KR100947941B1 - 반도체 소자 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (10)
- 반도체 기판 상에 형성된 제1 도전형의 웰;상호 이격되어 상기 제1 도전형의 웰 위에 형성된 다수의 필드 절연층;상기 필드 절연층의 중간 부분이 식각되어 노출된 상기 제1 도전형의 웰 내에 형성된 제2 도전형의 body 영역;상기 body 영역의 표면에 형성된 제1 도전형의 소스 영역;상기 필드 절연층 사이의 상기 제1 도전형의 웰의 표면에 형성됨으로써 상기 제1 도전형의 소스 영역보다 높은 위치에 형성된 제1 도전형의 드레인 영역; 및상기 필드 절연층의 식각된 측면 및 표면에 형성된 게이트 전극을 포함하는 반도체 소자.
- 삭제
- 제 1항에 있어서,상기 필드 절연층은 하측 일부가 상기 반도체 기판에 매립된 형태이고, 상측 일부가 상기 반도체 기판 위로 돌출된 형태를 이루며,상기 필드 절연층의 식각된 중간 부분에 형성된 상기 소스 영역의 상면은 상기 필드 절연층의 하면과 동일한 높이에 형성되고, 상기 필드 절연층 사이에 형성된 상기 드레인 영역보다 낮은 위치에 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
- 제 1항에 있어서, 상기 제1 도전형의 소스 영역은상기 body 영역에 형성됨에 있어서 상기 필드 절연층의 식각된 양측면에 접하여 2개로 형성되고, 상호 이격되며,상기 이격된 제1 도전형의 소스 영역 사이의 상기 body 영역에 형성된 제2 도전형의 소스 콘택 영역이 포함되는 반도체 소자.
- 제 1항에 있어서,상기 제1 도전형의 웰의 하측에 제1 도전형의 매몰층이 형성되는 반도체 소자.
- 반도체 기판 상에 제1 도전형의 웰을 형성하는 단계;상기 제1 도전형의 웰이 형성된 반도체 기판 상에 상호 이격된 다수의 필드 절연층을 형성하는 단계;상기 필드 절연층의 중간 부분을 선택적으로 식각하는 단계;상기 필드 절연층 사이의 상기 제1 도전형의 웰에 제1 도전형의 불순물 이온을 주입하여 드레인 영역을 형성하고, 상기 필드 절연층의 식각된 중간 부분 하측에 제2 도전형의 body 영역을 형성하며, 상기 body 영역의 양측에 서로 이격된 2개의 제1 도전형의 소스 영역을 형성하고, 상기 제1 도전형의 소스 영역 사이에 제2 도전형의 소스 콘택 영역을 형성하는 단계;상기 필드 절연층 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; 및상기 선택적으로 식각된 상기 필드 절연층의 중간 부분에 잔존된 층을 제거하여 상기 게이트 전극이 상기 필드 절연층의 식각된 측면 및 표면에 형성되도록 하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법.
- 삭제
- 제 6항에 있어서,상기 필드 절연층은 하측 일부가 상기 반도체 기판에 매립된 형태이고, 상측 일부가 상기 반도체 기판 위로 돌출된 형태를 이루며,상기 필드 절연층의 식각된 중간 부분에 형성된 상기 소스 영역의 상면은 상기 필드 절연층의 하면과 동일한 높이에 형성되고, 상기 필드 절연층 사이에 형성된 상기 드레인 영역보다 낮은 위치에 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.
- 삭제
- 제 6항에 있어서,상기 제1 도전형의 웰의 하측에 제1 도전형의 매몰층을 형성하는 단계가 더 포함되는 반도체 소자의 제조방법.
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CN107492497A (zh) * | 2016-06-12 | 2017-12-19 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 晶体管的形成方法 |
CN109888015A (zh) * | 2017-12-06 | 2019-06-14 | 无锡华润上华科技有限公司 | Ldmos器件及其制备方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4290078A (en) * | 1979-05-30 | 1981-09-15 | Xerox Corporation | High voltage MOSFET without field plate structure |
KR100649867B1 (ko) * | 2005-12-14 | 2006-11-27 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 고전압 반도체소자 및 그 제조방법 |
KR100684428B1 (ko) | 2004-12-29 | 2007-02-16 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 낮은 온저항을 갖는 고전압 트랜지스터 및 이의 제조 방법 |
Family Cites Families (10)
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US4561168A (en) * | 1982-11-22 | 1985-12-31 | Siliconix Incorporated | Method of making shadow isolated metal DMOS FET device |
US6537899B2 (en) * | 1997-09-16 | 2003-03-25 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and a method of fabricating the same |
US6818950B1 (en) * | 2003-05-13 | 2004-11-16 | Micrel, Inc. | Increasing switching speed of geometric construction gate MOSFET structures |
US6946335B1 (en) * | 2004-11-24 | 2005-09-20 | Bcd Semiconductor Manufacturing Limited | Method of manufacturing improved double-diffused metal-oxide-semiconductor device with self-aligned channel |
JP3897801B2 (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-28 | シャープ株式会社 | 横型二重拡散型電界効果トランジスタおよびそれを備えた集積回路 |
KR100628250B1 (ko) * | 2005-09-28 | 2006-09-27 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 전력용 반도체 소자 및 그의 제조방법 |
US7554154B2 (en) * | 2006-07-28 | 2009-06-30 | Alpha Omega Semiconductor, Ltd. | Bottom source LDMOSFET structure and method |
KR100871550B1 (ko) * | 2006-12-20 | 2008-12-01 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자 및 그 제조방법 |
US7625787B2 (en) * | 2007-08-31 | 2009-12-01 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Thin silicon-on-insulator high voltage transistor with body ground |
JP5329118B2 (ja) * | 2008-04-21 | 2013-10-30 | セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | Dmosトランジスタ |
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---|---|---|---|---|
US4290078A (en) * | 1979-05-30 | 1981-09-15 | Xerox Corporation | High voltage MOSFET without field plate structure |
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KR100649867B1 (ko) * | 2005-12-14 | 2006-11-27 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 고전압 반도체소자 및 그 제조방법 |
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