JP4902107B2 - 改善された構造的安定性及び向上されたキャパシタンスを有するキャパシタを含む半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
205 素子分離膜
210 ゲート酸化膜パターン
215 ゲート導電膜パターン
220 ゲートマスクパターン
225 ゲート構造物
230 第1スペーサ
233 ワードライン
235 第1コンタクト領域
240 第2コンタクト領域
245 第1層間絶縁膜
250 第1パッド
255 第2パッド
260 第2層間絶縁膜
265 第3層間絶縁膜
270 ビットライン導電膜パターン
275 ビットラインマスクパターン
280 ビットライン
285 第2スペーサ
290 第4パッド
300 第4層間絶縁膜
305 エッチング阻止膜
310 モールド膜
315 第3マスク層
320 ストレージノードマスクパターン
325 第1開口
330 第2開口
335,425 第1絶縁膜パターン
338,435 第2絶縁膜パターン
340,390,445 安定化部材
345 第4コンタクトホール
350 第5コンタクトホール
355,395 第5導電膜
360,390,450 ストレージ電極
365,400,465 誘電膜
370,405,470 プレート電極
380,410,480 キャパシタ
420 第1保護膜パターン
430 第2保護膜パターン
440 保護部材
Claims (38)
- ストレージ電極と、
前記ストレージ電極上に形成された誘電膜と、
前記誘電膜上に形成されたプレート電極と、
前記ストレージ電極を構造的に安定化させるために、前記ストレージ電極に固定される安定化手段と、を含み、
前記ストレージ電極は、下部に比較して上部の外径が拡張される構造を有し、
前記安定化手段は、前記ストレージ電極の外周面を囲み、
前記安定化手段は、リング形状の横断面を有し、
前記安定化手段は、前記ストレージ電極の上部に形成されて上部に向かって外直径が拡張されるリング型構造物であり、
隣接する前記ストレージ電極が前記安定化手段を介して相互に支持されるようにする
ことを特徴とするキャパシタ。 - 前記安定化手段と隣接するストレージ電極の安定化手段は、互いに連結される構造を有する
ことを特徴とする請求項1に記載のキャパシタ。 - 前記安定化手段と前記隣接するストレージ電極の安定化手段は、前記ストレージ電極が配列された方向に対して、斜め方向に沿って互いに連結される
ことを特徴とする請求項2に記載のキャパシタ。 - 前記安定化手段は、前記ストレージ電極の上部に形成される
ことを特徴とする請求項1に記載のキャパシタ。 - 前記ストレージ電極は、シリンダ形状を有する
ことを特徴とする請求項1に記載のキャパシタ。 - 前記ストレージ電極は、前記安定化手段によって下部に比較して上部の外径が拡張される
ことを特徴とする請求項5に記載のキャパシタ。 - 前記ストレージ電極と前記安定化手段とは、交互に隣接して互いに支持する
ことを特徴とする請求項5に記載のキャパシタ。 - 前記安定化手段の内壁は、前記ストレージ電極に埋め込まれ、前記安定化手段の底面は、前記ストレージ電極により支持される構造を有する
ことを特徴とする請求項7に記載のキャパシタ。 - 前記安定化手段の上部は、前記ストレージ電極を圧接する
ことを特徴とする請求項8に記載のキャパシタ。 - 前記安定化手段は、下部が開口された椀構造を有する
ことを特徴とする請求項1に記載のキャパシタ。 - 前記安定化手段は、その内部に向かって上部が水平に延長される
ことを特徴とする請求項10に記載のキャパシタ。 - 前記ストレージ電極は、第1不純物でドーピングされたポリシリコンで構成され、前記
安定化手段は、第2不純物でドーピングされたポリシリコンで構成される
ことを特徴とする請求項1に記載のキャパシタ。 - 前記安定化手段は、LAL溶液にエッチングされない
ことを特徴とする請求項12に記載のキャパシタ。 - 前記第1不純物はP型であり、前記第2不純物はN型である
ことを特徴とする請求項12に記載のキャパシタ。 - 前記安定化手段を囲む保護部材を更に含む
ことを特徴とする請求項12に記載のキャパシタ。 - 前記保護部材は、LAL溶液に対して耐食性を有する物質で構成される
ことを特徴とする請求項15に記載のキャパシタ。 - 前記保護部材は、金属酸化物からなる
ことを特徴とする請求項16に記載のキャパシタ。 - 前記保護部材は、タンタル酸化物からなる
ことを特徴とする請求項17に記載のキャパシタ。 - 前記リング型構造物を囲む追加的なリング型構造物を更に含む
ことを特徴とする請求項18に記載のキャパシタ。 - 半導体基板上にコンタクト領域を形成する段階と、
前記半導体基板上にモールド膜を形成する段階と、
前記モールド膜にストレージ電極を構造的に安定化させる安定化手段を形成する段階と、
前記安定化手段の内壁及び前記コンタクト領域を露出させるコンタクトホールを形成する段階と、
前記安定化手段の内壁及び前記コンタクトホールの内壁上に前記コンタクト領域に接触される前記ストレージ電極を形成する段階と、
前記ストレージ電極上に誘電膜を形成する段階と、
前記誘電膜上にプレート電極を形成する段階と、を含み、
前記安定化手段は、前記ストレージ電極の上部に形成されて上部に向かって外直径が拡張されるリング型構造物であり、
隣接する前記ストレージ電極が前記安定化手段を介して相互に支持されるようにする
ことを特徴とするキャパシタの製造方法。 - 前記コンタクトホールを形成する前に、前記モールド膜上にマスク層を形成する段階と、
前記マスク層をエッチングしてマスクパターンを形成する段階と、
前記マスクパターンをエッチングマスクとして用いて、前記モールド膜をエッチングして前記モールド膜の上部に第1幅及び第1深さを有する第1開口を形成する段階と、を更に含む
ことを特徴とする請求項20に記載のキャパシタの製造方法。 - 前記安定化手段は、窒化物で構成される
ことを特徴とする請求項20に記載のキャパシタの製造方法。 - 前記モールド膜は、酸化物で構成される
ことを特徴とする請求項22に記載のキャパシタの製造方法。 - 前記マスク層は、ポリシリコン又は窒化物で構成される
ことを特徴とする請求項21に記載のキャパシタの製造方法。 - 前記モールド膜と前記マスク層の厚さ比は、8:1〜50:1である
ことを特徴とする請求項21に記載のキャパシタの製造方法。 - 前記マスクパターンをエッチングマスクとして用いて前記第1開口の幅及び深さを拡張して、前記モールド膜の上部に第2幅及び第2深さを有する第2開口を形成する段階を更に含む
ことを特徴とする請求項21に記載のキャパシタの製造方法。 - 前記安定化手段を形成する段階は、
前記第2開口の側壁及び底面と前記マスクパターン上に絶縁膜を塗布する段階と、
前記絶縁膜を部分的に除去して、前記第2開口の側壁及び底面上に絶縁膜パターンを形成する段階と、
前記第2開口の底面上の前記絶縁膜パターンの一部を除去して、前記安定化手段を形成する段階と、を更に含む
ことを特徴とする請求項26に記載のキャパシタの製造方法。 - 前記絶縁膜パターンは、エッチバック工程、化学機械的研磨工程、又はこれを組み合わせた工程を用いて形成される
ことを特徴とする請求項27に記載のキャパシタの製造方法。 - 前記絶縁膜パターンの一部を除去する段階と前記コンタクトホールを形成する段階は、同時に行われる
ことを特徴とする請求項27に記載のキャパシタの製造方法。 - 前記コンタクトホールの直径を拡張させる段階を更に含む
ことを特徴とする請求項21に記載のキャパシタの製造方法。 - 前記ストレージ電極を形成する段階は、
前記安定化手段の内壁、前記拡張されたコンタクトホールの内壁及び前記マスクパターン上に導電膜を形成する段階と、
前記安定化手段が露出されるまで、前記導電膜の一部及び前記マスクパターンを除去する段階と、を更に含む
ことを特徴とする請求項30に記載のキャパシタの製造方法。 - 前記安定化手段を形成する段階は、
前記第2開口の側壁及び底面と前記マスクパターン上に第1不純物でドーピングされたポリシリコン膜を形成する段階と、
前記第1不純物でドーピングされたポリシリコン膜を部分的に除去して、前記第2開口の側壁及び底面上にポリシリコン膜パターンを形成する段階と、
前記第2開口の底面上の前記ポリシリコン膜パターンの一部を除去して、前記安定化手段を形成する段階と、を更に含む
ことを特徴とする請求項30に記載のキャパシタの製造方法。 - 前記ストレージ電極を形成する段階は、
前記安定化手段の内壁、前記拡張されたコンタクトホールの内壁、及び前記マスクパターン上に第2不純物でドーピングされたポリシリコン膜を形成する段階と、
前記安定化手段が露出されるまで、前記第2不純物でドーピングされたポリシリコン膜の一部及び前記マスクパターンを除去する段階と、を更に含む
ことを特徴とする請求項32に記載のキャパシタの製造方法。 - 前記安定化手段を形成する段階は、
前記第2開口の側壁及び底面と前記マスクパターン上に金属酸化膜及び絶縁膜を順次に形成する段階と、
前記マスクパターンが露出されるまで、前記金属酸化膜及び絶縁膜を部分的に除去して、前記第2開口の側壁及び底面上に金属酸化膜パターン及び絶縁膜パターンを形成する段階と、
前記第2開口の底面上の金属酸化膜パターン及び前記絶縁膜パターンの一部を除去して、前記安定化手段及び前記安定化手段を囲む保護部材を形成する段階と、を更に含む
ことを特徴とする請求項30に記載のキャパシタの製造方法。 - 前記誘電膜を形成する前に、前記モールド膜を除去する段階を更に含む
ことを特徴とする請求項20に記載のキャパシタの製造方法。 - 半導体基板上に形成されたゲート構造物と、
前記ゲート構造物の間の前記半導体基板に形成された第1コンタクト領域及び第2コンタクト領域と、
前記第1コンタクト領域に接触される第1パッドと、
前記第2コンタクト領域に接触される第2パッドと、
前記第2パッドに接触されるビットラインと、
前記第1パッドに接触されるストレージ電極と、
前記ストレージ電極を構造的に安定させるために、前記ストレージ電極の上部を囲む安定化手段と、
前記ストレージ電極及び安定化手段上に形成された誘電膜と、
前記誘電膜上に形成されたプレート電極と、を含み、
前記安定化手段は、前記ストレージ電極の上部に形成されて上部に向かって外直径が拡張されるリング型構造物であり、
隣接する前記ストレージ電極が前記安定化手段を介して相互に支持されるようにする
ことを特徴とする半導体装置。 - 前記安定化手段と隣接する安定化手段は、前記ゲート構造物が配置された方向に対して、斜め方向に沿って互いに連結される
ことを特徴とする請求項36に記載の半導体装置。 - 半導体基板上にゲート構造物を形成する段階と、
前記ゲート構造物の間の前記半導体基板に第1コンタクト領域及び第2コンタクト領域を形成する段階と、
前記第1コンタクト領域に接触される第1パッドを形成する段階と、
前記第2コンタクト領域に接触される第2パッドを形成する段階と、
前記第2パッドに接触されるビットラインを形成する段階と、
前記ビットラインを覆いながら前記半導体基板上にモールド膜を形成する段階と、
前記モールド膜のうちの下に、前記第1パッドが位置する部分に安定化部材を形成する段階と、
前記安定化部材の内壁及び前記第1パッドを露出させるコンタクトホールを形成する段階と、
前記安定化部材の内壁、前記コンタクトホールの内壁、前記第1パッド上にストレージ電極を形成する段階と、
前記ストレージ電極上に誘電膜を形成する段階と、
前記誘電膜上にプレート電極を形成する段階と、を含み、
前記安定化手段は、前記ストレージ電極の上部に形成されて上部に向かって外直径が拡張されるリング型構造物であり、
隣接する前記ストレージ電極が前記安定化手段を介して相互に支持されるようにする
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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