JP5878997B2 - 電子機器 - Google Patents
電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5878997B2 JP5878997B2 JP2015044289A JP2015044289A JP5878997B2 JP 5878997 B2 JP5878997 B2 JP 5878997B2 JP 2015044289 A JP2015044289 A JP 2015044289A JP 2015044289 A JP2015044289 A JP 2015044289A JP 5878997 B2 JP5878997 B2 JP 5878997B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- display
- layer
- photosensor
- liquid crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 36
- 238000012905 input function Methods 0.000 claims description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 152
- 239000010408 film Substances 0.000 description 77
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 67
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 58
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 description 24
- 230000006870 function Effects 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 13
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 11
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 10
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 7
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004983 Polymer Dispersed Liquid Crystal Substances 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 2
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- HEZMWWAKWCSUCB-PHDIDXHHSA-N (3R,4R)-3,4-dihydroxycyclohexa-1,5-diene-1-carboxylic acid Chemical compound O[C@@H]1C=CC(C(O)=O)=C[C@H]1O HEZMWWAKWCSUCB-PHDIDXHHSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004986 Cholesteric liquid crystals (ChLC) Substances 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002066 L-histidyl group Chemical group [H]N1C([H])=NC(C([H])([H])[C@](C(=O)[*])([H])N([H])[H])=C1[H] 0.000 description 1
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002668 Pd-Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 241001422033 Thestylus Species 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004815 dispersion polymer Substances 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 1
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000004148 unit process Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/042—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by opto-electronic means
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Position Input By Displaying (AREA)
- Input From Keyboards Or The Like (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
、液晶表示パネルに代表される電気光学装置を部品として搭載した電子機器に関する。
表示素子を用いて、画像を表示する技術は、消費電力の削減に大きく貢献するため、活発
に開発が進められている(特許文献1)。
装置は、タッチパネル又はタッチスクリーンなどと呼ばれている(以下、これを単に「タ
ッチパネル」とも呼ぶ)。また、光方式のタッチセンサを搭載した表示装置が、特許文献
2に開示されている。
て、耐衝撃性を向上し、軽量化、フレキシブル化した電子機器を提供することを課題の一
つとする。
路を構成することも課題の一つとする。
触れる、またはスタイラスペンなどを用いて間接的に触れることにより情報を入力でき、
その入力情報を利用することができる新規の電子機器を提供することも課題の一とする。
使用者が、情報を閲覧、さらには画面に表示されたキーボードに触れることにより情報を
入力できる電子機器を実現するため、単位面積当たりのフォトセンサの受光面積と画素電
極面積を共に広くする画素構成とすることも課題の一つとする。
新規の電子機器を提供することも課題の一とする。
域の表示素子への電力の供給を停止し、その後もその静止画を視認可能な状態を長時間維
持することで消費電力を抑えることも課題の一つとする。
サを用いるタッチ入力機能を有し、表示部の少なくとも一部にキーボードのボタンを表示
し、使用者が所望のキーをタッチすることにより情報を入力して表示部に所望のキーに対
応した表示を行う。
望位置を指し示した時に生じる外光の局所的陰影を検出する。入力処理部は、外光の局所
的陰影を検出したフォトセンサの表示部における位置をタッチ入力座標位置として処理す
る。タッチ入力座標位置に対応するデータ、即ちキー情報を映像信号処理部により表示部
に画像データとして出力する。
ーボードを表示している第1の表示領域は、静止画を表示しており、入力時においてタッ
チされたキーに対応する文字や数字などが次々に書き込まれている期間、または文字変換
されている期間の第2の表示領域は動画を表示している。
、或いは出力表示する画面領域に切り換える映像信号処理部を有する電子機器である。ま
た、この電子機器は、表示部に表示される画像が静止画である場合と、動画である場合と
で異なる信号供給を表示部の表示素子に行う映像信号処理部を有し、静止画を書き込んだ
後に表示素子制御回路を非動作とすることで、消費電力の節約ができる。特に走査線駆動
回路としてデコーダ回路を用いることが好ましい。
フ電流が大きく、オフ状態であっても画素に書き込んだ信号がトランジスタを介して漏れ
て消失してしまうという問題があった。本発明の一態様は、スイッチングトランジスタに
酸化物半導体層を有するトランジスタを用いることにより、極めて低いオフ電流、具体的
にはチャネル幅1μmあたりのオフ電流密度を室温下において10aA(1×10−17
A/μm)以下にすること、さらには、1aA(1×10−18A/μm)以下、さらに
は10zA(1×10−20A/μm)以下を実現し、画素においては画像信号等の電気
信号の保持時間を長くすることができ、書き込み間隔も長く設定できる。従って、酸化物
半導体層を有するトランジスタを用いることにより、静止画を書き込んだ後に表示素子制
御回路を非動作とする期間を長くすることで、さらに消費電力の節約ができる。
する表示部を備えた電子機器であり、フレキシブル基板上に画素電極である反射電極と電
気的に接続する第1のトランジスタと、フォトセンサとを有し、フォトセンサは、フォト
ダイオードと、該フォトダイオードと電気的に接続するゲート信号線を有する第2のトラ
ンジスタと、第3のトランジスタとを有し、第2のトランジスタのソース又はドレインの
一方がフォトセンサ基準信号線に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が第3の
トランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、第3のトランジスタのソ
ース又はドレインの他方がフォトセンサ出力信号線に電気的に接続される。
ート絶縁層を介して重なり、読み出し信号線は、画素電極である反射電極と重なる。反射
電極の下方に、読み出し信号線や、第3のトランジスタを配置する画素構成とすることで
、単位面積当たりのフォトセンサの受光面積と画素電極面積(以下、反射電極面積と呼ぶ
)とを効率よく利用することができる。
キシブル基板上に第1の反射電極と電気的に接続する第1のトランジスタと、第2の反射
電極と電気的に接続する第2のトランジスタとフォトセンサとを有し、フォトセンサは、
フォトダイオードと、該フォトダイオードと電気的に接続するゲート信号線を有する第3
のトランジスタと、第4のトランジスタとを有し、第3のトランジスタのソース又はドレ
インの一方がフォトセンサ基準信号線に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が
第4のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、第4のトランジス
タのソース又はドレインの他方がフォトセンサ出力信号線に電気的に接続され、第4のト
ランジスタの酸化物半導体層は、第1の反射電極と重なり、フォトセンサ基準信号線は、
第2の反射電極と重なることを特徴とする電子機器である。
センサの受光領域が配置されるように設計し、単位面積当たりのフォトセンサの受光面積
と反射電極面積とを効率よく利用することができる。
ート絶縁層を介して重なり、読み出し信号線は、第1の反射電極と重なる。第1の反射電
極の下方に、読み出し信号線や、第4のトランジスタを配置する画素構成とすることで、
単位面積当たりのフォトセンサの受光面積と反射電極面積とを効率よく利用することがで
きる。
