JP5511168B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
第1の導電型を有する半導体基板上に、電荷蓄積層と電荷蓄積層に電界を印加するためのゲート電極層とを有する積層された層が形成される。積層された層上に、灰化可能な材質を含有する第1の層が形成される。第1の層に、第1の側壁面を有する第1の開口部が形成される。第1の側壁面上に、灰化可能な材質に比して灰化されにくい材質からなり、第1の開口部を狭める第1の側壁膜が形成される。第1の側壁膜が形成された後に、灰化可能な材質の灰化によって第1の層が除去される。第1の層が除去された後に、第1の側壁膜の平面形状に対応する平面形状を有するように、積層された層がパターニングされる。パターニングにおいて、第1の側壁膜をマスクとして用いたエッチングがなされる。パターニングされた後に、積層された層をマスクとして用いて半導体基板に不純物が注入することで、半導体基板上に、第1の導電型と異なる第2の導電型を有する拡散層が形成される。
(実施の形態1)
はじめに本実施の形態の半導体装置の構成の概略について説明する。図1は、本発明の実施の形態1における半導体装置の構成を概略的に示す部分断面図である。
ト電極層44と、HDP(High Density Plasma)酸化膜61と、酸化シリコン膜62と、ワード線71とを有する。
シリコン基板40は、pウエルを有する。このpウエル上に、複数のビット線70が延在している。ビット線70は、n型半導体からなり、各メモリセルMCにおけるソース/ドレイン領域としての機能を有する。ビット線70は幅D3を有する。幅D3は50nmである。
図中の左側)および他方側(図中の右側)のそれぞれがソース領域およびドレイン領域となるように、1対のビット線70に電圧が印加される。ゲート電極層44に適切な正電圧が印加されることで、一方側(図中の左側)のビットが書込まれていない場合にはドレイン電流が流れ、このビットが書込まれている場合にはドレイン電流が流れない。これによりドレイン電流の値によって一方側(図中の左側)のビットの読出動作がなされる。
上に第2の側壁膜202が形成される。酸化シリコン層102と第2の側壁膜202とは、一体となって幅D6のハードマスクとしての機能を有する。幅D6は120nmであり、幅D7は40nmである。次に、第2の開口部OP2を充填するようにアモルファスシリコンが堆積される。次に酸化シリコン層102および第2の側壁膜202の各々が露出するまで、CMP(Chemical Mechanical Polishing)による平坦化が行なわれる。
る。
図14を参照して、上部充填部403および第1の充填部401をハードマスクとして用い、上部絶縁層43をエッチングストッパとして用いて、ゲート電極層44がエッチングされる。次に電荷蓄積層42をエッチングストッパとして用いて、上部充填部403と、露出された上部絶縁層43とがエッチングされる。
再び図1を参照して、ポリシリコンの堆積とパターニングとが行なわれることで、ワー
ド線71が形成される。
図20は、本発明の実施の形態1における半導体装置の製造方法に用いられる複数のハードマスクの位置を一括して示す模式図である。主に図20を参照して、領域S1は図2〜図6に、領域S2は図7および図8に、領域S3は図9〜図11に、領域S4は図12〜図19に、主に対応している。
本実施の形態の半導体装置の製造方法について、以下に説明する。
マスクとして用い、かつ下部酸化シリコン層103をエッチングストッパとして用いて、エッチングストップ層52およびアモルファスシリコン層51が順にエッチングされる。
はじめに本実施の形態の半導体装置の構成について説明する。図24は、本発明の実施の形態3における半導体装置の構成を概略的に示す部分断面図である。
主に図37を参照して、HDP酸化膜104および第1の充填部401をハードマスクとして用い、かつ電荷蓄積層42をエッチングストッパとして用いて、下部充填部400と、ゲート電極層44と、上部絶縁層43とがエッチングされる。次に、HDP酸化膜104および第1の充填部401をハードマスクとして用い、かつ下部絶縁層41をエッチングストッパとして用いて、電荷蓄積層42がエッチングされる。これにより、積層された層SLのパターン(図32)の各々が、さらに2つに分割される。
なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態1の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。
、レジストマスク60のパターンよりも微細なパターンが積層された層SLに付与される。このパターンを用いた不純物注入により形成されるビット線70は、積層された層SLにセルフアラインされる。
ゲート電極層、51 アモルファスシリコン層、52 エッチングストップ層、53 上部エッチングストップ層、60 レジストマスク、61 HDP酸化膜、62 酸化シリコン膜、64 側壁保護膜、70 ビット線、71 ワード線、101 アモルファスカーボン層、102 酸化シリコン層、103 下部酸化シリコン層、104 HDP酸化膜、105 窒化シリコン層、201 第1の側壁膜、202 第2の側壁膜、203
第3の側壁膜、302側壁充填層、305 開口部充填層、400 下部充填部、401 第1の充填部、402 第2の充填部、403 上部充填部、901,902 不揮発性半導体記憶装置、OP1 第1の開口部、OP2 第2の開口部、OP3 第3の開口部、OP4 支持層開口部、OPS 犠牲層開口部、PT 支持層、SL 積層された層、WS1 第1の側壁面、WS2 第2の側壁面、WS3 第3の側壁面、WS4 支持層側壁面、WSS 犠牲層側壁面。
Claims (9)
- 第1の導電型を有する半導体基板上に、電荷蓄積層と前記電荷蓄積層に電界を印加するためのゲート電極層とを有する積層された層を形成する工程と、
前記積層された層上に、灰化可能な材質を含有する第1の層を形成する工程と、
