JP5093623B2 - 半導体構造、複数のラインを形成する方法、および高密度構造と低密度構造を単一フォトマスクで形成する方法 - Google Patents
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Description
Claims (15)
- ベースと、前記ベースの上の導電性材料と、前記導電性材料の上の第一のマスキング材料と、前記第一のマスキング材料の上の少なくとも二つのパターン化マスキング構造とを含む半導体アセンブリを提供するステップであって、
前記パターン化マスキング構造のうちの一方は第一のマスキング構造であり、他方は第二のマスキング構造であり、
前記第一のマスキング構造は、少なくとも一断面に沿って前記第二のマスキング構造よりも幅狭であり、
前記パターン化マスキング構造は、コア材料と、前記コア材料に沿った周辺材料とを含み、
前記第一のマスキング構造の前記周辺材料および前記コア材料は第一の周辺材料および第一のコア材料であり、前記第二のマスキング構造の前記周辺材料および前記コア材料は第二の周辺材料および第二のコア材料であり、
前記第一の周辺材料は前記第一のコア材料に沿って側壁スペーサーを形成し、前記第一のコア材料の上にキャップを形成せず、
前記第二の周辺材料は前記第二のコア材料に沿って側壁スペーサーを形成し、前記第二のコア材料の上にキャップも形成し、
前記第一の周辺材料および前記第二の周辺材料は、フォトレジストを含む前記コア材料に基づく単一のフォトマスキングステップで同時に形成される、
ことを特徴とするステップと、
前記第一のコア材料を除去し、前記第一の周辺材料を一組の間隔の空いた幅狭ラインパターンとして残すステップであって、
前記第二のコア材料は、前記第一のコア材料を除去した後に残り、残存する前記第二のコア材料と前記第二の周辺材料はあわせて幅広ラインパターンを形成する、
ことを特徴とするステップと、
前記幅狭ラインパターンと前記幅広ラインパターンを前記第一のマスキング材料へ転写するステップと、
前記幅狭ラインパターンと前記幅広ラインパターンを前記第一のマスキング材料から前記導電性材料へ転写し、前記導電性材料を含む少なくとも三つのラインを形成するステップと、
を含む方法。 - ベースの上にゲート誘電体を形成するステップと、
前記ゲート誘電体の上に浮遊ゲート材料を形成するステップと、
前記浮遊ゲート材料の上にゲート間誘電体を形成するステップと、
前記ゲート間誘電体の上に制御ゲート材料を形成するステップと、
前記制御ゲート材料の上に第一のマスキング材料を形成するステップと、
前記第一のマスキング材料の上にパターン化された第二のマスキング材料を形成するステップであって、前記パターン化された第二のマスキング材料は、一断面に沿って、
第一の上面と、前記第一の上面から下方へのびる一組の第一の対向側壁とを持つ、第一の幅を持つ第一のブロックと、
第二の上面と、前記第二の上面から下方へのびる一組の第二の対向側壁とを持つ、前記第一の幅よりも大きい第二の幅を持つ第二のブロックとを含む、
ことを特徴とするステップと、
前記第二の上面にわたって、かつ前記第一の上面にはわたらずにポリマー材料をフォトレジストを含む前記第二のマスキング材料に基づく単一のフォトマスキングステップで同時に形成し、前記ポリマー材料は、前記第一の側壁に沿って第一のスペーサーの組を含み、前記第二の側壁に沿って第二のスペーサーの組を含む、ステップと、
前記ポリマー材料を使用し、前記第二のブロックをエッチングから保護しつつ、前記第一のブロックは前記エッチングから保護せず、前記エッチングは保護されていない前記第一のブロックを除去して前記第一のスペーサーの組の間にギャップを形成する、ステップと、
保護されていない前記第一のブロックを除去した後、前記第一のスペーサーの組の残存する前記ポリマー材料は一組の幅狭ラインパターンを画定し、残存する前記第二のブロックは、前記第二のスペーサーの組とあわせて幅広ラインパターンを画定し、
前記幅狭ラインパターンと前記幅広ラインパターンを前記第一のマスキング材料へ転写するステップと、
前記幅狭ラインパターンと前記幅広ラインパターンを、前記第一のマスキング材料から、前記ゲート誘電体、前記浮遊ゲート材料、前記ゲート間誘電体、および前記制御ゲート材料へ転写し、前記ゲート誘電体、前記浮遊ゲート材料、前記ゲート間誘電体、および前記制御ゲート材料を含む少なくとも三つのラインを形成するステップと、
を含む方法。 - 高密度構造と低密度構造を単一フォトマスクで形成する方法であって、
前記フォトマスクを利用して幅狭マスキング素子と幅広マスキング素子を基板の上にパターン化するステップと、
前記幅狭マスキング素子と前記幅広マスキング素子にわたってポリマー材料の層を形成するステップであって、前記ポリマー材料は前記幅狭マスキング素子の上よりも前記幅広マスキング素子の上の方が厚くなるように形成される、ステップと、
