JP2006330578A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明の目的は、開口率の縮小を抑制しつつ、光センサ素子を内臓した液晶表示装置を提供することにある。
【解決手段】本発明の一実施形態である液晶表示装置は、第１基板１に配置され、薄膜トランジスタを用いて形成されたスイッチング素子３１と、第１基板１に配置され、薄膜トランジスタを利用して形成された光センサ素子３２を含む光センサ回路と、第１基板１においてスイッチング素子３１および光センサ回路の上層に設けられ、かつ光センサ回路中の光センサ素子３２に対応する領域に開口部６１ａを有する反射板６１と、第１基板１に対向して形成され、透明な共通電極２３を備える第２基板２と、第１基板１と第２基板２との間に介在する液晶３とを有する。
【選択図】図５

Description

本発明は、液晶表示装置に関し、特に、光センサ素子を備えた液晶表示装置に関する。

近年、光センサ素子をドット領域中に備えた液晶表示装置の開発が進んでいる（例えば、特許文献１〜３参照）。一ドット領域中に光センサ素子を内臓することで、スキャナー機能、タッチパネル機能を通常の液晶表示装置で実現することが可能となる。

このような光センサ素子を液晶表示装置に内蔵する技術は、今後のディスプレイのユーザーインターフェース化には欠かせないものであり将来有望な技術の一つである。光センサ素子をドット領域に内蔵することは、当然として設計に制約を生じることになる。

上記特許文献１〜３に記載の技術は、透過型液晶表示装置に光センサ素子を内臓したものであるが、この場合には、光センサを配置した部分はバックライトの光が透過しないので開口率が下がる。特に、小型、高精細化が進むモバイル向けアプリケーションにおいてその低下は顕著になる。昨今、日本市場携帯電話向けＬＣＤは、２．０、２．２、２．４インチサイズであるにも関わらず、画素数は３２０×２４０のいわゆるＱＶＧＡである。今後は更なる高精細化が進むと予想される。携帯電話向け、ＰＤＡ用途向けアプリケーションの場合は、開口率の縮小を抑えた設計が求められる。
特開２００４−３１８８１９号公報 特開２００４−４５７８５号公報 特開平７−３２５３１９号公報

以上のように、光センサ素子を内蔵した液晶表示装置では、通常の表示のみを考慮した設計に加えて、開口率の縮小を抑えた工夫が必要になる。開口率とは、一ドット領域あるいは一画素領域の面積に占める表示に寄与する面積の割合である。

本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、開口率の縮小を抑制しつつ、光センサ素子を内臓した液晶表示装置を提供することにある。

上記の目的を達成するため、本発明は、反射表示部を備える液晶表示装置であって、第１基板に配置され、薄膜トランジスタを用いて形成されたスイッチング素子と、前記第１基板に配置され、前記薄膜トランジスタを利用して形成された光センサ素子を含む光センサ回路と、前記第１基板において前記スイッチング素子および前記光センサ回路の上層に設けられ、かつ前記光センサ回路中の前記光センサ素子に対応する領域に開口部を有する反射板と、前記第１基板に対向して形成され、透明な共通電極を備える第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に介在する液晶とを有する。

上記の本発明の液晶表示装置では、第２基板側から入射した光を反射板により反射させることにより表示が行われる。液晶による光変調の有無に応じて、反射光の強度が制御される。
反射板の下層には、スイッチング素子の他、光センサ素子を含む光センサ回路が配置されている。スイッチング素子、光センサ回路は、反射電極の下層に設けられていることから、スイッチング素子および光センサ回路の配置領域も反射表示部として利用することが可能となる。
反射板には、光センサ素子に対応する領域に開口部が設けられていることから、第２基板側から入射した光のうち、この開口部を通過した光は光センサ素子により受光される。

本発明によれば、開口率の縮小を抑制しつつ、光センサ素子を内臓した液晶表示装置を実現することができる。

以下に、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。本実施形態では、反射表示と透過表示の双方を可能な併用型（半透過型）液晶表示装置について説明する。ただし、本発明の液晶表示装置は、反射表示のみを行う反射型液晶表示装置であってもよい。

