CN105480980B - 一种三氯氢硅生产得到的渣浆处理方法和装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种三氯氢硅生产得到的渣浆处理方法和装置，该方法包括以下步骤：将三氯氢硅生产得到的渣浆过滤，所述过滤得到的液态物质为液态氯硅烷，所述过滤得到浓渣浆；所述浓渣浆再经过雾化处理，再过滤得到气态物质，该气态物质冷凝得到液态氯硅烷，所述再过滤得到的固态物质为滤渣。该方法渣浆处理后得到的液态氯硅烷中不含有氯化铝，避免了处理过程使用碱液造成的碱液和氯硅烷的浪费以及产生二次污染，避免了现有技术三氯氢硅生产得到的渣浆处理中水解产生易燃易爆气体的安全隐患，本发明中的处理方法简单，氯硅烷的回收率达到了98％以上，更加完善了多晶硅生产工艺，节能降耗效果可观，且处理成本大大降低。
Description
技术领域
本发明属于多晶硅生产技术领域，具体涉及一种三氯氢硅生产得到的渣浆处理方法和装置。
背景技术
多晶硅生产系统都涉及三氯氢硅生产过程，即直接氯化生产三氯氢硅(硅粉与氯化氢反应)和氢氯化生产三氯氢硅(四氯化硅、氢气和硅粉反应)两种工艺，两种三氯氢硅生产工艺最终均会得到渣浆，渣浆中富含金属氯化物、大量的氯硅烷和固体物质，剩余渣浆由于渣浆中含有大量的氯硅烷，用碱液中和它，不仅造成极大浪费，而且还会会污染环境，而且还会造成极大的浪费，这就涉及到富含金属氯化物的渣浆的处理工序。
现有技术中，三氯氢硅生产得到的渣浆常用的处理方法都是先将渣浆进行高温蒸发，使渣浆中的氯硅烷气化，从而使得渣浆中的氯硅烷与固体物质分离开来，一方面得到了气化的氯硅烷，另一方面得到了浓渣浆，然后将气化的氯硅烷冷凝回收，用碱石灰溶液中和浓渣浆，后压过滤后的得滤渣和废滤液，滤渣和滤液分别进入相应的废渣和废水处理系统。
三氯氢硅生产所用的原料硅粉中[国标GB/T2881-2008中化学用硅：Si-B和Si-C]中含有0.2wt％Al、0.2wt％Fe和0.02～0.03wt％Ca，另外，还有其他微量元素，国标中不作要求。三氯氢硅生产过程中，硅粉中的金属元素在反应器中被氯化为金属氯化物，存在于产品气之中会生成金属氯化物，其中危害最大的当就属三氯化铝，因为三氯化铝具有易升华的物理特性。现有技术中三氯氢硅生产得到的渣浆的处理方法，存在两个问题：一、渣浆中含有大量的氯化铝，渣浆高温蒸发过程中的温度高于氯化铝的升华温度，造成氯化铝的升华，混入到气化的氯硅烷中，而气化的氯硅烷冷凝后会进入后续的分离系统中，例如精馏塔，此时混在气化的氯硅烷中的氯化铝会沉积在精馏塔的内壁上，从而影响精馏塔的传质传热和塔板效率，当然并不仅仅危害精馏塔，还会影响到后续的分离系统中很多设备，例如探测器触头、堵塞采样点、毁坏屏蔽泵轴承等，并对后续工艺中的设备内壁造成腐蚀，这种不起眼的破坏作用会慢慢在整个工艺系统中不断前移，最终影响产品质量。二、用碱液中和浓渣浆，该水解过程会产生易燃易爆气体，该过程不仅用到了大量的碱液，而且中和后会重新产生大量的滤液，滤液属于废水，该废水仍旧需要处理，该过程不仅使用碱液本身属于浪费，而且浓渣浆中仍旧有大量的氯硅烷，使用碱液将浓渣浆中的大量的氯硅烷中和掉，同时造成了氯硅烷的极大的浪费，而且增加了后续处理的工序的复杂程度。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在的上述不足，提供一种三氯氢硅生产得到的渣浆处理方法和装置，该方法渣浆处理后得到的液态氯硅烷中不含有氯化铝，避免了处理过程使用碱液造成的碱液和氯硅烷的浪费以及产生二次污染，避免了现有技术三氯氢硅生产得到的渣浆处理中水解产生易燃易爆气体的安全隐患。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是提供一种三氯氢硅生产得到的渣浆处理方法，包括以下步骤：