前記第1の層に、第1の側壁面を有する第1の開口部を形成する工程と、
前記第1の側壁面上に、前記灰化可能な材質に比して灰化されにくい材質からなり、前記第1の開口部を狭める第1の側壁膜を形成する工程と、
前記第1の側壁膜を形成する工程の後に、前記灰化可能な材質の灰化によって前記第1の層を除去する工程と、
前記第1の層を除去する工程の後に、前記第1の側壁膜の平面形状に対応する平面形状を有するように、前記積層された層をパターニングする工程とを備え、
前記パターニングする工程は、前記第1の側壁膜をマスクとして用いてエッチングする工程を含み、
前記パターニングする工程の後に、前記積層された層をマスクとして用いて前記半導体基板に不純物を注入することで、前記半導体基板上に、前記第1の導電型と異なる第2の導電型を有する拡散層を形成する工程をさらに備え、
前記第1の開口部を形成する工程は、
前記第1の層上に第2の層を形成する工程と、
前記第2の層に、第2の側壁面を有する第2の開口部を形成する工程と、
前記第2の側壁面上に、前記第2の開口部を狭める第2の側壁膜を形成する工程と、
前記第2の側壁膜を形成する工程の後に、前記第1の層の材質と、前記第2の層の材質と、前記第2の側壁膜の材質との各々と異なる材質からなり、前記第2の開口部を充填する側壁充填層を形成する工程と、
前記側壁充填層を形成する工程の後に、前記第2の層および前記第2の側壁膜を除去する工程と、
前記第2の層および前記第2の側壁膜を除去する工程の後に、前記側壁充填層をマスクとして用いて前記第1の層をエッチングする工程とを含む、半導体装置の製造方法。 - 前記灰化可能な材質は単体炭素である、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 第1の導電型を有する半導体基板上に、電荷蓄積層と前記電荷蓄積層に電界を印加するためのゲート電極層とを有する積層された層を形成する工程と、
前記積層された層上に、灰化可能な材質を含有する第1の層を形成する工程と、
前記第1の層に、第1の側壁面を有する第1の開口部を形成する工程と、
前記第1の側壁面上に、前記灰化可能な材質に比して灰化されにくい材質からなり、前記第1の開口部を狭める第1の側壁膜を形成する工程と、
前記第1の側壁膜を形成する工程の後に、前記灰化可能な材質の灰化によって前記第1の層を除去する工程と、
前記第1の層を除去する工程の後に、前記第1の側壁膜の平面形状に対応する平面形状を有するように、前記積層された層をパターニングする工程とを備え、
前記パターニングする工程は、前記第1の側壁膜をマスクとして用いてエッチングする工程を含み、
前記パターニングする工程の後に、前記積層された層をマスクとして用いて前記半導体基板に不純物を注入することで、前記半導体基板上に、前記第1の導電型と異なる第2の導電型を有する拡散層を形成する工程をさらに備え、
前記第1の層を形成する前に、前記積層された層上に犠牲層を形成する工程と、
前記第1の層を形成する前に、前記犠牲層上に第3の層を形成する工程と
をさらに備え、
前記パターニングする工程は、
前記第1の側壁膜の平面形状を前記第3の層に転写することで、前記第3の層に、第3の側壁面を有する第3の開口部を形成する工程と、
前記第3の側壁面上に前記第3の開口部を狭める第3の側壁膜を形成する工程と、
前記第3の層および前記第3の側壁膜をマスクとして用いて前記犠牲層をエッチングすることで、前記犠牲層に、犠牲層側壁面を有する犠牲層開口部を形成する工程と、
前記犠牲層開口部を充填する開口部充填層を形成する工程と、
前記開口部充填層をマスクとして用いて前記積層された層をエッチングする工程とを含む、半導体装置の製造方法。 - 前記開口部充填層を形成する工程は、
前記犠牲層側壁面上に、前記ゲート電極の材質と異なる第1の材質からなり、前記犠牲層開口部を狭める第1の充填部を形成する工程と、
前記第1の充填部を形成する工程の後に、前記第1の材質と異なる第2の材質からなり、前記犠牲層開口部を充填する第2の充填部を形成する工程とを含み、
前記パターニングする工程および前記拡散層を形成する工程の後に、前記第2の充填部を除去する工程と、
前記第2の充填部を除去する工程の後に、前記第1の充填部をマスクとして用いてエッチングすることによって、前記積層された層を分割する工程とをさらに備えた、請求項3に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記開口部充填層を形成する工程は、前記第2の充填部の表面を化学変化させる工程をさらに備えた、請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2の材質は、前記ゲート電極層の材質と同じである、請求項4または5に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の側壁膜をマスクとして用いて前記エッチングする工程は、前記第1の側壁膜をマスクとして用いて前記積層された膜をエッチングする工程を含む、請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記拡散層上に、前記積層膜から突出し、支持層側壁面を有する支持層開口部を有する支持層を形成する工程と、
前記支持層側壁面上に、前記ゲート電極の材質と異なる第1の材質からなり、前記支持層開口部を狭める第1の充填部を形成する工程と、
前記第1の充填部をマスクとして用いてエッチングすることによって、前記積層された層を分割する工程とをさらに備えた、請求項7に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1の充填部を形成する工程の後に、前記第1の材質と異なる第2の材質からなり、前記支持層開口部を充填する第2の充填部を形成する工程と、
前記分割する工程の前に、前記第2の充填部を除去する工程とをさらに備えた、請求項8に記載の半導体装置の製造方法。
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