CN110277057B - 一种显示面板、信号处理方法及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明实施例公开了一种显示面板、信号处理方法及显示装置，所述显示面板包括：包括矩阵排布的多个子像素，所述子像素包括发光结构层和光敏结构层；所述光敏结构层中设置有光敏传感单元和信号处理单元，其中：所述光敏传感单元用于采集目标物体的光线并转换成电信号；所述信号处理单元用于对所述电信号进行数字化处理。本发明实施例通过在显示面板设置光敏传感单元和信号处理单元，使得光敏传感单元的输出信号直接由信号处理单元进行处理，无需经过长距离传输，大大降低信号噪声，使得抗噪性能大大提升。

Description

一种显示面板、信号处理方法及显示装置

技术领域

本文涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板、信号处理方法及显示装置。

背景技术

近年来，随着科学技术的发展，万物互联的物联网时代即将来临。在物联网的组成体系中，实现万物互联所需的数据无疑需要通过各种传感器进行采集，因此低成本、高集成度、易用的传感器将是未来科技的宠儿。

移动设备如手机的普及，已经使得现代社会进入了全民读屏时代，屏幕可以说是人们最不可或缺的，屏幕与各种传感器集成在一起，同时作为信息的输出终端和输入终端，可能是未来科技产品的终极形态，因此，各种传感器与屏幕的集成化将成为未来科技工作的重心。

摄像头由于复杂精密的镜头等光学镜头，使得其体积很难降低，因此无透镜(lensless)成像方案一直是摄像头小型化的重点和难点。无透镜成像是一种利用特殊的模板(pattern)代替传统镜头实现非直接成像的技术。其原理是在图像传感器(sensor)表面增加一层图像pattern，发光点发出的光通过pattern后，在sensor上的形成相应的阴影图案即中间像，阴影图案记录了发光点的位置和发光强度信息，并且位置不同，图案也不同。不同的图案之间是不相关的。通过后端运算器计算可以求解出不同位置发光点的强度，从而将其还原成最终图像。但是由于图像传感器的信号是微弱光信号，导致该技术对噪声的敏感性比较高，如果噪声过大将影响最终重构图像的信噪比。

发明内容

本申请提供了一种显示面板、信号处理方法及显示装置，有效降低信号传输噪声。

一方面，本发明实施例提供了一种显示面板，包括：包括矩阵排布的多个子像素，所述子像素包括发光结构层和光敏结构层；所述光敏结构层中设置有光敏传感单元和信号处理单元，其中：

所述光敏传感单元用于采集目标物体的光线并转换成电信号；

所述信号处理单元用于对所述电信号进行数字化处理。

另一方面，本发明施例提供了一种显示面板的信号处理方法，包括：

光敏传感单元采集目标物体的光线并转换成电信号；

信号处理单元对所述电信号进行数字化处理后输出。

再一方面，本发明实施例提供了一种包含上述显示面板的显示装置。

本发明实施例通过在显示面板的子像素中设置光敏传感单元和信号处理单元，使得光敏传感单元的输出信号直接由信号处理单元进行处理，无需经过长距离传输，大大降低信号噪声，使得抗噪性能大大提升。本发明实施例技术可以广泛应用于人脸或者手势识别等领域。

本申请的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本申请而了解。本申请的其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所描述的方案来实现和获得。

附图说明

附图用来提供对本申请技术方案的理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本申请的技术方案，并不构成对本申请技术方案的限制。