将三氯氢硅生产得到的渣浆过滤，所述过滤得到的液态物质为液态氯硅烷，所述过滤得到浓渣浆；所述浓渣浆再经过雾化处理，再过滤得到气态物质，该气态物质冷凝得到液态氯硅烷，所述再过滤得到的固态物质为滤渣。
优选的是，所述的三氯氢硅生产得到的渣浆处理方法，还包括步骤：将所述再过滤得到的气态物质冷凝得到的液态氯硅烷加入到所述过滤得到的浓渣浆中。
优选的是，所述雾化处理的压力为0.35～0.55MPa，所述雾化处理的温度为75℃～90℃。
优选的是，在所述雾化处理和所述再过滤步骤之间，还包括步骤：气化处理。
优选的是，所述气化处理的压力为0.35～0.55MPa，所述气化处理的温度为75℃～90℃。
优选的是，所述的三氯氢硅生产得到的渣浆处理方法，还包括步骤：将所述再过滤得到的气态物质冷凝得到的液态氯硅烷加入到所述气化处理的原料中。
优选的是，在所述气化处理和所述再过滤步骤之间，还包括步骤：旋风分离，进行气固分离得到滤渣和气态物质，该气态物质进行所述再过滤。
本发明还提供一种三氯氢硅生产得到的渣浆处理装置，包括：
过滤器，用于三氯氢硅生产得到的渣浆过滤，所述过滤得到的液态物质为液态氯硅烷，所述过滤得到浓渣浆；
雾化器，与所述过滤器连接，所述雾化器用于所述过滤得到的浓渣浆再经过雾化处理；
布袋分离器，与所述雾化器连接，所述布袋分离器用于再过滤，所述再过滤得到气态物质，所述再过滤得到的固态物质为滤渣；
冷凝器，与所述布袋分离器连接，所述冷凝器用于所述再过滤得到的气态物质冷凝得到液态氯硅烷。
优选的是，所述冷凝器的出料口与所述雾化器的进料口连接，所述冷凝器得到的液态氯硅烷进入到所述雾化器的进料口。
优选的是，所述的三氯氢硅生产得到的渣浆处理装置，还包括气化器，所述气化器的进料口与所述雾化器的出料口连接，所述气化器的出料口与所述布袋分离器的进料口连接，所述气化器用于气化处理。
优选的是，所述的三氯氢硅生产得到的渣浆处理装置，还包括冷凝氯硅烷气化器，所述冷凝器的出料口与所述冷凝氯硅烷气化器的进料口连接，所述冷凝氯硅烷气化器用于将所述冷凝器输出的液态氯硅烷气化成气态的氯硅烷，所述冷凝氯硅烷气化器的出料口与所述气化器的进料口连接。
优选的是，所述的三氯氢硅生产得到的渣浆处理装置，还包括旋风分离器，所述旋风分离器的进料口与所述气化器的出料口连接，所述旋风分离器的第一出料口与所述布袋分离器的进料口连接，所述旋风分离器用于旋风分离，进行气固分离得到颗粒较大的滤渣和含有细小粉尘的气态物质，该含有细小粉尘的气态物质进入所述布袋分离器的进料口进行所述再过滤，所述旋风分离器的第二出料口用于排出旋风分离出的滤渣。
本发明中的三氯氢硅生产得到的渣浆处理方法和装置，该方法渣浆处理后得到的液态氯硅烷中不含有氯化铝，避免了处理过程使用碱液造成的碱液和氯硅烷的浪费以及产生二次污染，避免了现有技术三氯氢硅生产得到的渣浆处理中水解产生易燃易爆气体的安全隐患，本发明中的处理方法简单，氯硅烷的回收率达到了98％以上，更加完善了多晶硅生产工艺，节能降耗效果可观，且处理成本大大降低。
附图说明
图1是本发明实施例2中的三氯氢硅生产得到的渣浆处理装置；