射電極と重なり、第4のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第2の反射電極と
重なる。このような画素構成とすることで、単位面積当たりのフォトセンサの受光面積と
反射電極面積とを効率よく利用することができる。
ィルタを有し、フルカラーの表示を行うこともできる。
照明光があれば表示内容を視認することができ、省エネルギー化に有利である。
画表示の画面領域とで異なる駆動、及び異なる信号供給を行い、動画表示よりも静止画表
示の消費電力を低減する。また、反射型の液晶表示装置であるため、電気泳動型の表示装
置よりも広範囲の中間調表示ができる。
い、場所を選ばず情報を閲覧、さらには画面に表示されたキーボードにタッチ入力でき、
キーボードを表示している同一画面内にその入力結果を表示することができる。
以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれ
ば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈さ
れるものではない。
本実施の形態では、外光を利用して画像表示を行う表示部を有する電子機器の一例を図1
(A)及び図1(B)に示す。
(A)に示すように表示部の領域1033にキーボードのボタン1031が複数表示され
る。表示部1032は表示領域全体を指しており、表示部の領域1033を含む。そして
、使用者が所望のキーボードのボタンをタッチ入力し、表示部1032に入力結果の表示
を行う。
制御回路を非動作とすることで消費電力の節約ができる。
示されているキーボードボタンを使用者の指を用いて順次触れる、または非接触で文字入
力を行い、その結果表示される文章を表示部の領域1033以外の領域に表示する。使用
者が画面のキーボードから指をはずし、フォトセンサの出力信号の検出されない期間が一
定時間経つと自動的に表示部の領域1033に表示されていたキーボード表示が消され、
表示部の領域1033にも入力された文章の表示が行われ、画面一杯に入力された文章を
使用者は確認することができる。再度入力する場合には、表示部1032に使用者の指を
用いて触れる、または非接触でフォトセンサの出力信号を検出させることで再び表示部の
領域1033にキーボードボタンを表示し、文字入力を行うことができる。
ード表示をなくし、図1(B)に示すように表示部1032の全体を静止画とすることも
できる。また、電源スイッチ1035を押して電源を切っても、静止画を長時間維持する
ことができる。また、キーボード表示スイッチ1036を押すことによってキーボードを
表示し、タッチ入力可能な状態とすることができる。
1036は、表示部1032にそれぞれスイッチボタンとして表示し、表示されたスイッ
チボタンに触れることで、各操作を行ってもよい。
的に動画表示してもよい。例えば、キーボードボタンの表示位置を使用者の好みに合わせ
て一時的に変更する、または非接触で入力した場合に入力されたかどうかが分かるように
対応するキーボードボタンのみに部分的に表示の変化を与えてもよい。
モリ(Flash Memory回路、SRAM回路、DRAM回路など)、CPU(
中央演算処理回路)やLogic回路を備えた構成とすることが好ましい。CPUやメモ
リを備えることにより、様々なソフトウェアのインストールが行え、パーソナルコンピュ
ータの機能の一部または全部の機能を持たせることができる。
き検出部を設け、傾き検出部からの信号に応じて、電子機器1030で使用する機能、特
に表示部での表示及び入力に係る機能を、演算回路により切り替えることができる。その
ため、備え付けの操作キーのように入力キーの種類、大きさ、または配置が予め定まった
ものとは異なり、使用者の利便性を向上させることができる。
示パネル100は、画素回路101、表示素子制御回路、及びフォトセンサ制御回路を有
する。画素回路101は、行列方向にマトリクス状に配置された複数の画素103、10
4及びフォトセンサ106を有する。画素104、103は、1つの表示素子をそれぞれ
有する。本実施の形態では、画素103と画素104の間に、1つのフォトセンサ106
を配置し、フォトセンサの数が画素数の半分とする例を示したが特に限定されず、フォト
センサの数が画素数と同じになるように、画素毎にそれぞれ1つのフォトセンサを有する
構成としてもよく、フォトセンサの数が画素数の3分の一となる構成としてもよい。
。トランジスタは、保持容量への電荷の注入もしくは保持容量からの電荷の排出を制御す
る機能を有する。保持容量は、液晶層に印加する電圧に相当する電荷を保持する機能を有
する。液晶層に電圧を印加することで偏光方向が変化することを利用して、液晶層を透過
する光の明暗(階調)を作ることで、画像表示が実現される。液晶層を透過する光には、
外光(太陽光または照明光)を利用して液晶表示装置の表面から照射される光を用いる。
液晶層としては、特に限定されず、公知の液晶材料(代表的には、ネマチック液晶材料や
コレステリック液晶材料)を用いれば良い。例えば、高分子分散型液晶(PDLC(Po
lymer Dispersed Liquid Crystal)、高分子分散液晶、
ポリマー分散型液晶ともいう)又は高分子ネットワーク型液晶(PNLC(Polyme
r Network Liquid Crystal))を液晶層に用いて、液晶による
光の散乱光を利用して白表示(明表示)を行ってもよい。PDLCやPNLCを液晶層に
用いると、偏光板を必要とせず、紙面に近い表示が実現でき、使用者の目に優しく、疲労
感を低減させることができる。
信号線などの信号線(「ソース信号線」ともいう。)を介して表示素子105に信号を入
力する表示素子駆動回路107と、走査線(「ゲート信号線」ともいう。)を介して表示
素子105に信号を入力する表示素子駆動回路108を有する。
素子を選択する機能を有する。また、信号線側の表示素子駆動回路107は、選択された
行の画素が有する表示素子に任意の電位を与える機能を有する。なお、走査線側の表示素
子駆動回路108により高電位を印加された表示素子では、トランジスタが導通状態とな
り、信号線側の表示素子駆動回路107により与えられる電荷が供給される。
機能を有する受光素子と、トランジスタとを有する。
ンサ出力信号線、フォトセンサ基準信号線等の信号線側のフォトセンサ読み出し回路10
9と、走査線側のフォトセンサ駆動回路110を有する。走査線側のフォトセンサ駆動回
路110は、特定の行に配置された画素が有するフォトセンサ106に対して、後述する
リセット動作と選択動作とを行う機能を有する。また、信号線側のフォトセンサ読み出し
回路109は、選択された行の画素が有するフォトセンサ106の出力信号を取り出す機
能を有する。
、図3を用いて説明する。画素103は、トランジスタ201、保持容量202及び液晶
素子203を有する表示素子105を有する。また、フォトセンサ106は、フォトダイ
オード204、トランジスタ205及びトランジスタ206を有する。また、画素104
は、トランジスタ221、保持容量222及び液晶素子223を有する表示素子125と
を有する。
ビデオデータ信号線210に、ソース又はドレインの他方が保持容量202の一方の電極
と液晶素子203の一方の電極に電気的に接続されている。保持容量202の他方の電極
は、容量配線214に電気的に接続され、一定の電位に保たれている。また、液晶素子2
03の他方の電極は一定の電位に保たれている。液晶素子203は、一対の電極と、該一
対の電極の間の液晶層を含む素子である。
と、ビデオデータ信号線210の電位を保持容量202と液晶素子203に印加する。保
持容量202は、印加された電位を保持する。液晶素子203は、印加された電位により
、光の透過率を変更する。
他方の電極がトランジスタ205のゲートに電気的に接続されている。トランジスタ20
5は、ソース又はドレインの一方がフォトセンサ基準信号線212に、ソース又はドレイ
ンの他方がトランジスタ206のソース又はドレインの一方に電気的に接続されている。
トランジスタ206は、ゲートが読み出し信号線209に、ソース又はドレインの他方が
フォトセンサ出力信号線211に電気的に接続されている。
方がビデオデータ信号線210に、ソース又はドレインの他方が保持容量222の一方の
電極と液晶素子223の一方の電極に電気的に接続されている。保持容量222の他方の
電極は、容量配線224に電気的に接続され、一定の電位に保たれている。また、液晶素
子223の他方の電極は一定の電位に保たれている。液晶素子223は、一対の電極と、
該一対の電極の間の液晶層を含む素子である。
説明する。一例として、表示部は、1024行768列の画素で構成され、表示素子は各
行各列の画素に1個、フォトセンサは2行各列の画素間に1個、を有する構成とする。す
なわち、表示素子は1024行768列、フォトセンサは512行768列で構成される
。また、フォトセンサ出力信号線は2列を1組として表示装置外部に出力する例を示す。
すなわち、2行2列の画素4個に挟まれるフォトセンサ計2個から出力を1個取得する。
る。表示素子を1画素に1個、フォトセンサを2画素間に1個、有する。図4は、フォト
センサ読み出し回路109の回路構成で、説明のため、一部のフォトセンサも示している
。
トセンサ2行分)を駆動し、選択行を画素2行分に相当するフォトセンサ1行分ずつシフ
トさせていく駆動方法を行う例を考える。ここで、各行のフォトセンサは、走査線駆動回
路が選択行のシフトを2回行う期間、連続して選択されることになる。このような駆動方
法を用いることで、フォトセンサによる撮像のフレーム周波数を向上させることが容易に
なる。特に、大型の表示装置の場合に有利である。なお、フォトセンサの出力信号線21
1には、同時に2行分のフォトセンサの出力が重畳されることになる。また、選択行のシ
フトを512回繰り返すことで、全フォトセンサを駆動することができる。
を有する。セレクタは、表示部におけるフォトセンサの出力信号線211について2列分
を1組とする12組から1組を選択して出力を取得する。すなわち、フォトセンサ読み出
し回路109全体で、セレクタを32個有し、同時に32個の出力を取得する。各々のセ
レクタによる選択を12組全てに対して行うことで、フォトセンサ1行分に相当する合計
384個の出力を取得することができる。セレクタによる12組の選択を、フォトセンサ
の走査線駆動回路が選択行をシフトさせる都度行うことで、全フォトセンサの出力を得る
ことができる。
アナログ信号であるフォトセンサの出力を表示装置外部に取り出し、表示装置外部に設け
たアンプを用いて増幅した後にAD変換器を用いてデジタル信号に変換する構成を考える
。勿論、表示装置と同一基板上にAD変換器を搭載し、フォトセンサの出力をデジタル信
号に変換した後、表示装置外部に取り出す構成とすることも可能である。
ことで実現される。リセット動作とは、フォトダイオードリセット信号線208の電位を
”H”とする動作である。リセット動作を行うと、フォトダイオード204が導通し、ト
ランジスタ205のゲートが接続されたゲート信号線213の電位が”H”となる。
を”L”(Lowの電位)にする動作である。また、選択動作とは、累積動作の後に読み
出し信号線209の電位を”H”にする動作である。
