JP5130641B2 - 複合半導体装置 - Google Patents
複合半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5130641B2 JP5130641B2 JP2006098514A JP2006098514A JP5130641B2 JP 5130641 B2 JP5130641 B2 JP 5130641B2 JP 2006098514 A JP2006098514 A JP 2006098514A JP 2006098514 A JP2006098514 A JP 2006098514A JP 5130641 B2 JP5130641 B2 JP 5130641B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- layer
- hemt
- semiconductor
- gate electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 195
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims description 57
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 37
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 194
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 42
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 30
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 14
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 12
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 11
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 4
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004047 hole gas Substances 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 210000000746 body region Anatomy 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002784 hot electron Substances 0.000 description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 description 2
- -1 AllnGaN Chemical compound 0.000 description 1
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
- H01L27/0605—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits made of compound material, e.g. AIIIBV
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
- H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
- H01L27/0255—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices using diodes as protective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
- H01L27/0611—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region
- H01L27/0617—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region comprising components of the field-effect type
- H01L27/0629—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region comprising components of the field-effect type in combination with diodes, or resistors, or capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
- H01L27/07—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common
- H01L27/0705—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common comprising components of the field effect type
- H01L27/0727—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common comprising components of the field effect type in combination with diodes, or capacitors or resistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66431—Unipolar field-effect transistors with a heterojunction interface channel or gate, e.g. HFET, HIGFET, SISFET, HJFET, HEMT
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Description
互いに対向する一方及び他方の主面を有する半導体領域と、
前記半導体領域の前記一方の主面上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、
前記半導体領域の前記一方の主面上に形成され且つ前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に配置されたゲート電極と、
前記半導体領域の一方の主面の上において前記ゲート電極を基準にして前記ソース電極と反対側に配置され且つ前記半導体領域の一方の主面にショットキー接触しているショットキー電極と、
前記ショットキー電極と前記ソース電極との間を接続している接続導体と