前記ポリマー材料を異方性エッチングし、前記幅広マスキング素子の上に前記ポリマー材料を残しながら、前記幅狭マスキング素子の上から前記ポリマー材料を除去することをフォトレジストを含む前記幅狭マスキング素子および前記幅広マスキング素子に基づく単一のフォトマスキングステップで同時に行うステップであって、前記異方性エッチングは前記幅狭マスキング素子に沿って対をなす側壁スペーサーを形成する、ステップと、
前記幅狭マスキング素子を除去し、前記対をなす側壁スペーサーを高密度構造パターンに相当する第一のマスクとして残し、前記幅広マスキング素子と、前記幅広マスキング素子に沿った前記ポリマー材料とを、低密度構造パターンに相当する第二のマスクとして残すステップと、
前記第一のマスクと前記第二のマスクを利用し、前記基板内に高密度構造と低密度構造をパターン化するステップと、
を含む方法。 - 前記幅狭マスキング素子と前記幅広マスキング素子はシリコンを含み、前記フォトマスクを利用するステップは、前記シリコンの上にフォトレジストをフォトリソグラフィーでパターン化し、その後パターン化された前記フォトレジストから前記シリコンへ前記パターンを転写するステップを含む、請求項3に記載の方法。
- 前記幅狭マスキング素子と前記幅広マスキング素子は炭素を含み、前記フォトマスクを利用するステップは、前記炭素の上にフォトレジストをフォトリソグラフィーでパターン化し、その後パターン化された前記フォトレジストから前記炭素へ前記パターンを転写するステップを含む、請求項3に記載の方法。
- 前記基板は、半導体ベースと、前記ベースから昇順に、ゲート誘電体と、浮遊ゲート材料と、ゲート間誘電体と、制御ゲート材料とを含み、前記高密度構造は、前記ゲート誘電体と、前記浮遊ゲート材料と、前記ゲート間誘電体と、前記制御ゲート材料とを含むフラッシュゲートに相当する、請求項3に記載の方法。
- 前記低密度構造も、前記ゲート誘電体と、前記浮遊ゲート材料と、前記ゲート間誘電体と、前記制御ゲート材料とを含む、請求項6に記載の方法。
- 前記基板と前記フォトレジストとの間に一組のマスキング層を提供するステップをさらに含み、前記第一のマスクと前記第二のマスクを利用して前記基板内に高密度構造と低密度構造をパターン化するステップは、
前記第一のマスクと前記第二のマスクの前記パターンを前記一組のマスキング層の上位へ転写するステップと、
前記第一のマスクと前記第二のマスクの前記パターンを前記一組のマスキング層の前記上位から前記一組のマスキング層の下位へ転写するステップと、
前記第一のマスクと前記第二のマスクの前記パターンを前記一組のマスキング層の前記下位から前記基板へ転写するステップとを含む、
ことを特徴とする、請求項3に記載の方法。 - 前記一組のマスキング層の前記上位は、窒化シリコン、二酸化シリコン、もしくは酸窒化シリコンを含み、前記一組のマスキング層の前記下位は炭素を含む、請求項8に記載の方法。
- 前記一組のマスキング層の間に障壁を提供するステップを含み、
前記第一のマスクと前記第二のマスクの前記パターンを前記一組のマスキング層の前記上位から前記障壁へ転写するステップと、
前記第一のマスクと前記第二のマスクの前記パターンを前記障壁から前記一組のマスキング層の前記下位へ転写するステップと、
をさらに含む、請求項9に記載の方法。 - 前記一組のマスキング層の前記上位は窒化シリコンもしくは酸窒化シリコンを含み、前記障壁は二酸化シリコンもしくはシリコンからなる、請求項10に記載の方法。
- 前記一組のマスキング層の前記上位は二酸化シリコンを含み、前記障壁はシリコンからなる、請求項10に記載の方法。
- ベースと、前記ベースから昇順に、ゲート誘電体層と、浮遊ゲート層と、ゲート間誘電体層と、制御ゲート層と、第一のマスキング材料層と、第二のマスキング材料層とを含む半導体アセンブリを提供するステップと、
前記第二のマスキング層の上に幅狭マスキング素子と幅広マスキング素子を提供するステップと、
前記幅狭マスキング素子と前記幅広マスキング素子にわたってポリマー材料の層を形成するステップであって、前記ポリマー材料は前記幅狭マスキング素子の上よりも前記幅広マスキング素子の上の方が厚くなるように形成される、ステップと、
前記ポリマー材料を異方性エッチングし、前記幅広マスキング素子の上に前記ポリマー材料を残しながら、前記幅狭マスキング素子の上から前記ポリマー材料を除去することをフォトレジストを含む前記幅狭マスキング素子および前記幅広マスキング素子に基づく単一のフォトマスキングステップで同時に行うステップであって、前記異方性エッチングは前記幅狭マスキング素子に沿って対をなす側壁スペーサーを形成する、ステップと、
前記幅狭マスキング素子を除去し、前記対をなす側壁スペーサーを第一の構造パターンに相当する第一のマスクとして残し、前記幅広マスキング素子と、前記幅広マスキング素子に沿った前記ポリマー材料とを、第二の構造パターンに相当する第二のマスクとして残すステップと、
前記第一の構造パターンと前記第二の構造パターンを前記第二のマスキング層へ転写するステップと、
前記第一の構造パターンと前記第二の構造パターンを前記第二のマスキング層から前記第一のマスキング層へ転写するステップと、