ゲートが接続されたゲート信号線213の電位が下がり、トランジスタ205のチャネル
抵抗が増大する。そのため、選択動作時に、トランジスタ206を介してフォトセンサ出
力信号線211に流れる電流は小さくなる。一方、累積動作時に、フォトダイオード20
4に照射する光が弱いほど、選択動作時に、トランジスタ206を介してフォトセンサ出
力信号線211に流れる電流は大きくなる。
行することで、外光の局所的陰影を検出することができる。また、検出した陰影について
適宜画像処理など行うことにより、指やスタイラスペンなどが表示装置に接触した位置を
知ることができる。あらかじめ、接触した位置に対応する操作、例えば文字入力であれば
文字の種類を規定しておくことで、所望の文字の入力を行うことができる。
する。そのため、指やスタイラスペンなどが表示装置に物理的に接触しなくても、非接触
で近接することにより陰影が形成されれば検出が可能である。以下、指やスタイラスペン
などが表示装置に接触するとは、非接触で近接することも含むものとする。
れたキーボードの所望の文字の位置に指やスタイラスペンを接触することで、入力を行う
構成の表示装置とすると操作性が向上する。このような表示装置を実現する場合には、次
のようにして、表示装置における消費電力を著しく低減することが可能である。すなわち
、表示部の静止画を表示する第1画面領域については、静止画を表示した後は、当該領域
の表示素子への電力の供給を停止し、その後もその静止画を視認可能な状態を長時間維持
することが有効である。そして、表示部の残りの第2画面領域については、例えば、タッ
チ入力による入力結果を表示する。第2画面領域の表示画像の更新を行う時以外の期間で
は表示素子制御回路を非動作とすることで、電力の節約ができる。このような制御を可能
にする駆動方法について、以下説明する。
走査線駆動回路のシフトレジスタのタイミングチャートについて図5に示す。図5中の期
間61はクロック信号の1周期期間(64.8μsec)であり、期間62は第2画面領
域に相当する表示素子の第1行から第512行まで書き込むまでに要する期間(8.36
msec)であり、期間63は1フレーム期間(16.7msec)にそれぞれ相当する
。
ク信号CK4で動作する4相クロック形式のシフトレジスタとする。また、第1のクロッ
ク信号CK1〜第4のクロック信号CK4は、互いに4分の1周期期間ずつずれた信号と
する。スタートパルス信号GSPを”H”とすると、第1行目のゲート信号線G1〜第5
12行目のゲート信号線G512は、4分の1周期期間ずつ遅れながら順に”H”となる
。また、各ゲート信号線は、2分の1周期期間”H”となり、連続する行のゲート信号線
は、各々4分の1周期期間同時に”H”となる。
選択されることになる。表示画像のデータを、当該行における表示素子が選択されている
期間の内、後半の期間に入力すれば表示画像を更新できる。
する期間を除く期間については、表示素子制御回路を非動作とする。すなわち、第1画面
領域に相当する表示素子の第513行から第1024行までは表示画像の更新を行わず、
表示素子制御回路を非動作としている。
”のままとする)することで実現できる。また、同時に、電源電圧の供給を停止すること
も有効である。
更新を行わない期間は、ソース側の駆動回路も同様にクロック信号とスタートパルス信号
を停止させてもよい。こうすることでさらなる電力の節約ができる。
る。
本実施の形態では、実施の形態1に示した図2及び図3に対応する画素構造に関して、図
6、図7、及び図8を用いて以下に説明する。なお、図2及び図3と同じ箇所には、同じ
符号を用いて図6、図7、及び図8を説明する。
ダイオードの電極を形成する前の状態を示している。なお、図6中の鎖線A−Bで切断し
た断面図、及び鎖線C−Dで切断した断面図が図8(A)にそれぞれ対応している。
ソグラフィ工程により、ゲート信号線207、213、227、容量配線224、フォト
ダイオードリセット信号線208、読み出し信号線209、フォトセンサ基準信号線21
2を形成する。本実施の形態では基板230としてガラス基板を用いる。
からの不純物元素の拡散を防止する機能があり、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化
酸化シリコン膜、又は酸化窒化シリコン膜から選ばれた一又は複数の膜による積層構造に
より形成することができる。
オジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらを主成分とする合金材料を用いて、単層で
又は積層して形成することができる。
リソグラフィ工程により、後に形成される配線と交差する部分にのみ絶縁層231を残し
て選択的にエッチングを行う。本実施の形態では、絶縁層231は膜厚600nmの酸化
窒化珪素膜を用いる。
第3のフォトリソグラフィ工程により、ゲート絶縁層232を介してゲート信号線207
、213、227及び読み出し信号線209とそれぞれ重なる第1の酸化物半導体層23
3、第2の酸化物半導体層253、第3の酸化物半導体層255、及び第4の酸化物半導
体層256を形成する。本実施の形態では、ゲート絶縁層232として膜厚100nmの
酸化窒化珪素膜を用い、酸化物半導体膜として膜厚30nmのIn−Ga−Zn−O膜を
用いる。
層255、及び第4の酸化物半導体層256は、化学式InMO3(ZnO)m(m>0
)で表記される酸化物薄膜を用いることができる。ここで、Mは、Ga、Al、Mnおよ
びCoから選ばれた一または複数の金属元素を示す。例えばMとして、Ga、Ga及びA
l、Ga及びMn、またはGa及びCoなどがある。また、上記酸化物薄膜にSiO2を
含んでもよい。
成比として、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:1[mol数比]の酸化物ター
ゲットを用い、In−Ga−Zn−O膜を成膜する。また、このターゲットの材料及び組
成に限定されず、例えば、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:2[mol数比]
の酸化物ターゲットを用いてもよい。なお、ここで、例えば、In−Ga−Zn−O膜と
は、インジウム(In)、ガリウム(Ga)、亜鉛(Zn)を有する酸化物膜、という意
味であり、その化学量論比はとくに問わない。
導体層の脱水化または脱水素化を行うことができる。第1の加熱処理の温度は、400℃
以上750℃以下、または400℃以上基板の歪み点未満とする。本実施の形態では、R
TA(Rapid Thermal Anneal)装置を用い、窒素雰囲気下で650
℃、6分の加熱処理を行った後、大気に触れることなく、加熱処理装置の一つである電気
炉に基板を導入し、酸化物半導体層に対して窒素雰囲気下450℃において1時間の加熱
処理を行った後、大気に触れないように酸化物半導体層の成膜室に移動させて酸化物半導
体層への水や水素の再混入を防ぎ、酸化物半導体層を得る。
層232を選択的に除去して、ゲート信号線213に達する開口と、フォトダイオードリ
セット信号線208に達する開口を形成する。
ては、例えば、Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo、Wから選ばれた元素を成分とする
金属膜、または上述した元素の窒化物を成分とする合金膜か、上述した元素を組み合わせ
た合金膜等を用いることができる。本実施の形態において、導電膜は、膜厚100nmの
Ti膜と、膜厚400nmのAl膜と、膜厚100nmのTi膜との三層構造とする。そ
して、5枚目の露光マスクを用いる第5のフォトリソグラフィ工程により導電膜上にレジ
ストマスクを形成し、選択的にエッチングを行って、ビデオデータ信号線210、フォト
センサ出力信号線211、電極層234、235、254、257、258、259を形
成する。
33を有し、電極層234をソース電極層またはドレイン電極層とするトランジスタであ
る。また、図6及び図8(A)に示すように、電極層234は、ゲート絶縁層232を誘
電体とし、容量配線224と保持容量222を形成する。また、図6に示すように、トラ
ンジスタ201は、第2の酸化物半導体層253を有し、電極層254をソース電極層ま
たはドレイン電極層とするトランジスタである。
、図6に示すように、第3の酸化物半導体層255を有し、電極層257をソース電極層
またはドレイン電極層とするトランジスタである。また、トランジスタ205は、図6に
示すように、第4の酸化物半導体層256を有し、電極層257または電極層258をソ
ース電極層またはドレイン電極層とするトランジスタである。また、図8(A)に示すよ
うに、ゲート絶縁層232の開口を介してトランジスタ205のゲート信号線213は、
電極層236と電気的に接続している。
00℃以上400℃以下、例えば250℃以上350℃以下)を行う。本実施の形態では
、窒素雰囲気下で300℃、1時間の第2の加熱処理を行う。第2の加熱処理を行うと、
酸化物半導体層の一部(チャネル形成領域)が絶縁層と接した状態で加熱される。
トリソグラフィ工程により、電極層235に達する開口、電極層234に達する開口、電
極層236に達する開口を形成する。本実施の形態において、絶縁層237は、スパッタ
法により得られる膜厚300nmの酸化シリコン膜を用いる。
する。本実施の形態では、p層238として膜厚60nmのボロンを含む微結晶シリコン
膜を用い、i層239として膜厚400nmのアモルファスシリコン膜を用い、n層24
0として膜厚80nmのリンを含む微結晶シリコン膜を用いる。そして、7枚目の露光マ
スクを用いる第7のフォトリソグラフィ工程により、p層238、i層239、及びn層
240を選択的にエッチングした後、さらに図8(A)に示すようにn層240の周縁部
及びi層239の一部を選択的に除去する。この段階までの断面図が図8(A)であり、
その平面図が図6に相当する。
目の露光マスクで凹凸となる領域を露光し、現像して部分的に凹凸を有する絶縁層241
を形成する第8のフォトリソグラフィ工程を行う。本実施の形態では、感光性有機樹脂層
として、アクリル樹脂を用い、膜厚を1.5μmとする。
ソグラフィ工程により反射電極層242、接続電極層243を形成する。なお、反射電極
層242、接続電極層243を図8(B)に示す。反射性を有する導電膜としてはAl、
Ag、またはこれらの合金、例えばNdを含むアルミニウム、Ag−Pd−Cu合金等を
用いる。本実施の形態において、反射性を有する導電膜は、膜厚100nmのTi膜とそ
の上に設けた膜厚300nmのAl膜の積層を用いる。そして、第9のフォトリソグラフ
ィ工程後に第3の加熱処理、本実施の形態では、窒素雰囲気下250℃、1時間を行う。
ゲート信号線213と接続電極層243を介して電気的に接続するフォトダイオードとを
合計10枚の露光マスクを用い、9回のフォトリソグラフィ工程によって作製することが
できる。
フォトダイオード204の断面を示しており、その断面模式図を図11(B)に示す。
B)に相当する。なお、図8(B)と図11(B)の共通部分には同じ符号を用いている
。こうしてアクティブマトリクス基板が作製できる。
は、遮光層(ブラックマトリクスとも呼ぶ)と、透光性を有する導電膜を形成し、さらに