図１は、本実施形態に係る液晶表示装置の概略構成を示す断面図である。

液晶表示装置は、液晶３を介在させた状態で対向配置された第１基板１および第２基板２と、第１基板１および第２基板２を挟む２つの偏光板４，５と、偏光板４側に配置されたバックライト６とを有する。

第１基板１は、マトリクス状にドット領域が形成されており、各ドット領域には外光を反射させて表示を行う反射表示部と、バックライト６の光を透過させて表示を行う透過表示部とを有する。

第２基板２は、各ドット領域に異なる色のカラーフィルタが形成されている。例えば、カラーフィルタとして、レッドカラーフィルタ、グリーンカラーフィルタ、ブルーカラーフィルタの３種類を採用する。この場合には、レッドカラーフィルタ、グリーンカラーフィルタ、ブルーカラーフィルタが配置された３つのドット領域により１つの画素が構成される。

本実施形態に係る液晶表示装置は、電圧無印加時に白表示を行うノーマリーホワイトモードを採用する。例えば液晶３としてネマティック液晶を使用し、偏光板４および偏光板５の透過軸（偏光軸）を互いに直交させることにより、ノーマリーホワイトモードとなる。ただし、上記以外の配向をもつ液晶３と、偏光板４，５を組み合わせることによっても、ノーマリーホワイトモードを実現できるため、液晶３の種類や偏光板４，５の透過軸の配置に限定はない。

バックライト６は、第１基板１の表示領域の全面に白色光を照射する。バックライト６は、例えばＬＥＤなどの点光源と、当該光源からの光を面状の光に変換する導光板とを有する。

図２は、第１基板１の構成を示す図である。

第１基板１は、表示領域１０と、表示用垂直駆動回路１１と、表示用水平駆動回路１２と、センサ用垂直駆動回路１３と、センサ読出し用水平駆動回路１４とを有する。

表示領域１０には、３つのドット領域からなる画素がマトリックス状に複数配置されている。また、後述するように、各ドット領域には、表示用の画素トランジスタの他に、光センサ素子が形成されている。

表示用垂直駆動回路１１は、水平方向に延び垂直方向に並んだ各ゲート線に接続されており、垂直方向に並んだゲート線に順次選択パルスを供給する。

表示用水平駆動回路１２は、垂直方向に伸び水平方向に並んだ表示用の各第１データ線に接続されており、水平方向に並んだ各第１データ線に順次映像信号を供給する。

センサ用垂直駆動回路１３は、水平方向に延び垂直方向に並んだ各読み出し線に接続されており、垂直方向に並んだ読み出し線に順次選択パルスを供給する。

センサ読出し用水平駆動回路１４は、垂直方向に伸び水平方向に並んだ撮像用の各第２データ線に接続されており、水平方向に並んだ各第２データ線から順次撮像信号を読み出す。

図３は、１つのドット領域の回路の一例を示す図である。

ドット領域には、垂直方向に延在する表示用の第１データ線Ｓ１と、水平方向に延在するゲート線Ｇ１との交点付近に画素トランジスタ３１が設けられている。画素トランジスタ３１のゲートはゲート線Ｇ１に接続され、ソースは第１データ線Ｓ１に接続され、ドレインが補助容量Ｃｓおよび液晶３に接続されている。

ゲート線Ｇ１は表示用垂直駆動回路１１に接続され、第１データ線Ｓ１は表示用水平駆動回路１２に接続されている。表示用垂直駆動回路１１によりゲート線Ｇ１に選択パルスが供給されると、画素トランジスタ３１がオン状態となり、表示用水平駆動回路１２により第１データ線に映像信号が供給されることで、画素トランジスタ３１を介して補助容量Ｃｓおよび液晶３に映像信号が書き込まれる。

また、各ドット領域には、センサ回路が設けられている。センサ回路は、光センサ素子３２と、リセットトランジスタ３３と、キャパシタ３４と、増幅トランジスタ３５と、選択トランジスタ３６とを有する。光センサ素子３２、リセットトランジスタ３３、増幅トランジスタ３５および選択トランジスタ３６は、画素トランジスタ３１と同様に薄膜トランジスタにより形成される。

光センサ素子３２は、基準電位Ｖｓｓにソースが、フローティングディフュージョンＦＤにドレインが接続されている。光センサ素子３２のゲートには、しきい値電圧以下の電圧Ｖｇが印加される。

