JP2010026467A - 表示装置および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】受光素子311を含み表示領域における外光の強度を検出する第1の光センサ部31と、受光素子321への光路に遮光膜CTL321が配置された第2の光センサ部32と、第1の光センサ部31の検出信号と第2の光センサ部32の検出信号との差分処理を行う信号処理機能と、を有し、遮光膜CTL321は、配線と同層の金属膜により形成されている。
【選択図】図3
Description
この技術を用いることで画面が見やすくなるばかりでなく、液晶表示装置などのようにバックライトシステムにより表示している場合などは、バックライトシステムの消費電力の削減になり、携帯電話等のモバイルアプリケーションの電池寿命へ貢献できる。このことからこの種技術が種々検討されている。
具体的には、たとえば、感圧式タッチパネル(特許文献1,2を参照)方式による表示装置や電磁誘導型タッチパネル方式(特許文献3を参照)による表示装置などが知られている。
そこで、近年、上記の問題を解決すべく表示装置の各画素に受光素子を設け、受光素子への入射光を検知することにより表示装置内の座標を特定する表示装置の開発が盛んに行われている(特許文献4,5を参照)。
図2(A)〜(C)は、図2の液晶表示装置における有効表示領域部の構成例を示す図であって、図2(A)はセルのマトリクス配列を、図2(B)は平面図を、図2(C)は断面図をそれぞれ示している。
また、図3は、本実施形態に係る光検出回路の構成例を示す図である。
そして、有効表示領域部2に隣接(近接)して光検出部3が配置されている。
なお、光検出部3は、有効表示領域部2外部(表示領域部の有効領域外の非表示領域部)に隣接して形成する代わりに、有効表示領域部2と一体的に形成することも可能である。
第2の光センサ部32は、受光素子321を含み、この受光素子321への光路に後で説明するような、配線と同じ金属(たとえばAl)に形成される遮光膜CTL321が配置され、外部からの光を十分に遮蔽するように構成されている。
なお、遮光膜は、配線層に限定されず、画素電極の金属層や他のTFT基板側にある遮光性のある膜により形成することが可能である。
そして、光検出部3は、第1の光センサ部31の光センサ311の検出電流成分から第2の光センサ部32の遮光側センサ321の検出電流成分(たとえば暗電流成分)を取り除いた信号を、コンパレータ34を用いて参照電圧との比較結果し外光強度信号を得る。光検出部3は、この得られた信号を、検出信号S3として信号処理回路6に出力する。
光検出部3による検出信号S3は、光センサ311が検出した赤外域の検出成分が除去されている。
このように、光検出部3は、第1の光センサ部の検出信号と第2の光センサ部の検出信号との差分処理を行う信号処理部としての機能を有している。
本実施形態においては、信号処理回路6は、光検出部3の検出信号S3の出力レベルに応じて、制御信号CTLにより、有効表示領域部(画面表示部)2の表面輝度を変化させる。
たとえば、有効表示領域部2の所定領域において、図2中の左から、色の三原色に対応したR色の表示セル21R、G色の表示セル21G、B色の表示セル21Bが配列され、たとえば図示しない遮光マスク(ブラックマスク)を介して、あるいはブラックマスクを介さずにこの配列が繰り返される。
また、TFT基板22の基面222側には各表示セル21の表示回路210が形成されている。
一方、対向基板23の基面231には各種フィルタFLT−R,FLT−G,FLT−Bが形成されている。
表示回路210は、TFT211のドレイン電極(またはソース電極)に画素電極が接続された液晶セル(LC)212と、TFT211のドレイン電極に一方の電極が接続された保持容量(Cs)213とにより構成されている。
そして、各表示セル21のTFT211のゲート電極は、各行単位で同一の走査線(ゲート線)7−1〜7−mにそれぞれ接続されている。また、各表示セル21のTFT211のソース電極(または、ドレイン電極)は、各列単位で同一の表示信号線8−1〜8−nに各々接続されている。