有機樹脂を用いた柱状スペーサを形成する。そして、最後に配向膜で覆う。
に液晶層を挟持する。対向基板の遮光層は、反射電極層242の表示領域及びフォトダイ
オードのセンシング領域に重ならないように設ける。また、対向基板に設けられた柱状ス
ペーサは、電極層251、252と重なるように位置合わせを行う。柱状スペーサは、電
極層251、252と重ねることで一対の基板の間隔を一定に保持する。なお、電極層2
51、252は、電極層234と同一工程で形成することができるため、マスク数を増や
すことなく設けることができる。電極層251、252は、どことも電気的に接続してお
らず、フローティング状態である。
、ブラックマトリクスと重なっていない領域が、フォトセンサの受光領域と、反射電極領
域となる。図7に示す1つの単位面積(120μm×240μm)のうち、反射電極の面
積が占める割合は77.8%であり、フォトセンサの受光面積は約1140μm2である
。また、反射電極層242は、凹凸を有する感光性有機樹脂層上に設けられているため、
図7に示すようなランダムな平面模様を有する。感光性有機樹脂層の表面形状を反映させ
て反射電極層242の表面にも凹凸を設け、鏡面反射となることを防いでいる。なお、図
7において反射電極層242の凹部245も示しており、凹部245の周縁は、反射電極
層の周縁よりも内側に位置し、凹部245の下方の感光性有機樹脂層は他の領域よりも薄
い膜厚となっている。
ィルムや、偏光機能を有するフィルムや、反射防止板や、カラーフィルタなどの光学フィ
ルムを設けてもよい。
撮影した写真図を示す。パネルの画面半分を静止画とし、もう半分を動画として表示した
。パネルの画面半分を静止画とし、もう半分を動画として表示し、消費電力の低減を図る
ことができる。また、画面に指を触れることによって、図1(A)に示すようにキーボー
ドボタンを表示させ、表示されたキーボードボタンの箇所を指でふれることによって情報
を入力し、表示領域にキーボードボタンに対応した文字を表示することができる。また、
フォトセンサを用いており、指先を画面に近づけた状態で指が画面に触れない非接触状態
としても十分に外光があり、指の影をセンシングできるのであれば、非接触の画面操作を
行うこともできる。
本実施の形態では、カラーフィルタを設け、フルカラー表示が可能な液晶表示モジュール
とする一例を示す。
マトリクス状に設けられた表示パネル120と、表示パネル120と重なる偏光板及びカ
ラーフィルタ115を有する。また、外部入力端子となるFPC(フレキシブルプリント
サーキット)116a、116bは表示パネル120に設けた端子部と電気的に接続され
ている。表示パネル120は、実施の形態1の表示パネル100と同様の構成を有する。
ただし、フルカラー表示とする場合であるため、赤色表示素子、緑色表示素子、青色表示
素子の3つの表示素子を用い、それぞれに異なる映像信号を供給する回路構成とする。
される様子を模式的に示してある。例えば、カラーフィルタの赤色領域と重なる画素にお
いては、外光139がカラーフィルタ115を通過した後、液晶層を通過し、反射電極で
反射され、再びカラーフィルタ115を通過して赤色光として取り出される。図9には、
3色の光135が矢印(R、G、及びB)で模式的に示してある。液晶素子を透過する光
の強度は、画像信号により変調されるため、観察者は外光139の反射光によって、映像
を捉えることができる。
ォトセンサの受光領域にもカラーフィルタを重ねることにより可視光センサとして機能さ
せることもできる。また、フォトセンサの光の感度を向上させるためには、入射光を多く
取り入れるため、フォトセンサの受光領域と重なる領域にはカラーフィルタに開口を設け
、フォトセンサの受光領域とカラーフィルタが重ならない構成としてもよい。
本実施の形態においては、上記実施の形態で説明した液晶表示装置を具備する電子機器の
例について説明する。
1、操作キー9632、太陽電池9633、充放電制御回路9634を有することができ
る。太陽電池9633と、表示パネルとを開閉自在に装着しており、太陽電池からの電力
を表示パネル、または映像信号処理部に供給する電子書籍である。図10(A)に示した
電子書籍は、様々な情報(静止画、動画、テキスト画像など)を表示する機能、カレンダ
ー、日付又は時刻などを表示部に表示する機能、表示部に表示した情報をタッチ入力操作
又は編集するタッチ入力機能、様々なソフトウェア(プログラム)によって処理を制御す
る機能、等を有することができる。なお、図10(A)では充放電制御回路9634の一
例としてバッテリー9635、DCDCコンバータ(以下、コンバータ9636と略記)
を有する構成について示している。
であり、比較的明るい状況下で使用するため、太陽電池9633による発電、及びバッテ
リー9635での充電を効率よく行うことができ、好適である。なお太陽電池9633は
、筐体9630の表面及び裏面に効率的なバッテリー9635の充電を行う構成とするこ
とができるため好適である。なおバッテリー9635としては、リチウムイオン電池を用
いると、小型化を図れる等の利点がある。
にブロック図を示し説明する。図10(B)には、太陽電池9633、バッテリー963
5、コンバータ9636、コンバータ9637、スイッチSW1乃至SW3、表示部96
31について示しており、バッテリー9635、コンバータ9636、コンバータ963
7、スイッチSW1乃至SW3が充放電制御回路9634に対応する箇所となる。
太陽電池で発電した電力は、バッテリー9635を充電するための電圧となるようコンバ
ータ9636で昇圧または降圧がなされる。そして、表示部9631の動作に太陽電池9
633からの電力が用いられる際にはスイッチSW1をオンにし、コンバータ9637で
表示部9631に必要な電圧に昇圧または降圧をすることとなる。また、表示部9631
での表示を行わない際には、SW1をオフにし、SW2をオンにしてバッテリー9635
の充電を行う構成とすればよい。
テリー9635の充電を行う構成であってもよい。また他の充電手段を組み合わせて行う
構成としてもよい。
である。
本実施の形態では、ガラス基板上にトランジスタ及びフォトセンサを形成した後、フレキ
シブルな基板上にそのトランジスタ及びフォトセンサを転移して搭載する例を示す。なお
、ここではトランジスタの断面工程図を図13(A)、図13(B)、及び図13(C)
に示し、実施の形態2と共通する工程およびフォトダイオードなどの構造の詳細な説明は
省略し、図8(A)及び図8(B)と同じ箇所には同じ符号を用いて説明する。
能する酸化物絶縁膜261を形成する。なお、基板230は、ガラス基板、石英基板など
を用いる。また、酸化物絶縁膜261は、PCVD法やスパッタリング法等を用いて、酸
化シリコン、酸化窒化シリコン(SiOxNy)(x>y>0)、窒化酸化シリコン(S
iNxOy)(x>y>0)等の材料を用いて形成する。
る。金属膜としては、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、チタン(Ti)、タン
タル(Ta)、ニオブ(Nb)、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、ジルコニウム(
Zr)、亜鉛(Zn)、ルテニウム(Ru)、ロジウム(Rh)、パラジウム(Pd)、
オスミウム(Os)、イリジウム(Ir)から選択された元素または当該元素を主成分と
する合金材料若しくは化合物材料からなる膜を単層または積層して形成する。例えば、金
属膜としてスパッタ法やCVD法等によりタングステン膜を設けた場合、タングステン膜
にプラズマ処理を行うことによって、タングステン膜表面にタングステン酸化物からなる
金属酸化膜を形成することができる。他にも、例えば、金属膜(例えば、タングステン)
を形成した後に、当該金属膜上にスパッタ法で酸化珪素等の絶縁膜を設けると共に、金属
膜上に金属酸化物(例えば、タングステン上にタングステン酸化物)を形成してもよい。
また、プラズマ処理として、例えば高密度プラズマ装置を用いた高密度プラズマ処理を行
ってもよい。また、金属酸化膜の他にも、金属窒化物膜や金属酸化窒化物膜を用いてもよ
い。この場合、金属膜に窒素雰囲気下または窒素と酸素雰囲気下でプラズマ処理や加熱処
理を行えばよい。
露光マスクを用いる第1のフォトリソグラフィ工程により、ゲート信号線227、容量配
線224、フォトダイオードリセット信号線、読み出し信号線、フォトセンサ基準信号線
を形成する。
そして、反射電極層242を水溶性の樹脂層262で覆う。この段階での断面図を図13
(A)に示す。なお、図13(A)では簡略化のため、反射電極層242の周辺の断面構
造を示し、同一基板上に形成されているフォトダイオードは図示しない。
などにより開口を形成し、基板230からトランジスタを含む層を剥離する。この段階で
の断面図を図13(B)に示す。図13(B)に示すように、基板230に形成された剥
離層260と酸化物絶縁膜261の界面で分離する。
)に、フレキシブルな基板264を接着層263で貼り合わせる。フレキシブルな基板2
64としては、プラスチックフィルムや薄いステンレス基板を用いることができる。
極267を有する対向基板268とフレキシブルな基板264とをシール材を用いて貼り
合わせる。なお、貼り合わせる前に、対向基板268にも対向電極267を覆う配向膜2
66を形成する。液晶滴下法を用いる場合には、閉ループのシール材に囲まれた領域に液
晶を滴下し、減圧下で一対の基板の貼り合わせを行う。こうして一対の基板とシール材で
囲まれた領域に液晶層265を充填する。対向基板268は、透光性が高く、リタデーシ
ョンの少ないプラスチックフィルムを用いることで、フレキシブルな液晶パネルを作製す
ることができる。
及び対向基板268として用いるガラス基板をトランジスタ作製後に研磨などにより薄く
加工することでフレキシブルな液晶パネルを作製してもよい。研磨により薄くする場合は
、液晶層を充填した後で、基板230及び対向基板268の両方を研磨して薄くする。
る場合を示している。以下に図14を参照して、電子書籍の具体的な構成について説明す
る。なお、図14(A)は電子書籍を横にした状態を示し、図14(B)は電子書籍を立
てた状態を示している。
、液晶パネル4311の一端部に設けられた支持部4308と、表示部4301の表示制
御を行う走査線駆動回路4321aと、表示部4301に設けられたフォトダイオードの
制御を行うフォトセンサ駆動回路4321bと、表示部4301の表示制御を行う信号線
駆動回路4323とを有している。
の可撓面に設けられ、信号線駆動回路4323は支持部4308の内部に設けられている
。
とすることが好ましい。一例として、支持部4308を構成する筐体を、液晶パネル43
11より厚いプラスチックや金属等で形成することができる。この場合、電子書籍は、支
持部4308以外の部分で曲がる(湾曲する)構成とすることができる。
11の一端部に沿って支持部4308を設けることができる。例えば、図14に示すよう
に、液晶パネル4311を矩形状とする場合には、所定の一辺に沿って(一辺を固定する
ように)支持部4308を設けることができる。なお、ここでいう矩形状とは、角部が丸
まっている場合も含むものとする。
