JP5031365B2 - エピタキシャル成長層の形成方法 - Google Patents
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Description
エス・ポロウスキー(Porowski-S)著「バルク及びホモエピタキシャルGaN成長と特性(Bulk and homoepitaxial GaN growth and characterization)」、ジャーナル・オブ・クリスタル・グロース(Journal of Crystal Growth)、第189-190巻、1998年6月、第153-158頁
バルカ他(Balka et al)著「GaN単結晶の成長及び特性(Growth and characterization of GaN single crystals)」、ジャーナル・オブ・クリスタル・グロース(Journal of Crystal Growth)、第208巻、2000年1月、第100-106頁
メリンク他(Melnik et al)著「HVPE成長バルクGaN結晶の物理特性(Physical property of bulk GaN crystals grown by HVPE)」MRS窒化系半導体インターネット論文誌(MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research)、第2巻、文献No.39
ケリー他(Kelly et al)著「ハイドライド気相エピタキシャル成長とレーザーリフトオフによる大形自立GaN基板(Large free-standing GaN substrates by hydride vapor phase epitaxy and laser induced lift-off)」Jpn J Appl Phys誌、第38巻、1999年
a)支持基板となる第1基板(1)の内部に原子種を注入することにより支持基板内で薄肉支持層となる薄層(13)と支持基板の残余部分(11)との境界を画定する脆弱ゾーン(12)を形成する工程、
b)後工程のエピタキシャル成長層(6,6’)の成長に適した材質の結晶核形成薄層(23)を前記薄層(13)の露出表面(130)上にこれら両層間に接合界面(4)を形成させて移載する工程、
c)支持基板(1)の残余部分(11)を薄層(13)との接触を維持したまま脆弱ゾーン(12)に沿って分離する工程、
d)結晶核形成薄層(23)上にエピタキシーによってエピタキシャル成長層(6、6’)を成長させる工程、及び
e)支持基板(1)の残余部分(11)を薄層(13)から取り外す工程、
を備えたことを特徴とする。
i)支持基板となる第1基板の内部に原子種を注入することにより第1基板内で薄肉支持層となる薄層と該支持基板の残余部分との境界を画定する脆弱ゾーンを形成し、該脆弱ゾーンに沿って薄肉支持層と残余部分を互いに分離可能とする工程、及び
ii)後工程のエピタキシャル成長層の成長に適した材質の結晶核形成薄層を前記薄肉支持層の露出表面上にこれら両層間に接合界面を形成させて移載する工程、
を備えたことを特徴とする。
支持基板となる第1基板を備え、該支持基板内には薄肉支持層となる薄層と該支持基板の残余部分との境界を画定する脆弱ゾーンが形成されていることと、
更に後工程のエピタキシャル成長層の成長に適した材質の結晶核形成薄層を備え、該結晶核形成薄層が薄肉支持層に直接又は誘電体材料からなる少なくとも一層の中間結合層を介して結合されていることを特徴とするものである。
[111]シリコン結晶核形成基板2に熱酸化で得た酸化シリコン層32を介して水素を注入した。
[001]シリコン単結晶からなる結晶核形成基板2に熱酸化で得た酸化シリコン層32を介して水素を注入した。
Claims (25)
- 光学、光電子工学又は電子工学分野で使用されるエピタキシャル成長層(6、6’)を形成する方法であって、
a)支持基板となる第1基板(1)の内部に原子種を注入することにより支持基板内で薄肉支持層となる薄層(13)と支持基板の残余部分(11)との境界を画定する脆弱ゾーン(12)を形成する工程、
b)後工程のエピタキシャル成長層(6,6’)の成長に適した材質の結晶核形成薄層
(23)を前記薄層(13)の露出表面(130)上にこれら両層間に接合界面(4)を形成させて移載する工程、
c)支持基板(1)の残余部分(11)を薄層(13)との接触を維持したまま脆弱ゾーン(12)に沿って分離する工程、
d)結晶核形成薄層(23)上にエピタキシーによってエピタキシャル成長層(6、6’)を成長させる工程、及び
e)支持基板(1)の残余部分(11)を薄層(13)から取り外す工程、
を備えたことを特徴とするエピタキシャル成長層の形成方法。 - 結晶核形成薄層(23)を移載する工程b)を、
結晶核形成基板となる第2基板(2)の内部に原子種を注入することにより結晶核形成基板内で結晶核形成薄層(23)と結晶核形成基板の残余部分(21)との境界を画定する脆弱ゾーン(22)を形成する工程と、
支持基板と結晶核形成基板との二つの基板(1、2)をそれぞれの薄肉支持層(13)と結晶核形成薄層(23)とが互いに向き合うように重ね合わせて結合させる工程と、
結晶核形成基板(2)の残余部分(21)を該基板の脆弱ゾーン(22)に沿って分離させる工程とによって行い、
支持基板(1)及び結晶核形成基板(2)への原子種注入のパラメータを、これら二つの基板の構成材料の性質にあわせて、脆弱ゾーン(12)に沿った残余部分(11)の分離に必要な力を作用させるためにこれら基板に印加される熱的、機械的、光学的、又は化学的エネルギーの量(時間×印加エネルギー)が、分離前の全工程で二つの基板(1、2)に印加されたエネルギーの積算量よりも大きくなるように選択することを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 支持基板(1)から脆弱ゾーン(12)に沿って残余部分(11)を分離する工程と結晶核形成基板(2)から脆弱ゾーン(22)に沿って残余部分(21)を分離する工程とをそれぞれ加熱による応力の作用により行い、
支持基板(1)及び結晶核形成基板(2)に対するそれぞれの脆弱ゾーン(12、22)の各形成工程における原子種注入のパラメータを、これら二つの基板の構成材料の性質にあわせて、脆弱ゾーン(12)に沿った残余部分(11)を分離するために印加される熱量(時間×印加温度)がそれぞれの分離前の全工程で印加される熱量の積算量よりも大きくなるように選択することを特徴とする請求項2に記載の方法。 - 結晶核形成基板(2)の残余部分(21)又は支持基板(1)の残余部分(11)を機械的、光学的及び/又は化学的エネルギーによる力の作用によって分離することを特徴とする請求項1又は2に記載の方法。
- 結晶核形成薄層(23)を移載する工程b)を、
結晶核形成基板となる第2基板(2)を薄肉支持層(13)の上に結合する工程と、
ラッピング及び/又は化学エッチング及び/又はイオンエッチングにより結晶核形成基板(2)の厚さをその背面(210)側から減少させて結晶核形成薄層(23)とする工程とよって行うことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 薄肉支持層(13)と結晶核形成薄層(23)との結合を少なくとも一層の中間結合層(31、32)を介して行うことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の方法。
- 中間結合層(31、32)が誘電体材料からなることを特徴とする請求項6に記載の方法。
- 誘電体材料(31、32)を、酸化シリコン、窒化シリコン及び酸窒化シリコンのうちから選択することを特徴とする請求項7に記載の方法。
- 薄肉支持層(13)と結晶核形成薄層(23)とを互いに直接重ね合わせるか或いは少なくとも一層の中間結合層(31、32)介して結合する工程を分子結合により行うことを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載の方法。
- 工程d)の前に、結晶核形成薄層(23)の表面にエピタキシャル成長層(6,6’)を成長させて微細結晶核形成層(5)を形成する工程を更に備えたことを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載の方法。
- 微細結晶核形成層(5)を、有機金属化学気相蒸着法(MOCVD)、ハイドライド気相エピタキシー法(HVPE)、分子線エピタキシー法(MBE)、陰極スパッタリング堆積法、横方向エピタキシャル成長法(ELOG)、又はペンデオ(PENDEO)エピタキシー法により形成することを特徴とする請求項10に記載の方法。
- エピタキシャル成長層(6、6’)と一体となって残っている薄肉支持層(13)と結晶核形成薄層(23)、そして存在する場合は一層以上の中間結合層(31、32)を除去する工程を更に備えたことを特徴とする請求項1〜11のいずれか1項に記載の方法。
- エピタキシャル成長層(6、6’)を広幅バンドギャップ半導体材料で形成することを特徴とする請求項1〜12のいずれか1項に記載の方法。
- エピタキシャル成長層(6,6’)を窒化ガリウムで形成することを特徴とする請求項13に記載の方法。
- エピタキシャル成長層(6,6’)を立方晶炭化シリコンで形成することを特徴とする請求項13に記載の方法。
- エピタキシャル成長層(6,6’)を自立膜となるに充分な少なくとも100μmの厚さのものとすることを特徴とする請求項1〜15のいずれか1項に記載の方法。
- 工程d)の終了時点で得られるエピタキシャル成長層(6’)が自立膜となるに不充分な100μm未満の厚さの薄肉エピタキシャル成長層であることと、工程d)と工程e)の間に実行される以下の追加工程、即ち、
上記薄肉エピタキシャル成長層(6’)の表面に第1の金属層(81)を設け、受容基板となる第3基板(8)の表面に第2の金属層(82)を設ける工程、及び
これら二つの金属層(81、82)を互いに接面配置して一体に結合させる工程、
を更に備え、工程e)の終了時点で受容基板(8)上に移載した形態の薄肉エピタキシャル成長層(6’)を得ることを特徴とする請求項1〜15のいずれか1項に記載の方法。 - 光学、光電子工学又は電子工学分野で利用されるエピタキシャル成長層(6、6’)の形成に供するためのエピタキシー用支持基板(9,9’)の形成方法であって、
i)支持基板となる第1基板(1)の内部に原子種を注入することにより第1基板内で薄肉支持層となる薄層(13)と該支持基板の残余部分(11)との境界を画定する脆弱ゾーン(11)を形成し、該脆弱ゾーンに沿って薄肉支持層(13)と残余部分(11)を互いに分離可能とする工程、及び
ii)後工程のエピタキシャル成長層(6,6’)の成長に適した材質の結晶核形成薄層(23)を前記薄肉支持層(13)の露出表面(130)上にこれら両層間に接合界面(4)を形成させて移載する工程、
を備えたことを特徴とするエピタキシー用支持基板の形成方法。 - 結晶核形成薄層(23)を移載する工程ii)を、
結晶核形成基板となる第2基板(2)の内部に原子種を注入することにより結晶核形成基板内で結晶核形成薄層(23)と結晶核形成基板の残余部分(21)との境界を画定する脆弱ゾーン(22)を形成する工程と、
支持基板と結晶核形成基板との二つの基板(1、2)をそれぞれの薄肉支持層(13)と結晶核形成薄層(23)とが互いに向き合うように重ね合わせて結合する工程と、
結晶核形成基板(2)の残余部分(21)を該基板(2)の脆弱ゾーン(22)に沿って分離する工程、
とによって行い、
支持基板(1)及び結晶核形成基板(2)への原子種注入のパラメータを、支持基板(1)と結晶核形成基板(2)の構成材料の性質にあわせて、後工程における脆弱ゾーン(12)に沿った残余部分(11)の分離に必要な力を作用させるためにこれら基板に印加される熱的、機械的、光学的、又は化学的エネルギーの量(時間×印加エネルギー)が、それぞれの分離前の全工程で二つの基板(1、2)に印加されたエネルギーの積算量よりも大きくなるように選択することを特徴とする請求項18に記載の方法。 - 結晶核形成薄層(23)を移載する工程ii)を、
結晶核形成基板となる第2基板(2)を薄肉支持層(13)に結合する工程と、
ラッピング及び/又は化学エッチング及び/又はイオンエッチングにより結晶核形成基板(2)の厚さをその背面(210)側から減少させて結晶核形成薄層(23)とする工程、
とによって行うことを特徴とする請求項18に記載の方法。 - 薄肉支持層(13)と結晶核形成薄層(23)との結合を誘電体材料からなる少なくとも一層の中間結合層(31、32)を用いて行うことを特徴とする請求項18〜20のいずれか1項に記載の方法。
- 誘電体材料(31、32)を、酸化シリコン、窒化シリコン及び酸窒化シリコンのうちから選択することを特徴とする請求項21に記載の方法。
- 薄肉支持層(13)と結晶核形成薄層(23)とを互いに直接重ね合わせるか或いは少なくとも一層の中間結合層(31、32)介して結合する工程を分子結合により行うことを特徴とする請求項18〜22のいずれか1項に記載の方法。
- 結晶核形成薄層(23)の表面に微細結晶核形成層(5)を形成する工程を更に備えたことを特徴とする請求項18〜23のいずれか1項に記載の方法。
- 微細結晶核形成層(5)を、有機金属化学気相蒸着法(MOCVD)、ハイドライド気相エピタキシー法(HVPE)、分子線エピタキシー法(MBE)、陰極スパッタリング堆積法、横方向エピタキシャル成長法(ELOG)、又はペンデオ(PENDEO)エピタキシー法により形成することを特徴とする請求項24に記載の方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR20220002765A (ko) * | 2020-06-30 | 2022-01-07 | 김승호 | 구조개선형 레이스웨이 조이너 |
Families Citing this family (68)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2773261B1 (fr) | 1997-12-30 | 2000-01-28 | Commissariat Energie Atomique | Procede pour le transfert d'un film mince comportant une etape de creation d'inclusions |
FR2837981B1 (fr) * | 2002-03-28 | 2005-01-07 | Commissariat Energie Atomique | Procede de manipulation de couches semiconductrices pour leur amincissement |
US7538010B2 (en) * | 2003-07-24 | 2009-05-26 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Method of fabricating an epitaxially grown layer |
FR2857983B1 (fr) * | 2003-07-24 | 2005-09-02 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'une couche epitaxiee |
DE102004061865A1 (de) * | 2004-09-29 | 2006-03-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilmhalbleiterchips |
FR2888663B1 (fr) * | 2005-07-13 | 2008-04-18 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de diminution de la rugosite d'une couche epaisse d'isolant |
KR20080086899A (ko) * | 2005-12-27 | 2008-09-26 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | Soi 웨이퍼의 제조 방법 및 soi 웨이퍼 |
TWI334164B (en) * | 2006-06-07 | 2010-12-01 | Ind Tech Res Inst | Method of manufacturing nitride semiconductor substrate and composite material substrate |
US20100052064A1 (en) * | 2006-07-20 | 2010-03-04 | Agency For Science, Technology And Research | Method for straining a semiconductor wafer and a wafer substrate unit used therein |
US20080050889A1 (en) * | 2006-08-24 | 2008-02-28 | Applied Materials, Inc. | Hotwall reactor and method for reducing particle formation in GaN MOCVD |
US9059247B2 (en) * | 2007-05-18 | 2015-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate and method for manufacturing semiconductor device |
FR2917232B1 (fr) * | 2007-06-06 | 2009-10-09 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'une structure pour epitaxie sans zone d'exclusion. |
FR2922359B1 (fr) * | 2007-10-12 | 2009-12-18 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'une structure micro-electronique impliquant un collage moleculaire |
US7696058B2 (en) * | 2007-10-31 | 2010-04-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate |
US20100244203A1 (en) * | 2007-11-15 | 2010-09-30 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Semiconductor structure having a protective layer |
JP2009141093A (ja) | 2007-12-06 | 2009-06-25 | Toshiba Corp | 発光素子及び発光素子の製造方法 |
FR2926672B1 (fr) * | 2008-01-21 | 2010-03-26 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication de couches de materiau epitaxie |
FR2926674B1 (fr) * | 2008-01-21 | 2010-03-26 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'une structure composite avec couche d'oxyde de collage stable |
JP5297219B2 (ja) * | 2008-02-29 | 2013-09-25 | 信越化学工業株式会社 | 単結晶薄膜を有する基板の製造方法 |
US7749884B2 (en) * | 2008-05-06 | 2010-07-06 | Astrowatt, Inc. | Method of forming an electronic device using a separation-enhancing species |
EP2294607A2 (en) * | 2008-05-17 | 2011-03-16 | Astrowatt, Inc. | Method of forming an electronic device using a separation technique |
US9048169B2 (en) * | 2008-05-23 | 2015-06-02 | Soitec | Formation of substantially pit free indium gallium nitride |
CN102131957A (zh) * | 2008-08-28 | 2011-07-20 | 硅绝缘体技术有限公司 | 基于紫外线吸收的监测器和对氯化物气流的控制 |
JP5115735B2 (ja) * | 2008-09-04 | 2013-01-09 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体基板とその製造方法 |
JP4866935B2 (ja) * | 2009-04-28 | 2012-02-01 | 株式会社沖データ | 立方晶炭化ケイ素単結晶薄膜の製造方法及び半導体装置 |
US20110048517A1 (en) * | 2009-06-09 | 2011-03-03 | International Business Machines Corporation | Multijunction Photovoltaic Cell Fabrication |
US8633097B2 (en) | 2009-06-09 | 2014-01-21 | International Business Machines Corporation | Single-junction photovoltaic cell |
US20100310775A1 (en) * | 2009-06-09 | 2010-12-09 | International Business Machines Corporation | Spalling for a Semiconductor Substrate |
US8802477B2 (en) * | 2009-06-09 | 2014-08-12 | International Business Machines Corporation | Heterojunction III-V photovoltaic cell fabrication |
US8703521B2 (en) | 2009-06-09 | 2014-04-22 | International Business Machines Corporation | Multijunction photovoltaic cell fabrication |
US20110089429A1 (en) * | 2009-07-23 | 2011-04-21 | Venkatraman Prabhakar | Systems, methods and materials involving crystallization of substrates using a seed layer, as well as products produced by such processes |
WO2011017179A2 (en) | 2009-07-28 | 2011-02-10 | Gigasi Solar, Inc. | Systems, methods and materials including crystallization of substrates via sub-melt laser anneal, as well as products produced by such processes |
US8629436B2 (en) * | 2009-08-14 | 2014-01-14 | Gigasi Solar, Inc. | Backside only contact thin-film solar cells and devices, systems and methods of fabricating same, and products produced by processes thereof |
WO2011066485A2 (en) * | 2009-11-25 | 2011-06-03 | Gigasi Solar, Inc. | Systems, methods and products including features of laser irradiation and/or cleaving of silicon with other substrates or layers |
EP2330697A1 (en) * | 2009-12-07 | 2011-06-08 | S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies | Semiconductor device having an InGaN layer |
US9012253B2 (en) * | 2009-12-16 | 2015-04-21 | Micron Technology, Inc. | Gallium nitride wafer substrate for solid state lighting devices, and associated systems and methods |
FR2957716B1 (fr) * | 2010-03-18 | 2012-10-05 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de finition d'un substrat de type semi-conducteur sur isolant |
US8536022B2 (en) * | 2010-05-19 | 2013-09-17 | Koninklijke Philips N.V. | Method of growing composite substrate using a relaxed strained layer |
FR2967812B1 (fr) * | 2010-11-19 | 2016-06-10 | S O I Tec Silicon On Insulator Tech | Dispositif electronique pour applications radiofrequence ou de puissance et procede de fabrication d'un tel dispositif |
US8822817B2 (en) | 2010-12-03 | 2014-09-02 | The Boeing Company | Direct wafer bonding |
CN102610705A (zh) * | 2011-01-24 | 2012-07-25 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 氮化镓基板的制作方法 |
FR2977069B1 (fr) | 2011-06-23 | 2014-02-07 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'une structure semi-conductrice mettant en oeuvre un collage temporaire |
RU2469433C1 (ru) * | 2011-07-13 | 2012-12-10 | Юрий Георгиевич Шретер | Способ лазерного отделения эпитаксиальной пленки или слоя эпитаксиальной пленки от ростовой подложки эпитаксиальной полупроводниковой структуры (варианты) |
US8735219B2 (en) | 2012-08-30 | 2014-05-27 | Ziptronix, Inc. | Heterogeneous annealing method and device |
FR2995446A1 (fr) * | 2012-09-07 | 2014-03-14 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'une structure comprenant au moins deux interfaces |
FR2995445B1 (fr) * | 2012-09-07 | 2016-01-08 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'une structure en vue d'une separation ulterieure |
FR2995447B1 (fr) | 2012-09-07 | 2014-09-05 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de separation d'au moins deux substrats selon une interface choisie |
CN104756245B (zh) * | 2012-10-26 | 2017-09-22 | Rfhic公司 | 具有提高的可靠性和工作寿命的半导体器件及其制造方法 |
US9252008B2 (en) * | 2013-01-11 | 2016-02-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Epitaxial formation mechanisms of source and drain regions |
US20140264456A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Semiconductor Components Industries, Llc | Method of forming a high electron mobility semiconductor device |
DE102013212173B4 (de) * | 2013-06-26 | 2016-06-02 | Robert Bosch Gmbh | MEMS-Bauelement mit einer auslenkbaren Membran und einem feststehenden Gegenelement sowie Verfahren zu dessen Herstellung |
FR3007891B1 (fr) * | 2013-06-28 | 2016-11-25 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'une structure composite |
WO2016205751A1 (en) * | 2015-06-19 | 2016-12-22 | QMAT, Inc. | Bond and release layer transfer process |
US11289593B2 (en) * | 2015-07-31 | 2022-03-29 | Infineon Technologies Austria Ag | Breakdown resistant HEMT substrate and device |
US10867834B2 (en) * | 2015-12-31 | 2020-12-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Semiconductor structure and manufacturing method thereof |
US10186630B2 (en) * | 2016-08-02 | 2019-01-22 | QMAT, Inc. | Seed wafer for GaN thickening using gas- or liquid-phase epitaxy |
FR3062398B1 (fr) | 2017-02-02 | 2021-07-30 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'un substrat pour la croissance d'un film bidimensionnel de structure cristalline hexagonale |
US10622468B2 (en) * | 2017-02-21 | 2020-04-14 | QROMIS, Inc. | RF device integrated on an engineered substrate |
US10332876B2 (en) * | 2017-09-14 | 2019-06-25 | Infineon Technologies Austria Ag | Method of forming compound semiconductor body |
CN108365083B (zh) * | 2018-02-07 | 2022-03-08 | 济南晶正电子科技有限公司 | 用于声表面波器件的复合压电衬底的制造方法 |
FR3079659B1 (fr) * | 2018-03-29 | 2020-03-13 | Soitec | Procede de fabrication d'un substrat donneur pour la realisation d'une structure integree en trois dimensions et procede de fabrication d'une telle structure integree |
US11664357B2 (en) | 2018-07-03 | 2023-05-30 | Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. | Techniques for joining dissimilar materials in microelectronics |
CN112018025A (zh) * | 2019-05-31 | 2020-12-01 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | Ⅲ-ⅴ族化合物半导体异质键合结构的制备方法 |
FR3114909B1 (fr) * | 2020-10-06 | 2023-03-17 | Soitec Silicon On Insulator | Procédé de fabrication d’un substrat pour la croissance épitaxiale d’une couche d’un alliage III-N à base de gallium |
FR3114910A1 (fr) * | 2020-10-06 | 2022-04-08 | Soitec | Procédé de fabrication d’un substrat pour la croissance épitaxiale d’une couche d’un alliage III-N à base de gallium |
FR3116652A1 (fr) * | 2020-11-26 | 2022-05-27 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Procédé de fabrication d’un composant comprenant une couche en matériau monocristallin compatible avec des budgets thermiques élevés |
CN112820634B (zh) * | 2021-01-14 | 2024-01-16 | 镓特半导体科技(上海)有限公司 | 半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法 |
TWI785763B (zh) * | 2021-08-27 | 2022-12-01 | 合晶科技股份有限公司 | 複合基板及其製造方法 |
Family Cites Families (71)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS607720A (ja) * | 1983-06-28 | 1985-01-16 | Nec Corp | エピタキシヤル成長方法 |
US4601779A (en) * | 1985-06-24 | 1986-07-22 | International Business Machines Corporation | Method of producing a thin silicon-on-insulator layer |
US5147808A (en) * | 1988-11-02 | 1992-09-15 | Universal Energy Systems, Inc. | High energy ion implanted silicon on insulator structure |
JP2617798B2 (ja) * | 1989-09-22 | 1997-06-04 | 三菱電機株式会社 | 積層型半導体装置およびその製造方法 |
US5013681A (en) * | 1989-09-29 | 1991-05-07 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method of producing a thin silicon-on-insulator layer |
US5024723A (en) * | 1990-05-07 | 1991-06-18 | Goesele Ulrich M | Method of producing a thin silicon on insulator layer by wafer bonding and chemical thinning |
US5270246A (en) * | 1991-06-18 | 1993-12-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor multi-layer film and semiconductor laser |
FR2681472B1 (fr) * | 1991-09-18 | 1993-10-29 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication de films minces de materiau semiconducteur. |
JP3214631B2 (ja) * | 1992-01-31 | 2001-10-02 | キヤノン株式会社 | 半導体基体及びその作製方法 |
EP1179842A3 (en) * | 1992-01-31 | 2002-09-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor substrate and method for preparing same |
US5229305A (en) * | 1992-02-03 | 1993-07-20 | Motorola, Inc. | Method for making intrinsic gettering sites in bonded substrates |
US5213986A (en) * | 1992-04-10 | 1993-05-25 | North American Philips Corporation | Process for making thin film silicon-on-insulator wafers employing wafer bonding and wafer thinning |
US5244817A (en) * | 1992-08-03 | 1993-09-14 | Eastman Kodak Company | Method of making backside illuminated image sensors |
US5310451A (en) * | 1993-08-19 | 1994-05-10 | International Business Machines Corporation | Method of forming an ultra-uniform silicon-on-insulator layer |
JPH1027893A (ja) * | 1993-10-29 | 1998-01-27 | Amer Fib Inc | 電荷シンク又は電位ウェルとして設けられた絶縁層の下の基板内に電気的に結合され別に形成されたドープされた領域を有するsoiウエーハ上に設けられた集積回路(ic)装置 |
JP2980497B2 (ja) * | 1993-11-15 | 1999-11-22 | 株式会社東芝 | 誘電体分離型バイポーラトランジスタの製造方法 |
JP3257580B2 (ja) * | 1994-03-10 | 2002-02-18 | キヤノン株式会社 | 半導体基板の作製方法 |
CA2182442C (en) * | 1995-08-02 | 2000-10-24 | Kiyofumi Sakaguchi | Semiconductor substrate and fabrication method for the same |
FR2738671B1 (fr) * | 1995-09-13 | 1997-10-10 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication de films minces a materiau semiconducteur |
US6809010B1 (en) * | 1996-02-29 | 2004-10-26 | Kyocera Corporation | Sapphire single crystal, semiconductor laser diode using the same for substrate, and method for manufacturing the same |
SG65697A1 (en) | 1996-11-15 | 1999-06-22 | Canon Kk | Process for producing semiconductor article |
JPH10223496A (ja) * | 1997-02-12 | 1998-08-21 | Ion Kogaku Kenkyusho:Kk | 単結晶ウエハおよびその製造方法 |
US6143628A (en) * | 1997-03-27 | 2000-11-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor substrate and method of manufacturing the same |
US6191007B1 (en) * | 1997-04-28 | 2001-02-20 | Denso Corporation | Method for manufacturing a semiconductor substrate |
US6150239A (en) * | 1997-05-31 | 2000-11-21 | Max Planck Society | Method for the transfer of thin layers monocrystalline material onto a desirable substrate |
US6146457A (en) * | 1997-07-03 | 2000-11-14 | Cbl Technologies, Inc. | Thermal mismatch compensation to produce free standing substrates by epitaxial deposition |
FR2767416B1 (fr) * | 1997-08-12 | 1999-10-01 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'un film mince de materiau solide |
DE19803013B4 (de) * | 1998-01-27 | 2005-02-03 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Ablösen einer Epitaxieschicht oder eines Schichtsystems und nachfolgendem Aufbringen auf einen alternativen Träger |
FR2774214B1 (fr) * | 1998-01-28 | 2002-02-08 | Commissariat Energie Atomique | PROCEDE DE REALISATION D'UNE STRUCTURE DE TYPE SEMI-CONDUCTEUR SUR ISOLANT ET EN PARTICULIER SiCOI |
US6540827B1 (en) * | 1998-02-17 | 2003-04-01 | Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Slicing of single-crystal films using ion implantation |
JP3358550B2 (ja) * | 1998-07-07 | 2002-12-24 | 信越半導体株式会社 | Soiウエーハの製造方法ならびにこの方法で製造されるsoiウエーハ |
US20020089016A1 (en) * | 1998-07-10 | 2002-07-11 | Jean-Pierre Joly | Thin layer semi-conductor structure comprising a heat distribution layer |
