JP5106647B2 - 電子機器及び電子システム - Google Patents
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Description
本実施の形態では、外光を利用して画像表示を行う表示部を有する電子機器の一例を図1(A)及び図1(B)に示す。
本実施の形態では、実施の形態1に示した図2及び図3に対応する画素構造に関して、図6、図7、及び図8を用いて以下に説明する。なお、図2及び図3と同じ箇所には、同じ符号を用いて図6、図7、及び図8を説明する。
本実施の形態では、カラーフィルタを設け、フルカラー表示が可能な液晶表示モジュールとする一例を示す。
本実施の形態においては、上記実施の形態で説明した液晶表示装置を具備する電子機器の例について説明する。
本実施の形態では、ガラス基板上にトランジスタ及びフォトセンサを形成した後、フレキシブルな基板上にそのトランジスタ及びフォトセンサを転移して搭載する例を示す。なお、ここではトランジスタの断面工程図を図13(A)、図13(B)、及び図13(C)に示し、実施の形態2と共通する工程およびフォトダイオードなどの構造の詳細な説明は省略し、図8(A)及び図8(B)と同じ箇所には同じ符号を用いて説明する。
本実施の形態では、液晶パネルの走査線駆動回路の構成の一例に関して図面を参照して説明する。
101:画素回路
103:画素
104:画素
105:表示素子
106:フォトセンサ
107:信号線側の表示素子駆動回路
108:走査線側の表示素子駆動回路
109:フォトセンサ読み出し回路
110:フォトセンサ駆動回路
115:カラーフィルタ
116a、116b:FPC
120:表示パネル
125:表示素子
135 光
139:外光
190 液晶表示モジュール
201 トランジスタ
202 保持容量
203 液晶素子
204 フォトダイオード
205 トランジスタ
206 トランジスタ
207 ゲート信号線
208 フォトダイオードリセット信号線
209 信号線
210 ビデオデータ信号線
211 フォトセンサ出力信号線
212 フォトセンサ基準信号線
213 ゲート信号線
214 容量配線
221 トランジスタ
222 保持容量
223 液晶素子
224 容量配線
227 ゲート信号線
230 基板
231 絶縁層
232 ゲート絶縁層
233 酸化物半導体層
234 電極層
235 電極層
236 電極層
237 絶縁層
238 p層
239 i層
240 n層
241 絶縁層
242 反射電極層
243 接続電極層
244 配向膜
245 凹部
251 電極層
253 酸化物半導体層
254 電極層
255 酸化物半導体層
256 酸化物半導体層
257 電極層
258 電極層
260 剥離層
261 酸化物絶縁膜
262 樹脂層
263 接着層
264 基板
265 液晶層
266 配向膜
267 対向電極
268 対向基板
701 ブロック
702 ブロック
703 ブロック
704 ブロック
705 ブロック
801 ノード
802 トランジスタ群
803 トランジスタ
804 トランジスタ
805 容量
806 トランジスタ群
901 期間
902 期間
903 期間
904 期間
905 期間
906 期間
907 期間
908 期間
909 期間
1030 電子機器
1031 ボタン
1032 表示部
1033 領域
1034 スイッチ
1035 電源スイッチ
1036 キーボード表示スイッチ
4301 表示部
4308 支持部
4311 液晶パネル
4321a 走査線駆動回路
4321b フォトセンサ駆動回路
4323 信号線駆動回路
9630 筐体
9631 表示部
9632 操作キー
9633 太陽電池
9634 充放電制御回路
9635 バッテリー
9636 コンバータ
9637 コンバータ
Claims (3)
- タッチ入力機能を有する表示部を備えた電子機器であって、
フレキシブル基板上に、
第1の反射電極と電気的に接続された第1のトランジスタと、
第2の反射電極と電気的に接続された第2のトランジスタと、
フォトセンサと、を有し、
前記フォトセンサは、
フォトダイオードと、
前記フォトダイオードと電気的に接続されたゲート信号線を有する第3のトランジスタと、
第4のトランジスタと、を有し、
前記第3のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記フォトセンサ基準信号線に電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第4のトランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記フォトセンサ出力信号線に電気的に接続され、
前記第4のトランジスタの酸化物半導体層は、前記第1の反射電極と重なり、
前記フォトセンサ基準信号線は前記第2の反射電極と重なることを特徴とする電子機器。 - 請求項1において、
前記第3のトランジスタの酸化物半導体層は、ゲート絶縁層を介して読み出し信号線と重なり、
前記読み出し信号線は、前記第1の反射電極と重なることを特徴とする電子機器。 - 請求項1または請求項2において、
前記第4のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第1の反射電極と重なり、
前記第4のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第2の反射電極と重なることを特徴とする電子機器。
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