1を構成する画素回路を同じプロセスで可撓性を有する基板上に形成することにより、走
査線駆動回路4321a、及びフォトセンサ駆動回路4321bの湾曲を可能とすると共
に、低コスト化を図ることができる。
路4321bを構成する素子としては、薄膜トランジスタ等で形成することができる。一
方で、信号線駆動回路4323等の高速動作する回路は、シリコン等の半導体基板やSO
I基板を用いて形成されたIC(Integrated Circuit)を用いて形成
し、当該ICを支持部4308の内部に設けることができる。
ダイオードを用いたタッチ入力であるため問題なく情報入力が行え、他のタッチ入力方式
に比べて操作性がよい。
レーザ照射によるアブレーションを用いる剥離方法や、有機樹脂を用いた剥離方法などを
用いることができる。
本実施の形態では、液晶パネルの走査線駆動回路の構成の一例に関して図面を参照して
説明する。
GAのゲートドライバ(走査線駆動回路)として用いる場合は480本のゲート線を駆動
する必要があるので9ビット分のデータ線が必要である。実施の形態では3ビットの例で
説明する。
信号を生成する回路、ブロック703は、3段目のゲート信号を生成する回路、ブロック
704は4段目のゲート信号を生成する回路、ブロック705は5段目のゲート信号を生
成する回路を示す。VGAの場合、480段目まで続く。
データが3ビットであることに対応する。信号名の末尾のaとbは、bがaの反転信号に
相当するが、完全な反転信号ではなく、データの入力が無い期間は共に0(ロー、GND
ともいう)にする。データ線と各段のブロックを接続する方法は、1段目を2進数で00
1と表現したとき、Data0aまたはData0bが最下位ビットに相当するとして、
1段目の最下位ビットは1なので末尾の文字がbの方、すなわちData0bに接続する
。同様に最下位ビットの次のビットは0なので末尾の文字がaのData1aに接続する
。
は1を2進数にした001に対応させてData2aを0(ロー)、Data1aを0(
ロー)、Data0aを1(ハイ)にする。2段目のブロック702を選択する期間2は
2を2進数にした010に対応させてData2aを0(ロー)、Data1aを1(ハ
イ)、Data0aを0(ロー)にする。3段目以降も同様にデータを決める。
Data0aが1(ハイ)のときData0bは0(ロー)にする。Data1bとDa
ta2bも同様にそれぞれData1aとData2aの逆論理とする。但し1段目のブ
ロック701を選択する期間1と2段目のブロック702を選択する期間2の間にDat
a0aとData0bがともに0(ロー)の期間を挿入し、データの入力が無い期間とす
る。
04、705の内部を構成する回路も同じである。図17においても3ビットの例で説明
する。図17において図示するN型のトランジスタ群802、トランジスタ803、トラ
ンジスタ804、トランジスタ群806は、表示部のトランジスタと同一基板上に形成さ
れ、チャネルとして酸化物半導体層を用いる。
a0aまたはData0bに電気的に接続する。ノード801はデータを保持する機能を
持つ。容量素子によって保持しても良いが、寄生容量でも構わないので、本実施の形態で
は保持のための容量素子を省略している。データ線Data0からData2のいずれか
が1(ハイ)になると、N型のトランジスタ群802のいずれかがオン状態になりノード
801は0(ロー)になる。データ線Data0からData2がすべて0(ロー)のと
きノード801は1(ハイ)を保持し、このブロックは選択されたとみなす。またデータ
の入力が無い期間はデータ線Data0からData2がすべて0(ロー)にして、トラ
ンジスタ群802はすべてオフ状態とする。
タであるトランジスタ803をオンの状態にする。なおトランジスタ803がオンになっ
てもトランジスタ803のしきい値のためノード801はVDDと全く同じ電位になると
は限らないが構わない。reset信号が1(ハイ)の期間とデータ線Data0からD
ata2のいずれかが1(ハイ)になる期間を重ねないことにより電源VDDからGND
までの電流が大きくなることを防ぐことができる。
き、ノード801は1(ハイ)を保持し、N型トランジスタであるトランジスタ804は
オン状態になる。更にこのブロックが選択されたとき、ノード801は電源VDDやGN
Dに電気的に接続されていない状態であり、write信号を0(ロー)から1(ハイ)
に変化させると容量805の容量結合によりノード801の電位は上昇する。容量805
の回路をブートストラップ回路という。
い値を加えた電位より高いことが望ましい。ノード801の上昇後の電位がwrite信
号の最大の電位にトランジスタ804のしきい値を加えた電位より高くなるならば容量8
05は不要、または寄生容量で十分な場合もある。
い値を加えた電位より低い場合、ノードOutの電位はwrite信号の最大の電位まで
上がらず、画素への書き込みが間に合わなくなる可能性がある。ノード801がwrit
e信号の最大の電位にトランジスタ804のしきい値を加えた電位より高くなることによ
り、write信号を0(ロー)から1(ハイ)に変化させるとノードOutも0(ロー
)から1(ハイ)に変化する。ノードOutは画素のゲート線に接続する。次にwrit
e信号を1(ハイ)から0(ロー)に変化させると容量805の容量結合によりノード8
01の電位は下がるが、reset信号によって与えられたVDDの電位程度であり、ト
ランジスタ804はオフ状態にならない。すなわちwrite信号の0(ロー)のレベル
にトランジスタ804のしきい値を加えた電位よりノード801の電位が高いのでノード
Outも0(ロー)になる。
されていないとき、ノード801は0(ロー)であり、トランジスタ804はオフ状態に
なる。
ンの状態のため、ノード801の電位は0(ロー)であり、トランジスタ804はオフ状
態である。トランジスタ群802の電流を流せる能力が低いと容量805の容量結合によ
りノード801の電位が上昇するのでノードOutの変化が少なくなるようにトランジス
タ群802の電流を流せる能力を決める必要がある。
がオンの状態のため、ノード801の電位は0(ロー)であり、トランジスタ804はオ
フ状態である。トランジスタ群802の電流を流せる能力が低いと容量805の容量結合
によりノード801の電位が下降するのでノードOutの変化が少なくなるようにトラン
ジスタ群802の電流を流せる能力を決める必要がある。
のとき、すなわちこのブロックが選択されていないとき、ノードOutは電源に電気的に
接続していない状態となり、ビデオ信号の影響などを受ける可能性がある。トランジスタ
804のソース電極とドレイン電極間の容量結合によってもノードOutの電位は変化す
る。したがってトランジスタ804がオフ状態の期間にノードOutは0(ロー)に固定
しておくことがのぞましい。
動作を説明する。
トランジスタ804はオン状態になっているが、write信号が0(ロー)なのでOu
tの電位も0(ロー)である。次の期間902はreset信号を0(ロー)にして、デ
ータ入力を開始するまでの期間である。期間902を設けることによって電源VDDから
GNDまでの電流が大きくなることを防ぐことが望ましい。
るが、ここではData0からData2がすべて0(ロー)の場合を示す。次の期間9
04の初めにwrite信号が1(ハイ)になり、ノード801の電位も上昇する。期間
904にノードOutの電位も1(ハイ)になる。
、トランジスタ804はオン状態になっているためノードOutの電位は0(ロー)にな
る。次の期間906でデータ入力の期間を終了し、次の期間907で再びreset信号
を1(ハイ)にしてノード801の電位を1(ハイ)にする。以上が1水平期間であり、
以後繰り返す。期間903の代わりにデータ線Data0からData2のいずれかを1
(ハイ)になる場合を期間908で示す。期間908にデータ線Data0からData
2のいずれかを1(ハイ)にするとノード801の電位は0(ロー)になる。もし期間9
08が短く、トランジスタ804をオフ状態にするほどノード801の電位が十分低くな
らないうちに次の期間909でwrite信号が1(ハイ)になると、トランジスタ群8
06だけではノードOutの電位を固定出来ずにノードOutの電位が一時的に高くなる
問題が起こる可能性がある。期間908でトランジスタ804がオフ状態になれば次の期
間909でwrite信号を1(ハイ)にしてもノードOutは0(ロー)のままである
。なおトランジスタ804のソース電極とドレイン電極間の寄生容量のためトランジスタ
804がオフ状態であってもノードOutの電位が一時的に上昇しようとする。画素トラ
ンジスタがオン状態にならないようトランジスタ群806で調整する必要がある。ゲート
線は負荷が大きいためソース電極とドレイン電極間の寄生容量は大きな問題にはならない
。
た。write信号の最大の電位をVDDより低い値にするとブートストラップ回路は不
要になるが、外部に2種類の電源を用意することはコストを上げるので望ましくない。本
実施の形態は1種類の電源で動作させることが可能である。
示した構成と自由に組み合わせて実施することができる。
線を0(ロー)、reset信号を1(ハイ)の状態とすると全ての画素のゲート線は0
(ロー)になる。またシフトレジスタ回路を表示装置のドライバ回路に用いる場合と異な
り、任意の順番に任意の行の画素のゲート線を1(ハイ)にすることが出来る。
した表示装置のドライバ回路の構成に限定するものではない。
101:画素回路
103:画素
104:画素
105:表示素子
106:フォトセンサ
107:信号線側の表示素子駆動回路
108:走査線側の表示素子駆動回路
109:フォトセンサ読み出し回路
110:フォトセンサ駆動回路
115:カラーフィルタ
116a、116b:FPC
120:表示パネル
125:表示素子
135 光
139:外光
190 液晶表示モジュール
201 トランジスタ
202 保持容量
203 液晶素子
204 フォトダイオード
205 トランジスタ
206 トランジスタ
207 ゲート信号線
208 フォトダイオードリセット信号線
209 信号線
210 ビデオデータ信号線
211 フォトセンサ出力信号線
212 フォトセンサ基準信号線
213 ゲート信号線
214 容量配線
221 トランジスタ
222 保持容量
223 液晶素子
224 容量配線
227 ゲート信号線
230 基板
231 絶縁層
232 ゲート絶縁層
233 酸化物半導体層
234 電極層
235 電極層
236 電極層
237 絶縁層
238 p層
239 i層
240 n層
241 絶縁層
242 反射電極層
243 接続電極層
244 配向膜
245 凹部
251 電極層
253 酸化物半導体層
254 電極層
255 酸化物半導体層
256 酸化物半導体層
257 電極層
258 電極層
260 剥離層
261 酸化物絶縁膜
262 樹脂層
263 接着層
264 基板
265 液晶層
266 配向膜
267 対向電極
268 対向基板
701 ブロック
702 ブロック
703 ブロック
704 ブロック
705 ブロック
801 ノード
802 トランジスタ群
803 トランジスタ
804 トランジスタ
805 容量
806 トランジスタ群
901 期間