前記第一の構造パターンと前記第二の構造パターンを、前記第一のマスキング層から、前記ゲート誘電体層、前記浮遊ゲート層、前記ゲート間誘電体層、前記制御ゲート層へ転写するステップと、
を含む、フラッシュゲートをパターン化する方法。 - 半導体基板と、
前記基板の上のパターン化フォトレジストマスクであって、前記パターン化フォトレジストマスクは幅狭マスキング素子と幅広マスキング素子を含み、前記幅狭マスキング素子と前記幅広マスキング素子は側壁を含むことを特徴とする、パターン化フォトレジストマスクと、
前記基板の上に前記パターン化フォトレジストマスクに基づく単一のフォトマスキングステップで同時に形成されたポリマー材料であって、前記ポリマー材料は前記幅広マスキング素子の上にあるが、前記幅狭マスキング素子の上にはなく、前記ポリマー材料は前記幅狭マスキング素子の側壁に沿っており、かつ前記幅広マスキング素子の側壁に沿っていることを特徴とする、ポリマー材料と、
前記ポリマー材料を通って前記基板へのびるギャップと、
を含む、半導体構造。 - 半導体基板と、
前記基板の上の複数のマスキング構造とを含み、
前記マスキング構造は前記基板へのびるギャップによって互いに分離され、
前記マスキング構造のうちの少なくとも二つは、第一の組成物の第一のマスキング構造であり、
前記マスキング構造のうちの少なくとも一つは、第二の組成物コアと、前記コアの周囲の第一の組成物シェルとを含む第二のマスキング構造であり、
前記第一のマスキング構造の前記第一の組成物と、前記第二のマスキング構造の前記第一の組成物シェルは、フォトレジストを含む前記第二の組成物コアに基づく単一のフォトマスキングステップで同時に形成され、
前記第二の組成物は前記第一の組成物と異なり、
少なくとも一断面図において、前記第一のマスキング構造は第一の幅であり、前記第二のマスキング構造は、前記第一の幅の少なくとも二倍の第二の幅である、
ことを特徴とする、半導体構造。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/714,378 | 2007-03-05 | ||
US11/714,378 US7790360B2 (en) | 2007-03-05 | 2007-03-05 | Methods of forming multiple lines |
PCT/US2008/002012 WO2008108921A1 (en) | 2007-03-05 | 2008-02-15 | Semiconductor constructions, methods of forming multiple lines, and methods of forming high density structures and low density structures with a single photomask |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010520639A JP2010520639A (ja) | 2010-06-10 |
JP5093623B2 true JP5093623B2 (ja) | 2012-12-12 |
Family
ID=39511044
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009552682A Active JP5093623B2 (ja) | 2007-03-05 | 2008-02-15 | 半導体構造、複数のラインを形成する方法、および高密度構造と低密度構造を単一フォトマスクで形成する方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7790360B2 (ja) |
EP (1) | EP2118928B1 (ja) |
JP (1) | JP5093623B2 (ja) |
KR (2) | KR101149632B1 (ja) |
CN (1) | CN101647112B (ja) |
AT (1) | ATE528795T1 (ja) |
TW (1) | TWI386975B (ja) |
WO (1) | WO2008108921A1 (ja) |
Families Citing this family (64)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8852851B2 (en) | 2006-07-10 | 2014-10-07 | Micron Technology, Inc. | Pitch reduction technology using alternating spacer depositions during the formation of a semiconductor device and systems including same |
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US8304174B2 (en) | 2007-12-28 | 2012-11-06 | Hynix Semiconductor Inc. | Method for fabricating semiconductor device |