图2是本发明实施例3中的三氯氢硅生产得到的渣浆处理装置。
图中：1-过滤器；11-过滤器的出料口；2-雾化器；21-雾化器的进料口；22-雾化器的出料口；3-布袋分离器；31-布袋分离器的进料口；4-冷凝器；41-冷凝器的出料口；5-三氯氢硅生产得到的渣浆储槽；6-氯硅烷分离提纯系统；7-浓渣浆收集仓；71-浓渣浆收集仓的进料口；72-浓渣浆收集仓的出料口；8-氮气压缩机；9-氮气加热器；10-气化器；101-气化器的进料口；102-气化器的出料口；12-冷凝氯硅烷气化器；121-冷凝氯硅烷气化器的进料口；122-冷凝氯硅烷气化器的出料口；13-旋风分离器；131-旋风分离器的进料口；132-旋风分离器的第一出料口；133-旋风分离器的第二出料口；14-冷凝氯硅烷储罐；141-冷凝氯硅烷储罐的进料口；142-冷凝氯硅烷储罐的出料口；15-滤渣收集仓。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
实施例1
本实施例提供一种三氯氢硅生产得到的渣浆处理方法，包括以下步骤：
将三氯氢硅生产得到的渣浆过滤，所述过滤得到的液态物质为液态氯硅烷，所述过滤得到浓渣浆；所述浓渣浆再经过雾化处理，再过滤得到气态物质，该气态物质冷凝得到液态氯硅烷，所述再过滤得到的固态物质为滤渣。
优选的是，所述的三氯氢硅生产得到的渣浆处理方法，还包括步骤：将所述再过滤得到的气态物质冷凝得到的液态氯硅烷加入到所述过滤得到的浓渣浆中。
优选的是，所述雾化处理的压力为0.35～0.55MPa，所述雾化处理的温度为75℃～90℃。
优选的是，在所述雾化处理和所述再过滤步骤之间，还包括步骤：气化处理。
优选的是，所述雾化处理的压力为0.35～0.55MPa，所述雾化处理的温度为75℃～90℃。
优选的是，所述的三氯氢硅生产得到的渣浆处理方法，还包括步骤：将所述再过滤得到的气态物质冷凝得到的液态氯硅烷加入到所述气化处理的原料中。
优选的是，在所述气化处理和所述再过滤步骤之间，还包括步骤：旋风分离，进行气固分离得到滤渣和气态物质，该气态物质进行所述再过滤。
本实施例中的三氯氢硅生产得到的渣浆处理方法中，在渣浆处理后得到的液态氯硅烷中不含有氯化铝，避免了处理过程使用碱液造成的碱液和氯硅烷的浪费以及产生二次污染，避免了现有技术三氯氢硅生产得到的渣浆处理中水解产生易燃易爆气体的安全隐患，本实施例中的处理方法简单，氯硅烷的回收率达到了98％以上，更加完善了多晶硅生产工艺，节能降耗效果可观，且处理成本大大降低。
实施例2
如图1所示，本实施例还提供一种三氯氢硅生产得到的渣浆处理装置，包括：
过滤器1，用于三氯氢硅生产得到的渣浆过滤，所述过滤得到的液态物质为液态氯硅烷，所述过滤得到浓渣浆。本实施例中具体的，使用过滤器1过滤得到液态物质为液态氯硅烷，该液态氯硅烷进入后续的氯硅烷分离提纯系统6。
雾化器2，与所述过滤器1连接，所述雾化器2用于所述过滤得到的浓渣浆再经过雾化处理。
布袋分离器3，与所述雾化器2连接，所述布袋分离器3用于再过滤，所述再过滤得到气态物质，所述再过滤得到的固态物质为滤渣。
冷凝器4，与所述布袋分离器3连接，所述冷凝器4用于所述再过滤得到的气态物质冷凝得到液态氯硅烷。本实施例中具体的，使用冷凝器4冷凝再过滤得到的气态物质得到液态氯硅烷，该液态氯硅烷进入后续的氯硅烷分离提纯系统6。