图1为现有用于无透镜成像的显示基板的示意图；

图2为本发明实施例1一个子像素的结构示意图；

图3为本发明实施例1适用于无透镜成像的显示基板示意图；

图4为基于实施例1的底发射OLED显示基板示意图；

图5为一种红外光阻材料的穿透率曲线；

图6为一种示例性光掩膜图案；

图7为实施例2中一种对位示意图；

图8为实施例2中另一种对位示意图；

图9为实施例3一种信号处理单元示意图；

图10为多个传感单元共享一个信号处理单元的电路示意图；

图11为采用电容实现AFE电路的电路示意图；

图12为一种传感单元与信号处理单元的连接电路图；

图13为一种传感单元示例电路图；

图14为实施例4中各开关元件的时序图；

图15为实施例4中比较子电路的一种实现电路图；

图16为实施例4中锁存子电路的一种实现电路图。

具体实施方式

本申请描述了多个实施例，但是该描述是示例性的，而不是限制性的，并且对于本领域的普通技术人员来说显而易见的是，在本申请所描述的实施例包含的范围内可以有更多的实施例和实现方案。尽管在附图中示出了许多可能的特征组合，并在具体实施方式中进行了讨论，但是所公开的特征的许多其它组合方式也是可能的。除非特意加以限制的情况以外，任何实施例的任何特征或元件可以与任何其它实施例中的任何其他特征或元件结合使用，或可以替代任何其它实施例中的任何其他特征或元件。

本申请包括并设想了与本领域普通技术人员已知的特征和元件的组合。本申请已经公开的实施例、特征和元件也可以与任何常规特征或元件组合，以形成由权利要求限定的独特的发明方案。任何实施例的任何特征或元件也可以与来自其它发明方案的特征或元件组合，以形成另一个由权利要求限定的独特的发明方案。因此，应当理解，在本申请中示出和/或讨论的任何特征可以单独地或以任何适当的组合来实现。因此，除了根据所附权利要求及其等同替换所做的限制以外，实施例不受其它限制。此外，可以在所附权利要求的保护范围内进行各种修改和改变。

此外，在描述具有代表性的实施例时，说明书可能已经将方法和/或过程呈现为特定的步骤序列。然而，在该方法或过程不依赖于本文所述步骤的特定顺序的程度上，该方法或过程不应限于所述的特定顺序的步骤。如本领域普通技术人员将理解的，其它的步骤顺序也是可能的。因此，说明书中阐述的步骤的特定顺序不应被解释为对权利要求的限制。此外，针对该方法和/或过程的权利要求不应限于按照所写顺序执行它们的步骤，本领域技术人员可以容易地理解，这些顺序可以变化，并且仍然保持在本申请实施例的精神和范围内。

除非另外定义，本发明实施例公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。

本领域技术人员可以理解，本申请所有实施例中采用的晶体管均可以为薄膜晶体管或场效应管或其他特性相同的器件。可选地，本发明实施例中使用的薄膜晶体管可以是氧化物半导体晶体管。由于这里采用的晶体管的源极、漏极是对称的，所以其源极、漏极可以互换。在本发明实施例中，为区分晶体管除栅极之外的两极，将其中一个电极称为第一极，另一电极称为第二极，第一极可以为源极，第二极可以为漏极；或者第一极可以为漏极，第二极可以为源极。另外，晶体管的栅极也可称为控制极。

图1为现有用于无透镜成像的显示基板的示意图，包括矩阵排布的多个子像素，子像素包括红色子像素11、绿色子像素12和蓝色子像素13，每个子像素设置有传感器14。申请人研究发现，随着传感器在显示基板上的大量集成，传感器14发出的信号会经历很长的路径才能到达接收传感器信号的集成电路，再被放大和进行后端处理。随着信号线的增长，噪声环境会变得非常恶劣，路径上产生的噪声将使得信噪比降低，甚至检测失败。

为此申请人提出一种适用于无透镜成像的显示面板、信号处理方法和显示装置，下面分别进行描述。

实施例1

本发明实施例所述显示面板，包括矩阵排布的多个子像素，所述子像素如图2所示包括发光结构层10和光敏结构层20；所述光敏结构层中设置有光敏传感单元21和信号处理单元22，其中：

所述光敏传感单元21用于采集目标物体的光线并转换成电信号；

所述信号处理单元22用于对所述电信号进行数字化处理。

如2所示为一个包含光敏结构层的子像素的示意图。图3为一个包含多个所述子像素的显示面板的示意图，所述显示面板包括位于像素显示区的基底33、显示层31(包括多个如图2所示的发光结构层10，例如OLED背板)以及位于显示层与基地之间的电路层32，该电路层包括多个如图2所示的光敏结构层20，即该电路层包括多组光敏传感单元21以及信号处理单元22。每个子像素的光敏结构层中具有光敏传感单元，但信号处理单元可以一组子像素的光敏传感单元共用一个，即只在一组n个子像素中1个子像素中设置信号处理单元，组内的n个子像素中的n个光敏传感单元共用该一个信号处理单元，此时信号处理单元与组内每个光敏传感单元连接。所述n为大于等于1的正整数。n等于1时相当于每个子像素中均设置有一个信号处理单元。下文中将光敏传感单元简称为传感单元。