を備え、前記ショットキー電極は、前記ドレイン電極の全周を囲むパターンに形成されていることを特徴とする複合半導体装置に係わるものである。
また、請求項3に示すように、前記半導体領域は電流通路となることができるように半導体基板上に形成された半導体層から成り、前記ソース電極及びドレイン電極は前記半導体層の上に形成されていることが望ましい。
また、請求項4に示すように、前記ゲート電極は、前記半導体領域の一方の主面にショットキー接触しているショットキー電極であることが望ましい。
また、請求項5に示すように、更に、前記ゲート電極と前記半導体領域との間にゲート絶縁膜を配置することができる。
また、請求項6に示すように、更に、前記半導体領域の前記一方の主面における前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に配置された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜の上に配置され且つ前記ソース電極と前記ドレイン電極との間をノーマリオフにするためのキャリアを有しているキャリア蓄積層と、前記キャリア蓄積層の上に配置された第2の絶縁膜とを設け、前記ゲート電極を前記第2の絶縁膜の上に配置することができる。
また、請求項6の発明に従う複合半導体装置における、キャリア蓄積層は、電界効果作用によって半導体領域の電流通路(例えば、HEMT型の電界効果半導体素子の2DEG層又は2次元ホールガス層、又はMESFET型の電界効果半導体装置の電流通路)を遮断するように機能する。即ち、キャリア蓄積層は、ゲート電極に所定のバイアス電圧を印加した時と同様に機能し、電流通路を遮断する。この結果、ゲート電極にバイアス電圧を印加しない状態でドレイン電極とソース電極との間をオフ状態にすること、即ちノーマリオフが可能になる。ノーマリオフ特性を有する電界効果半導体装置は、電気回路において使い勝手が良い。
AlxGa1-XN,
ここで、xは0<x<1を満足する数値であり、好ましくは0.2〜0.4であり、より好ましくは0.3である。
この実施例1の電子供給層4はアンドープのAlGaNから成るが、nライク特性即ちn型半導体特性を示す。このアンドープのAlGaNから成る電子供給層4の代わりにn型(第1導電型)の不純物を添加したAlGaNから成る電子供給層を設けることもできる。
電子供給層4は、電子走行層3よりも薄い20nm程度の厚みに形成されているので、半導体領域5の一方の主面6に対して垂直方向の抵抗は無視できる程小さく、一方の主面6に平行な方向(横方向)の抵抗は垂直方向(縦方向)よりも大きい。また、この実施例では、電子供給層4の表面即ち半導体領域5の一方の主面6は特別な加工が施されていない平坦面である。なお、電子供給層4をAlGaN以外の化合物半導体で形成することもできる。また、電子供給層4の厚みを例えば5〜50nmの範囲で変更することができる。
例えば、HEMT61に誘導性負荷又は容量性負荷が接続されている時にドレイン端子63の電位がソース端子64の電位よりも低くなり、HEMT61に逆方向の過電圧が印加されることがある。この時、ショットキーダイオード62は順方向バイアスされ、導通状態になり、HEMT61を逆方向の過電圧から保護すること、又は回生電流即ち帰還電流を流すことが可能になる。
(1)帰還用ダイオード又は回生ダイオード又は保護ダイオードとして機能するショットキーダイオード62をHEMT61と一体的に構成でき、複合半導体装置の小型化又は低コスト化が達成される。
(2)ドレイン電極8とゲート電極12との間の耐圧を確保するために、ドレイン電極8とゲート電極12との間隔は比較的広く設定されている。本発明に従うショットキー電極60は比較的広いドレイン電極8とゲート電極12との間に配置されているので、ショットキー電極60のために半導体領域5の一方の主面6の寸法を特別に増大させることが不要である。従って、ショットキー電極60を設けたにも拘らず、複合半導体装置が大型にならない。
(3)HEMT61に逆方向の過電圧が印加された時にショットキー電極60からドレイン電極8に向って流れる電流は、ゲート電極12の下の空乏層に妨害されずに低抵抗且つ電子移動度の高い2DEG層14を通って良好に流れるので、帰還用ダイオード又は回生ダイオード又は保護ダイオードとして機能する特性の良いショットキーダイオード62を備えた複合半導体装置を提供することができる。
なお、本実施例では、電子供給層4の表面即ち半導体領域5の一方の主面6は特別な加工が施されていない平坦面とし、ノーマリオン特性のHEMT61を含む複合半導体装置としたが、この代りに、電子供給層4の表面即ち半導体領域5の一方の主面6にリセス(窪み)を設け、このリセスにゲート電極12を配置してノーマリオフ特性のHEMTを構成し、このノーマリオフ特性のHEMTに本発明に従うショットキー電極60を設けることもできる。即ち、本発明をノーマリオン特性のHEMTとノーマリオフ特性のHEMTとのいずれにも適用できる。
図9は図4の複合半導体装置、及び後述する図7、図8、図10の複合半導体装置の等価回路を示す。図9の等価回路におけるHEMT61´は図4、図7、図8、図10のショットキー電極60又は60aを除いた部分に対応し、ショットキーダイオード62はショットキー電極60又は60aに対応し、ドレイン端子63はドレイン電極8に対応し、ソース端子64はソース電極7に対応し、ゲート端子65´はゲート電極12´に対応している。ショットキーダイオード62のアノードはソース端子64に接続され、カソードはドレイン端子63に接続されている。従って、ショットキーダイオード62はHEMT61に対して並列に接続され、帰還用ダイオード又は回生ダイオード又は保護ダイオードとして機能する。
なお、図6の第2のパルス電圧Vp2は第1のパルス電圧Vp1よりも高い振幅を有するが、第2のパルス電圧Vp2の振幅を第1のパルス電圧Vp1の振幅と同一にすることもできる。
この制御回路30は、まず、図示が省略さている初期化指令手段からライン38に与えられた初期化指令に従って図6(A)に示す電圧Vdを負荷15を介してドレイン電極8とソース電極7との間に印加するように図4のドレイン電源スイッチ16をオン制御し、且つ図6(B)のt1〜t2期間に第1のパルス電圧Vp1を発生するようにパルス発生器31を制御する。これによりパルス発生器31から発生した第1のパルス電圧Vp1がゲート電極12´とソース電極7との間に印加され、前述したキャリア蓄積層10に対するキャリア(電子)の蓄積が生じる。
また、初期化動作終了後のHEMTをオフ状態にする時には、ゲート電極12´の電圧を図3のt18〜t19に示すように初期化動作終了後のHEMTのしきい値電圧よりも低い値又は零にする。
なお、HEMTをスイッチング素子として使用する時には、例えばゲート電源スイッチ18を半導体スイッチで構成し、これをオン・オフ制御することによってHEMTもオン・オフさせる。
また、HEMTのドレイン電流のレベルを変える時にはゲート電源19の電圧の振幅を変える。
(1) 電子供給層4を比較的厚く保ち且つ電子供給層4を構成するAlGaNのAlの割合を比較的大きく保ってノーマリオフ特性を得ることができる。従って、ノーマリオフ特性を有しているにも拘わらず電子走行層3に形成される2DEG層14の電子濃度を高く保つことができ、オン抵抗の小さいノーマリオフ型HEMTを提供することができる。