また、表示セル21に対応した配線された表示信号線8−1〜8−nは水平駆動回路5に接続され、この水平駆動回路5により駆動される。
そして、各画素部20の表示セル21の液晶セル212の対向電極および/または保持容量213の他方の電極には、コモン配線(共通配線)を通してたとえば所定の直流電圧がコモン電圧VCOMとして与えられる。
あるいは、各表示セル21の液晶セル212の対向電極および保持容量213の他方の電極には、たとえば1水平走査期間(1H)毎に極性が反転するコモン電圧VCOMが与えられる。
すなわち、垂直駆動回路4から走査線7−1に対して走査パルスSP1が与えられたときには第1行目の各列の画素が選択され、走査線7−2に対して走査パルスSP2が与えられたときには第2行目の各列の画素が選択される。以下同様にして、走査線7−3,…,7−mに対して走査パルスSP3,…,SPmが順に与えられる。
入力される画像データR(赤)、G(緑)、B(青)を、生成したサンプリングパルスに応答して順次サンプリングして、各表示セル21に書き込むベきデータ信号として各表示信号線8−1〜8−nに供給する。
ゲート絶縁膜331上に半導体膜(I層、チャネル形成領域)333、並びに半導体膜333を挟んで一対のn+拡散層334、335(ソース、ドレイン領域)が形成されている。
さらに、ゲート絶縁膜331、半導体層(チャネル形成領域)333、n+拡散層334,335(ソース、ドレイン領域)を覆うように層間絶縁膜336が形成されている。層間絶縁膜336は、たとえばSiN、SiO2等により形成される。
一方のn+拡散層334には、層間絶縁膜336に形成されたコンタクトホール337aを介してソース電極338が接続され、他方のn+拡散層335には、層間絶縁膜336に形成されたコンタクトホール337bを介してドレイン電極339が接続される。
ソース電極338およびドレイン電極339は、たとえばアルミニウム(Al)をパターニングしたものである。
層間絶縁膜336、ソース電極338、ドレイン電極339上に平坦化膜340が形成されている。
そして、たとえば表示領域部の有効表示領域あるいは、非表示領域に配置される場合には、この平坦化膜349上に液晶層24が形成される。
参考のために図5に第2の光センサ部32の平面図を示す。
次に、図6(D)に示すように、ゲート絶縁膜402上にはアモルファスシリコン403を成膜した後にエキシマレーザーを照射し(レーザーアニール)、シリコン膜を多結晶化する。
次に、トランジスタの閾値制御のために多結晶シリコン膜にイオン注入機によって不純物を注入する。そして、図6(E)に示すように、多結晶シリコン膜404の上部にはCVD装置によってSiO2膜405を成膜する。
その後フォトリソグラフィー技術によりSiO2膜上にレジストをパターニングし、図6(F)に示すように、イオン注入機によってアノード・カソードを形成する。
その後、レジストを剥離した後基板をアニール炉に入れ不純物を活性化する。
次に、図6(G)に示すように、再びレジストパターンを形成しドライエッチャーによって多結晶シリコン膜とSiO2をパターニングする。
次に、図7(H)に示すように、CVD装置によって層間絶縁膜406であるSiO2、SiN、SiO2膜を成膜し、アニール炉にて多結晶シリコン中のダングリングボンドを水素によって終端化させる。
次に、図7(I)に示すように、フォトリソグラフィーによりレジストをパターニングし、エッチングによりソース、ドレイン部の多結晶シリコンとゲート電極に対しコンタクトホール407を形成する。
その後、図7(J)に示すように、信号配線となるAl408を成膜し、図7(K)に示すように、フォトリソグラフィーとエッチングによってパターニングする。
なお、理解を容易にするために、図4および図5と同様の構成部分には、同一符号をもって表している。
異なる部分は、n+拡散層334の代わりにp+拡散層341ソース電極に代わりにアノード電極342が形成され、ドレイン電極の代わりにカソード電極344が形成されている点である。
光検出部3においては、有効表示領域部2に照射される外光が第1の光センサ部31の光センサ311で受光される。