由于在像素显示区中设置有用于进行数字化处理的信号处理单元，可以及时将传感单元输出的模拟信号转换为抗噪能力强的数字信号，从而可以有效降低由于信号长距离传输导致的噪声。

图4是一种基于图3的底发射有机发光二极管(OLED)显示基板示意图，包括基底33、电路层32、OLED背板40和图像模板41，图中42表示位于显示面板上方的物体。在基地上设置有电路层，电路层中包含传感单元和信号处理单元。所述OLED背板包括基底、发光结构和驱动电路层(图4中未示出)。OLED背板上方设置有采用红外光阻材料制备的图像模板。OLED背板与电路层分别制作，通过转印方式组合，图4中黑色块为组合时所用材料。

图5为一种红外光阻材料的穿透率曲线，从图中可以看出，该红外光阻材料对可见光几乎全部透过，而对红外波段几乎全部阻碍，因此可以采用该种材料制作成光掩膜(mask)，用于对物体的反射光进行控制。一种示例性光掩膜图案如图6所示，通过对红外光阻材料进行打孔等方式，制作成图6的图样(pattern)，用于生成中间像和最终的图像重建。需要说明的是，本发明实施例对红外光阻的图案并不做具体限定，只要采用现有技术能够成像即可。

实施例2

本实施例描述电路层中各电路单元与OLED子像素的对位示例。

每个像素单元包括多个子像素，每个子像素包括发光结构层和光敏结构层。所述光敏传感单元的位置与所述子像素的发光区域(发光结构中的像素定义层的开口区域)的位置相对应；或者所述光敏传感单元的位置与相邻子像素发光区域间隙位置相对应。

如图7所示，设置所述光敏传感单元的位置与所述子像素的发光区域的位置相对应。由于OLED自发光的特性，其发光区域是透明的，物体反射的光可以穿透该发光区域进入传感单元以形成中间像。

另一种对位示例如图8所示，也可以设置所述光敏传感单元的位置与相邻子像素发光区域间隙位置相对应，可以通过在间隙位置打孔以使得传感单元能够接收到物体反射的光线。

无论采用何种对位方式，只要图像传感器能够接收到来自物体的光即可。

本发明实施例中的传感单元可以为以下任意之一：光敏二极管、光敏三极管、光敏电阻。其中光敏二极管可以采用有机光电探测器(OPD)，或者采用a-Si_PIN(非晶硅光敏二极管)图像传感器件，也可以为通过微转印方式制作的CMOS图像传感器。只要该传感单元可以接收到来自物体的、穿透红外光阻的光并形成中间像即可。通过对红外光阻进行数学抽象，即可以通过算法重建，最终将该物体图像重建出来。对中间像的重建解码运算可以采用现有技术实现。

本发明实施例中传感单元的设置可以采用阵列结构，可以按照像素密度设置，即同像素单元数量，也可以按照像素子单元密度设置，即同像素子单元数量。本文对此不做限制。

实施例3

一种信号处理单元电路如图9所示，所述信号处理单元包括检测电路和模数转换(AD)电路。检测电路可以为一有源前端(Active Front End，AFE)电路，通过AFE电路模拟前端对传感单元输出的电信号进行调理、放大或滤波后，再通过AD电路转换为数字信号。

图9所示示例中一个信号处理单元与一个传感单元连接，用于对该一个传感单元输出信号进行数字化处理。传感单元可通过以开关电路与信号处理单元连接。开关电路可以采用一晶体管实现。在另一示例性实施例中，考虑到像素显示区面积的限制，AFE电路和AD电路会占去一定面积，因此，可以设计多个传感单元共享一个信号处理单元。即设置每个信号处理单元与多个传感单元连接，用于对该多个传感单元输出信号进行数字化处理，以达到减少元器件数量的目的。如图10所示，例如，一个信号处理单元可以用于分时对4个传感单元的输出信号进行处理。图10所示信号处理单元连接的传感单元个数仅为示例，在其他示例中，也可以设计连接其他个数的传感单元，由本领域技术人员根据需要设计。

以连接一个信号处理单元连接一个传感单元为例，一种AFE电路可以通过一电容实现，如图11所示。通过打开晶体管S1，可以将传感器信号存储到电容上，然后再通过AD电路读走。在某些应用中，如果传感器的信号较大，并且噪声较小，也可以直接通过AD电路读走。

除了采用电容作为AFE电路外，还可以采用其他现有AFE电路来实现。

实施例4

本实施例以多个传感器共享一个信号处理单元为例，对AD电路结构进行说明。AD电路可以包括比较子电路和信号发生子电路，其中：

所述信号发生子电路用于生成比较信号；

所述比较子电路用于接收调理后的传感器电信号和信号发生单元输出的比较信号，对所述调理后的传感器电信号和比较信号进行比较，输出比较后的数字信号。

在一示例性实施例中，所述AD电路还可以包括锁存子电路，用于存储和输出所述比较子电路输出的数字信号。

信号发生子电路例如采用斜坡发生器实现。在进行模数转换时，斜坡发生器发出多个斜坡电平，与存储在电容的电压(即传感器信号)进行比较，如果斜坡电压大于电容电压，比较器发生偏转，将数字信号比特(bit)位锁存到锁存器。通过多个周期不同的斜坡比较，可以得到不同的bit位,合成到一起作为一个完整的电容电压的数字信号。

在本示例中，一个传感器电路包括一个传感器和一个开关单元，多个传感器电路并联后通过一AFE电路与AD电路连接。图12为一种传感单元与信号处理单元的连接电路图，图中4个传感器共享一个信号处理单元，即4个传感器电路并联后与一AFE电路连接。本示例中，开关单元采用晶体管实现，AFE电路采用电容实现，AD电路中的信号发生子电路采用斜坡发生器实现。图中黑色实框线位置为一种AD电路示例。

在一可选实施例中，上述示例中显示面板还可以包括一数字控制电路单元，以下简称数字控制电路，所述数字控制电路用于控制开关电路的打开和关断，用于控制信号发生子电路产生比较信号(如图12示例中的斜坡信号ramp。此外，如果传感器单元中包含晶体管等需要控制的元件，则数字控制电路也可以传感器单元相连接。如果AD电路中包含锁存器，则数字控制电路还可用于向锁存器发送编码信号(BITX)和读出信号(word)。此外，数字控制电路还可用于向比较子电路发送清零信号(Reset)。

在一可选实施例中，可以将如图12中黑色虚框线位置部分的比较子电路、锁存子电路与传感电路一起设置于像素显示区。而将可以共享使用的斜坡发生子电路和数字控制电路设置于非像素显示区位置，如边框区。

图13为一种传感单元示例电路图，图中所示传感单元采用光敏二极管实现，电容采用栅极电容实现。图14给出了本示例中各开关的时序图，开关S1-S4根据数字控制电路输出的控制信号打开，根据清零信号(Reset)关断，图中未示出控制信号。当S1接收到数字控制电路输出的控制信号时，S1打开，如图14，其他开关关闭，此时对传感器1通过S1输出的信号进行AD转换，当转换完成后，数字控制电路向S5发送清零信号Reset，以重置光敏二极管、电容C1和比较器，同时S1关闭。进入下一次曝光采集。

图15为前述示例中比较器的一种实现电路。由于像素显示区面积有一定限制，所能制作的晶体管数量较少，因此可以采用图15所示的采用较少晶体管实现的比较器示例。所述比较器包括T1-T9共9个晶体管。比较器输入信号包括传感器信号和斜坡信号，其中传感器信号从T2输入，斜坡信号从T4输入。比较器输出信号为Vout。图中T1和T6的输入信号为第一固定电位Vbias1，T7的输入信号为第二固定电位Vbias2。图中所示电路中晶体管T1-T5组成一个差分放大电路，T6-T9为输出级进行推挽输出，最终输出比较器输出信号。图15所示示例中，T1、T2、T4、T6和T7可以为P型三极管，T3、T5、T8和T9可以为N型三极管。

