JP2013125918A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板10上に設けられた窒化物半導体からなるチャネル層12と、前記チャネル層上に設けられたInAlN電子供給層14と、前記InAlN電子供給層上に設けられ、膜厚が100nm以上のGaNキャップ層16と、前記InAlN電子供給層上に設けられたゲート電極20と、前記InAlN電子供給層上に前記ゲート電極を挟んで設けられたソース電極22とドレイン電極24と、を具備する半導体装置。
【選択図】図2
Description
12 GaNチャネル層
14 InAlN電子供給層
16 GaNキャップ層
18 ゲートリセス
20 ゲート電極
22 ソース電極
23 ソースリセス
24 ドレイン電極
25 ドレインリセス
Claims (13)
- 基板上に設けられた窒化物半導体からなるチャネル層と、
前記チャネル層上に設けられたInAlN電子供給層と、
前記InAlN電子供給層上に設けられ、膜厚が100nm以上のGaNキャップ層と、
前記InAlN電子供給層上に設けられたゲート電極と、
前記InAlN電子供給層上に前記ゲート電極を挟んで設けられたソース電極とドレイン電極と、
を具備することを特徴とする半導体装置。 - 前記GaNキャップ層内にゲートリセスが設けられ、前記ゲート電極の下面は、前記ゲートリセスの底面に設けられていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記ゲートリセスは、前記InAlN電子供給層に達していることを特徴とする請求項2記載の半導体装置。
- 前記ゲートリセスは、前記GaNキャップ層内に底面を有することを特徴とする請求項2記載の半導体装置。
- 前記ゲートリセスの側面と前記ゲート電極の側面とは接していることを特徴とする請求項2から4のいずれか一項記載の半導体装置。
- 前記ゲートリセスの側面と前記ゲート電極の側面とは離間していることを特徴とする請求項2から4のいずれか一項記載の半導体装置。
- 前記ゲートリセスの側面は上面側に向かって開口が広がるテーパ形状であることを特徴とする請求項1から6のいずれか一項記載の半導体装置。
- 前記GaNキャップ層内にソースリセスおよびドレインリセスが設けられ、前記ソース電極および前記ドレイン電極の下面は、それぞれ前記ソースリセスおよび前記ドレインリセスの底面に設けられていることを特徴とする請求項1から7のいずれか一項記載の半導体装置。
- 前記InAlN電子供給層のIn組成比が0.1以上かつ0.2以下であることを特徴とする請求項1から8のいずれか一項記載の半導体装置。
- 前記チャネル層の材料は、GaNであることを特徴とする請求項1から9のいずれか一項記載の半導体装置。
- 前記GaNキャップ層の膜厚は、300nm以下であることを特徴とする請求項1から10のいずれか一項記載の半導体装置。
- 前記GaNキャップ層の膜厚は、150nm以上であることを特徴とする請求項1から10のいずれか一項記載の半導体装置。
- 前記GaNキャップ層の膜厚は、200nm以上であることを特徴とする請求項1から10のいずれか一項記載の半導体装置。
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