リセットトランジスタ３３は、電源電圧Ｖｄｄにドレインが、フローティングディフュージョンＦＤにソースが接続されている。リセットトランジスタ３３のゲートにリセット信号（Ｒｅｓｅｔ）が与えられることによって、フローティングディフュージョンＦＤの電位がリセットされる。

キャパシタ３４は、フローティングディフュージョンＦＤと基準電位Ｖｓｓとの間に接続されている。キャパシタ３４に蓄積される電荷量に応じてフローティングディフュージョンの電圧が変化する。

増幅トランジスタ３５は、フローティングディフュージョンＦＤにゲートが、電源電圧Ｖｄｄにドレインが、選択トランジスタ３６のドレインにソースが接続されたソースフォロア回路を構成している。

選択トランジスタ３６は、増幅トランジスタ３５のソースにドレインが、第２データ線Ｓ２にソースが接続されている。センサ用垂直駆動回路１３により選択トランジスタ３６のゲートに読み出し信号（Ｒｅａｄ）が供給されると、選択トランジスタ３６はオン状態となり、増幅トランジスタ３５によって増幅された信号が、第２データ線Ｓ２に出力される。

上記のセンサ回路では、まず、リセットトランジスタ３３のゲートにリセット信号が供給されることにより、リセットトランジスタ３３がオン状態となり、キャパシタ３４に電荷が蓄積され、フローティングディフュージョンＦＤの電圧が電源電圧Ｖｄｄに応じた値となる。その後、リセットトランジスタ３３はオフ状態とされる。

そして、光センサ素子３２が受光すると、光量に応じたリーク電流ないしオフ電流が生じる。これにより、キャパシタ３４に蓄積された電荷が放電し、フローティングディフュージョンＦＤの電圧が下がる。このフローティングディフュージョンＦＤの電圧は、増幅トランジスタ３５によって増幅され、センサ用垂直駆動回路１３により読み出し信号が選択トランジスタ３６のゲートに供給されることにより、信号電圧として第２データ線Ｓ２に読み出される。

第２データ線Ｓ２に読み出された信号電圧は、光センサ素子３２の受光量に応じた値となる。この信号電圧は、センサ読出し用水平駆動回路１４に送られる。

図４は、３つのドット領域により構成される１つの画素の平面図を示す。

図４に示すように、各ドット領域には、レッドカラーフィルタ２１Ｒ、グリーンカラーフィルタ２１Ｇ、ブルーカラーフィルタ２１Ｂが配置されており、水平方向に並んだ３つのドット領域で１つの画素が構成される。なお、特にカラーフィルタの色を区別する必要のない場合には、単にカラーフィルタ２１と称する。各カラーフィルタ２１には、開口部２１ａが形成されている。

各ドット領域のピッチＤＰは、例えば１００μｍであり、画素の水平方向の寸法ＨＬは例えば３００μｍであり、画素の垂直方向の寸法ＶＬは例えば３００μｍである。

図５は、図４のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。

石英基板やガラス基板などからなる第１基板１の反射表示部には、画素トランジスタ３１、補助容量ＣＳ、光センサ素子３２が集積形成されている。なお、リセットトランジスタ３３、キャパシタ３４、増幅トランジスタ３５、選択トランジスタ３６も同様に第１基板１の反射表示部に集積形成されているが、図面の簡略化のためこれらの素子は省略してある。

光センサ素子３２と第１基板１との間には、遮光膜４１が形成されている。遮光膜４１上には、例えば酸化シリコンからなる絶縁膜４２が形成されている。

絶縁膜４２上には、光センサ素子３２のゲート電極４３、補助容量ＣＳの下部電極４４、および画素トランジスタ３１のゲート電極４５が形成されている。ゲート電極４３、下部電極４４、ゲート電極４５を被覆するように例えば酸化シリコンからなるゲート絶縁膜４６が形成されている。

ゲート電極４３上には、ゲート絶縁膜４６を介して例えばポリシリコンからなる半導体層４７が形成されている。下部電極４４およびゲート電極４５上には、ゲート絶縁膜４６を介して例えばポリシリコンからなる半導体層４８が形成されている。

