JP4971593B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
図1に示すように、半導体装置1は、高耐圧MOSFET領域20Aと低耐圧MOSFET領域30Aとを有する。高耐圧MOSFET領域20Aは、拡散層21とゲート絶縁膜22とゲート電極23と高濃度拡散層24とサリサイド膜23a,24aと絶縁膜25とサイドウォール46とよりなる高耐圧MOSFET20がシリコン基板11上に形成された構成を有する。低耐圧MOSFET領域30Aは、拡散層31とゲート絶縁膜32とゲート電極33と高濃度拡散層34とサリサイド膜33a,34aとサイドウォール35とよりなる低耐圧MOSFET30がシリコン基板11上に形成された構成を有する。
高耐圧MOSFET領域20Aに形成された高耐圧MOSFET20は、上述したように、シリコン基板11のアクティブ領域に、拡散層21とゲート絶縁膜22とゲート電極23と高濃度拡散層24とサリサイド膜23a,24aと絶縁膜25とサイドウォール46とが形成された構成を有する。
低耐圧MOSFET領域30Aに形成された低耐圧MOSFET30は、上述したように、シリコン基板11のアクティブ領域に、拡散層31とゲート絶縁膜32とゲート電極33と高濃度拡散層34とサリサイド膜33a,34aとサイドウォール35とが形成された構成を有する。
次に、図2から図5を用いて、半導体装置1の製造方法を説明する。まず、図2(a)に示すように、準備したシリコン基板11におけるフィールド領域に、例えばLOCOS(LocalOxidation of Silicon)法を用いて、例えば膜厚が2000Å程度の酸化シリコン(SiO2)膜よりなる素子分離絶縁膜12を形成する。ただし、LOCOS(Local Oxidation of Silicon)法に代えてSTI(Shallow TrenchIsolation)法を用いてもよい。
以上のように、本実施例は、材料の異なる2種類の絶縁膜(25A,26A)を成膜した後、これらのエッチングレートの違いを利用して、各絶縁膜(25A,26A)をエッチングすることで、高耐圧MOSFET20における電極間オフセット領域20Bを規定する構成(サイドウォール46および絶縁膜25)と、低耐圧MOSFET30における電極間オフセット領域30Bを規定する構成(サイドウォール35)とをそれぞれ形成するように構成されている。このため、本実施例では、高耐圧MOSFET20と低耐圧MOSFET30とで、異なる電極間オフセット距離を容易に設定することが可能である。
次に、本実施例による半導体装置1の製造方法を図面と共に説明する。本実施例において、半導体装置1は、実施例1における図2(a)から図4(c)に示すプロセスと同様のプロセスを用いて、図6(a)に示す構成を作成する。なお、図6(a)に示す構成は、図4(c)に示す構成と同様である。
以上で説明したように、本実施例は、実施例1と同様に、材料の異なる2種類の絶縁膜(25A,26A)を成膜した後、これらのエッチングレートの違いを利用して、各絶縁膜(25A,26A)をエッチングすることで、高耐圧MOSFET20における電極間オフセット領域20Bを規定する構成(サイドウォール46および絶縁膜25)と、低耐圧MOSFET領域30Bを規定する構成(サイドウォール35)とをそれぞれ形成するように構成されている。このため、本実施例では、実施例1と同様に、高耐圧MOSFET20と低耐圧MOSFET30とで、異なる電極間オフセット距離を容易に設定することが可能である。
11 シリコン基板
12 素子分離絶縁膜
17 層間絶縁膜
18 コンタクト内配線
19 メタル配線層
20 高耐圧MOSFET
20A 高耐圧MOSFET領域
20B、30B 電極間オフセット領域
21、31 拡散層
22、22’、32 ゲート絶縁膜
24B、34B レジスト
23、33 ゲート電極
23a,24a、33a、34a サリサイド膜
24,34 高濃度拡散層
24A、34A 開口部
25、55 絶縁膜
25A、26A 絶縁膜
26、26’、35、46 サイドウォール
30 低耐圧MOSFET
30A 低耐圧MOSFET領域
Claims (8)
- 半導体基板を準備する第1工程と、
前記半導体基板における第1および第2アクティブ領域表面を酸化することで、前記第1および第2アクティブ領域にそれぞれ第1ゲート絶縁膜を形成する第2工程と、
前記第2アクティブ領域に形成された前記第1ゲート絶縁膜を除去する第3工程と、
前記第1ゲート絶縁膜が除去された前記第2アクティブ領域表面を酸化することで当該第2アクティブ領域表面に第2ゲート絶縁膜を形成する第4工程と、
前記第1ゲート絶縁膜上に第1ゲート電極を形成しまた前記第2ゲート絶縁膜上に第2ゲート電極を形成する第5工程と、
前記第1および第2ゲート電極をマスクとして前記第1および第2アクティブ領域にイオン注入することで、前記第1アクティブ領域に一対の第1拡散層を形成しまた前記第2アクティブ領域に一対の第2拡散層を形成する第6工程と、
前記第1および第2ゲート絶縁膜上ならびに前記第1および第2ゲート電極上に一層以上の第1絶縁膜を形成する第7工程と、
前記第1絶縁膜を挟んで前記第1ゲート電極側面に第1サイドウォールを形成する第8工程と、
前記第1絶縁膜をエッチングすることで、前記第1および第2ゲート電極上面と、前記第1サイドウォール下以外および前記第1ゲート電極下以外の領域に位置する前記第1ゲート絶縁膜上面とを露出させると共に、前記第2ゲート電極側面に第2サイドウォールを形成しまた前記第2ゲート電極下以外および前記第2サイドウォール下以外の領域に位置する前記第2ゲート絶縁膜上面を露出させる第9工程と、
前記第1拡散層に前記第1ゲート絶縁膜を介してイオン注入しまた前記第2拡散層に前記第2ゲート絶縁膜を介してイオン注入することで、前記第1絶縁膜下以外、前記第1サイドウォール下以外および前記第1ゲート電極下以外の領域に位置する前記第1拡散層上部に第1高濃度拡散層を形成すると共に、前記第2サイドウォール下以外および前記第2ゲート電極下以外の領域に位置する前記第2拡散層上部に第2高濃度拡散層を形成する第10工程と、
前記第9工程により露出された前記第1および第2ゲート絶縁膜をエッチングすることで、前記第1および第2高濃度拡散層を露出させる第11工程と、
前記第9工程により露出された前記ゲート電極表面と、前記第11工程により露出された前記第1および第2高濃度拡散層表面とにそれぞれサリサイド膜を形成する第12工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第8工程は、第1所定条件下におけるエッチングレートが前記第1絶縁膜の少なくとも一層よりも大きい第2絶縁膜を前記第1絶縁膜上に形成した後、当該第2絶縁膜を前記第1所定条件下で異方性エッチングすることで前記第1サイドウォールを形成し、
前記第9工程は、前記第1絶縁膜における少なくとも一層のエッチングレートが前記第1サイドウォールよりも大きくなる第2所定条件下で前記第1絶縁膜を異方性エッチングすることで、前記第1および第2ゲート電極上面ならびに前記第1および第2ゲート絶縁膜上面を露出させると共に前記第2ゲート電極側面に前記第1絶縁膜からなる前記第2サイドウォールを形成することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1絶縁膜の少なくとも一層は窒化シリコン膜であり、
前記第1サイドウォールは酸化シリコン膜であり、
前記第8工程は、酸化シリコンよりなる第2絶縁膜を前記第1絶縁膜上に形成した後、当該第2絶縁膜のエッチングレートが前記第1絶縁膜における前記窒化シリコン膜よりも大きくなる第1所定条件下で前記第2絶縁膜を異方性エッチングすることで前記第1サイドウォールを形成し、
前記第9工程は、前記第1絶縁膜における少なくとも一層のエッチングレートが前記第1サイドウォールよりも大きくなる第2所定条件下で前記第1絶縁膜を異方性エッチングすることで、前記第1および第2ゲート電極上面ならびに前記第1および第2ゲート絶縁膜上面を露出させると共に前記第2ゲート電極側面に前記第1絶縁膜からなる前記第2サイドウォールを形成することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1絶縁膜の少なくとも一層は窒化シリコン膜であり、
前記第1サイドウォールは酸化シリコン膜であり、
前記第8工程は、酸化シリコンよりなる第2絶縁膜を前記第1絶縁膜上に形成した後、混合比が1:10となるようにCF4ガスとCHF3ガスとが混合されたエッチングガスを用いて前記第2絶縁膜を異方性エッチングすることで前記第1サイドウォールを形成し、
前記第9工程は、混合比が50:100:1となるようにCHF3ガスとArガスとO2ガスとが混合されたエッチングガスを用いて前記第1絶縁膜を異方性エッチングすることで、前記第1および第2ゲート電極上面ならびに前記第1および第2ゲート絶縁膜上面を露出させると共に前記第2ゲート電極側面に前記第1絶縁膜からなる前記第2サイドウォールを形成することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 半導体基板を準備する第1工程と、
前記半導体基板における第1および第2アクティブ領域表面を酸化することで、前記第1および第2アクティブ領域にそれぞれ第1ゲート絶縁膜を形成する第2工程と、
前記第2アクティブ領域に形成された前記第1ゲート絶縁膜を除去する第3工程と、
前記第1ゲート絶縁膜が除去された前記第2アクティブ領域表面を酸化することで当該第2アクティブ領域表面に第2ゲート絶縁膜を形成する第4工程と、
前記第1ゲート絶縁膜上に第1ゲート電極を形成しまた前記第2ゲート絶縁膜上に第2ゲート電極を形成する第5工程と、
前記第1および第2ゲート電極をマスクとして前記第1および第2アクティブ領域にイオン注入することで、前記第1アクティブ領域に一対の第1拡散層を形成しまた前記第2アクティブ領域に一対の第2拡散層を形成する第6工程と、
前記第1および第2ゲート絶縁膜上ならびに前記第1および第2ゲート電極上に一層以上の第1絶縁膜を形成する第7工程と、
前記第1絶縁膜を挟んで前記第1ゲート電極側面に第1サイドウォールを形成する第8工程と、
前記第1絶縁膜をエッチングすることで、前記第1および第2ゲート電極上面と、前記第1サイドウォール下以外および前記第1ゲート電極下以外の領域に位置する前記第1ゲート絶縁膜上面とを露出させると共に、前記第2ゲート電極側面に第2サイドウォールを形成しまた前記第2ゲート電極下以外および前記第2サイドウォール下以外の領域に位置する前記第2ゲート絶縁膜上面を露出させる第9工程と、
前記第9工程で露出された前記第1および第2ゲート絶縁膜をエッチングすることで、前記第1サイドウォール下以外、前記第1絶縁膜下以外および前記第1ゲート電極下以外の領域に位置する前記第1拡散層上面と、前記第2サイドウォール下以外および前記第2ゲート電極下以外の領域に位置する前記第2拡散層上面とを露出させる第10工程と、
前記第10工程で露出された前記第1および第2拡散層にイオン注入することで、前記第1絶縁膜下以外、前記第1サイドウォール下以外および前記第1ゲート電極下以外の領域に位置する前記第1拡散層上部に第1高濃度拡散層を形成すると共に、前記第2サイドウォール下以外および前記第2ゲート電極下以外の領域に位置する前記第2拡散層上部に第2高濃度拡散層を形成する第11工程と、
前記第9工程により露出された前記第1および第2ゲート電極表面と、前記第11工程により形成された前記第1および第2高濃度拡散層表面とにそれぞれサリサイド膜を形成する第12工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第8工程は、第1所定条件下におけるエッチングレートが前記第1絶縁膜の少なくとも一層よりも大きい第2絶縁膜を前記第1絶縁膜上に形成した後、当該第2絶縁膜を前記第1所定条件下で異方性エッチングすることで前記第1サイドウォールを形成し、
前記第9工程は、前記第1絶縁膜における少なくとも一層のエッチングレートが前記第1サイドウォールよりも大きくなる第2所定条件下で前記第1絶縁膜を異方性エッチングすることで、前記第1および第2ゲート電極上面ならびに前記第1および第2ゲート絶縁膜上面を露出させると共に前記第2ゲート電極側面に前記第1絶縁膜からなる前記第2サイドウォールを形成することを特徴とする請求項5記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1絶縁膜の少なくとも一層は窒化シリコン膜であり、
前記第1サイドウォールは酸化シリコン膜であり、
前記第8工程は、酸化シリコンよりなる第2絶縁膜を前記第1絶縁膜上に形成した後、当該第2絶縁膜のエッチングレートが前記第1絶縁膜における前記窒化シリコン膜よりも大きくなる第1所定条件下で前記第2絶縁膜を異方性エッチングすることで前記第1サイドウォールを形成し、
前記第10工程は、前記第1絶縁膜における少なくとも一層のエッチングレートが前記第1サイドウォールよりも大きくなる第2所定条件下で前記第1絶縁膜を異方性エッチングすることで、前記第1および第2ゲート電極上面ならびに前記第1および第2ゲート絶縁膜上面を露出させると共に前記第2ゲート電極側面に前記第1絶縁膜からなる前記第2サイドウォールを形成することを特徴とする請求項5記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1絶縁膜の少なくとも一層は窒化シリコン膜であり、
前記第1サイドウォールは酸化シリコン膜であり、
前記第8工程は、酸化シリコンよりなる第2絶縁膜を前記第1絶縁膜上に形成した後、混合比が1:10となるようにCF4ガスとCHF3ガスとが混合されたエッチングガスを用いて前記第2絶縁膜を異方性エッチングすることで前記第1サイドウォールを形成し、
前記第10工程は、混合比が50:100:1となるようにCHF3ガスとArガスとO2ガスとが混合されたエッチングガスを用いて前記第1絶縁膜を異方性エッチングすることで、前記第1および第2ゲート電極上面ならびに前記第1および第2ゲート絶縁膜を露出させると共に前記第2ゲート電極側面に前記第1絶縁膜からなる前記第2サイドウォールを形成することを特徴とする請求項5記載の半導体装置の製造方法。
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