(2) ゲート電極12´に高い電圧を印加することによってキャリア蓄積層10にキャリア(電子)を蓄積することができるので、キャリアの蓄積を容易に達成することができる。
(3) 第1のパルス電圧Vp1を供給した後にしきい値電圧を測定し、必要に応じて第2のパルス電圧Vp2及び第3のパルス電圧Vp3のいずれか一方又は両方を供給するので、所望のしきい値電圧を有するHEMTを容易に形成することができる。従って、同一半導体基板に複数の複合半導体装置を形成する場合、又は複数の個別の複合半導体装置を形成する場合、又は1枚の半導体ウエハに複数の複合半導体装置を形成し、その後に分離する場合における複数のHEMTのしきい値電圧のバラツキを小さくすることができ、HEMTを含む複合半導体装置の製造上の歩留りを改善することができる。
(4)絶縁ゲート型のHEMTであるので、ショットキーゲート型のHEMTよりもゲート・ドレイン間の耐圧が高い。
なお、図7の電子供給層4´及びスペーサー層51を図1の実施例1の複合半導体装置にも設けることができる。
なお、図1の半導体領域5を図8の半導体領域5bに置き換えることができる。即ち、ショットキーゲート電極を有する周知のノーマリオン又はノーマリオフのMESFETに本発明に従うショットキー電極60を設けることができる。
また、図10の変形されたショットキー電極60a´のゲート電極12とドレイン電極8との間の部分を除き、ドレイン電極8を基準にしてゲート電極12と反対側にショットキー電極を配置することもできる。
また、図10の変形されたショットキー電極60a´、及びドレイン電極8を基準にしてゲート電極12と反対側にショットキー電極を配置することを、図4、図7、及び図8の実施例にも適用することができる。
(1) 図1、図4、図7、図8、図10の実施例においてソース電極7及びドレイン電極8のオーミック接触を助けるための半導体層(コンタクト層)を半導体領域5,5a、5bに設けることができる。
(2) 半導体領域5、5a、5bの各層3,3a、4を、GaN、AlGaN以外のInGaN、AllnGaN、AlN、InAlN、AlP、GaP、AllnP、GalnP、AlGaP、AlGaAs、GaAs、AlAs、InAs、InP,InN、GaAsP等の別の3−5族化合物半導体、又はZnO等の2−6族化合物半導体、又は更に別の化合物半導体で形成することができる。
(3)支持基板1をシリコン以外のSiC、サファイア、セラミックス等の半導体又は絶縁体で形成することができる。
(4) インバータ回路又はコンバータ回路等をHEMT又はMESFETを含む複合半導体装置で形成するために、本発明に従う複合半導体装置を同一支持基板上に複数個設けることができる。
(5) ソース電極7及びドレイン電極8を電子供給層4に接続する代わりに電子走行層3に直接に接続することができる。また、ソース電極7及びドレイン電極8の下の電子供給層4を除去し、ソース電極7及びドレイン電極8と電子走行層3との間にオーミックコンタクト層(例えばn型半導体層)を設け、このオーミックコンタクト層にソース電極7及びドレイン電極8を接続することができる。
(6) 図1、図4、図7のHEMTの電子供給層4をp型半導体の正孔供給層に置き換えることができる。また、図8のMESFETの半導体領域5bをp型半導体に置き換えることができる。これらの場合には、2DEG層14に相当する領域に2次元キャリアガス層として2次元正孔ガス層が生じる。この様に2次元キャリアを正孔とする場合には、キャリア蓄積層10に正孔を蓄積させる。
(7)キャリア蓄積層10に所望量のキャリア(例えば電子)が蓄積されたか否かを判定するために、ソース電極7を流れる電流を検出するための第1の電流検出器とドレイン電極8を流れる電流を検出するための第2の電流検出器とを設け、初期化動作中即ちキャリア蓄積動作中において第1の電流検出器で検出された電流量と第2の電流検出器で検出された電流量との差を求め、この差によってキャリア蓄積層10に所望量のキャリア(例えば電子)が蓄積されたか否かを判定することができる。即ち、ソース電極7から流れ出た電子の内でドレイン電極8に到達しなかったものがキャリア蓄積層10に蓄積される。従って、ソース電極7から流れ出た電子量からドレイン電極8に到達した電子量を差し引くと、キャリア蓄積層10におけるキャリア(例えば電子)量が得られる。そこで、初期化動作中即ちキャリア蓄積動作中にキャリア蓄積層10におけるキャリア(例えば電子)量を監視し、キャリア(例えば電子)量が所望量になった時に、初期化動作を終了させることができる。
(8)HEMTのゲート電極12´にパルス電圧Vp1,Vp2を印加してキャリア蓄積層10にキャリア(例えば電子)を蓄積させる代わりに、ゲート電極12´にパルス電圧Vp1,Vp2等の平均値に相当する電圧、即ち直流電圧を連続的に印加してキャリア蓄積層10にキャリア(例えば電子)を蓄積させることもできる。この場合、直流電圧値を初期化動作終了後の通常のオン時のゲート制御信号Vnよりも高くする。
(9)HEMTのゲート電極12´にパルス電圧Vp1,Vp2を印加してキャリア蓄積層10にキャリア(例えば電子)を蓄積させる代わりに、周知のイオン注入法によって電子線又はプロトンをキャリア蓄積層10に投射し、キャリア蓄積層10に電子又は正孔を蓄積させることができる。
(10)図1のゲート電極12と半導体領域5との間にゲート絶縁膜を設けることができる。また、図8のMESFETからキャリア蓄積層10及び第1及び第2の絶縁膜9,11を省き、ゲート電極12´を半導体領域5bにショットキー接触させることができる。
(11)図4、図7、図8において、更に、第2の絶縁膜11の上にフィールドプレート用導電体層を設け、このフィールドプレート用導電体層をゲート電極12´に接続することができる。また、キャリア蓄積層10とドレイン電極8との間から第1及び第2の絶縁膜9´、11を取り除き、この部分にフィールドプレート用絶縁膜を設け、このフィールドプレート用絶縁膜の上にフィールドプレート用導電体層を配置することもできる。
(12)図1のゲート電極12と半導体領域5との間にゲート絶縁膜を配置することができる。
2 バッファ領域
3 電子走行層
3a n型GaN
4 電子供給層
5,5a,5b 半導体領域
7 ソース電極
8 ドレイン電極
9,11 第1及び第2の絶縁膜
10 キャリア蓄積層
12、12´ ゲート電極
20 初期化回路
60 ショットキー電極
Claims (6)
- 互いに対向する一方及び他方の主面を有する半導体領域と、
前記半導体領域の前記一方の主面上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、
前記半導体領域の前記一方の主面上に形成され且つ前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に配置されたゲート電極と、
前記半導体領域の一方の主面の上において前記ゲート電極を基準にして前記ソース電極と反対側に配置され且つ前記半導体領域の一方の主面にショットキー接触しているショットキー電極と、
前記ショットキー電極と前記ソース電極との間を接続している接続導体と
を備え、前記ショットキー電極は、前記ドレイン電極の全周を囲むパターンに形成されていることを特徴とする複合半導体装置。 - 前記半導体領域は、第1の半導体層と、2次元キャリアガス層を生成するために前記第1の半導体層と異なるバンドギャップを有する半導体材料から成り且つ前記第1の半導体層に隣接配置されている第2の半導体層とを備えていることを特徴とする請求項1記載の複合半導体装置。
- 前記半導体領域は電流通路となることができるように半導体基板上に形成された半導体層から成り、前記ソース電極及びドレイン電極は前記半導体層の上に形成されていることを特徴とする請求項1記載の複合半導体装置。
- 前記ゲート電極は、前記半導体領域の一方の主面にショットキー接触しているショットキー電極であることを特徴とする請求項1又は2又は3記載の複合半導体装置。
- 更に、前記ゲート電極と前記半導体領域との間に配置されたゲート絶縁膜を有していることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1つに記載の複合半導体装置。
- 更に、前記半導体領域の前記一方の主面における前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に配置された第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜の上に配置され且つ前記ソース電極と前記ドレイン電極との間をノーマリオフにするためのキャリアを有しているキャリア蓄積層と、
前記キャリア蓄積層の上に配置された第2の絶縁膜とを有し、
前記ゲート電極は前記第2の絶縁膜の上に配置されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1つに記載の複合半導体装置。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006098514A JP5130641B2 (ja) | 2006-03-31 | 2006-03-31 | 複合半導体装置 |
KR1020070019435A KR100819996B1 (ko) | 2006-03-31 | 2007-02-27 | 복합 반도체장치 |
US11/694,673 US20070228422A1 (en) | 2006-03-31 | 2007-03-30 | Monolithic integrated circuit of a field-effect semiconductor device and a diode |
US11/694,525 US20070228477A1 (en) | 2006-03-31 | 2007-03-30 | Monolithic integrated circuit of a field-effect semiconductor device and a diode |
US11/894,610 US8045203B2 (en) | 2000-03-28 | 2007-08-20 | Methods and apparatus for secure facsimile transmissions to electronic storage destinations |
US12/711,846 US7999289B2 (en) | 2006-03-31 | 2010-02-24 | Monolithic integrated circuit of a field-effect semiconductor device and a diode |
US13/178,988 US8399913B2 (en) | 2006-03-31 | 2011-07-08 | Monolithic integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006098514A JP5130641B2 (ja) | 2006-03-31 | 2006-03-31 | 複合半導体装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007273795A JP2007273795A (ja) | 2007-10-18 |
JP2007273795A5 JP2007273795A5 (ja) | 2009-08-20 |
JP5130641B2 true JP5130641B2 (ja) | 2013-01-30 |
Family
ID=38557513
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006098514A Active JP5130641B2 (ja) | 2000-03-28 | 2006-03-31 | 複合半導体装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US20070228477A1 (ja) |
JP (1) | JP5130641B2 (ja) |
KR (1) | KR100819996B1 (ja) |
Families Citing this family (78)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5130641B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2013-01-30 | サンケン電気株式会社 | 複合半導体装置 |
JP5036233B2 (ja) * | 2006-07-06 | 2012-09-26 | シャープ株式会社 | 半導体スイッチング素子および半導体回路装置 |
JP2008124374A (ja) * | 2006-11-15 | 2008-05-29 | Sharp Corp | 絶縁ゲート電界効果トランジスタ |
JP5192175B2 (ja) * | 2007-05-01 | 2013-05-08 | シャープ株式会社 | ヘテロ接合電界効果トランジスタ |
EP2040299A1 (en) * | 2007-09-12 | 2009-03-25 | Forschungsverbund Berlin e.V. | Electrical devices having improved transfer characteristics and method for tailoring the transfer characteristics of such an electrical device |
US20090072269A1 (en) * | 2007-09-17 | 2009-03-19 | Chang Soo Suh | Gallium nitride diodes and integrated components |
US7915643B2 (en) | 2007-09-17 | 2011-03-29 | Transphorm Inc. | Enhancement mode gallium nitride power devices |
JP5439725B2 (ja) * | 2008-02-20 | 2014-03-12 | サンケン電気株式会社 | 半導体スイッチング装置 |