そして、光検出部3は、第1の光センサ部31の光センサ311の検出電流成分から第2の光センサ部32の遮光側センサ321の検出電流成分である暗電流成分が取り除かれた信号が、コンパレータ34を用いて参照電圧と比較される。その比較結果が、外光強度信号として得られ、検出信号S3として信号処理回路6に出力される。
光検出部3による検出信号S3は、光センサ311が検出した赤外域の検出成分が除去されている。
そして、信号処理回路6は、光検出部3の検出信号S3の出力レベルに応じて、制御信号CTLにより、有効表示領域部(画面表示部)2の表面輝度を変化させる。
たとえば、バックライト25による表示光のレベルを制御する。
その他の構成および機能は、基本的に前述した実施形態と同様であることから、その詳細な説明は省略する。
本発明は調光機能に限定されず、図10に示すような、バックライトの反射光の検出システム等にも適用可能である。
そして、第1の光センサ部31の出力から第2の光センサ部32の検出した少なくとも暗電流成分に相当する成分を取り除く機能を有し、遮光膜CTL321は、信号配線と同じ層により形成されていることから、以下の効果を得ることができる。
また、電源投入時のキャリブレーション動作を要することなく、ノイズによる影響を小さくでき、受光システムのSN比を向上することが可能となる。
上記バックライト光を用いたシステム、もしくは外光の撮像システムにおいて、ディスプレイからの干渉ノイズを除去できるため、高SN比化を実現できる。
上記ノイズをリアルタイムでキャンセルできるため、温度特性、時間変動に強い高信頼性システムを実現できる。
上記と同一の理由により、電源投入時のキャリブレーション動作が不要になる。
本発明を適用する場合の表示装置内の受光素子配置は特に言及しないものとする。このように、本発明を受光素子内蔵の表示装置に適用することにより、ノイズの影響の少ない受光信号を後処理で用いることが可能となる。また、表示側信号の撮像側信号への混入を防ぎつつ、受光(撮像)を行うことが可能となる。
たとえば絶縁性の基板22上に、液晶素子、薄膜トランジスタ、薄膜容量、受光素子等からなる画素をマトリックス状に集積形成した画素アレイ部を設ける。この画素アレイ部(画素マトリックス部)を囲むように接着剤を配し、ガラス等の対向基板を貼り付けて表示モジュールとする。
この透明な対向基板23には必要に応じて、カラーフィルタ、保護膜、遮光膜等を設けてもよい。表示モジュールには、外部から画素アレイ部への信号等を入出力するためのコネクタCNTとしてたとえばFPC(フレキシブルプリントサーキット)を設けてもよい。
以下に、本実施形態が適用される電子機器の一例について説明する。
本適用例に係るテレビジョン500は、フロントパネル520やフィルタガラス530等から構成される映像表示画面部510を含み、その映像表示画面部510として本実施形態に係る表示装置を用いることにより作製される。
本適用例に係るデジタルカメラ500Aは、フラッシュ用の発光部511、表示部512、メニュースイッチ513、シャッターボタン514等を含み、その表示部512として本実施形態に係る表示装置を用いることにより作製される。
本適用例に係るノート型パーソナルコンピュータ500Bは、本体521に、文字等を入力するとき操作されるキーボード522、画像を表示する表示部523等を含み、その表示部523として本実施形態に係る表示装置を用いることにより作製される。
本適用例に係るビデオカメラ500Cは、本体部531、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ532、撮影時のスタート/ストップスイッチ533、表示部534等を含み、その表示部534として本実施形態に係る表示装置を用いることにより作製される。
本適用例に係る携帯電話機500Dは、上側筐体541、下側筐体542、連結部(ここではヒンジ部)543、ディスプレイ544、サブディスプレイ545、ピクチャーライト546、カメラ547等を含む。携帯電話機500Dは、そのディスプレイ544やサブディスプレイ545として本実施形態に係る表示装置を用いることにより作製される。