902 期間
903 期間
904 期間
905 期間
906 期間
907 期間
908 期間
909 期間
1030 電子機器
1031 ボタン
1032 表示部
1033 領域
1034 スイッチ
1035 電源スイッチ
1036 キーボード表示スイッチ
4301 表示部
4308 支持部
4311 液晶パネル
4321a 走査線駆動回路
4321b フォトセンサ駆動回路
4323 信号線駆動回路
9630 筐体
9631 表示部
9632 操作キー
9633 太陽電池
9634 充放電制御回路
9635 バッテリー
9636 コンバータ
9637 コンバータ
Claims (1)
- タッチ入力機能を有する表示部を備えた電子機器であって、
第1のトランジスタと、フォトセンサと、を有し、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインは、光を反射する機能を有する電極と電気的に接続され、
前記フォトセンサは、フォトダイオードと、第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、を有し、
前記第2のトランジスタのゲートは、前記フォトダイオードと電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第1の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第2の配線と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのゲートは、第3の配線と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタは、チャネルが酸化物半導体層に形成され、
前記酸化物半導体層は、前記第3の配線と重なる領域を有し、
前記第3の配線は、前記第3のトランジスタのゲートとして機能する領域を有し、
前記第3の配線は、前記電極と重なる領域を有することを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015044289A JP5878997B2 (ja) | 2010-03-08 | 2015-03-06 | 電子機器 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010050947 | 2010-03-08 | ||
JP2010050947 | 2010-03-08 | ||
JP2015044289A JP5878997B2 (ja) | 2010-03-08 | 2015-03-06 | 電子機器 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012220294A Division JP5711714B2 (ja) | 2010-03-08 | 2012-10-02 | 電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015144003A JP2015144003A (ja) | 2015-08-06 |
JP5878997B2 true JP5878997B2 (ja) | 2016-03-08 |
Family
ID=44530915
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011039688A Expired - Fee Related JP5106647B2 (ja) | 2010-03-08 | 2011-02-25 | 電子機器及び電子システム |
JP2012220294A Expired - Fee Related JP5711714B2 (ja) | 2010-03-08 | 2012-10-02 | 電子機器 |
JP2015044289A Active JP5878997B2 (ja) | 2010-03-08 | 2015-03-06 | 電子機器 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011039688A Expired - Fee Related JP5106647B2 (ja) | 2010-03-08 | 2011-02-25 | 電子機器及び電子システム |
JP2012220294A Expired - Fee Related JP5711714B2 (ja) | 2010-03-08 | 2012-10-02 | 電子機器 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9261998B2 (ja) |
JP (3) | JP5106647B2 (ja) |
KR (1) | KR101791253B1 (ja) |
TW (1) | TWI659338B (ja) |
WO (1) | WO2011111504A1 (ja) |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101751902B1 (ko) * | 2009-10-26 | 2017-06-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 반도체 장치 |
KR102031848B1 (ko) | 2010-01-20 | 2019-10-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 전자 기기 및 전자 시스템 |
WO2011145537A1 (en) | 2010-05-21 | 2011-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
KR101160681B1 (ko) | 2011-10-19 | 2012-06-28 | 배경덕 | 이동 통신 단말기의 활성화 시에 특정 동작이 수행되도록 하기 위한 방법, 이동 통신 단말기 및 컴퓨터 판독 가능 기록 매체 |
KR101909985B1 (ko) * | 2011-12-03 | 2018-10-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 디스플레이 장치와 이의 구동방법 |
WO2013125851A1 (en) * | 2012-02-24 | 2013-08-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Device and method for moving display window on screen |
TWI670553B (zh) | 2012-05-16 | 2019-09-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及觸控面板 |
US9147706B2 (en) | 2012-05-29 | 2015-09-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having sensor circuit having amplifier circuit |
US8994677B2 (en) * | 2012-07-03 | 2015-03-31 | Innocom Technology (Shenzhen) Co., Ltd. | Touch sensing structure |
KR20150085035A (ko) | 2012-11-15 | 2015-07-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 디스플레이 장치 |
TWI612365B (zh) * | 2012-11-20 | 2018-01-21 | 劍揚股份有限公司 | 具有光感應輸入的顯示驅動電路 |
US9817520B2 (en) * | 2013-05-20 | 2017-11-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging panel and imaging device |
JP5953289B2 (ja) * | 2013-11-29 | 2016-07-20 | 藤森工業株式会社 | 粘着剤組成物及び表面保護フィルム |
CN103680385B (zh) * | 2013-11-29 | 2017-01-11 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 触控电路及其驱动方法、阵列基板、触控显示装置 |
JP2015108735A (ja) * | 2013-12-05 | 2015-06-11 | 旭硝子株式会社 | 電子デバイスの製造方法 |
CN103680454A (zh) * | 2013-12-20 | 2014-03-26 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 显示装置及显示驱动方法 |
JP6506961B2 (ja) | 2013-12-27 | 2019-04-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
CN103676388A (zh) * | 2013-12-30 | 2014-03-26 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 阵列基板、显示面板及其显示方法、显示装置 |
TWI679624B (zh) * | 2014-05-02 | 2019-12-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
JP2016066065A (ja) | 2014-09-05 | 2016-04-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、および電子機器 |
KR20210068636A (ko) | 2014-10-28 | 2021-06-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 |
JPWO2016087999A1 (ja) | 2014-12-01 | 2017-10-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、該表示装置を有する表示モジュール、及び該表示装置または該表示モジュールを有する電子機器 |
US9684162B2 (en) * | 2015-04-09 | 2017-06-20 | Goodrich Corporation | Optical sensors |
TWI598722B (zh) * | 2015-10-07 | 2017-09-11 | 宏碁股份有限公司 | 電子裝置及其外觀模組 |
US10162438B2 (en) * | 2016-03-08 | 2018-12-25 | Egalax_Empia Technology Inc. | Stylus for providing tilt angle and axial direction and control method thereof |