本实施例中的三氯氢硅生产得到的渣浆处理装置，在使用该装置进行渣浆处理后得到的液态氯硅烷中不含有氯化铝，避免了处理过程使用碱液造成的碱液和氯硅烷的浪费以及产生二次污染，避免了现有技术三氯氢硅生产得到的渣浆处理中水解产生易燃易爆气体的安全隐患，本实施例中的处理装置结构简单，氯硅烷的回收率达到了98％以上，更加完善了多晶硅生产工艺，节能降耗效果可观，且处理成本大大降低。
实施例3
如图2所示，本实施例还提供一种三氯氢硅生产得到的渣浆处理装置，包括：
三氯氢硅生产得到的渣浆储槽5，用于存储三氯氢硅生产得到的渣浆。
过滤器1，与所述三氯氢硅生产得到的渣浆储槽5连接，用于三氯氢硅生产得到的渣浆过滤，所述过滤得到的液态物质为液态氯硅烷，所述过滤得到浓渣浆。浓渣浆中的固含物浓度50～60wt.％。本实施例中的过滤器1具体为管式过滤器，管式过滤器内有滤布，滤布采用特殊材质编制而成，富有弹性，耐腐蚀，经过该滤布的滤液中固含物颗粒粒径不超过0.5微米，而三氯氢硅生产得到的渣浆中的固含物颗粒物粒径经极光粒径分析仪测试，其粒径均在0.1～1000微米以上，所以使用该管式过滤器可以将三氯氢硅生产得到的渣浆中固含物过滤掉，经过管式过滤器的滤布的液态物质完全为液态的氯硅烷且不含有固含物。本实施例中，通过过滤器1加压过滤分离回收部分液态氯硅烷，并使得三氯氢硅生产得到的渣浆进一步浓缩。来自三氯氢硅生产得到的渣浆储槽5中的渣浆被压入过滤器1，过滤器1内起骨架作用的是过滤器1的多孔管外面包覆有一定弹性的滤布，渣浆中的氯硅烷经过滤布进入多孔管，渣浆中的固体颗粒物在滤布外面形成滤饼，进入多孔管中心的氯硅烷纯净滤液从过滤器1顶部的横向排液管排出，进入后续的氯硅烷分离提纯系统6。随着过滤器1的滤布上沉积的固体颗粒物的不断增厚，液压不断增加，当压力达到设定值时，滤饼通过过滤器1的多孔管内的反吹气经逆向反脉冲反吹作用(每五秒反吹一次)使套在过滤器1的多孔管外面的滤布迅速膨胀，使滤饼破裂而掉落，过滤元件得到净化，又重复过滤动作。
雾化器2，与所述过滤器1连接，所述雾化器2用于所述过滤得到的浓渣浆再经过雾化处理。本实施例中的雾化器2具体为氮气压缩式雾化器，也可以叫射流式雾化器，它是根据文丘里喷射原理，利用压缩氮气通过细小管口形成高速气流，产生的负压带动浓渣浆流体一起喷射到氮气压缩式雾化器的出口前的阻挡物上，在高速撞击下向周围飞溅使得浓渣浆流体变成雾状颗粒从氮气压缩式雾化器的出气管口喷出。本实施例中，所设计的雾化器2的浓渣浆处理量1～2吨/小时；渣浆固含物浓度：10～20wt.％；氮气循环量：30～60Nm3/小时；氮气压力：0.35～0.55MPa；氮气温度：75℃～90℃。进入氮气压缩式雾化器的高压热氮气产生的抽吸作用使浓渣浆进入氮气压缩式雾化器，浓渣浆并与高压热氮气充分混合后呈微米级颗粒状高速喷出，由于热作用是微米级氯硅烷液珠迅速气化，浓渣浆中的固含物微粒表面吸附的氯硅烷液体也迅速气化，从而达到浓渣浆固气分离之目的。用高压热氮气使浓渣浆雾化，使得雾化的浓渣浆中的金属氯化物、微量硅粉等固含物充分干燥和浓渣浆中的氯硅烷充分气化。雾化器2内的雾化处理所用氮气温度为75℃～90℃，所以浓渣浆中的金属氯化物不会升华。
布袋分离器3，与所述雾化器2连接，所述布袋分离器3用于再过滤，所述再过滤得到气态物质，所述再过滤得到的固态物质为滤渣。本实施例中，所设计的布袋分离器3：除尘效率：90～100％；布袋分离器3内的布袋耐热温度≤150℃；过滤风速：0.5～0.8m/s；过滤压差：50～150KPa；经过布袋分离器3分离后的气体中粉尘含量:0.2～1.0kg/Nm3，布袋分离器3内的布袋面积：80～150m2。
