JP4845352B2 - 放射線撮像装置、その製造方法及び放射線撮像システム - Google Patents

放射線撮像装置、その製造方法及び放射線撮像システム Download PDF

Info

Publication number
JP4845352B2
JP4845352B2 JP2004177009A JP2004177009A JP4845352B2 JP 4845352 B2 JP4845352 B2 JP 4845352B2 JP 2004177009 A JP2004177009 A JP 2004177009A JP 2004177009 A JP2004177009 A JP 2004177009A JP 4845352 B2 JP4845352 B2 JP 4845352B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photoelectric conversion
line
radiation imaging
disposed
pixel area
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2004177009A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2006004998A (ja
JP2006004998A5 (enExample
Inventor
孝昌 石井
正和 森下
千織 望月
実 渡辺
慶一 野村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2004177009A priority Critical patent/JP4845352B2/ja
Priority to US11/147,182 priority patent/US7205547B2/en
Publication of JP2006004998A publication Critical patent/JP2006004998A/ja
Priority to US11/683,184 priority patent/US7381965B2/en
Publication of JP2006004998A5 publication Critical patent/JP2006004998A5/ja
Priority to US11/957,843 priority patent/US7465933B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4845352B2 publication Critical patent/JP4845352B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/811—Interconnections
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/011—Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12
    • H10F39/026—Wafer-level processing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10—Integrated devices
    • H10F39/12—Image sensors
    • H10F39/191—Photoconductor image sensors
    • H10F39/195—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/802—Geometry or disposition of elements in pixels, e.g. address-lines or gate electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/803—Pixels having integrated switching, control, storage or amplification elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10—Integrated devices
    • H10F39/12—Image sensors
    • H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
    • H10F39/189—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
    • H10F39/1898—Indirect radiation image sensors, e.g. using luminescent members

Landscapes

  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
JP2004177009A 2004-06-15 2004-06-15 放射線撮像装置、その製造方法及び放射線撮像システム Expired - Lifetime JP4845352B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004177009A JP4845352B2 (ja) 2004-06-15 2004-06-15 放射線撮像装置、その製造方法及び放射線撮像システム
US11/147,182 US7205547B2 (en) 2004-06-15 2005-06-08 Radiographic imaging substrate, radiographic imaging apparatus, and radiographic imaging system
US11/683,184 US7381965B2 (en) 2004-06-15 2007-03-07 Radiographic imaging substrate, radiographic imaging apparatus, and radiographic imaging system
US11/957,843 US7465933B2 (en) 2004-06-15 2007-12-17 Radiographic imaging substrate, radiographic imaging apparatus, and radiographic imaging system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004177009A JP4845352B2 (ja) 2004-06-15 2004-06-15 放射線撮像装置、その製造方法及び放射線撮像システム

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2006004998A JP2006004998A (ja) 2006-01-05
JP2006004998A5 JP2006004998A5 (enExample) 2007-08-09
JP4845352B2 true JP4845352B2 (ja) 2011-12-28

Family

ID=35459604

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004177009A Expired - Lifetime JP4845352B2 (ja) 2004-06-15 2004-06-15 放射線撮像装置、その製造方法及び放射線撮像システム

Country Status (2)

Country Link
US (3) US7205547B2 (enExample)
JP (1) JP4845352B2 (enExample)

Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1593159B1 (en) 2003-02-14 2013-05-29 Canon Kabushiki Kaisha Radiation image pickup device
JP4266656B2 (ja) * 2003-02-14 2009-05-20 キヤノン株式会社 固体撮像装置及び放射線撮像装置
JP4323827B2 (ja) 2003-02-14 2009-09-02 キヤノン株式会社 固体撮像装置及び放射線撮像装置
JP4418720B2 (ja) * 2003-11-21 2010-02-24 キヤノン株式会社 放射線撮像装置及び方法、並びに放射線撮像システム
JP4845352B2 (ja) * 2004-06-15 2011-12-28 キヤノン株式会社 放射線撮像装置、その製造方法及び放射線撮像システム
US7557355B2 (en) * 2004-09-30 2009-07-07 Canon Kabushiki Kaisha Image pickup apparatus and radiation image pickup apparatus
JP5043374B2 (ja) * 2005-07-11 2012-10-10 キヤノン株式会社 変換装置、放射線検出装置、及び放射線検出システム
JP5043380B2 (ja) * 2005-07-25 2012-10-10 キヤノン株式会社 放射線検出装置および放射線検出システム
JP5159065B2 (ja) 2005-08-31 2013-03-06 キヤノン株式会社 放射線検出装置、放射線撮像装置および放射線撮像システム
JP2007155662A (ja) 2005-12-08 2007-06-21 Canon Inc 放射線検出装置及びそれを用いた放射線撮像システム
JP4579894B2 (ja) * 2005-12-20 2010-11-10 キヤノン株式会社 放射線検出装置及び放射線検出システム
JP2007201246A (ja) * 2006-01-27 2007-08-09 Canon Inc 光電変換装置及び放射線撮像装置
JP5089195B2 (ja) * 2006-03-02 2012-12-05 キヤノン株式会社 放射線検出装置、シンチレータパネル、放射線検出システム及び放射線検出装置の製造方法
JP5252817B2 (ja) * 2006-03-29 2013-07-31 キヤノン株式会社 撮像装置、放射線撮像装置、撮像装置の駆動方法、放射線撮像システムおよび撮像装置の製造方法
JP5173234B2 (ja) 2006-05-24 2013-04-03 キヤノン株式会社 放射線撮像装置及び放射線撮像システム
JP5196739B2 (ja) * 2006-06-09 2013-05-15 キヤノン株式会社 放射線撮像装置及び放射線撮像システム
JP5004848B2 (ja) * 2007-04-18 2012-08-22 キヤノン株式会社 放射線検出装置及び放射線検出システム
JP5235350B2 (ja) * 2007-08-07 2013-07-10 キヤノン株式会社 撮像装置及び放射線撮像システム
JP5489542B2 (ja) * 2008-07-01 2014-05-14 キヤノン株式会社 放射線検出装置及び放射線撮像システム
JP5439837B2 (ja) 2009-02-10 2014-03-12 ソニー株式会社 表示装置
JP5436121B2 (ja) * 2009-09-28 2014-03-05 キヤノン株式会社 撮像装置および放射線撮像システム
JP6057511B2 (ja) 2011-12-21 2017-01-11 キヤノン株式会社 撮像装置及び放射線撮像システム
JP5954983B2 (ja) 2011-12-21 2016-07-20 キヤノン株式会社 撮像装置及び放射線撮像システム、並びに撮像装置の製造方法
JP5485308B2 (ja) 2012-01-27 2014-05-07 富士フイルム株式会社 放射線画像撮影装置、放射線画像撮影方法およびプログラム
JP2014116429A (ja) * 2012-12-07 2014-06-26 Japan Display Inc 撮像装置及び撮像表示システム
JP2015050327A (ja) * 2013-09-02 2015-03-16 株式会社東芝 光電変換基板および放射線検出器
JP6463136B2 (ja) 2014-02-14 2019-01-30 キヤノン株式会社 放射線検出装置及び放射線検出システム
JP6585910B2 (ja) 2014-05-01 2019-10-02 キヤノン株式会社 放射線撮像装置および放射線撮像システム
JP6570315B2 (ja) 2015-05-22 2019-09-04 キヤノン株式会社 放射線撮像装置及び放射線撮像システム
JP6523803B2 (ja) * 2015-06-10 2019-06-05 キヤノン電子管デバイス株式会社 アレイ基板、および放射線検出器
JP6778118B2 (ja) 2017-01-13 2020-10-28 キヤノン株式会社 放射線撮像装置及び放射線撮像システム
JP6929104B2 (ja) 2017-04-05 2021-09-01 キヤノン株式会社 放射線撮像装置、放射線撮像システム、放射線撮像装置の制御方法及びプログラム
JP6990986B2 (ja) 2017-04-27 2022-01-12 キヤノン株式会社 放射線撮像装置、放射線撮像システム、放射線撮像装置の制御方法及びプログラム
JP6853729B2 (ja) 2017-05-08 2021-03-31 キヤノン株式会社 放射線撮像装置、放射線撮像システム、放射線撮像装置の制御方法及びプログラム
JP6788547B2 (ja) 2017-05-09 2020-11-25 キヤノン株式会社 放射線撮像装置、その制御方法、制御装置、及び、放射線撮像システム
CN110869809B (zh) 2017-07-10 2023-07-25 佳能株式会社 放射线成像装置和放射线成像系统
JP6877289B2 (ja) 2017-07-31 2021-05-26 キヤノン株式会社 放射線検出装置、放射線検出システム、及び放射線出装置の製造方法
JP7045834B2 (ja) 2017-11-10 2022-04-01 キヤノン株式会社 放射線撮像システム
JP7079113B2 (ja) 2018-02-21 2022-06-01 キヤノン株式会社 放射線撮像装置及び放射線撮像システム
JP7198003B2 (ja) 2018-06-22 2022-12-28 キヤノン株式会社 放射線撮像装置、放射線撮像システム、放射線撮像装置の制御方法およびプログラム
JP6659182B2 (ja) * 2018-07-23 2020-03-04 キヤノン株式会社 放射線撮像装置、その製造方法及び放射線撮像システム
EP3661190B1 (en) 2018-11-27 2024-05-22 Canon Kabushiki Kaisha Radiation imaging apparatus and radiation imaging system
JP7397635B2 (ja) 2019-11-22 2023-12-13 キヤノン株式会社 放射線検出装置、放射線検出システム、制御方法及びプログラム
JP7344769B2 (ja) 2019-11-22 2023-09-14 キヤノン株式会社 放射線検出装置及び出力方法
KR102774286B1 (ko) * 2019-12-05 2025-02-26 엘지디스플레이 주식회사 디지털 엑스레이 검출기용 박막 트랜지스터 어레이 기판과 디지털 엑스레이 검출기 및 그 제조 방법
KR102678978B1 (ko) * 2019-12-20 2024-06-26 엘지디스플레이 주식회사 디지털 엑스레이 검출기용 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 디지털 엑스레이 검출기
TWI740512B (zh) * 2020-05-26 2021-09-21 睿生光電股份有限公司 X射線裝置
US20240248217A1 (en) * 2022-01-25 2024-07-25 Beijing Boe Sensor Technology Co., Ltd. Detection substrate and ray detector
JP2023117956A (ja) 2022-02-14 2023-08-24 キヤノン株式会社 センサ基板、放射線撮像装置、放射線撮像システム、および、センサ基板の製造方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4803536A (en) 1986-10-24 1989-02-07 Xerox Corporation Electrostatic discharge protection network for large area transducer arrays
JPH06258668A (ja) * 1993-03-05 1994-09-16 Toshiba Corp マトリクスアレイ基板とその製造方法およびそれを用いた液晶表示装置
JP3066944B2 (ja) 1993-12-27 2000-07-17 キヤノン株式会社 光電変換装置、その駆動方法及びそれを有するシステム
JP4632383B2 (ja) * 1998-08-31 2011-02-16 キヤノン株式会社 光電変換装置に用いられる半導体装置
JP2002050754A (ja) * 2000-05-08 2002-02-15 Canon Inc 半導体装置とその製造方法、放射線検出装置とそれを用いた放射線検出システム
US6765187B2 (en) * 2001-06-27 2004-07-20 Canon Kabushiki Kaisha Imaging apparatus
US7317559B2 (en) * 2002-04-05 2008-01-08 Canon Kabushiki Kaisha Imaging device and imaging method for use in such device
US7214945B2 (en) * 2002-06-11 2007-05-08 Canon Kabushiki Kaisha Radiation detecting apparatus, manufacturing method therefor, and radiation image pickup system
US7006598B2 (en) * 2002-08-09 2006-02-28 Canon Kabushiki Kaisha Imaging method and apparatus with exposure control
US7148487B2 (en) * 2002-08-27 2006-12-12 Canon Kabushiki Kaisha Image sensing apparatus and method using radiation
JP4323827B2 (ja) 2003-02-14 2009-09-02 キヤノン株式会社 固体撮像装置及び放射線撮像装置
JP4266656B2 (ja) * 2003-02-14 2009-05-20 キヤノン株式会社 固体撮像装置及び放射線撮像装置
EP1593159B1 (en) * 2003-02-14 2013-05-29 Canon Kabushiki Kaisha Radiation image pickup device
JP4845352B2 (ja) * 2004-06-15 2011-12-28 キヤノン株式会社 放射線撮像装置、その製造方法及び放射線撮像システム
US7557355B2 (en) 2004-09-30 2009-07-07 Canon Kabushiki Kaisha Image pickup apparatus and radiation image pickup apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
US7465933B2 (en) 2008-12-16
US7205547B2 (en) 2007-04-17
JP2006004998A (ja) 2006-01-05
US20080099688A1 (en) 2008-05-01
US20050274991A1 (en) 2005-12-15
US7381965B2 (en) 2008-06-03
US20070145285A1 (en) 2007-06-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4845352B2 (ja) 放射線撮像装置、その製造方法及び放射線撮像システム
JP5043373B2 (ja) 変換装置、放射線検出装置、及び放射線検出システム
JP5043374B2 (ja) 変換装置、放射線検出装置、及び放射線検出システム
US8067743B2 (en) Imaging apparatus and radiation imaging apparatus
JP5142943B2 (ja) 放射線検出装置の製造方法、放射線検出装置及び放射線撮像システム
US7655920B2 (en) Conversion apparatus, radiation detection apparatus, and radiation detection system
JP2009043826A (ja) 撮像装置及び放射線撮像システム
JP2005116543A (ja) 撮像装置とその製造方法、放射線撮像装置及び放射線撮像システム
JP2004303925A (ja) 撮像用基板
CN100539171C (zh) 转换设备、放射检测设备和放射检测系统
JP2006186031A (ja) 光電変換装置及び放射線撮像装置
CN100565894C (zh) 转换设备，放射线检测设备和放射线检测系统
JP2007184407A (ja) 電磁波検出装置及び放射線撮像システム
JP2007103577A (ja) 電磁波検出装置及び放射線撮像システム
JP2005136330A (ja) 撮像装置及び放射線撮像システム
JP2003347534A (ja) 放射線検出装置及びその製造方法
JP2007281690A (ja) 電磁波検出装置及び放射線撮像システム

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070613

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070613

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20080207

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20090326

RD05 Notification of revocation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425

Effective date: 20090427

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100528

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100604

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100802

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20111003

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20111011

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141021

Year of fee payment: 3

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 4845352

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141021

Year of fee payment: 3

EXPY Cancellation because of completion of term