JP5081030B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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- H01L29/1087—Substrate region of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate characterised by the contact structure of the substrate region, e.g. for controlling or preventing bipolar effect
Description
前記素子分離膜によって区画された素子形成領域と、
前記素子形成領域に設けられたチャネル形成領域と、
前記チャネル形成領域上に位置するゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に位置するゲート電極と、
前記素子形成領域に形成され、トランジスタのソース及びドレインとして機能する少なくとも2つ以上の第2導電型高濃度不純物層と、
前記素子形成領域に形成され、前記第2導電型高濃度不純物層それぞれの周囲に設けられ、前記第2導電型高濃度不純物層を深さ方向及びチャネル長方向に拡張し、前記第2導電型高濃度不純物層より低濃度である第2導電型低濃度不純物層と、
前記第2導電型低濃度不純物層より下に位置し、前記素子分離膜の下方を介して前記チャネル形成領域の下方から前記素子分離膜の外側まで延伸し、前記半導体層より高濃度の第1導電型埋込層と、
を備える半導体装置が提供される。
前記素子形成領域に、少なくとも2つ以上の第2導電型低濃度不純物層を形成する工程と、
前記半導体層に第1導電型の不純物を導入することにより、第1導電型埋込層を形成する工程と、
前記素子形成領域にゲート絶縁膜及びゲート電極を形成する工程と、
前記第2導電型低濃度不純物層それぞれに、トランジスタのソース及びドレインとして機能する第2導電型高濃度不純物層を形成する工程と、
を備え、
前記第2導電型低濃度不純物層は、前記第2導電型高濃度不純物層を深さ方向及びチャネル長方向に拡張しており、
前記第1導電型埋込層は、前記第2導電型低濃度不純物層より下に位置し、前記素子分離膜の下方を介して前記ゲート絶縁膜の下方から前記素子分離膜の外側まで延伸している半導体装置の製造方法が提供される。
。
110 素子形成領域
120 素子分離膜
130 ゲート絶縁膜
140 ゲート電極
140a 側面
150 サイドウォール
160 第2導電型低濃度不純物層
170 第2導電型高濃度不純物層
180 チャネル形成領域
190 第1導電型埋込層
20 マスクパターン
200 第1導電型高濃度不純物層
300 半導体層
330 ゲート絶縁膜
340 ゲート電極
360 低濃度不純物層
370 高濃度不純物層
380 チャネル形成領域
Claims (7)
- 第1導電型の半導体層に形成された素子分離膜と、
前記素子分離膜によって区画された素子形成領域と、
前記素子形成領域に設けられたチャネル形成領域と、
前記チャネル形成領域上に位置するゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に位置するゲート電極と、
前記素子形成領域に形成され、トランジスタのソース及びドレインとして機能する少なくとも2つ以上の第2導電型高濃度不純物層と、
前記素子形成領域に形成され、前記第2導電型高濃度不純物層それぞれの周囲に設けられ、前記第2導電型高濃度不純物層を深さ方向及びチャネル長方向に拡張し、前記第2導電型高濃度不純物層より低濃度である第2導電型低濃度不純物層と、
前記第2導電型低濃度不純物層より下に位置し、前記素子分離膜の下方を介して前記チャネル形成領域の下方から前記素子分離膜の外側まで延伸し、前記半導体層より高濃度の第1導電型埋込層と、
を備え、
前記ゲート電極は、チャネル長方向の幅がチャネル長より長く、2つの側面が前記2つ以上の第2導電型低濃度不純物層それぞれの上方に位置しており、
前記ゲート電極と前記第2導電型低濃度不純物層が重なっている領域の幅は、0.2μm以上1.2μm以下であり、
深さ方向において、前記第1導電型埋込層の上端は、前記素子分離膜の下端よりも上に位置し、
さらに、前記半導体層に形成され、前記素子形成領域の外部に位置し、前記半導体層より高濃度の第1導電型高濃度不純物層を備え、
前記第1導電型埋込層は、前記チャネル形成領域の下方から前記第1導電型高濃度不純物層の下方まで延伸している半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記ゲート絶縁膜の厚さが10nm以上70nm以下である半導体装置。 - 請求項1又は2に記載の半導体装置において、
前記第1導電型埋込層と前記半導体層の境界における前記第1導電型埋込層の不純物濃度は、1×1014/cm3以上である半導体装置。 - 請求項3に記載の半導体装置において、
前記第1導電型埋込層と前記半導体層の境界における前記第1導電型埋込層の不純物濃度は、1×1016/cm3以上である半導体装置。 - 請求項1〜4のいずれか一つに記載の半導体装置において、
前記第2導電型低濃度不純物層と前記第1導電型埋込層の距離は0.2μm以下である半導体装置。 - 請求項1〜5のいずれか一つに記載の半導体装置において、
前記半導体層の深さ方向において、
前記第1導電型埋込層の不純物濃度のピーク位置は、前記素子分離膜の下端を0として前記半導体層の表面方向を正方向としたときに、−0.5μm以上0.5μm以下の位置にある半導体装置。 - 第1導電型の半導体層に素子分離膜を形成して、素子形成領域を区画する工程と、
前記素子形成領域に、少なくとも2つ以上の第2導電型低濃度不純物層を形成する工程と、
前記半導体層に第1導電型の不純物を導入することにより、第1導電型埋込層を形成する工程と、
前記素子形成領域にゲート絶縁膜及びゲート電極を形成する工程と、
前記第2導電型低濃度不純物層それぞれに、トランジスタのソース及びドレインとして機能する第2導電型高濃度不純物層を形成する工程と、
を備え、
前記第2導電型低濃度不純物層は、前記第2導電型高濃度不純物層を深さ方向及びチャネル長方向に拡張しており、
前記第1導電型埋込層は、前記第2導電型低濃度不純物層より下に位置し、前記素子分離膜の下方を介して前記ゲート絶縁膜の下方から前記素子分離膜の外側まで延伸しており、
前記ゲート電極は、チャネル長方向の幅がチャネル長より長く、2つの側面が前記2つ以上の第2導電型低濃度不純物層それぞれの上方に位置しており、
前記ゲート電極と前記第2導電型低濃度不純物層が重なっている領域の幅は、0.2μm以上1.2μm以下であり、
深さ方向において、前記第1導電型埋込層の上端は、前記素子分離膜の下端よりも上に位置し、
さらに、前記半導体層には、前記素子形成領域の外部に位置し、前記半導体層より高濃度の第1導電型高濃度不純物層が形成されており、
前記第1導電型埋込層は、前記チャネル形成領域の下方から前記第1導電型高濃度不純物層の下方まで延伸している半導体装置の製造方法。
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