半導体層４７および半導体層４８上には、例えば酸化シリコンからなる層間絶縁膜４９が形成されている。層間絶縁膜４９上には、光センサ素子３２の半導体層４７に接続するソース電極５１およびドレイン電極５２が形成され、画素トランジスタ３１の半導体層４８に接続するドレイン電極５３およびソース電極５４が形成されている。

上記の光センサ素子３２および画素トランジスタ３１は、ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して活性領域となる半導体層が形成された、いわゆるボトムゲート型の薄膜トランジスタである。

光センサ素子３２および画素トランジスタ３１上には、有機絶縁膜６０が形成されている。反射表示部における有機絶縁膜６０の表面には、凹凸が形成されている。反射表示部における有機絶縁膜６０上には、ＡｇもしくはＡｌからなる反射電極（反射板）６１が形成されている。反射電極６１が形成された領域が、反射表示部となる。反射電極６１は、画素トランジスタ３１のドレイン電極５３に接続されている。反射電極６１は、下地の有機絶縁膜６０の凹凸構造を反映した表面凹凸をもつ。反射電極６１は、光センサ素子３２に対応する領域に開口部６１ａが形成されている。

透過表示部には、第１基板１上に画素トランジスタ３１などの素子が形成されておらず、有機絶縁膜６０が直接形成されている。なお、絶縁膜４２やゲート絶縁膜４６などの絶縁膜が、透過表示部に形成されていてもよい。

透過表示部における有機絶縁膜６０上には、ＩＴＯなどからなる透明電極６２が形成されている。透明電極６２が形成された領域が、透過表示部となる。透明電極６２は、反射電極６１に接続されている。透過表示部における液晶３の厚さＤ２は、反射表示部における液晶３の厚さＤ１の略２倍に設定される。これは、反射表示部では光が液晶３を往復するのに対して、透過表示部ではバックライトから入射する光は一回しか液晶３中を通過しないからである。

第１基板１に対向配置された第２基板２上には、カラーフィルタ２１が形成されている。カラーフィルタ２１には、光センサ素子３２に対応する領域に、開口部２１ａが形成されている。

カラーフィルタ２１上には、平坦化膜２２が形成されており、平坦化膜２２の表面は平坦化されている。平坦化膜２２上には、ＩＴＯなどの透明共通電極２３が形成されている。

上記の液晶表示装置では、反射型表示を行う場合には、外光は偏光板５を通過して直線偏光となり、この直線偏光となった外光が第２基板２側から入射する。第２基板２側から入射した外光は、反射電極６１により反射されて再び偏光板５に入射する。このとき、外光は液晶３による光変調の有無により、偏光板５の通過が制御される。本実施形態では、ノーマリーホワイトモードのため、液晶３に電圧が印加されていない状態において、偏光板５を通過して光が出射されて白表示となる。また、液晶３に電圧が印加されている状態では、偏光板５により光が吸収されて黒表示となる。

透過型表示を行う場合には、バックライト６からの白色光が、偏光板４を通過して直線偏光となり、この直線偏光の光が第１基板１側から入射する。第１基板１側から入射した光は、液晶３による光変調の有無により、第２基板２側に配置された偏光板５の通過が制御される。本実施形態では、ノーマリーホワイトモードを採用するため、液晶３に電圧が印加されていない状態において偏光板５から光が出射されて白表示となる。また、液晶３に電圧が印加された状態において偏光板５により光が吸収されて黒表示となる。

上記の本実施形態では、光センサ素子３２を内臓しているため、第２基板２側から入射した光のうち、反射電極６１の開口部６１ａを通過した光は、光センサ素子３２により受光される。各ドット領域に光センサ素子３２が内臓されていることから、上記の表示動作に加えて、撮像動作も可能となる。

これにより、光入力機能一体型表示装置を実現することができる。この結果、タッチパネル機能、スキャナ機能、カメラ機能、指紋センサ機能を備えた液晶表示装置を実現することができる。上記の光センサ回路は、画素トランジスタ３１と同時に製造できることから、製造工程を増加させることもない。