JP2009218528A (ja) * | 2008-03-13 | 2009-09-24 | Furukawa Electric Co Ltd:The | GaN系電界効果トランジスタ |
US8519438B2 (en) | 2008-04-23 | 2013-08-27 | Transphorm Inc. | Enhancement mode III-N HEMTs |
US8289065B2 (en) | 2008-09-23 | 2012-10-16 | Transphorm Inc. | Inductive load power switching circuits |
US7898004B2 (en) | 2008-12-10 | 2011-03-01 | Transphorm Inc. | Semiconductor heterostructure diodes |
JP5597921B2 (ja) * | 2008-12-22 | 2014-10-01 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置 |
JP5564791B2 (ja) * | 2008-12-26 | 2014-08-06 | 富士通株式会社 | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
JP5589850B2 (ja) * | 2009-01-16 | 2014-09-17 | 日本電気株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US8742459B2 (en) | 2009-05-14 | 2014-06-03 | Transphorm Inc. | High voltage III-nitride semiconductor devices |
US7915645B2 (en) * | 2009-05-28 | 2011-03-29 | International Rectifier Corporation | Monolithic vertically integrated composite group III-V and group IV semiconductor device and method for fabricating same |
JP2011030110A (ja) * | 2009-07-28 | 2011-02-10 | Panasonic Corp | 半導体装置およびそれを用いた高周波スイッチ並びに高周波モジュール |
US8390000B2 (en) | 2009-08-28 | 2013-03-05 | Transphorm Inc. | Semiconductor devices with field plates |
US8389977B2 (en) | 2009-12-10 | 2013-03-05 | Transphorm Inc. | Reverse side engineered III-nitride devices |
US9219058B2 (en) * | 2010-03-01 | 2015-12-22 | Infineon Technologies Americas Corp. | Efficient high voltage switching circuits and monolithic integration of same |
US8981380B2 (en) * | 2010-03-01 | 2015-03-17 | International Rectifier Corporation | Monolithic integration of silicon and group III-V devices |
JP5672756B2 (ja) * | 2010-04-16 | 2015-02-18 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置 |
JP5548909B2 (ja) | 2010-04-23 | 2014-07-16 | 古河電気工業株式会社 | 窒化物系半導体装置 |
CN103109369B (zh) * | 2010-06-24 | 2016-04-06 | 富士通株式会社 | 半导体装置 |
JP5548906B2 (ja) * | 2010-09-14 | 2014-07-16 | 古河電気工業株式会社 | 窒化物系半導体装置 |
US8860120B2 (en) * | 2010-09-22 | 2014-10-14 | Nxp, B.V. | Field modulating plate and circuit |
JP5845568B2 (ja) | 2010-11-02 | 2016-01-20 | 富士通株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US8742460B2 (en) | 2010-12-15 | 2014-06-03 | Transphorm Inc. | Transistors with isolation regions |
US8643062B2 (en) | 2011-02-02 | 2014-02-04 | Transphorm Inc. | III-N device structures and methods |
JP5776217B2 (ja) * | 2011-02-24 | 2015-09-09 | 富士通株式会社 | 化合物半導体装置 |
US8716141B2 (en) | 2011-03-04 | 2014-05-06 | Transphorm Inc. | Electrode configurations for semiconductor devices |
US8772842B2 (en) | 2011-03-04 | 2014-07-08 | Transphorm, Inc. | Semiconductor diodes with low reverse bias currents |
US8482036B2 (en) * | 2011-04-20 | 2013-07-09 | Infineon Technologies Austria Ag | Lateral high electron mobility transistor |
US8723222B2 (en) | 2011-07-19 | 2014-05-13 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Nitride electronic device and method for manufacturing the same |
JP5676766B2 (ja) * | 2011-08-22 | 2015-02-25 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
US8901604B2 (en) | 2011-09-06 | 2014-12-02 | Transphorm Inc. | Semiconductor devices with guard rings |
