JP2010097160A - 表示装置および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】表示セル21と、受光素子221を含む受光セル22と、を含み、表示面を所定の輝度をもって照明するバックライト26と、バックライト26に対向して配置され、セル回路および受光素子が形成される第1透明基板(TFT基板)23、TFT基板23と対向して配置される第2透明基板(対向基板)24と、TFT基板23および対向基板24間に配置された液晶層25と、TFT基板23のバックライト26との対向面に形成された第2偏光板28と、第2偏光板28の空気層33との界面に形成された反射防止層29とを有する。
【選択図】図4
Description
具体的には、たとえば、感圧式タッチパネル(特許文献1,2を参照)方式による表示装置や電磁誘導型タッチパネル方式(特許文献3を参照)による表示装置などが知られている。
そこで、近年、上記の問題を解決すべく表示装置の各画素に受光素子を設け、受光素子への入射光を検知することにより表示装置内の座標を特定する表示装置の開発が盛んに行われている(特許文献4,5を参照)。
たとえば、SID2007のSession24にて光センサを各画素にもつタッチパネル機能付きLCDモジュールが報告され、デモンストレーションされている。
このような光センサ素子を液晶表示素子に内蔵する技術は、今後のディスプレイのユーザーインターフェース化には欠かせないものであり将来有望な技術の一つである。
また、アクリル板からだけの反射だけでなく、LCD最表面においてバックライト光が反射し、その反射光がセンサに入ってしまいノイズとなり、センサのS/N比を低下させるという問題がある。
光ノイズの主たる要因は、表示装置の最表面での空気との界面における反射である。
また、表示装置の前面側に保護カバーを配置した際、表示装置から出射した光が保護カバーで反射し、その光が表示装置内部に形成された光センサに入射してしまうことにより、ノイズが増加し、センサのS/N比をさらに低下させるという問題がある。
その結果、光センサのノイズによる影響を小さくでき、受光システムのS/N比を改善される。
図2は、本実施形態に係る表示セルおよび受光セルの基本構成例を示す回路図である。
図2においては、表示セルと受光セルが隣接させて示されている。
また、有効画素領域部2またはその隣接領域には、受光セル22が配置される。受光セル22は、複数画素に対して、一つの受光セルを配置する構成でも構わないし、受光セルはRGBそれぞれに対し一つずつが配置されていても構わないし、一画素に対して受光セルが一つ配置されていても構わない。
本発明を適用する場合の表示装置内の受光素子配置は特に言及しないものとする。
このように、本発明を受光セル内蔵の表示装置に適用することにより、ノイズの影響の少ない受光信号を後処理で用いることが可能となり、また、表示側信号の撮像側信号への混入を防ぎつつ、受光(撮像)を行うことが可能となる。
このデバイス構造については、後で詳述する。
液晶セル(LC)212は、画素電極を有し、この画素電極がTFT211のドレイン電極(またはソース電極)に画素電極が接続されている。保持容量(Cs)は一方の電極がTFT211のドレイン電極に接続されている。
そして、各表示セル21のTFT211のゲート電極は、各行単位で同一の走査線(ゲート線)7−1〜7−mにそれぞれ接続されている。また、各表示セル21のTFT211のソース電極(または、ドレイン電極)は、各列単位で同一の表示信号線8−1〜8−nに各々接続されている。
また、表示セル21に対応して配線された表示信号線8−1〜8−nは水平駆動回路4に接続され、この水平駆動回路4により駆動される。
そして、各画素部20の表示セル21の液晶セル212の対向電極および/または保持容量213の他方の電極には、コモン配線(共通配線)を通してたとえば所定の直流電圧がコモン電圧VCOMとして与えられる。
あるいは、各表示セル21の液晶セル212の対向電極および保持容量213の他方の電極には、たとえば1水平走査期間(1H)毎に極性が反転するコモン電圧VCOMが与えられる。
受光信号線10は、受光信号処理回路6に接続され、受光制御回路5の制御の下に読み出される信号を受光信号処理回路6に伝搬する。