如图15所示，T1控制极的输入为第一固定电压Vbias1，T1第一极(如果T1为P型三极管，则第一极为源极，第二极为漏极)的输入为电源信号Vdd，T1的第二极连接T2的第一极，T2控制极的输入为所述AFE电路输出的调理后的电信号Vin，T2的第二极连接T3的控制极和第二极(如果T3为N型三极管，则第一极为源极，第二极为漏极)，T3的第一极接地，T4控制极的输入为所述信号发生子电路输出的比较信号(如斜坡发生器输出的ramp信号)，T4的第一极连接T1的第二极，T4的第二极连接T5的第二极以及T8的控制极，T5的控制极连接T9的控制极和第二极，T5的第一极和T9的第一极接地，T6控制极的输入为所述第一固定电压Vbias1，T6第一极的输入为电源信号Vdd，T6的第二极连接T7的第一极，T7控制极的输入为第二固定电压Vbias2，T7的第二极和T8的第二极连接，并作为所述比较子电路的输出Vout，T8的第一极与T9的控制极和第二极连接。

图16为前述实施例中锁存器的一种实现电路。同样由于像素显示区面积的原因，在像素区中可以只设置1bit锁存器，通过时序即可依次读出。比较器输出低时，编码信号BitX进入到T12栅极，当读出信号(word)给到T13时，位从T3第二极读出。T11、T12和T13均为P型三极管。如图15所示，T11控制极的输入为比较器的输出信号，T11第一极的输入为编码信号BITX，T11的第二极连接T12的控制极，T12第一极的输入为电源信号Vdd，T12的第二极连接T13的第一极，T13的控制极输入为数字控制电路输出的用于控制锁存器输出的读出信号，T13的第二极作为锁存器的位输出。

上述比较器和锁存器可采用现有结构实现，其制备方法与现有的子像素的像素驱动电路制备方法相同，本文不再赘述。

本发明实施例通过在像素显示区的玻璃衬底上制作带有信号处理单元的图像传感器，使得图像传感器的传感信号可以通过信号处理单元转化为数字信号，使得传感信号的抗噪性能大大增强。在OLED发光层远离驱动电路层的一侧设置红外光阻，作为无透镜成像的光掩膜。物体的反射光通过红外光阻并穿透OLED发光层进入传感器，在传感器上形成中间像，通过对该中间像进行重建解码运算，即可将该物体图像重建出来。

基于同一发明构思，本申请实施例的还提供一种适用于前述显示面板的信号处理方法，所述显示面板如前所述包括矩阵排布的多个子像素，所述子像素包括发光结构层和光敏结构层；所述光敏结构层中设置有光敏传感单元和信号处理单元，所述信号处理方法具体包括以下步骤：

步骤1，光敏传感单元采集目标物体的光线并转换成电信号；

步骤2，信号处理单元对所述电信号进行数字化处理后输出。

在一示例性实施例中，所述信号处理单元包括模拟前端AFE电路和模数转换AD电路，所述AD电路包括信号发生子电路和比较子电路；上述步骤2具体包括以下步骤：

所述AFE电路对所述光敏传感单元输出的电信号进行调理，将调理后的电信号输入所述比较子电路；

所述比较子电路接收所述AFE电路输出的调理后的电信号以及所述信号发生单元输出的比较信号，对所述调理后的电信号和比较信号进行比较，输出比较后的数字信号。

基于同一发明构思，本申请实施例还提供一种包含前述显示面板的显示装置。其实现原理和实现效果参照前述显示面板的实施例，在此不再赘述。

本发明实施例附图只涉及本发明实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。

虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (12)

1.一种显示面板，其特征在于，包括矩阵排布的多个子像素，所述子像素包括发光结构层和光敏结构层；所述光敏结构层中设置有光敏传感单元和信号处理单元，其中：

所述光敏传感单元用于采集目标物体的光线并转换成电信号；

所述信号处理单元用于对所述电信号进行数字化处理；所述信号处理单元包括模拟前端AFE电路和模数转换AD电路，所述AD电路包括信号发生子电路、比较子电路和锁存子电路；

所述显示面板还包括数字控制电路单元；

所述锁存子电路包括第十一晶体管、第十二晶体管和第十三晶体管，其中：

所述第十一晶体管控制极的输入为所述比较子电路的输出，所述第十一晶体管第一极的输入为所述数字控制电路单元输出的编码信号，所述第十一晶体管的第二极连接所述第十二晶体管的控制极，所述第十二晶体管第一级的输入为电源信号，所述第十二晶体管的第二极连接所述第十三晶体管的第一极，所述第十三晶体管控制极的输入为所述数字控制电路单元输出的用于控制所述锁存子电路输出的读信号，所述第十三晶体管的第二极输出作为所述锁存子电路的输出信号。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

