックス
粉末又は金属粉末と結晶セルロースとの混合比によって
行なう。
粉末又は金属粉末と結晶セルロースとの混合比によって
行なう。
本発明において、結晶セルロースは加熱するとＣｏ２．
Ｈ２Ｏなどに分解し灰分を残さない特徴があり、セラ
ミックス粉末又は金属粉末と結晶セルロースとの混合溶
射皮膜においても皮膜を加熱することによって皮膜の形
成材料であるセラミックス又は金属を残したまま結晶セ
ルロースのみ分解し除去されて皮膜内部に空孔が発生す
る。
Ｈ２Ｏなどに分解し灰分を残さない特徴があり、セラ
ミックス粉末又は金属粉末と結晶セルロースとの混合溶
射皮膜においても皮膜を加熱することによって皮膜の形
成材料であるセラミックス又は金属を残したまま結晶セ
ルロースのみ分解し除去されて皮膜内部に空孔が発生す
る。
以下、本発明の一実施例について説明する。
まず、ステンレス鋼母材（ＳＵＳ ５ｏ４）上に例えば
Ｃｕ溶射粒子と結晶セルロースとを混合してプラズマ溶
射法により溶射皮膜を形成する。次に、不活性ガス雰囲
気中にて電気炉により５００℃で５時間加熱処理する。
Ｃｕ溶射粒子と結晶セルロースとを混合してプラズマ溶
射法により溶射皮膜を形成する。次に、不活性ガス雰囲
気中にて電気炉により５００℃で５時間加熱処理する。
これにより、 Ｃｕ溶射粒子を残したまま結晶セルロー
スのみ分解し除去されて溶射皮膜内部に空孔が発生する
。なお、上記溶射皮膜の条件は、プラズマガスとしてＡ
ｒ ５０−ｅ ／ｍｉｎとＨ２２１３／ｍｌ ｎ −ｆ
ラズマアーク電流４００Ａ、プラズマアーク電圧５８Ｖ
、溶射距離１２０ｍとした。また、溶射皮膜中のＣｕと
結晶セルロースとの混合は、夫々側の粉末送給装置を用
い、その混合比はＣｕ２０ｖｏｔ％、結晶セルロース８
０ ｖｏｔｑｂとした。
スのみ分解し除去されて溶射皮膜内部に空孔が発生する
。なお、上記溶射皮膜の条件は、プラズマガスとしてＡ
ｒ ５０−ｅ ／ｍｉｎとＨ２２１３／ｍｌ ｎ −ｆ
ラズマアーク電流４００Ａ、プラズマアーク電圧５８Ｖ
、溶射距離１２０ｍとした。また、溶射皮膜中のＣｕと
結晶セルロースとの混合は、夫々側の粉末送給装置を用
い、その混合比はＣｕ２０ｖｏｔ％、結晶セルロース８
０ ｖｏｔｑｂとした。
しかして、本発明によれば、Ｃｕ溶射粉末と結晶セルロ
ースとを混合して溶射皮にを形成した後、適宜な条件下
で前記溶射皮膜を加熱処理するため、Ｃｕ溶射粒子を残
したまま溶射皮膜内部に空孔を発生させることができる
。第２図は、本発明に係る多孔質溶射皮膜の断面の金属
組織の顕微鏡写真図である。図中の１はステンレス鋼母
材、２（白部分）はＣｕ溶射粒子、３（黒部分）は空孔
である。
ースとを混合して溶射皮にを形成した後、適宜な条件下
で前記溶射皮膜を加熱処理するため、Ｃｕ溶射粒子を残
したまま溶射皮膜内部に空孔を発生させることができる
。第２図は、本発明に係る多孔質溶射皮膜の断面の金属
組織の顕微鏡写真図である。図中の１はステンレス鋼母
材、２（白部分）はＣｕ溶射粒子、３（黒部分）は空孔
である。
また、Ｃｕ溶射粒子と結晶セルロースとの混合比率を変
化させることにより溶射皮膜の多孔度を変化させること
ができる。第１図は、多孔度と結晶セルロースの混合比
を示す特性図である。
化させることにより溶射皮膜の多孔度を変化させること
ができる。第１図は、多孔度と結晶セルロースの混合比
を示す特性図である。
なお、上記実施例ではＣｕ溶射粉末を用いた場合につい
て述べたが、これに限らず、他の金属粉末でもよいし、
あるいはセラミックス粉末でもよい。
て述べたが、これに限らず、他の金属粉末でもよいし、
あるいはセラミックス粉末でもよい。
以上詳述した如く本発明によれば、特殊な条件を設定す
ることなく、異なる多孔度の多孔質溶射皮膜を容易に形
成でき、かつ多孔性に優れた多孔質溶射皮膜の形成方法
を提供できる。
ることなく、異なる多孔度の多孔質溶射皮膜を容易に形
成でき、かつ多孔性に優れた多孔質溶射皮膜の形成方法
を提供できる。
第１図は多孔度と結晶セルロースの混合比を示す特性図
、第２図は本発明に係る多孔質溶射皮膜の断面の金Ｆ１
組織の顕微鏡写真図である。 第１図
、第２図は本発明に係る多孔質溶射皮膜の断面の金Ｆ１
組織の顕微鏡写真図である。 第１図
Claims (1)
- セラミックス又は金属の多孔質溶射皮膜を形成する方法
において、多孔質溶射皮膜の形成材料であるセラミック
ス粉末又は金属粉末と結晶セルロースとを混合して溶射
皮膜を形成した後、前記溶射皮膜を加熱して結晶セルロ
ースを除去することを特徴とする多孔質溶射皮膜の形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32977988A JPH02175854A (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | 多孔質溶射皮膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32977988A JPH02175854A (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | 多孔質溶射皮膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02175854A true JPH02175854A (ja) | 1990-07-09 |
Family
ID=18225172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32977988A Pending JPH02175854A (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | 多孔質溶射皮膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02175854A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001036711A1 (en) * | 1999-11-12 | 2001-05-25 | Kerr Corporation | Adherent hard coatings for dental burs and other applications |
| JP2006521666A (ja) * | 2003-03-07 | 2006-09-21 | フォルシュングスツェントルム・ユーリッヒ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | 金属製担体およびアノード官能性層を含む層系の製造方法 |
| JP2014098175A (ja) * | 2012-11-13 | 2014-05-29 | Sekisui Chem Co Ltd | 混合膜の製造方法、多孔質膜の製造方法、混合膜、多孔質膜、及び成膜装置 |
-
1988
- 1988-12-27 JP JP32977988A patent/JPH02175854A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001036711A1 (en) * | 1999-11-12 | 2001-05-25 | Kerr Corporation | Adherent hard coatings for dental burs and other applications |
| JP2006521666A (ja) * | 2003-03-07 | 2006-09-21 | フォルシュングスツェントルム・ユーリッヒ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | 金属製担体およびアノード官能性層を含む層系の製造方法 |
| JP2014098175A (ja) * | 2012-11-13 | 2014-05-29 | Sekisui Chem Co Ltd | 混合膜の製造方法、多孔質膜の製造方法、混合膜、多孔質膜、及び成膜装置 |
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