すなわち、垂直駆動回路3から走査線7−1に対して走査パルスSP1が与えられたときには第1行目の各列の画素が選択され、走査線7−2に対して走査パルスSP2が与えられたときには第2行目の各列の画素が選択される。以下同様にして、走査線7−3,…,7−mに対して走査パルスSP3,…,SPmが順に与えられる。
水平駆動回路4は、入力される画像データR(赤)、G(緑)、B(青)を、生成したサンプリングパルスに応答して順次サンプリングして、各表示セル21に書き込むベきデータ信号として各表示信号線8−1〜8−nに供給する。
また、受光セル22は、電源電位源VDDおよび基準電位源VSSに接続される。
受光素子221は、TFT、ダイオード等により形成される。
また、受光セル22の読み出し回路220(230)は、リセットTFT222、増幅TFT223、選択(読み出し)TFT224、キャパシタ225、およびノードND221を有している。
増幅TFT223のゲートがノードND221に接続され、ドレインが電源電位源VDDに接続され、ソースが選択TFT224のドレインに接続されている。選択TFT224のゲートが第2の受光セル制御線12に接続され、ソースが対応する列に配線された受光信号線10に接続されている。
この増幅TFT223と選択TFT224により、いわゆるソースフォロワが形成されている。したがって、受光信号線10には電流源が接続される。この電流源は、本実施形態においては、たとえば受光信号処理回路6に形成される。
また、キャパシタ(受光信号蓄積容量)225がノードND221と基準電位源VSSとの間に接続されている。
受光制御回路5は、所定のタイミングでリセットパルスRSTを第1の受光セル制御線11に印加する。
これにより、受光セル22のリセット用TFT222が一定期間オンし、ノードND221がリセットされる。換言すれば、受光セル22は、たとえばノードND221に接続された受光信号蓄積容量の電荷が放電されて、ノードND221の電位が基準電位にセットされ、受光セル22が初期の状態となる。
この状態で受光素子221が所定の光量を受光すると、受光素子221が導通し、ノードND221の電位が上昇し、キャパシタ(受光信号蓄積容量)225に電荷が蓄積される。
このとき、受光制御回路5により読み出し信号RDがハイレベルで第2の受光セル制御線12に印加されて選択TFT224がオン状態に保持される。これにより、キャパシタ225の蓄積された電荷が電気信号として増幅TFT223で増幅され、選択TFT224を介して受光信号として受光信号配線10に出力される。
そして、受光信号配線10を伝搬された信号は受光信号処理回路6に入力される。
この反射防止層は、バックライト光源のスペクトルが存在する波長域を反射防止することが可能である。
また、表示装置の前面側に保護カバーを、空気層を介して配置した際、表示装置の最表面と保護カバーの少なくとも片面に反射防止層が形成される。
この場合も、反射防止層はバックライト光源のスペクトルが存在する波長域を反射防止することが可能である。
また、表示装置の前面側に充填層を介して保護カバーと表示装置を接着して配置した際、保護カバーの最表面に反射防止層が形成される。
この場合も、反射防止層はバックライト光源のスペクトルが存在する波長域を反射防止することが可能である。
この発光部のスペクトルの存在しない波長域を入射防止することにより、耐外光特性(動作可能環境)を広げることが可能となる。
後で具体的に説明するように、本実施形態においては、表示装置内に「発光部からの光のうち検出に用いられる検出光のスペクトルが存在しない波長領域の光の入射を防ぐ」フィルタを配置する。
このフィルタは、たとえば光素子221の上部に配置され、可視光カットフィルタとして形成される。そして、このフィルタは、例えば検出光である赤外線波長帯の光を選択的に透過させる特性を有していれば、受光素子221に対する発光部以外からの光の入射も防ぐように構成してもよい。
また、このフィルタは、検出光のスペクトルが存在しない波長領域の入射光を、検出光の波長領域の入射光に比べて減衰させる特性を有し、検出光のスペクトルが存在しない波長領域の光の受光素子221に対する入射を防いでいる。
図4は、本第1の実施形態に係る受光セル部分の簡略断面図である。