US9257547B2 (en) | 2011-09-13 | 2016-02-09 | Transphorm Inc. | III-N device structures having a non-insulating substrate |
JP5591776B2 (ja) * | 2011-09-21 | 2014-09-17 | 株式会社東芝 | 窒化物半導体装置およびそれを用いた回路 |
US8598937B2 (en) | 2011-10-07 | 2013-12-03 | Transphorm Inc. | High power semiconductor electronic components with increased reliability |
CN103930997B (zh) * | 2011-10-11 | 2018-10-02 | 麻省理工学院 | 具有凹陷电极结构的半导体器件 |
JP2013157407A (ja) * | 2012-01-27 | 2013-08-15 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
US9165766B2 (en) | 2012-02-03 | 2015-10-20 | Transphorm Inc. | Buffer layer structures suited for III-nitride devices with foreign substrates |
US20130240894A1 (en) * | 2012-03-13 | 2013-09-19 | Hans Joachim Würfl | Overvoltage Protection Device for Compound Semiconductor Field Effect Transistors |
JP5659182B2 (ja) | 2012-03-23 | 2015-01-28 | 株式会社東芝 | 窒化物半導体素子 |
JP5696083B2 (ja) | 2012-03-26 | 2015-04-08 | 株式会社東芝 | 窒化物半導体素子及びその製造方法 |
JP5895666B2 (ja) * | 2012-03-30 | 2016-03-30 | 富士通株式会社 | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
US9093366B2 (en) | 2012-04-09 | 2015-07-28 | Transphorm Inc. | N-polar III-nitride transistors |
US9184275B2 (en) | 2012-06-27 | 2015-11-10 | Transphorm Inc. | Semiconductor devices with integrated hole collectors |
KR101927408B1 (ko) * | 2012-07-20 | 2019-03-07 | 삼성전자주식회사 | 고전자 이동도 트랜지스터 및 그 제조방법 |
CN102810559A (zh) * | 2012-08-21 | 2012-12-05 | 中山大学 | 一种兼具反向导通的异质结构场效应晶体管及其制作方法 |
WO2014050054A1 (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-03 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
JP6134119B2 (ja) * | 2012-10-05 | 2017-05-24 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
KR101927410B1 (ko) * | 2012-11-30 | 2018-12-10 | 삼성전자주식회사 | 고전자 이동도 트랜지스터 및 그 제조방법 |
JP2014110393A (ja) * | 2012-12-04 | 2014-06-12 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
JP6522521B2 (ja) | 2013-02-15 | 2019-05-29 | トランスフォーム インコーポレーテッド | 半導体デバイスの電極及びその製造方法 |
US9087718B2 (en) | 2013-03-13 | 2015-07-21 | Transphorm Inc. | Enhancement-mode III-nitride devices |
US9773884B2 (en) * | 2013-03-15 | 2017-09-26 | Hrl Laboratories, Llc | III-nitride transistor with engineered substrate |
US9245992B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-01-26 | Transphorm Inc. | Carbon doping semiconductor devices |
JP6171435B2 (ja) | 2013-03-18 | 2017-08-02 | 富士通株式会社 | 半導体装置及びその製造方法、電源装置、高周波増幅器 |
WO2014174550A1 (ja) | 2013-04-23 | 2014-10-30 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 窒化物半導体装置 |
KR102065113B1 (ko) * | 2013-05-01 | 2020-01-10 | 삼성전자주식회사 | 고전자이동도 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
US9202888B2 (en) * | 2013-06-18 | 2015-12-01 | Stephen P. Barlow | Trench high electron mobility transistor device |
US10312360B2 (en) * | 2013-06-18 | 2019-06-04 | Stephen P. Barlow | Method for producing trench high electron mobility devices |
US9443938B2 (en) | 2013-07-19 | 2016-09-13 | Transphorm Inc. | III-nitride transistor including a p-type depleting layer |
KR20150014641A (ko) * | 2013-07-30 | 2015-02-09 | 서울반도체 주식회사 | 질화갈륨계 다이오드 및 그 제조 방법 |
JP5742912B2 (ja) * | 2013-10-25 | 2015-07-01 | 富士通株式会社 | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
DE102014203851B4 (de) * | 2014-03-03 | 2021-11-04 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Schaltungsanordnung |