KR102365543B1 (ko) * | 2016-06-10 | 2022-02-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 정보 단말 |
TWI697818B (zh) | 2018-08-23 | 2020-07-01 | 緯創資通股份有限公司 | 可攜式電子裝置與控制顯示模組之畫面之方法 |
KR102083413B1 (ko) * | 2018-10-02 | 2020-03-02 | 주식회사 넥슨코리아 | 모바일 단말기 및 모바일 단말기에서 사용자 인터페이스를 제공하는 방법 |
KR102554262B1 (ko) * | 2018-12-28 | 2023-07-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 구동 회로, 디스플레이 패널 및 디스플레이 장치 |
US11842002B2 (en) * | 2019-10-04 | 2023-12-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
KR102401789B1 (ko) | 2019-10-18 | 2022-05-26 | 이용훈 | 고정핀 기능을 갖는 장식 소품 |
Family Cites Families (140)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4285796A (en) * | 1978-08-21 | 1981-08-25 | The University Of Virginia | Electrolysis electrode |
JPS60198861A (ja) | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH0244256B2 (ja) | 1987-01-28 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPS63210023A (ja) | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
JPH0244260B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244258B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244262B2 (ja) | 1987-02-27 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP3479375B2 (ja) | 1995-03-27 | 2003-12-15 | 科学技術振興事業団 | 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法 |
JPH11505377A (ja) | 1995-08-03 | 1999-05-18 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 半導体装置 |
JPH09175232A (ja) | 1995-12-28 | 1997-07-08 | Sanyo Electric Works Ltd | 車両用モニタ装置 |
JP3625598B2 (ja) * | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JP2978835B2 (ja) | 1997-05-15 | 1999-11-15 | 静岡日本電気株式会社 | タッチパネルつき情報端末 |
JP2940539B1 (ja) * | 1998-03-31 | 1999-08-25 | 日本電気株式会社 | 表示部照明付き情報端末装置 |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP2000150861A (ja) * | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) * | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
JP2000173384A (ja) | 1998-12-02 | 2000-06-23 | Rohm Co Ltd | タッチパネル一体型の画像表示装置、および画像表示盤に対するタッチパネルの位置補正方法 |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
JP4112184B2 (ja) | 2000-01-31 | 2008-07-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | エリアセンサ及び表示装置 |
US6747638B2 (en) * | 2000-01-31 | 2004-06-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Adhesion type area sensor and display device having adhesion type area sensor |
KR100771258B1 (ko) * | 2000-05-09 | 2007-10-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 본인 인증 시스템과 본인 인증 방법 및 휴대 전화 장치 |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP2002236541A (ja) | 2001-02-09 | 2002-08-23 | Ricoh Co Ltd | 位置検出装置およびそれを用いたタッチパネルと携帯機器と形状検出装置 |
JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
WO2003040441A1 (en) * | 2001-11-05 | 2003-05-15 | Japan Science And Technology Agency | Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
CN1445821A (zh) * | 2002-03-15 | 2003-10-01 | 三洋电机株式会社 | ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法 |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
US7042444B2 (en) * | 2003-01-17 | 2006-05-09 | Eastman Kodak Company | OLED display and touch screen |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
JP2005122450A (ja) | 2003-10-16 | 2005-05-12 | Kyocera Mita Corp | 表示入力部を備える機器 |
US20050200294A1 (en) * | 2004-02-24 | 2005-09-15 | Naugler W. E.Jr. | Sidelight illuminated flat panel display and touch panel input device |
US20050200291A1 (en) * | 2004-02-24 | 2005-09-15 | Naugler W. E.Jr. | Method and device for reading display pixel emission and ambient luminance levels |
US20050200292A1 (en) * | 2004-02-24 | 2005-09-15 | Naugler W. E.Jr. | Emissive display device having sensing for luminance stabilization and user light or touch screen input |
US20050200296A1 (en) * | 2004-02-24 | 2005-09-15 | Naugler W. E.Jr. | Method and device for flat panel emissive display using shielded or partially shielded sensors to detect user screen inputs |
AU2005216038A1 (en) | 2004-02-24 | 2005-09-09 | Nuelight Corporation | Penlight and touch screen data input system and method for flat panel displays |
US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
WO2005088726A1 (ja) | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Japan Science And Technology Agency | アモルファス酸化物及び薄膜トランジスタ |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
US20060007204A1 (en) * | 2004-06-29 | 2006-01-12 | Damoder Reddy | System and method for a long-life luminance feedback stabilized display panel |
JP2008505366A (ja) | 2004-06-29 | 2008-02-21 | ニューライト・コーポレイション | 個々の画素の輝度の感知と制御を用いる、高性能表示装置のためのシステムと方法 |
JP2006079589A (ja) | 2004-08-05 | 2006-03-23 | Sanyo Electric Co Ltd | タッチパネル |
JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
CA2585063C (en) | 2004-11-10 | 2013-01-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
KR100998527B1 (ko) | 2004-11-10 | 2010-12-07 | 고쿠리츠다이가쿠호진 토쿄고교 다이가꾸 | 비정질 산화물 및 전계 효과 트랜지스터 |
US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