そして、TFT基板23と対向透明絶縁基板(たとえばガラス基板)により形成された対向基板24との間に液晶層25が封入されている。また、たとえばTFT基板23の底面232側にバックライト26が配置されている。
また、このTFT基板23の底面232には背面側(下部側)の第1偏光板27が形成され、対向基板24の前面241に前面側(上部側)の第2偏光板28が形成されている。
前面側(上部側)の第2偏光板28の前面側に反射防止層29が形成されている。
受光素子(光センサ)221等は、たとえばLTPS(低温ポリシリコン)により形成される。
ゲート絶縁膜301上に半導体膜(チャネル形成領域)303、並びに半導体膜303を挟んで一対のn―拡散層(LDD領域)304,305、n+拡散層306,307(ソース、ドレイン領域)が形成されている。
さらに、ゲート絶縁膜301、半導体層(チャネル形成領域)303、n―拡散層(LDD領域)304,305、n+拡散層306,307(ソース、ドレイン領域)を覆うように層間絶縁膜308が形成されている。さらに、層間絶縁膜308を覆うように層間絶縁膜309が形成されている。層間絶縁膜309は、たとえばSiN、SiO2等により形成される。
一方のn+拡散層306には、層間絶縁膜308,309に形成されたコンタクトホール310aを介してソース電極311が接続される。他方のn+拡散層307には、層間絶縁膜308,309に形成されたコンタクトホール310bを介してドレイン電極312が接続される。
ソース電極311およびドレイン電極312は、たとえばアルミニウム(Al)をパターニングして形成される。
層間絶縁膜309、ソース電極311、ドレイン電極312、層間絶縁膜309上に平坦化膜313が形成されている。
そして、この平坦化膜313上に液晶層25が形成される。
図7は、第1の実施形態の反射防止処理の分光反射率を示す図である。
図8(A)〜(D)は、第1の実施形態に係る反射防止層の構成および製造プロセスを示す図である。
これにより、液晶層25を通過した光が第2偏光板28で吸収されるときと、されないときが発生し、表示を行うことができる。
第2偏光板28を通過した光は反射防止層29に入射するが、上述したように可視光バックライトに対して最適化した反射防止処理が施されていることから、表示装置の最表面からの反射光が取り除かれる。
その結果、光センサのノイズによる影響を小さくでき、受光システムのS/N比を改善される。
図9から明らかなように、反射防止層を配置した方が、ノイズ量が大幅に低減されている。
図10は、本第2の実施形態に係る受光セル部分の簡略断面図である。
図12は、第2の実施形態の反射防止処理の分光反射率を示す図である。
図13(A),(B)は、第2の実施形態に係る反射防止層の構成および製造プロセスを示す図である。
その結果、光センサのノイズによる影響を小さくでき、受光システムのS/N比を改善される。
図14から明らかなように、反射防止層を配置した方が、ノイズ量が低減されている。
そこで、本実施形態においては、発光部のスペクトルの存在しない波長域の入射を防止する構成を採用する。ここにおいて、反射防止層は発光部のスペクトルの存在しない波長域の入射光を、発光部のスペクトルの存在する波長領域の入射光に比べて減衰させる特性を有し、発光部のスペクトルの存在しない波長域の光の表示装置内への入射を防いでいる。この具体的な実施形態としては、第7、第8、第9、および第10の実施形態として後で述べる。
図15は、本第3の実施形態に係る受光セル部分の簡略断面図である。
図16は、第3の実施形態の反射防止処理の分光反射率を示す図である。
図17(A)〜(D)は、第3の実施形態に係る反射防止層の構成および製造プロセスを示す図である。
これにより、液晶層25を通過した光が第2偏光板28で吸収されるときと、されないときが発生し、表示を行うことができる。
第2偏光板28、充填層30、保護カバー31を通過した光は反射防止層32に入射するが、上述したように可視光バックライトに対して最適化した反射防止処理が施されていることから、表示装置の最表面からの反射光が取り除かれる。
その結果、光センサのノイズによる影響を小さくでき、受光システムのS/N比を改善される。
図18は、本第4の実施形態に係る受光セル部分の簡略断面図である。