一组n个子像素中的n个光敏传感单元共用同一个信号处理单元，所述信号处理单元与组内每个光敏传感单元连接，所述n为大于等于1的正整数。

3.根据权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，

所述AFE电路用于对所述光敏传感单元输出的电信号进行调理，所述AD电路用于将调理后的电信号转换为数字信号。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，其中：

所述信号发生子电路用于生成比较信号；

所述比较子电路用于接收调理后的电信号和所述信号发生子电路输出的比较信号，对所述调理后的电信号和比较信号进行比较，输出比较后的数字信号；

所述锁存子电路用于存储和输出所述比较子电路输出的数字信号。

5.根据权利要求1或4所述的显示面板，其特征在于，

所述数字控制电路单元用于控制所述信号发生子电路生成比较信号，以及控制所述锁存子电路输出数字信号。

6.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，

一组n个子像素中的n个光敏传感单元共用同一个信号处理单元，包括：一组n个光敏传感单元共用一个AFE电路和一个AD电路中的比较子电路和锁存子电路，其中：组中每个光敏传感单元与一个开关元件串联后与所述AFE电路连接，所述AFE电路输出作为比较子电路的第一输入，所述比较子电路的输出作为锁存子电路的输入；

多个所述AD电路共用一个信号发生子电路，所述信号发生子电路与多个比较子电路连接，所述信号发生子电路的输出作为每个比较子电路的第二输入。

7.根据权利要求1或4所述的显示面板，其特征在于，

所述比较子电路包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管和第九晶体管，其中：

所述第一晶体管控制极的输入为第一固定电压，所述第一晶体管第一极的输入为电源信号，所述第一晶体管的第二极连接所述第二晶体管的第一极，所述第二晶体管控制极的输入为所述AFE电路输出的调理后的电信号，所述第二晶体管的第二极连接所述第三晶体管的控制极和第二极，所述第三晶体管的第二极接地，所述第四晶体管控制极的输入为所述信号发生子电路输出的比较信号，所述第四晶体管的第一极连接所述第一晶体管的第二极，所述第四晶体管的第二极连接所述第五晶体管的第二极以及所述第八晶体管的控制极，所述第五晶体管的控制极连接所述第九晶体管的控制极和第二极，所述第五晶体管的第一极和所述第九晶体管的第一极接地，所述第六晶体管控制极的输入为所述第一固定电压，所述第六晶体管第一极的输入为电源信号，所述第六晶体管的第二极连接所述第七晶体管的第一极，所述第七晶体管控制极的输入为第二固定电压，所述第七晶体管的第二极和所述第八晶体管的第二极连接，并作为所述比较子电路的输出，所述第八晶体管的第一极与所述第九晶体管的控制极和第二极连接。

8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述光敏传感单元可以为以下任意之一：光敏二极管、光敏三极管、光敏电阻。

9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述光敏传感单元的位置与所述子像素的发光区域的位置相对应；或者

所述光敏传感单元的位置与相邻子像素发光区域间隙位置相对应。

10.一种显示面板的信号处理方法，其特征在于，所述显示面板为如权利要求1～9任一项所述的显示面板，所述信号处理方法包括：

光敏传感单元采集目标物体的光线并转换成电信号；

信号处理单元对所述电信号进行数字化处理后输出。

11.根据权利要求10所述的信号处理方法，其特征在于，

所述信号处理单元包括模拟前端AFE电路和模数转换AD电路，所述AD电路包括信号发生子电路和比较子电路；

所述信号处理单元对所述电信号进行数字化处理后输出，包括：

所述AFE电路对所述光敏传感单元输出的电信号进行调理，将调理后的电信号输入所述比较子电路，所述比较子电路接收所述AFE电路输出的调理后的电信号以及所述信号发生子电路输出的比较信号，对所述调理后的电信号和比较信号进行比较，输出比较后的数字信号。

12.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求1～9任一项所述的显示面板。

Images