JP5085079B2 - Nandフラッシュメモリ装置及びそのプログラム方法 - Google Patents
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- G11C16/0483—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells having several storage transistors connected in series
Description
110 メモリセルアレイ
120 行デコーダ
130 プログラム電圧発生回路
140 プログラム電圧コントローラ
150 ページバッファ
160 パスフェイルチェック回路
Claims (9)
- 増加型ステップパルスプログラム(ISPP)方法を用いてプログラム動作を実行するNANDフラッシュメモリ装置において、
マルチビットデータを保持するメモリセルと、
前記メモリセルに提供するプログラム電圧を発生するプログラム電圧発生回路と、
前記プログラム電圧の開始レベルを制御するプログラム電圧コントローラとを含み、
前記プログラム電圧発生回路は、前記プログラム電圧コントローラから提供されるステップ信号に応じて前記プログラム電圧を順次的に増加させ、
前記プログラム電圧コントローラは、
前記プログラム電圧の開始レベルに関する情報を保持し、プログラム動作時に前記開始レベル情報に基づく開始信号を発生する開始電圧コントローラと、
前記開始信号に応じて開始カウント値を決定し、パスフェイルチェック回路から提供されたカウントアップ信号に応じて前記開始カウント値を順次的に増加させるループカウンタと、
前記ループカウンタから提供されたカウント値をデコーディングし、前記ステップ信号を発生するデコーダとを含む
ことを特徴とするNANDフラッシュメモリ装置。 - 前記開始電圧コントローラは、前記メモリセルに下位ビットデータをプログラムするLSBプログラムのためのプログラム電圧の開始レベルであるLSB開始電圧と上位ビットデータをプログラムするMSBプログラムのためのプログラム電圧の開始レベルであるMSB開始電圧に関する情報とを保持する
ことを特徴とする請求項1に記載のNANDフラッシュメモリ装置。 - 前記開始電圧コントローラは、
前記LSB開始電圧に関する情報を保持するLSB開始電圧貯蔵装置と、
前記MSB開始電圧に関する情報を保持するMSB開始電圧貯蔵装置と、
行アドレスに応じて前記LSB開始電圧に関する情報または前記MSB開始電圧に関する情報を選択して前記開始信号を発生する選択回路とを含む
ことを特徴とする請求項2に記載のNANDフラッシュメモリ装置。 - 前記行アドレスは、LSBプログラム動作であるかMSBプログラム動作であるかを示すアドレスである
ことを特徴とする請求項3に記載NANDフラッシュメモリ装置。 - 前記MSB開始電圧は、前記LSB開始電圧より高い
ことを特徴とする請求項2に記載のNANDフラッシュメモリ装置。 - 前記開始電圧コントローラは、LSB開始電圧、及びMSB開始電圧と前記LSB開始電圧との差異電圧を保持する
ことを特徴とする請求項1に記載のNANDフラッシュメモリ装置。 - 一つのメモリセルにマルチビットデータを貯蔵する請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載のNANDフラッシュメモリ装置の増加型ステップパルスプログラム方法において、
LSBプログラム動作時に選択されたワードラインにLSB開始電圧を提供し、
MSBプログラム動作時に前記選択されたワードラインに前記LSB開始電圧より高いMSB開始電圧を提供する
ことを特徴とするプログラム方法。 - 前記LSB開始電圧を提供した後に、前記LSB開始電圧を順次的に増加させ、前記MSB開始電圧を提供した後に前記MSB開始電圧を順次的に増加させる
ことを特徴とする請求項7に記載のプログラム方法。 - 前記NANDフラッシュメモリ装置は、前記LSB開始電圧と前記MSB開始電圧に関する情報を保持している
ことを特徴とする請求項7に記載のプログラム方法。
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