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-
2007
- 2007-03-05 US US11/714,378 patent/US7790360B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-02-15 KR KR1020097020715A patent/KR101149632B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2008-02-15 WO PCT/US2008/002012 patent/WO2008108921A1/en active Application Filing
- 2008-02-15 JP JP2009552682A patent/JP5093623B2/ja active Active
- 2008-02-15 EP EP08725624A patent/EP2118928B1/en not_active Not-in-force
- 2008-02-15 KR KR1020127002487A patent/KR101170289B1/ko active IP Right Grant
- 2008-02-15 AT AT08725624T patent/ATE528795T1/de not_active IP Right Cessation
- 2008-02-15 CN CN2008800069298A patent/CN101647112B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-02-29 TW TW097107213A patent/TWI386975B/zh not_active IP Right Cessation
-
2010
- 2010-08-06 US US12/851,896 patent/US8207570B2/en active Active
-
2012
- 2012-05-31 US US13/485,869 patent/US8431456B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7790360B2 (en) | 2010-09-07 |
US8431456B2 (en) | 2013-04-30 |
CN101647112B (zh) | 2011-07-06 |
TWI386975B (zh) | 2013-02-21 |
KR101149632B1 (ko) | 2012-05-25 |
WO2008108921A1 (en) | 2008-09-12 |
JP2010520639A (ja) | 2010-06-10 |
ATE528795T1 (de) | 2011-10-15 |
EP2118928A1 (en) | 2009-11-18 |
CN101647112A (zh) | 2010-02-10 |
US8207570B2 (en) | 2012-06-26 |
US20100295114A1 (en) | 2010-11-25 |
EP2118928B1 (en) | 2011-10-12 |
KR101170289B1 (ko) | 2012-07-31 |
US20080220600A1 (en) | 2008-09-11 |
KR20090127338A (ko) | 2009-12-10 |
US20120238077A1 (en) | 2012-09-20 |
TW200845125A (en) | 2008-11-16 |
KR20120020210A (ko) | 2012-03-07 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111018 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120106 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20120106 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120807 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120905 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5093623 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150928 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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