CN105226101B (zh) * | 2014-06-30 | 2018-04-10 | 无锡华润上华科技有限公司 | 结型场效应晶体管及其制造方法 |
US9318593B2 (en) | 2014-07-21 | 2016-04-19 | Transphorm Inc. | Forming enhancement mode III-nitride devices |
US9536967B2 (en) | 2014-12-16 | 2017-01-03 | Transphorm Inc. | Recessed ohmic contacts in a III-N device |
US9536966B2 (en) | 2014-12-16 | 2017-01-03 | Transphorm Inc. | Gate structures for III-N devices |
US11322599B2 (en) | 2016-01-15 | 2022-05-03 | Transphorm Technology, Inc. | Enhancement mode III-nitride devices having an Al1-xSixO gate insulator |
US9722065B1 (en) | 2016-02-03 | 2017-08-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Semiconductor device |
US10224401B2 (en) | 2016-05-31 | 2019-03-05 | Transphorm Inc. | III-nitride devices including a graded depleting layer |
WO2020070831A1 (ja) * | 2018-10-03 | 2020-04-09 | 三菱電機株式会社 | 電界効果トランジスタ |
CN112242443A (zh) * | 2019-07-18 | 2021-01-19 | 联华电子股份有限公司 | 高电子迁移率晶体管及其形成方法 |
US11855198B2 (en) * | 2020-04-09 | 2023-12-26 | Qualcomm Incorporated | Multi-gate high electron mobility transistors (HEMTs) employing tuned recess depth gates for improved device linearity |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60137071A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | シヨツトキゲ−ト電界効果トランジスタ |
FR2583221B1 (fr) * | 1985-06-07 | 1987-07-31 | Labo Electronique Physique | Dispositif semiconducteur pour la realisation des capacites de decouplage placees entre l'alimentation et la masse des circuits integres |
JPH01132170A (ja) * | 1987-11-18 | 1989-05-24 | Toshiba Corp | 電界効果トランジスタ |
JP2503616B2 (ja) * | 1988-12-27 | 1996-06-05 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
JPH0645362A (ja) * | 1992-07-21 | 1994-02-18 | Mitsubishi Electric Corp | 電界効果トランジスタ |
US5663584A (en) * | 1994-05-31 | 1997-09-02 | Welch; James D. | Schottky barrier MOSFET systems and fabrication thereof |
US5569943A (en) * | 1995-09-01 | 1996-10-29 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Field effect real space transistor |
JP2970556B2 (ja) * | 1996-11-01 | 1999-11-02 | 日本電気株式会社 | 不揮発性トランジスタ |
JPH11191596A (ja) * | 1997-04-02 | 1999-07-13 | Sony Corp | 半導体メモリセル及びその製造方法 |
US6274912B1 (en) * | 1997-10-29 | 2001-08-14 | Sony Corporation | Semiconductor memory cell and method of manufacturing the same |
TW461080B (en) * | 1999-04-26 | 2001-10-21 | Sony Corp | Semiconductor memory cell |
US6630382B1 (en) * | 1999-06-02 | 2003-10-07 | Arizona State University | Current controlled field effect transistor |
JP5130641B2 (ja) | 2006-03-31 | 2013-01-30 | サンケン電気株式会社 | 複合半導体装置 |
JP3744381B2 (ja) * | 2001-05-17 | 2006-02-08 | 日本電気株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
JP4177048B2 (ja) | 2001-11-27 | 2008-11-05 | 古河電気工業株式会社 | 電力変換装置及びそれに用いるGaN系半導体装置 |
US6768146B2 (en) * | 2001-11-27 | 2004-07-27 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | III-V nitride semiconductor device, and protection element and power conversion apparatus using the same |
AU2003289448A1 (en) * | 2003-01-08 | 2004-08-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and its fabricating method |