CN101057338B (zh) | 2004-11-10 | 2011-03-16 | 佳能株式会社 | 采用无定形氧化物的场效应晶体管 |
US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
TWI445178B (zh) | 2005-01-28 | 2014-07-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
TWI562380B (en) | 2005-01-28 | 2016-12-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device |
US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
JP4609168B2 (ja) | 2005-02-28 | 2011-01-12 | セイコーエプソン株式会社 | 電気泳動表示装置の駆動方法 |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
WO2006105077A2 (en) | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
EP1995787A3 (en) | 2005-09-29 | 2012-01-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method therof |
JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
KR101117948B1 (ko) | 2005-11-15 | 2012-02-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 디스플레이 장치 제조 방법 |
TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
JP2008182555A (ja) | 2007-01-25 | 2008-08-07 | Fujifilm Corp | 録音再生装置 |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
JP5391519B2 (ja) | 2007-02-06 | 2014-01-15 | 三菱電機株式会社 | 画像表示装置 |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
JP4897525B2 (ja) | 2007-03-16 | 2012-03-14 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 画像表示装置 |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
WO2008133345A1 (en) | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Oxynitride semiconductor |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
JP2008310374A (ja) | 2007-06-12 | 2008-12-25 | Mitsubishi Electric Corp | タッチパネル機能の検査方法およびタッチパネル機能の検査装置 |
US7667177B2 (en) * | 2007-07-19 | 2010-02-23 | Tpo Displays Corp. | Reading circuit, display panel and electronic system utilizing the same |
JP2009128520A (ja) | 2007-11-21 | 2009-06-11 | Sharp Corp | 表示装置およびその製造方法 |
US20090141004A1 (en) | 2007-12-03 | 2009-06-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
US8202365B2 (en) | 2007-12-17 | 2012-06-19 | Fujifilm Corporation | Process for producing oriented inorganic crystalline film, and semiconductor device using the oriented inorganic crystalline film |
JP4571198B2 (ja) * | 2008-03-07 | 2010-10-27 | 京セラ株式会社 | 携帯通信端末 |
JP2009271308A (ja) * | 2008-05-07 | 2009-11-19 | Seiko Epson Corp | 表示装置および電子機器 |
JP2010026467A (ja) | 2008-07-24 | 2010-02-04 | Sony Corp | 表示装置および電子機器 |
JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5043196B2 (ja) | 2008-09-30 | 2012-10-10 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
KR20100038046A (ko) * | 2008-10-02 | 2010-04-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 터치 패널 및 터치 패널의 구동방법 |
JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
WO2010074011A1 (en) * | 2008-12-24 | 2010-07-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Touch panel, display device, and electronic device |
WO2010073892A1 (en) | 2008-12-24 | 2010-07-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Touch panel and driving method thereof |
JP5100670B2 (ja) | 2009-01-21 | 2012-12-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | タッチパネル、電子機器 |
JP2010191288A (ja) | 2009-02-19 | 2010-09-02 | Autonetworks Technologies Ltd | 表示制御装置 |
JP5202395B2 (ja) | 2009-03-09 | 2013-06-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | タッチパネル、電子機器 |
US8982099B2 (en) | 2009-06-25 | 2015-03-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Touch panel and driving method of the same |
JP5340837B2 (ja) | 2009-07-16 | 2013-11-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | タッチパネル及びタッチパネルの作製方法 |
JP5204815B2 (ja) | 2010-08-11 | 2013-06-05 | 京セラ株式会社 | 携帯通信端末 |
-
2011
- 2011-02-14 KR KR1020127025475A patent/KR101791253B1/ko active IP Right Grant
- 2011-02-14 WO PCT/JP2011/053590 patent/WO2011111504A1/en active Application Filing
- 2011-02-25 JP JP2011039688A patent/JP5106647B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-03-01 US US13/037,660 patent/US9261998B2/en active Active
- 2011-03-03 TW TW100107166A patent/TWI659338B/zh active
-
2012
- 2012-10-02 JP JP2012220294A patent/JP5711714B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-03-06 JP JP2015044289A patent/JP5878997B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9261998B2 (en) | 2016-02-16 |
TW201205379A (en) | 2012-02-01 |
TWI659338B (zh) | 2019-05-11 |
US20110216023A1 (en) | 2011-09-08 |
JP5106647B2 (ja) | 2012-12-26 |
JP2013020640A (ja) | 2013-01-31 |
JP2015144003A (ja) | 2015-08-06 |
JP2011210241A (ja) | 2011-10-20 |
JP5711714B2 (ja) | 2015-05-07 |
KR20130005278A (ko) | 2013-01-15 |
WO2011111504A1 (en) | 2011-09-15 |
KR101791253B1 (ko) | 2017-11-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5878997B2 (ja) | 電子機器 | |
JP6785918B2 (ja) | 電子機器 | |
JP6768170B1 (ja) | 撮像装置 | |
JP5662841B2 (ja) | 表示装置 | |
JP6317412B2 (ja) | 表示装置及び表示装置の作製方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160126 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160129 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5878997 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |