JP5115735B2 - 炭化珪素半導体基板とその製造方法 - Google Patents
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Description
その製造方法は、通常のSi製パワーデバイスの製造方法とおおよそ同様であり、SiC半導体基板(以下SiC基板と略すこともある)に異方性エッチングによりトレンチを形成後、エッチングマスクとして用いた酸化膜を除去し、ゲート絶縁膜を形成した後、トレンチ内をゲート電極となる多結晶シリコンで埋める。その後、ソース・ドレインの各電極を形成してトレンチ型SiC−MOSFETとする製造方法である。
F. Letertre, et al, Mat. Res. Forum, 389−393, 2002 pp. 151−154(fig4a)
また、前記特許文献1、2に記載の方法では、SiCエピタキシャル層の厚さは、通常100μm以下であるので、SiCエピタキシャル層形成後のウエハ厚が薄くなりすぎて、前述のようにそのウエハの厚さのままで半導体装置のウエハプロセスに流すとウエハ反りやウエハの応力割れにより歩留まりが低下する惧れがある。
また本発明は、前記グラファイト層の表面にコーティングされる炭化珪素組成薄膜に代えて、多孔質カーボン層に炭化珪素半導体を充填させた炭化珪素充填層がコーティングされている前述の炭化珪素半導体基板としてもよい。
さらにまた、本発明は、前記第3工程を、前記グラファイト層の表面に多孔質カーボン層を設け、該多孔質カーボン層に炭化珪素半導体を充填させて形成される保護用の炭化珪素充填膜を前記グラファイト層の表面に形成する工程とする前述の炭化珪素半導体基板の製造方法とすることもできる。
以下、本発明にかかる炭化珪素半導体基板とその製造方法の実施例について、図面を用いて詳細に説明する。本発明はその要旨を超えない限り、以下に説明する実施例の記載に限定されるものではない。
次に、体積比1%以下の微量の酸素、たとえば、0.5%の酸素を含む不活性ガス、たとえば、アルゴン中で1300〜1390℃の温度範囲から選ばれる、たとえば1350℃で4時間保持する熱処理を行い、SiC基板1aの表面から0.1μmの深さに50nmの厚さの埋め込み酸化膜2bを形成する(図1(c))。この熱処理はSiのSOI基板作成法として一般に知られているSIMOX法と同様である。以降、前記埋め込み酸化膜2bより上側層の薄いSiC基板部分をSiC基板層1bと呼称する。同じく下側のSiC基板部分をSiC下側基板1cと呼称する。
前記図1(c)のように埋め込み酸化膜2bを形成した後、133.3Pa以下に減圧したAr雰囲気中で1300〜1450℃の範囲、たとえば、1400℃に昇温してSiC基板層1bの表面から10nmの深さまでのシリコン原子を蒸発させ、炭素リッチ層8を形成する(図2(a))。その後、1000℃、13.3kPaの雰囲気でAr希釈したメタンを流して20時間加熱し、熱分解グラファイト層4を200μmの厚さにCVD法により成膜する(図2(b))。その後は実施例1と同様にして、複合基板6bをSiC下側基板1cから分離する。このようにすると、グラファイト層4を堆積させる下地表面がSiC基板層1bのままの表面の場合よりも密着性のよいグラファイト層4を形成すことができる。
1b :SiC基板層、薄層
1c :SiC下側基板
2a :酸素イオン注入領域
2b :埋め込み酸化膜
4 :グラファイト層
5a :SiC組成薄膜、炭化珪素組成薄膜
5b :SiC充填層、炭化珪素充填層
6a、6b、6c :複合基板
7 :SiCエピタキシャル層、半導体機能領域形成用炭化珪素半導体層
8 :炭素リッチ層
9 :多孔質カーボン層
10 :ガードリング
11 :周辺耐圧構造
12 :表面保護層
13 :表面電極
14 :裏面電極。
Claims (6)
- 0.05μmから2.00μmの範囲の厚さを有する炭化珪素半導体基板の薄層と、該薄層の一方の主面に堆積される半導体機能領域形成用炭化珪素半導体層と、前記薄層の他方の主面に堆積され支持基板となるグラファイト層と該グラファイト層の表面にコーティングされる炭化珪素組成薄膜とを備えることを特徴とする炭化珪素半導体基板。
- 前記薄層と前記グラファイト層との間に炭素リッチ層を介することを特徴とする請求項1記載の炭化珪素半導体基板。
- 前記グラファイト層の表面にコーティングされる炭化珪素組成薄膜に代えて、多孔質カーボン層に炭化珪素半導体を充填させた炭化珪素充填層がコーティングされていることを特徴とする請求項1記載の炭化珪素半導体基板。
- 炭化珪素半導体基板の一方の主面から前記一方の主面の側に近い所定の深さに埋め込み酸化膜を形成する第1工程と、該炭化珪素半導体基板の一方の主面にグラファイト層を積層する第2工程と、該グラファイト層の表面に保護用の炭化珪素組成薄膜を形成する第3工程と、その後、高温加熱し、前記埋め込み酸化膜を除去して前記埋め込み酸化膜より下側の炭化珪素半導体基板の他方の主面側を分離除去して前記埋め込み酸化膜より上側の炭化珪素半導体基板の一方の主面側を残存させる第4工程と、残存する炭化珪素半導体基板の露出面に半導体機能領域形成用炭化珪素半導体層を堆積形成する第5工程を有することを特徴とする炭化珪素半導体基板の製造方法。
- 前記第2工程を、前記埋め込み酸化膜を形成した側の前記炭化珪素半導体基板の主面に不活性ガス雰囲気で熱処理を施し、シリコン原子を蒸発させて炭素リッチ層を形成した後、グラファイト層を積層する工程とすることを特徴とする請求項4記載の炭化珪素半導体基板の製造方法。
- 前記第3工程を、前記グラファイト層の表面に多孔質カーボン層を設け、該多孔質カーボン層に炭化珪素半導体を充填させて形成される保護用の炭化珪素充填膜を前記グラファイト層の表面に形成する工程にすることを特徴とする請求項4記載の炭化珪素半導体基板の製造方法。
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