図19は、第4の実施形態の反射防止処理の分光反射率を示す図である。
図20(A),(B)は、第4の実施形態に係る反射防止層の構成および製造プロセスを示す図である。
その結果、光センサのノイズによる影響を小さくでき、受光システムのS/N比を改善される。
図21は、本第5の実施形態に係る受光セル部分の簡略断面図である。
図22は、第5の実施形態の反射防止処理の分光反射率を示す図である。
図23(A)〜(D)は、第5の実施形態に係る反射防止層の構成および製造プロセスを示す図である。
そして、保護カバー31の前面側と背面側の空気層との界面に反射防止層32B−1,32B−2が配置され、かつ、第2偏光板28の前面側と空気層33との界面に第1の実施形態と同様の反射防止層29Bが配置されている。
これにより、液晶層25を通過した光が第2偏光板28で吸収されるときと、されないときが発生し、表示を行うことができる。
第2偏光板28、充填層30、保護カバー31を通過した光は反射防止層29B、32B−2,32B−1に入射するが、上述したように可視光バックライトに対して最適化した反射防止処理が施されていることから、反射光が取り除かれる。
その結果、光センサのノイズによる影響を小さくでき、受光システムのS/N比を改善される。
図24は、本第6の実施形態に係る受光セル部分の簡略断面図である。
図25は、第6の実施形態の反射防止処理の分光反射率を示す図である。
図26(A),(B)は、第6の実施形態に係る反射防止層の構成および製造プロセスを示す図である。
その結果、光センサのノイズによる影響を小さくでき、受光システムのS/N比を改善される。
図27は、本第7の実施形態に係る受光セル部分の断面図である。
図28は、第7の実施形態で使用した赤外線バックライト光のスペクトルを示す図である。
TFT基板23上に形成される絶縁膜等は、図5と同一の構成部分は同一符号をもって示し、光センサは受光素子221として示してある。
ただし、TFT基板23において、平坦化膜313上には、ITO等の共通透明電極314が形成され、透明電極314上にSiO2等の絶縁膜315が形成され、絶縁膜315上に画素電極316が形成されている。そして、画素電極316を覆うように配向膜317が形成されている。
これらのカラーフィルタCFR1、CFG1、CFB1に並列した受光セル22への対向領域にRのカラーフィルタCFR2とBのカラーフィルタCFB2が積層されて可視光カットフィルタ41が形成されている。
そして、これらのカラーフィルタCFR1、CFG1、CFB1、CFR2およびCFB2を覆うように平坦化膜321が形成され、この平坦化膜321上に配向膜322が形成されている。
そして、配向膜317と322との間に液晶層25が形成されている。
液晶表示装置1Fは、反射防止層として、偏光板28の最表面に反射防止層として赤外光(赤外線)カット層40が形成されている。
図28に示すように、赤外線バックライト光は、波長850nmにピークを持つ。そして、900nm以上の赤外線はノイズとなるので、赤光線カット層40は、ノイズとなるたとえば900nm以上の遠赤外線をカットする機能を有し、ノイズとなる赤外線の光センサ221への入射を防ぐ。
また、本第7の実施形態の液晶表示装置1Fは、外部からの可視光の光センサへの入射を防ぐために、内部に可視光カットフィルタ41が配置されている。
図31(A)は太陽光スペクトルを示し、図31(B)は白熱灯スペクトルを示す。
図示のように、太陽光、白熱灯では波長900nm以上の光が大量に含まれていることが分かる。
したがって、本実施形態の赤外光カット層40は、波長900nm以上の光が大量に含まれている太陽光、白熱灯等の外光に対して、十分な遮光機能を発現することができる。
あるいは、さらに、GのカラーフィルタCFG2を用い3層構造としてRGBフィルタとして形成される。
図32(A)がRBフィルタの特性を示し、図32(B)がRGBフィルタの特性を示
している。
そして、光センサのノイズによる影響を小さくでき、受光システムのS/N比を改善さる。
図33は、本第8の実施形態に係る受光セル部分の断面図である。
そして、光センサのノイズによる影響を小さくでき、受光システムのS/N比を改善される。
図34は、本第9の実施形態に係る受光セル部分の断面図である。
本第9の実施形態においては、偏光板28の前面側には充填層30を設けずに、空気層33を介して透明の保護カバー(前面側透明基板)31が配置されている。
そして、保護カバー31の前面側と背面側の空気層との界面に赤外光(線)カット層40A−1,40A−2が配置され、かつ、第2偏光板28の前面側と空気層33との界面に第7の実施形態と同様の赤外光(線)カット層40が配置されている。
そして、光センサのノイズによる影響を小さくでき、受光システムのS/N比を改善される。
図35は、本第10の実施形態に係る受光セル部分の断面図である。
本例では、可視光カットフィルタ41の背面側に赤外光(線)カット層40Bが積層されている。
本第10の実施形態では、光センサ部のみ赤外線吸収色素を配置することにより、外光に含まれる発光部以外のスペクトルの光を吸収し、入射を防ぐことができる。
液晶表示装置は、バックライト26に対向して配置され、セル回路および受光素子が形成される第1透明基板(TFT基板)23、TFT基板23と対向して配置される第2透明基板(対向基板)24と、を有する。
さらに、液晶表示装置は、TFT基板23および対向基板24間に配置された液晶層25と、TFT基板23のバックライト26との対向面に形成された第2偏光板28と、第2偏光板28の空気層33との界面に形成された反射防止層29とを有する。
あるいは、空気層の代わりに配置される屈折率が1より大きい充填層30と、透明保護カバー31の前面側の空気層との界面に形成された反射防止層32Aとを有する。
あるいは第2偏光板28の前面側、および透明保護カバー31の空気層33との界面に反射防止層29C、32C−1,32C−2と、とを有する。
したがって、本実施形態によれば、以下の効果を得ることができる。
また、本実施形態では、可視光域に対応した反射防止層、赤外域に対応した反射防止層をそれぞれ最適化することにより、S/N比を向上させることができる。
また、保護カバーを配置、接着した際にも、最表面を反射防止処理することによっても反射光を取り除くことができる。
また、発光部のスペクトル以外の光を遮断(反射あるいは吸収)することにより、センサに入射するノイズを低減させることが可能となり、その結果耐外光性能が向上し、明るい環境下でも動作可能となる。
たとえば絶縁性の基板22上に、液晶素子、薄膜トランジスタ、薄膜容量、受光素子等からなる画素をマトリックス状に集積形成した画素アレイ部を設け、この画素アレイ部(画素マトリックス部)を囲むように接着剤を配し、ガラス等の対向基板を貼り付けて表示モジュールとする。
この透明な対向基板24には必要に応じて、カラーフィルタ、保護膜、遮光膜等を設けてもよい。表示モジュールには、外部から画素アレイ部への信号等を入出力するためのコネクタCNTとしてたとえばFPC(フレキシブルプリントサーキット)を設けてもよい。
以下に、本実施形態が適用される電子機器の一例について説明する。
本適用例に係るテレビジョン500は、フロントパネル520やフィルターガラス530等から構成される映像表示画面部510を含み、その映像表示画面部510として本実施形態に係る表示装置を用いることにより作製される。
本適用例に係るデジタルカメラ500Aは、フラッシュ用の発光部511、表示部512、メニュースイッチ513、シャッターボタン514等を含み、その表示部512として本実施形態に係る表示装置を用いることにより作製される。
本適用例に係るノート型パーソナルコンピュータ500Bは、本体521に、文字等を入力するとき操作されるキーボード522、画像を表示する表示部523等を含み、その表示部523として本実施形態に係る表示装置を用いることにより作製される。
本適用例に係るビデオカメラ500Cは、本体部531、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ532、撮影時のスタート/ストップスイッチ533、表示部534等を含み、その表示部534として本実施形態に係る表示装置を用いることにより作製される。
本適用例に係る携帯電話機500Dは、上側筐体541、下側筐体542、連結部(ここではヒンジ部)543、ディスプレイ544、サブディスプレイ545、ピクチャーライト546、カメラ547等を含み、そのディスプレイ544やサブディスプレイ545として本実施形態に係る表示装置を用いることにより作製される。