また、光センサ素子３２による受光量が小さい場合には、周囲が暗いと認定して、バックライト６を動作させることも可能となる。

次に、上記の本実施形態に係る液晶表示装置の効果について説明する。

各ドット領域に光センサ回路を設ける場合には、画素トランジスタ３１を含めて、１つのドット領域に例えば５つのトランジスタが必要になる（図３参照）。従来のように透過型液晶表示装置の各ドット領域に光センサ回路を内臓すると、この光センサ回路部分は表示に寄与しない領域となるため、開口率が縮小する。ドットピッチが短くなると光センサ回路の占める面積比率が増すため、さらに開口率が縮小する。

本実施形態では、併用型液晶表示装置において、反射電極６１の下層に、画素トランジスタ３１、光センサ素子３２、他のトランジスタ３３，３５，３６、補助容量ＣＳ、キャパシタ３４を配置することで、画素面積を有効的に使えることになる。つまり開口率を縮小させずに反射表示部として有効利用できる。ただしここで定義する開口率は、１つのドット領域あるいは画素領域の面積内において表示（反射、透過のどちらでも良い）に寄与する面積の割合である。なお、併用型でなく反射型表示装置であってもよい。

図６は、ドットピッチと開口率との関係を示す図である。図６は、透過型液晶表示装置に光センサ回路を内臓した場合の開口率と、併用型の液晶表示装置に光センサ回路を内臓した場合の開口率を示している。

図６に示すように、例えば、ドットピッチを１００μｍとした場合に、透過型液晶表示装置の各ドット領域に光センサ回路を内臓した場合の開口率が５２％となるのに対し、併用型液晶表示装置の各ドット領域に光センサ回路を内臓した場合の開口率は７９％となる。このため、約１．５倍の面積を表示のために使えることになる。

以上のように、併用型液晶表示装置もしくは反射型液晶表示装置の反射表示部に光センサ回路を設けることにより、特に１００μｍより小さいパネルサイズにおいて、表示性能を損なうことなく光入力機能を付加することができる。

また、本実施形態では、カラーフィルタ２１のうち、光センサ素子３２に対応する領域に開口部２１ａを設けている。カラーフィルタ２１による光の吸収がないため、光センサ素子３２へ入射する光強度を向上させることができる。これは、光センサ素子３２の感度の向上に繋がりＳ／Ｎ比が増大することを意味する。

また、カラーフィルタ２１に開口部２１ａを設けることにより、反射表示部と透過表示部とで同じカラーフィルタを採用することができる。これについて説明する。

反射表示部では外光が二回カラーフィルタを通過することになるために、透過表示部と比較して光学濃度の薄いカラーフィルターが望まれる。しかし、各ドット領域に反射表示部と透過表示部とで光学濃度の異なるカラーフィルターを作製する場合には、カラーフィルタの製造工程が単純に２倍に増える。本実施形態では、反射表示部のカラーフィルタ２１に開口部２１ａを設けることにより、この開口部２１ａが反射表示部におけるカラーフィルタ２１の光学濃度を薄める効果をもつ。

従って、図４に示すレッドカラーフィルタ２１Ｒ、グリーンカラーフィルタ２１Ｇ、ブルーカラーフィルタ２１Ｂに形成する開口部２１ａの面積をそれぞれ最適化することにより、各ドット領域において、１つのカラーフィルタで透過表示部と反射表示部の最適な色度設計が実現できる。

以上のように、反射表示部のカラーフィルタ２１に開口部２１ａを設けることは、１つのカラーフィルタで透過表示部と反射表示部の最適な色度設計が実現できる効果と、光センサ素子３２の受光感度を向上できる効果がある。

例えば、開口部２１ａを設けた場合には、開口部を設けない場合と比較して、レッドカラーフィルタ２１Ｒが配置されたドット領域では２０％、グリーンカラーフィルタ２１Ｇが配置されたドット領域では５７％、ブルーカラーフィルタ２１Ｂが配置されたドット領域では１６％、光感度を向上させることができた。このときのカラーフィルタのＮＴＳＣ比は６０％であった。

また、本実施形態では、光センサ素子３２の直下に、遮光膜４１を配置している。これにより、表示特性の観点からは、例えば光センサ素子３２での光り抜けを抑えてコントラストを向上させることができる。また、撮像特性の観点からは、光センサ素子３２のバックライト光に誘起される電流分を無くすことができ、第２基板２側から入射する光のみを光センサ素子３２により受光することができる。