JP4476390B2 (ja) * | 1998-09-04 | 2010-06-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP3525061B2 (ja) * | 1998-09-25 | 2004-05-10 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子の製造方法 |
JP4365920B2 (ja) | 1999-02-02 | 2009-11-18 | キヤノン株式会社 | 分離方法及び半導体基板の製造方法 |
US6323108B1 (en) * | 1999-07-27 | 2001-11-27 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Fabrication ultra-thin bonded semiconductor layers |
FR2798224B1 (fr) * | 1999-09-08 | 2003-08-29 | Commissariat Energie Atomique | Realisation d'un collage electriquement conducteur entre deux elements semi-conducteurs. |
US6653209B1 (en) * | 1999-09-30 | 2003-11-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of producing silicon thin film, method of constructing SOI substrate and semiconductor device |
US6633066B1 (en) * | 2000-01-07 | 2003-10-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | CMOS integrated circuit devices and substrates having unstrained silicon active layers |
TW452866B (en) * | 2000-02-25 | 2001-09-01 | Lee Tien Hsi | Manufacturing method of thin film on a substrate |
US6335263B1 (en) * | 2000-03-22 | 2002-01-01 | The Regents Of The University Of California | Method of forming a low temperature metal bond for use in the transfer of bulk and thin film materials |
FR2807074B1 (fr) | 2000-04-03 | 2002-12-06 | Soitec Silicon On Insulator | Procede et dispositif de fabrication de substrats |
US6573126B2 (en) * | 2000-08-16 | 2003-06-03 | Massachusetts Institute Of Technology | Process for producing semiconductor article using graded epitaxial growth |
FR2816445B1 (fr) * | 2000-11-06 | 2003-07-25 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'une structure empilee comprenant une couche mince adherant a un substrat cible |
FR2817395B1 (fr) * | 2000-11-27 | 2003-10-31 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'un substrat notamment pour l'optique, l'electronique ou l'optoelectronique et substrat obtenu par ce procede |
FR2835096B1 (fr) * | 2002-01-22 | 2005-02-18 | Procede de fabrication d'un substrat auto-porte en materiau semi-conducteur monocristallin | |
FR2817394B1 (fr) * | 2000-11-27 | 2003-10-31 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'un substrat notamment pour l'optique, l'electronique ou l'optoelectronique et substrat obtenu par ce procede |
JP3729065B2 (ja) * | 2000-12-05 | 2005-12-21 | 日立電線株式会社 | 窒化物半導体エピタキシャルウェハの製造方法及び窒化物半導体エピタキシャルウェハ |
JP4127463B2 (ja) | 2001-02-14 | 2008-07-30 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物系化合物半導体の結晶成長方法及びiii族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法 |
JP4633962B2 (ja) * | 2001-05-18 | 2011-02-16 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体基板の製造方法 |
JP2003068654A (ja) * | 2001-08-27 | 2003-03-07 | Hoya Corp | 化合物単結晶の製造方法 |
JP2003095798A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-03 | Hoya Corp | 単結晶基板の製造方法 |
US20030230778A1 (en) * | 2002-01-30 | 2003-12-18 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation | SOI structure having a SiGe Layer interposed between the silicon and the insulator |
FR2837981B1 (fr) * | 2002-03-28 | 2005-01-07 | Commissariat Energie Atomique | Procede de manipulation de couches semiconductrices pour leur amincissement |
FR2844634B1 (fr) * | 2002-09-18 | 2005-05-27 | Soitec Silicon On Insulator | Formation d'une couche utile relaxee a partir d'une plaquette sans couche tampon |
FR2845523B1 (fr) * | 2002-10-07 | 2005-10-28 | Procede pour realiser un substrat par transfert d'une plaquette donneuse comportant des especes etrangeres, et plaquette donneuse associee | |
JP4556158B2 (ja) * | 2002-10-22 | 2010-10-06 | 株式会社Sumco | 貼り合わせsoi基板の製造方法および半導体装置 |
JP2004247610A (ja) * | 2003-02-14 | 2004-09-02 | Canon Inc | 基板の製造方法 |
US7018909B2 (en) * | 2003-02-28 | 2006-03-28 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies S.A. | Forming structures that include a relaxed or pseudo-relaxed layer on a substrate |
EP1484794A1 (en) * | 2003-06-06 | 2004-12-08 | S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies S.A. | A method for fabricating a carrier substrate |
FR2855908B1 (fr) * | 2003-06-06 | 2005-08-26 | Soitec Silicon On Insulator | Procede d'obtention d'une structure comprenant au moins un substrat et une couche ultramince |
US7261777B2 (en) * | 2003-06-06 | 2007-08-28 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Method for fabricating an epitaxial substrate |
US7538010B2 (en) * | 2003-07-24 | 2009-05-26 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Method of fabricating an epitaxially grown layer |
FR2857982B1 (fr) * | 2003-07-24 | 2007-05-18 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'une couche epitaxiee |
FR2857983B1 (fr) * | 2003-07-24 | 2005-09-02 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'une couche epitaxiee |
FR2867310B1 (fr) * | 2004-03-05 | 2006-05-26 | Soitec Silicon On Insulator | Technique d'amelioration de la qualite d'une couche mince prelevee |
EP1973155B1 (en) * | 2004-11-19 | 2011-07-06 | S.O.I. TEC Silicon | Method for fabricating a germanium on insulator (GeOI) type wafer |
US20080087881A1 (en) * | 2004-11-24 | 2008-04-17 | Kazumasa Ueda | Semiconductor Multilayer Substrate, Method For Producing Same And Light-Emitting Device |
FR2880988B1 (fr) * | 2005-01-19 | 2007-03-30 | Soitec Silicon On Insulator | TRAITEMENT D'UNE COUCHE EN SI1-yGEy PRELEVEE |
US7361528B2 (en) * | 2005-02-28 | 2008-04-22 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Germanium infrared sensor for CMOS imagers |
US20070117350A1 (en) * | 2005-08-03 | 2007-05-24 | Memc Electronic Materials, Inc. | Strained silicon on insulator (ssoi) with layer transfer from oxidized donor |
-
2003
- 2003-07-24 FR FR0309079A patent/FR2857983B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-07-07 CN CNB2004800211755A patent/CN100393922C/zh active Active
- 2004-07-07 JP JP2006520719A patent/JP5031365B2/ja active Active
- 2004-07-07 AT AT04740858T patent/ATE373121T1/de not_active IP Right Cessation
- 2004-07-07 DE DE602004008941T patent/DE602004008941T2/de active Active
- 2004-07-07 KR KR1020067001690A patent/KR100825532B1/ko active IP Right Grant
- 2004-07-07 EP EP04740858A patent/EP1660702B1/en active Active
- 2004-07-07 WO PCT/EP2004/007578 patent/WO2005014896A1/en active IP Right Grant
- 2004-07-23 TW TW093122174A patent/TWI310795B/zh active
-
2005
- 2005-11-22 US US11/283,706 patent/US7601217B2/en active Active
-
2009
- 2009-09-03 US US12/553,221 patent/US8216368B2/en active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220002765A (ko) * | 2020-06-30 | 2022-01-07 | 김승호 | 구조개선형 레이스웨이 조이너 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006528593A (ja) | 2006-12-21 |
KR20060052881A (ko) | 2006-05-19 |
FR2857983B1 (fr) | 2005-09-02 |
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