この表示撮像装置1000は、I/Oディスプレイパネル2000と、バックライト1500と、表示用ドライブ回路1200と、受光ドライブ回路1300と、画像処理部1400と、アプリケーションプログラム実行部1100とを有している。
また、バックライト1500は、たとえば複数の発光ダイオードが配置されてなるI/Oディスプレイパネル2000の光源である。バックライト1500は、後述するようにI/Oディスプレイ2000の動作タイミングに同期した所定のタイミングで、高速にオン・オフ動作を行うようになっている。
なお、このアプリケーションプログラム実行部1100で生成される表示データは表示用ドライブ回路1200へ供給される。
そして、ゲート電極3100hを介して供給される駆動信号に基づいてスイッチング素子3100aがオン・オフ動作し、オン状態のときにドレイン電極3100iを介して供給される表示信号に基づき画素電極3100bに画素電圧が印加され、表示状態が設定される。
また、この受光センサ3100cには、リセットスイッチ3100dとキャパシタ3100eが接続され、リセットスイッチ3100dによってリセットされながら、キャパシタ3100eにおいて受光量に対応した電荷が蓄積される。
そして、蓄積された電荷は読み出しスイッチ3100gがオンとなるタイミングで、バッファアンプ3100fを介して信号出力用電極3100jに供給され、外部へ出力される。
また、リセットスイッチ3100dのオン・オフ動作はリセット電極3100kにより供給される信号により制御され、読み出しスイッチ3100gのオン・オフ動作は、読出し制御電極3100kにより供給される信号により制御される。
なお、各信号出力用電極には定電流源4100a,4100b,4100cがそれぞれ接続され、センサ読み出し用Hドライバ2500で感度良く受光量に対応した信号が検出される。
また、このときバックライト1500も表示用ドライブ回路1200によって駆動され、I/Oディスプレイ2000と同期した点灯・消灯動作がなされる。
Claims (7)
- 受光素子を含み、表示領域における外光の強度を検出する第1の光センサ部と、
受光素子を含み、当該受光素子への光路に遮光膜が配置された第2の光センサ部と、
上記第1の光センサ部の検出信号と上記第2の光センサ部の検出信号との差分処理を行う信号処理部と、を有し、
上記遮光膜は、
遮光機能を含む層と同層の部材により形成されている
表示装置。 - 上記第2の光センサ部は、
上記受光素子が、薄膜トランジスタまたはPINダイオードにより形成され、
電極が上層の配線層に接続された構造を有し、
上記遮光膜は、上記上層の配線層と同層で同部材により形成されている
請求項1記載の表示装置。 - 表示光を上記表示領域に照射するバックライトを有し、
上記薄膜トランジスタまたはPINダイオードのゲート電極は、受光素子の受光部よりバックライト側に形成されて、遮光機能を有する
請求項2記載の表示装置。 - 上記表示領域は表面輝度が変更可能であり、
上記信号処理部は、
上記差分信号処理結果に応じて上記表示部の表面輝度を変化させる
請求項2記載の表示装置。 - 表示光を上記表示領域に照射するバックライトを有し、
上記信号処理部は、
上記バックライトによる表示光のレベルを制御する
請求項4記載の表示装置。 - 上記第1の光センサ部は、
物体からの反射光を検出可能であり、
上記信号処理部は、
上記第1の光センサ部の検出信号と上記第2の光センサ部の検出信号との差分処理結果により上記第1の光センサ部に物体があるか否かを示す信号を出力する
請求項1記載の表示装置。 - 表示装置を有する電子機器であって、
上記表示装置は、
受光素子を含み、表示領域における外光の強度を検出する第1の光センサ部と、
受光素子を含み、当該受光素子への光路に遮光膜が配置された第2の光センサ部と、
上記第1の光センサ部の検出信号と上記第2の光センサ部の検出信号との差分処理を行う信号処理部と、を有し、
上記遮光膜は、
遮光機能を含む層と同層の部材により形成されている
電子機器。
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