冷凝器4，与所述布袋分离器3连接，所述冷凝器4用于所述再过滤得到的气态物质冷凝得到液态氯硅烷。本实施例中具体的，使用冷凝器4冷凝再过滤得到的气态物质得到液态氯硅烷，该液态氯硅烷进入后续的氯硅烷分离提纯系统6。优选的，所述的三氯氢硅生产得到的渣浆处理装置，还包括冷凝氯硅烷储罐14，该冷凝氯硅烷储罐的进料口141与冷凝器4连接，所述冷凝氯硅烷储罐的出料口142与氯硅烷分离提纯系统6连接。
优选的是，所述冷凝器的出料口41与所述雾化器的进料口21连接，所述冷凝器4得到的液态氯硅烷进入到所述雾化器的进料口21。
优选的是，所述的三氯氢硅生产得到的渣浆处理装置，还包括浓渣浆收集仓7，所述浓渣浆收集仓的进料口71与所述过滤器的出料口11连接，所述浓渣浆收集仓的出料口72与所述雾化器的进料口21连接。在一定操作压力和温度下，经过过滤器1后，三氯氢硅生产得到的渣浆中的氯硅烷被部分过滤掉，得到的浓渣浆进入浓渣浆收集仓7中。本实施例中，具体的冷凝器的出料口41与浓渣浆收集仓的进料口71连接，冷凝器4得到的液态氯硅烷先进入到浓渣浆收集仓7中，再进入到雾化器的进料口21。
优选的是，所述的三氯氢硅生产得到的渣浆处理装置，还包括氮气压缩机8、氮气加热器9，所述氮气压缩机8与所述冷凝器4连接，所述氮气压缩机8用于将所述在过滤得到的气态物质进行冷凝后对仍为气态的氮气进行压缩，所述氮气加热器9的一端与所述氮气压缩机8连接，所述氮气加热器9用于加热所述氮气，所述氮气加热器9的另外一端与所述雾化器2连接，所述氮气加热器9用于将加热后的所述氮气输入到雾化器2中。
优选的是，所述的三氯氢硅生产得到的渣浆处理装置，还包括气化器10，所述气化器的进料口101与所述雾化器的出料口22连接，所述气化器的出料口102与所述布袋分离器的进料口31连接，所述气化器10用于气化处理。本实施例中，所设计的气化器10的雾化的浓渣浆处理量1.5～2.5吨/小时；固废物分离量：0.15～3吨/小时；气化器10所用氮气消耗量：20～60Nm3/小时；气化器10所用氮气压力：0.35～0.55MPa；气化器10所用氮气温度：80℃～90℃。所述气化器10内的气化处理所用氮气温度为75℃～90℃，所以雾化的浓渣浆中的金属氯化物不会升华。
优选的是，所述的三氯氢硅生产得到的渣浆处理装置，还包括冷凝氯硅烷气化器12，所述冷凝器的出料口41与所述冷凝氯硅烷气化器的进料口121连接，所述冷凝氯硅烷气化器12用于将所述冷凝器4输出的液态氯硅烷气化成气态的氯硅烷，所述冷凝氯硅烷气化器的出料口122与所述气化器的进料口101连接。经过冷凝器4输出的液态氯硅烷经冷凝氯硅烷气化器12气化成气态的氯硅烷后，输入到气化器10中。本实施例中，输入到气化器10中的气态的氯硅烷的温度为75℃～90℃，进气量为0.15～0.50吨/小时。雾化的氯硅烷渣浆中的氯硅烷部分以雾状存在，并没有完全气化。用冷凝氯硅烷气化器12输入到气化器10内的气态的高温氯硅烷气对雾化的氯硅烷渣浆进行加热，使雾化的氯硅烷渣浆中的固体颗粒物以微粒形式存在进一步被干燥，也使雾化的氯硅烷渣浆中的氯硅烷完全以气态形式存在，从而使雾化的氯硅烷渣浆中的氯硅烷与固含物完全分离。所述气化器10内的气态的氯硅烷的温度为75℃～90℃，所以雾化的浓渣浆中的金属氯化物不会升华。