この表示撮像装置1000は、I/Oディスプレイパネル2000と、バックライト1500と、表示ドライブ回路1200と、受光ドライブ回路1300と、画像処理部1400と、アプリケーションプログラム実行部1100とを有している。
また、バックライト1500は、たとえば複数の発光ダイオードが配置されてなるI/Oディスプレイパネル2000の光源であり、後述するようにI/Oディスプレイ2000の動作タイミングに同期した所定のタイミングで、高速にオン・オフ動作を行うようになっている。
なお、このアプリケーションプログラム実行部1100で生成される表示データは表示ドライブ回路1200へ供給される。
そして、ゲート電極3100hを介して供給される駆動信号に基づいてスイッチング素子3100aがオン・オフ動作し、オン状態のときにドレイン電極3100iを介して供給される表示信号に基づいて画素電極3100bに画素電圧が印加され、表示状態が設定される。
また、この受光センサ3100cには、リセットスイッチ3100dとキャパシタ3100eが接続され、リセットスイッチ3100dによってリセットされながら、キャパシタ3100eにおいて受光量に対応した電荷が蓄積される。
そして、蓄積された電荷は読み出しスイッチ3100gがオンとなるタイミングで、バッファアンプ3100fを介して信号出力用電極3100jに供給され、外部へ出力される。また、リセットスイッチ3100dのオン・オフ動作はリセット電極3100kにより供給される信号により制御され、読み出しスイッチ3100gのオン・オフ動作は、読出し制御電極3100mにより供給される信号により制御される。
なお、各信号出力用電極には定電流源4100a,4100b,4100cがそれぞれ接続され、センサ読み出し用Hドライバ2500で感度良く受光量に対応した信号が検出される。
また、このときバックライト1500も表示ドライブ回路1200によって駆動され、I/Oディスプレイ2000と同期した点灯・消灯動作がなされる。
一例として、無効期間の撮像画像と、有光期間の撮像画像との差分を求めることにより、外光を除去し、有光期間にI/Oディスプレイパネル2000に接触または近接する物体により反射したバックライト1500からの光に基づく画像情報を得ることができる。この画像情報から所定の閾値以上のデータを抽出して2値化し、重心座標を求める画像処理等を行うことによりI/Oディスプレイ2000に接触または近接する物体に関する情報が得られる。
また、バックライト1500から可視光と共に検出用の赤外光が出力される場合、赤外光成分をオン・オフさせ、可視光成分は常時点灯させるようにしても構わない。
(VDRV)、4・・・水平駆動回路(HDRV)、5・・・受光制御回路(RCTL)、6・・・受光信号処理回路(RSPRC)、21・・・表示セル、22・・・受光セル、221・・・受光素子、222・・・リセットTFT、223・・・増幅TFT、224・・・選択(読み出し)TFT、225・・・受光信号蓄積容量(キャパシタ)、ND221・・・ノード、23・・・TFT基板23・・・対向基板、25・・・液晶層、26,26A・・・バックライト、27,28・・・偏光板、29,29A,29C・・・反射防止層、30・・・充填層、31・・・透明保護カバー、32,32B−1,32B−2,32C−1,32C−2・・・反射防止層,40,40A−1,40A−2,40B・・・赤外光(線)カット層、41・・・可視光カットフィルタ。
Claims (20)
- 表示回路を有する少なくとも一つの表示セルと、
受光素子を含む少なくとも一つの受光セルと、
表示面側に光を照射する発光部と、
上記発光部の配置領域、上記表示セルと上記受光セルの形成領域より表示装置の前面側
に配置される少なくとも一つの透明板と、を有し、
表示装置最表面に反射防止層が形成されている
表示装置。 - 上記反射防止層は、上記発光部のスペクトルの存在する波長域を反射防止する機能を有する
請求項1記載の表示装置。 - 上記反射防止層は、上記発光部のスペクトルの存在しない波長域の入射を防止する機能を含む
請求項2記載の表示装置。 - 表示装置内に上記発光部からの光のうち、前記受光素子による検出に用いられる検出光のスペクトルの存在しない波長域の入射を防止するフィルタが
配置されている
請求項2記載の表示装置。 - 上記透明板よりさらに前面側に空気層を介して配置される保護用透明基板と、を有し、
上記反射防止層は、
上記表示装置最表面と、上記保護用透明基板の前面側および背面側の少なくとも一方
の面に形成されている
請求項1記載の表示装置。 - 上記反射防止層は、上記発光部のスペクトルの存在する波長域を反射防止する機能を有する
請求項5記載の表示装置。 - 上記反射防止層は、上記発光部のスペクトルの存在しない波長域の入射を防止する機能を含む
請求項6記載の表示装置。 - 表示装置内に上記発光部からの光のうち、前記受光素子による検出に用いられる検出光のスペクトルの存在しない波長域の入射を防止するフィルタが
配置されている
請求項6記載の表示装置。 - 上記透明板よりさらに前面側に充填層を介して配置される保護用透明基板と、を有し、
上記反射防止層は、
保護用透明基板の空気層との界面に形成されている
請求項1記載の表示装置。 - 上記反射防止層は、上記発光部のスペクトルの存在する波長域を反射防止する機能を有する
請求項9記載の表示装置。 - 上記反射防止層は、上記発光部のスペクトルの存在しない波長域の入射を防止する機能を含む
請求項10記載の表示装置。 - 表示装置内に上記発光部からの光のうち、前記受光素子による検出に用いられる検出光のスペクトルの存在しない波長域の入射を防止するフィルタが
配置されている
請求項10記載の表示装置。 - 表示回路を有する少なくとも一つの表示セルと、
受光素子を含む少なくとも一つの受光セルと、
表示面を所定の輝度をもって照明するバックライトと、
上記表示セルおよび受光素子が形成される第1透明基板と、
上記第1透明基板と対向して配置される第2透明基板と、
上記第1透明基板と上記第2透明基板間に配置された液晶層と、
上記第1透明基板のバックライトとの対向面に形成された第1偏光板と、
上記第2透明基板の前面側に形成された第2偏光板と、を有し、
表示装置最表面である上記第2偏光板に反射防止層が形成されている
表示装置。 - 上記反射防止層は、上記バックライトのスペクトルの存在する波長域を反射防止する機能を有する
請求項13記載の表示装置。 - 上記第2透明基板よりさらに前面側に空気層を介して配置される保護用透明基板と、を有し、
上記反射防止層は、
上記表示装置最表面と、上記保護用透明基板の前面側および背面側の少なくとも一方の面に形成されている
請求項13記載の表示装置。 - 上記反射防止層は、上記バックライトのスペクトルの存在する波長域を反射防止する機能を有する
請求項15記載の表示装置。 - 上記第2の透明基板よりさらに前面側に充填層を介して配置される保護用透明基板と、
を有し、
上記反射防止層は、
保護用透明基板の空気層との界面に形成されている
請求項13記載の表示装置。 - 上記反射防止層は、上記バックライトのスペクトルの存在する波長域を反射防止する機能を有する
請求項17記載の表示装置。 - 表示装置を有する電子機器であって、
上記表示装置は、
表示回路を有する少なくとも一つの表示セルと、
受光素子を含む少なくとも一つの受光セルと、
表示面側に光を照射する発光部と、
上記発光部の配置領域、上記表示セルと上記受光セルの形成領域より表示装置の前面側に配置される少なくとも一つの透明板と、を有し、
表示装置最表面に反射防止層が形成されている
電子機器。 - 表示装置を有する電子機器であって、
上記表示装置は、
表示回路を有する少なくとも一つの表示セルと、
受光素子を含む少なくとも一つの受光セルと、
表示面を所定の輝度をもって照明するバックライトと、
上記表示セルおよび受光素子が形成される第1透明基板と、
上記第1透明基板と対向して配置される第2透明基板と、
上記第1透明基板と上記第2透明基板間に配置された液晶層と、
上記第1透明基板のバックライトとの対向面に形成された第1偏光板と、
上記第2透明基板の前面側に形成された第2偏光板と、を有し、
表示装置最表面である上記第2偏光板に反射防止層が形成されている
電子機器。
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