US6933544B2 (en) * | 2003-01-29 | 2005-08-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Power semiconductor device |
JP4525894B2 (ja) | 2003-11-21 | 2010-08-18 | サンケン電気株式会社 | 半導体素子形成用板状基体及びこの製造方法及びこれを使用した半導体素子 |
KR100703231B1 (ko) * | 2005-02-03 | 2007-11-29 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 반도체장치 및 그 제조방법 |
US7285807B2 (en) * | 2005-08-25 | 2007-10-23 | Coldwatt, Inc. | Semiconductor device having substrate-driven field-effect transistor and Schottky diode and method of forming the same |
US20070120153A1 (en) * | 2005-11-29 | 2007-05-31 | Advanced Analogic Technologies, Inc. | Rugged MESFET for Power Applications |
-
2006
- 2006-03-31 JP JP2006098514A patent/JP5130641B2/ja active Active
-
2007
- 2007-02-27 KR KR1020070019435A patent/KR100819996B1/ko active IP Right Grant
- 2007-03-30 US US11/694,525 patent/US20070228477A1/en not_active Abandoned
- 2007-03-30 US US11/694,673 patent/US20070228422A1/en not_active Abandoned
-
2010
- 2010-02-24 US US12/711,846 patent/US7999289B2/en active Active
-
2011
- 2011-07-08 US US13/178,988 patent/US8399913B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070228477A1 (en) | 2007-10-04 |
US20100155781A1 (en) | 2010-06-24 |
US20110260777A1 (en) | 2011-10-27 |
US8399913B2 (en) | 2013-03-19 |
JP2007273795A (ja) | 2007-10-18 |
KR20070098494A (ko) | 2007-10-05 |
KR100819996B1 (ko) | 2008-04-08 |
US7999289B2 (en) | 2011-08-16 |
US20070228422A1 (en) | 2007-10-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5130641B2 (ja) | 複合半導体装置 | |
JP5050364B2 (ja) | 電界効果半導体装置及びその製造方法 | |
US8188515B2 (en) | Semiconductor device | |
EP2175494B1 (en) | Compound semiconductor device and manufacturing method of the same | |
US8564020B2 (en) | Transistors and rectifiers utilizing hybrid electrodes and methods of fabricating the same | |
US7852137B2 (en) | Normally-off electronic switching device for on-off control of electric circuit | |
JP5589850B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US9570438B1 (en) | Avalanche-rugged quasi-vertical HEMT | |
US20130009165A1 (en) | Nitride semiconductor device, method for manufacturing the same and nitride semiconductor power device | |
US20140346570A1 (en) | Semiconductor device | |
JP2009231508A (ja) | 半導体装置 | |
JP2008244002A (ja) | 電界効果半導体装置 | |
JP5055737B2 (ja) | 2次元キャリアガス層を有する電界効果トランジスタ | |
JP2008244001A (ja) | 窒化物半導体装置 | |
JP5549081B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP5721782B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2013125918A (ja) | 半導体装置 | |
WO2022031465A1 (en) | Iii-nitride devices including a depleting layer |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081008 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090226 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090703 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120406 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120411 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120606 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121009 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121022 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151116 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5130641 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |