JP4721901B2 - 酸化インジウム−酸化錫粉末及びそれを用いたスパッタリングターゲット - Google Patents
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Description
本発明の第7の態様は、第1〜6の何れかの態様において、比表面積(BET)が1〜15m2/gであることを特徴とする酸化インジウム−酸化錫粉末にある。
[図2]本発明の実施例1のITO粉末のX線回折の結果を示す図である。
[図3]本発明の実施例2のITO粉末のX線回折の結果を示す図である。
[図4]本発明の比較例1のITO粉末のX線回折の結果を示す図である。
[図5]本発明の比較例2のITO粉末のX線回折の結果を示す図である。
[図6]本発明の比較例3のITO粉末のX線回折の結果を示す図である。
[図7]本発明の実施例3のITO粉末のX線回折の結果を示す図である。
[図8]本発明の比較例4のITO粉末のX線回折の結果を示す図である。
[図9]本発明の試験例4の結果を示す図である。
In−Sn合金(Sn9.6wt%)のアトマイズ粉末(平均粒径45μm)を、アセチレン炎に導入してITO(In2O3:SnO2=90:10wt%)粉末を乾式合成し、これをバグフィルターにより乾式回収し、実施例1のITO粉末とした。
実施例1と同様にしてアセチレン炎より乾式合成したITO粉末を、スプレー水により湿式回収し、これを実施例2のITO粉末とした。
湿式合成された酸化インジウム粉末を1000℃で仮焼した酸化インジウム粉末90質量%と、同様に湿式合成された酸化錫を1000℃で仮焼した酸化錫粉末10質量%とを乳鉢で混合したものを比較例1とし、標準品1とした。
共沈法により湿式合成されたITO粉末を比較例2のITO粉末とした。
湿式合成された酸化インジウム粉末と酸化錫粉末との混合物(酸化錫10wt%)の粉末を用いて1550℃以上で焼結した焼結体を粉砕したものを比較例3のITO粉末とした。
各実施例1,2及び各比較例1〜3のITO粉末について、SnO2固溶量を求めた。手順は以下の通りである。なお、試験の実施に先駆けて、実施例1,2及び比較例2,3のITO粉末については、1000℃×3時間、大気中で仮焼して、微小粒子として析出しているSnO2を成長させてSnO2として検出され易いようにした。
1.まず、誘導結合高周波プラズマ分光分析(ICP分光分析)した。この結果より、In、Sn以外は全て酸素Oであるとし、そのOの量は欠損している可能性があると仮定して、InとSnとの比を求め、このIn及びSnの全てがIn2O3、SnO2になったとしたときの重量比を算出した。
2.各実施例1,2及び各比較例1〜3のITO粉末について、粉末X線回折(XRD:(株)マックサイエンス社製、MXP18II)による分析を行い、SnO2析出量を求めた。すなわち、回折結果から、間化合物(In4Sn3O12)の有無を確認し、間化合物が検出されない場合には、比較例1の標準品1として各試料のIn2O3(222)積分回折強度及びSnO2(110)積分回折強度の比からSnO2の析出量(質量%)を求めた。すなわち、SnO2の析出量(質量%)は、X線回折の積分回折強度比から求められるSnO2の含有量であり、In2O3に固溶していないSnO2が1000℃程度の仮焼により成長してX線回折のSnO2(110)のピークとなると仮定している。X線回折の結果を図2〜図6に示す。
3.1及び2の結果から、ICP分析で検出されたが、X線回折ではSnO2(110)とは検出されないSnO2を、In2O3中のSnO2固溶量とした。
In−Sn合金(Sn9.6wt%)のアトマイズ粉末(平均粒径45μm)を、DCプラズマ炎に導入してITO(In2O3:SnO2=90:10wt%)粉末を乾式合成し、これをスプレー水により湿式回収し、実施例3のITO粉末とした。
比較例1と同様に、湿式合成された酸化インジウム粉末を1000℃で仮焼した酸化インジウム粉末90質量%と、同様に湿式合成された酸化錫を1000℃で仮焼した酸化錫粉末10質量%とを乳鉢で混合したものを比較例4とし、標準品2とした。
実施例3及び各比較例4のITO粉末について、試験例1と同様にSnO2固溶量を求めた。なお、粉末X線回折(XRD)はスペクトリス((株))社製のX’PertPRO MPDを用いて分析した。これらの結果を表2に示す。また、X線回折の結果を図7及び図8に示す。
実施例2と同様にして合成し、1100℃で仮焼したITO粉末(比表面積2.97m2/g)をドライボールミルで解砕後、コールドプレスした。この成形体の脱脂後の相対密度は、理論密度7.15の53.5%であった。
実施例1と同様にして合成し、1000℃で仮焼したITO粉末をドライボールミルで解砕し(このときの比表面積7.7m2/g)、これをさらにウェットボールミルにより解砕してスラリーとし、このスラリーを濾過式成形型に注入し、フィルター面側からのみスラリー中の水分を減圧排水して成形体を製作し、得られたセラミックス成形体を乾燥脱脂した。この成形体の脱脂後の相対密度は、理論密度7.15の64.9%であった。
実施例2と同様にして合成し、1050℃で仮焼したITO粉末(比表面積4.02m2/g)を、ドライボールミル及びウェットボールミルにより解砕してスラリーとし、このスラリーを濾過式成形型に注入し、フィルター面側からのみスラリー中の水分を減圧排水して成形体を製作し、得られたセラミックス成形体を乾燥脱脂した。この成形体の脱脂後の相対密度は、理論密度7.15の65.0%であった。
(製造例4)
実施例3と同様に合成し、1100℃で仮焼したITO粉末(比表面積2.5m2/g)を、ドライボールミル及びウェットボールミルにより解砕してスラリーとし、このスラリーを濾過式成形型に注入し、フィルター面側からのみスラリー中の水分を減圧排水して成形体を製作し、得られたセラミックス成形体を乾燥脱脂した。この成形体の脱脂後の相対密度は、理論密度7.15の64.9%であった。
比較例1と同様に湿式合成された酸化インジウム粉末を1095℃で仮焼した酸化インジウム粉末90質量%と、同様に湿式合成された酸化錫を1050℃で仮焼した酸化錫粉末10質量%とをドライボールミルで混合、解砕し(このときの比表面積は4.99m2/g)、これをコールドプレスした。脱脂後の相対密度は、理論密度7.15の59.5%であった。
比較例1と同様に湿式合成された酸化インジウム粉末を1095℃で仮焼した酸化インジウム粉末90質量%と、同様に湿式合成された酸化錫を1050℃で仮焼した酸化錫粉末10質量%との混合物をドライボールミルで混合、解砕し(このときの比表面積は4.99m2/g)、これをさらにウェットボールミルで混合、解砕してスラリーとし、このスラリーを濾過式成形型に注入し、フィルター面側からのみスラリー中の水分を減圧排水して成形体を製作し、得られたセラミックス成形体を乾燥脱脂した。この成形体の脱脂後の相対密度は、理論密度7.15の67.7%であった。
各製造例及び各比較製造例において、焼結性について比較した。この結果を表3に示す。なお、焼結性は成形体の相対密度に対する焼結体の相対密度の倍率を示す。
製造例2〜4及び比較製造例2のスパッタリングターゲットを用いてアーキング特性を測定した。すなわち、以下のような条件にてDCマグネトロンスパッタによって連続スパッタリングし、50Countsライフを測定した。ここで、50Countsライフは、各ターゲット使用開始時から投入電力量10Wh/cm2まで初期アーク回数を除き、累積アーキング回数が50回となったときの投入電力量(Wh/cm2)をいう。なお、アーキングの検出は、ランドマークテクノロジー社製のアーク検出装置(MAM Genesis)により行った。結果は下記表4及び図9に示す。
ターゲット寸法 :直径6inch、厚さ6mm
スパッタ方式 :DCマグネトロンスパッタ
排気装置 :ロータリーポンプ+クライオポンプ
到達真空度 :3.0×10−7[Torr]
Ar圧力 :3.0×10−3[Torr]
酸素分圧 :3.0×10−5[Torr]
スパッタ電力 :300W(電力密度1.6W/cm2)
Claims (8)
- In−Sn酸化物を主成分とする酸化インジウム−酸化錫粉末であって、X線回折で間化合物In4Sn3O12が検出されず、In2O3(222)積分回折強度及びSnO2(110)積分回折強度の比及びICP分析によるIn、Snの元素濃度から求められるIn2O3及びSnO2の比とからICP分析では検出されるがX線回折では検出されないSnO2として算出される、In2O3中のSnO2固溶量が2.3質量%以上であることを特徴とする酸化インジウム−酸化錫粉末。
- 請求項1において、In2O3中のSnO2固溶量が2.4質量%以上であることを特徴とする酸化インジウム−酸化錫粉末。
- 請求項1又は2において、錫含有量がSnO2換算で2.3〜45質量%であることを特徴とする酸化インジウム−酸化錫粉末。
- 請求項1〜3の何れかにおいて、インジウム−錫合金を液流、液滴又は粉末として、又はITO粉末を、酸化雰囲気可能な熱源中に供給し、生成した微粒子を流体により捕獲して回収することにより得たものであることを特徴とする酸化インジウム−酸化錫粉末。
- 請求項4において、前記流体が霧状の液状流体であることを特徴とする酸化インジウム−酸化錫粉末。
- 請求項4又は5において、前記生成した微粒子の前記流体により捕獲する際の最大速度が、150m/sec以下であることを特徴とする酸化インジウム−酸化錫粉末。
- 請求項1〜6の何れかにおいて、比表面積(BET)が1〜15m2/gであることを特徴とする酸化インジウム−酸化錫粉末。
- 請求項1〜7の何れかの酸化インジウム−酸化錫粉末を焼結してなることを特徴とするスパッタリングターゲット。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102367568A (zh) * | 2011-10-20 | 2012-03-07 | 宁波江丰电子材料有限公司 | 高纯钽靶材制备方法 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007008752A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 酸化インジウム−酸化錫粉末及びそれを用いたスパッタリングターゲット並びに酸化インジウム−酸化錫粉末の製造方法 |
KR101080527B1 (ko) * | 2005-09-20 | 2011-11-04 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 스퍼터링 타겟, 투명 도전막 및 투명 전극 |
WO2007034749A1 (ja) * | 2005-09-22 | 2007-03-29 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 酸化物材料、及びスパッタリングターゲット |
CA2787584A1 (en) * | 2012-08-22 | 2014-02-22 | Hy-Power Nano Inc. | Method for continuous preparation of indium-tin coprecipitates and indium-tin-oxide nanopowders with substantially homogeneous indium/tin composition, controllable shape and particle size |
CN104668569A (zh) * | 2015-02-13 | 2015-06-03 | 江永斌 | 一种高纯超细金属粉末的冷却方法 |
CN111116194B (zh) * | 2019-12-19 | 2022-03-25 | 广西晶联光电材料有限责任公司 | 一种超高密度细晶ito靶材的生产方法 |
CN112479682A (zh) * | 2020-12-15 | 2021-03-12 | 株洲火炬安泰新材料有限公司 | 一种环保高效ito靶材的制备方法 |
CN116496081A (zh) * | 2023-04-17 | 2023-07-28 | 湘潭大学 | 一种铟锡氧三元化合物靶材及其制备方法和应用 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6221751A (ja) * | 1985-07-22 | 1987-01-30 | 昭和電工株式会社 | In↓2O↓3−SnO↓2焼結体及びその製造法 |
JPH0826141A (ja) * | 1994-07-19 | 1996-01-30 | Mitsubishi Motors Corp | リッドの開閉ハンドル |
JPH08246142A (ja) * | 1995-03-03 | 1996-09-24 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化物焼結体 |
JPH08246140A (ja) * | 1995-03-03 | 1996-09-24 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化物焼結体 |
JPH08246141A (ja) * | 1995-03-03 | 1996-09-24 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化物焼結体 |
JPH1111946A (ja) * | 1997-05-23 | 1999-01-19 | Wc Heraeus Gmbh | 結晶質固溶体粉末の製造方法、インジウム−錫−酸化物の結晶質固溶体粉末、itoスパッタリングターゲット及びito被膜 |
JP2001172018A (ja) * | 1999-12-16 | 2001-06-26 | Sumitomo Chem Co Ltd | 酸化インジウム−酸化錫粉末の製造方法 |
JP2002068744A (ja) * | 2000-08-30 | 2002-03-08 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 酸化錫添加酸化インジウム粉末及びその製造方法 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63199862A (ja) * | 1987-02-17 | 1988-08-18 | Asahi Glass Co Ltd | 錫を含む物理蒸着用酸化インジウム焼結体 |
US5071800A (en) * | 1989-02-28 | 1991-12-10 | Tosoh Corporation | Oxide powder, sintered body, process for preparation thereof and targe composed thereof |
JP3289335B2 (ja) | 1991-08-30 | 2002-06-04 | 東ソー株式会社 | 酸化インジウム粉末及びito焼結体の製造方法 |
JP3324164B2 (ja) | 1992-12-25 | 2002-09-17 | 東ソー株式会社 | 酸化インジウム粉末及びその製造方法並びにito焼結体の製造方法 |
ATE204029T1 (de) * | 1995-08-18 | 2001-08-15 | Heraeus Gmbh W C | Target für die kathodenzerstäubung und verfahren zur herstellung eines solchen targets |
US5866493A (en) * | 1995-11-30 | 1999-02-02 | Korea Academy Of Industrial Technology | Method of manufacturing a sintered body of indium tin oxide |
JP3608316B2 (ja) | 1995-12-06 | 2005-01-12 | 住友化学株式会社 | 酸化インジウム−酸化錫粉末及びその製造方法 |
JP3862385B2 (ja) * | 1996-11-08 | 2006-12-27 | Dowaホールディングス株式会社 | 酸化スズ含有酸化インジウム粉及び焼結体の製造方法 |
JP2972996B2 (ja) * | 1997-12-02 | 1999-11-08 | 三井金属鉱業株式会社 | Ito微粉末及びその製造方法 |
DE19822570C1 (de) * | 1998-05-20 | 1999-07-15 | Heraeus Gmbh W C | Verfahren zum Herstellen eines Indium-Zinn-Oxid-Formkörpers |
US6500225B2 (en) * | 1998-12-03 | 2002-12-31 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Method for producing high density indium-tin-oxide sintered body |
JP4253907B2 (ja) | 1999-03-31 | 2009-04-15 | 住友化学株式会社 | 酸化インジウム−酸化錫粉末の製造方法 |
JP4559581B2 (ja) | 2000-03-22 | 2010-10-06 | 富士チタン工業株式会社 | スズ含有酸化インジウム微粒子粉体およびその製造方法 |
JP4060187B2 (ja) * | 2001-03-28 | 2008-03-12 | 日鉱金属株式会社 | 酸化インジウム中に錫が固溶したito粉末の製造方法及びitoターゲットの製造方法 |
JP4324470B2 (ja) * | 2001-08-02 | 2009-09-02 | 出光興産株式会社 | スパッタリングターゲット、透明導電膜およびそれらの製造法 |
US7115219B2 (en) * | 2002-09-11 | 2006-10-03 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Method of producing Indium Tin Oxide powder |
JP2004123403A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | 結晶性ito分散液の製造方法 |
DE10311645A1 (de) * | 2003-03-14 | 2004-09-23 | Degussa Ag | Nanoskaliges Indium-Zinn-Mischoxidpulver |
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6221751A (ja) * | 1985-07-22 | 1987-01-30 | 昭和電工株式会社 | In↓2O↓3−SnO↓2焼結体及びその製造法 |
JPH0826141A (ja) * | 1994-07-19 | 1996-01-30 | Mitsubishi Motors Corp | リッドの開閉ハンドル |
JPH08246142A (ja) * | 1995-03-03 | 1996-09-24 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化物焼結体 |
JPH08246140A (ja) * | 1995-03-03 | 1996-09-24 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化物焼結体 |
JPH08246141A (ja) * | 1995-03-03 | 1996-09-24 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化物焼結体 |
JPH1111946A (ja) * | 1997-05-23 | 1999-01-19 | Wc Heraeus Gmbh | 結晶質固溶体粉末の製造方法、インジウム−錫−酸化物の結晶質固溶体粉末、itoスパッタリングターゲット及びito被膜 |
JP2001172018A (ja) * | 1999-12-16 | 2001-06-26 | Sumitomo Chem Co Ltd | 酸化インジウム−酸化錫粉末の製造方法 |
JP2002068744A (ja) * | 2000-08-30 | 2002-03-08 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 酸化錫添加酸化インジウム粉末及びその製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102367568A (zh) * | 2011-10-20 | 2012-03-07 | 宁波江丰电子材料有限公司 | 高纯钽靶材制备方法 |
CN102367568B (zh) * | 2011-10-20 | 2014-04-23 | 宁波江丰电子材料有限公司 | 高纯钽靶材制备方法 |
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