さらに、本実施形態では、ノーマリーホワイトモードの液晶表示装置となるように、液晶３の配向、偏光板４，５を設計している。このため、電圧無印加状態において、光センサー素子を動作させることができる。

本発明は、上記の実施形態の説明に限定されない。
本発明の反射板として、画素電極としての機能を兼ねる反射電極６１を例に説明したが、画素電極としての機能を兼ねない反射板であってもよい。この場合には、反射表示部における液晶３の配向を制御するため、反射板とは異なる層に透明あるいは反射電極を設ければよい。また、本実施形態では、併用型の液晶表示装置について説明したが、反射型の液晶表示装置であってもよい。また、カラーフィルタ２１のない液晶表示装置についても適用可能である。また、画素トランジスタ３１や光センサ素子３２を構成する薄膜トランジスタは、ボトムゲート型に限られず、トップゲート型であってもよい。また、本実施形態では、ドット領域毎に光センサ素子を含む光センサ回路を配置する例について説明したが、１画素毎に光センサ回路を配置してもよく、あるいは光センサ回路を含む画素と光センサ回路を含まない画素とを混在させてもよい。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。

本実施形態に係る液晶表示装置の概略構成を示す断面図である。 第１基板の構成を示すブロック図である。 １つのドット領域の回路図である。 ３つのドット領域により構成される画素の平面図である。 １つのドット領域の断面図である。 ドットピッチと開口率の関係を示す図である。

符号の説明

１…第１基板、２…第２基板、３…液晶、４…偏光板、５…偏光板、６…バックライト、１０…表示領域、１１…表示用垂直駆動回路、１２…表示用水平駆動回路、１３…センサ用垂直駆動回路、１４…センサ読出し用水平駆動回路、２１…カラーフィルタ、２１ａ…開口部、２２…平坦化膜、２３…透明共通電極、３１…画素トランジスタ、３２…光センサ素子、３３…リセットトランジスタ、３４…キャパシタ、３５…増幅トランジスタ、３６…選択トランジスタ、４１…遮光膜、４２…絶縁膜、４３…ゲート電極、４４…下部電極、４５…ゲート電極、４６…ゲート絶縁膜、４７…半導体層、４８…半導体層、４９…層間絶縁膜、５１…ソース電極、５２…ドレイン電極、５３…ドレイン電極、５４…ソース電極、６０…有機絶縁膜、６１…反射電極、６１ａ…開口部、６２…透明電極、ＣＳ…補助容量

Claims (9)

1. 反射表示部を備える液晶表示装置であって、
   第１基板に配置され、薄膜トランジスタを用いて形成されたスイッチング素子と、
   前記第１基板に配置され、前記薄膜トランジスタを利用して形成された光センサ素子を含む光センサ回路と、
   前記第１基板において前記スイッチング素子および前記光センサ回路の上層に設けられ、かつ前記光センサ回路中の前記光センサ素子に対応する領域に開口部を有する反射板と、
   前記第１基板に対向して形成され、透明な共通電極を備える第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に介在する液晶と
   を有する液晶表示装置。
2. 前記第２基板に、カラーフィルタが形成された
   請求項１記載の液晶表示装置。
3. 前記カラーフィルタは、前記光センサ素子に対応する領域に開口部を有する
   請求項２記載の液晶表示装置。
4. 前記光センサ素子と前記第１基板との間に、前記光センサ素子を遮光する遮光膜が形成された
   請求項１記載の液晶表示装置。
5. 前記第１基板および前記第２基板の外側に配置された２つの偏光板を有し、ノーマリーホワイトモードとなるように、前記液晶の配向および２つの前記偏光板の透過軸が設定された
   請求項１記載の液晶表示装置。
6. 透過表示部をさらに有し、
   前記第１基板側にバックライトが配置された
   請求項１記載の液晶表示装置。
7. 前記第２基板に、カラーフィルタが形成された
   請求項６記載の液晶表示装置。
8. 前記カラーフィルタは、前記光センサ素子に対応する領域に開口部を有する
   請求項７記載の液晶表示装置。
9. 前記光センサ素子と前記第１基板との間に、前記光センサ素子を遮光する遮光膜が形成された
   請求項６記載の液晶表示装置。
   

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