优选的是，所述的三氯氢硅生产得到的渣浆处理装置，还包括旋风分离器13，所述旋风分离器的进料口131与所述气化器的出料口102连接，所述旋风分离器的第一出料口132与所述布袋分离器的进料口31连接，所述旋风分离器13用于旋风分离，进行气固分离得到滤渣和含粉尘的气态物质，该含粉尘的气态物质进入所述布袋分离器的进料口31进行所述再过滤，所述旋风分离器的第二出料口133用于排出旋风分离出的滤渣。从旋风分离器的第一出料口132排出的气体为粉尘、氮气和氯硅烷气的混合气体，从旋风分离器的第二出料口133排出的固体颗粒物为金属氯化物和少量硅粉的混合物，进入滤渣收集仓15中，从而使浓渣中98wt％以上的固含物被分离出来。本实施例中，所设计的旋风分离器13的气固分离量：滤渣排出量：2.0～4.0吨/小时；旋风分离器13的进出口压力0.3～0.4MPa；旋风分离器13的出口气量：20～60Nm3/小时；旋风分离器13的出口气中的固体粉尘粒径＜0.1μm～100μm；旋风分离器13分离得到气体(氮气、四氯化硅、三氯氢硅)和粉尘(金属氯化物、硅粉)；旋风分离器13内的温度：80℃～90℃；旋风分离器13的分离效率：90～95％。
从旋风分离器的第一出料口132排出物料中含有60～70vol.％氯硅烷气和30～40vol.％氮气的混合气体及微量固体颗粒粉尘物，再经布袋分离器3进一步过滤，微量的固体颗粒物被分离留在了布袋分离器3的布袋上，离开布袋分离器3的氯硅烷气和氮气混合气体经冷凝器4冷凝。未冷凝的氮气经氮气压缩机8压缩进一步被利用，再经氮气加热器9加热后进入雾化器2中用于加热雾化浓渣浆。离开布袋分离器3的氯硅烷气被冷凝，一部分冷凝的氯硅烷进入后续的氯硅烷分离提纯系统6，另一部分冷凝的氯硅烷再进入到浓渣浆收集仓7用于调节浓渣浆收集仓7中的浓渣浆的浓度，从而使得浓渣浆的浓度在预设的浓度范围内。
本实施例中的三氯氢硅生产得到的渣浆处理装置，在使用该装置进行渣浆处理后得到的液态氯硅烷中不含有氯化铝，避免了处理过程使用碱液造成的碱液和氯硅烷的浪费以及产生二次污染，避免了现有技术三氯氢硅生产得到的渣浆处理中水解产生易燃易爆气体的安全隐患，本实施例中的处理装置简单，氯硅烷的回收率达到了98％以上，更加完善了多晶硅生产工艺，节能降耗效果可观，且处理成本大大降低。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (11)
1.一种三氯氢硅生产得到的渣浆处理方法，其特征在于，包括以下步骤：
将三氯氢硅生产得到的渣浆过滤，所述过滤得到的液态物质为液态氯硅烷，所述过滤得到浓渣浆；所述浓渣浆再经过雾化处理，使得雾化的浓渣浆中的氯硅烷充分气化和其他的固含物充分干燥，再过滤得到气态物质，该气态物质冷凝得到液态氯硅烷，所述再过滤得到的固态物质为滤渣；
所述雾化处理的压力为0.35～0.55MPa，所述雾化处理的温度为75℃～90℃。
2.根据权利要求1所述的三氯氢硅生产得到的渣浆处理方法，其特征在于，还包括步骤：将所述再过滤得到的气态物质冷凝得到的液态氯硅烷加入到所述过滤得到的浓渣浆中。
3.根据权利要求1所述的三氯氢硅生产得到的渣浆处理方法，其特征在于，在所述雾化处理和所述再过滤步骤之间，还包括步骤：气化处理。
4.根据权利要求3所述的三氯氢硅生产得到的渣浆处理方法，其特征在于，所述气化处理的压力为0.35～0.55MPa，所述气化处理的温度为75℃～90℃。
5.根据权利要求3所述的三氯氢硅生产得到的渣浆处理方法，其特征在于，还包括步骤：将所述再过滤得到的气态物质冷凝得到的液态氯硅烷加入到所述气化处理的原料中。
6.根据权利要求3所述的三氯氢硅生产得到的渣浆处理方法，其特征在于，在所述气化处理和所述再过滤步骤之间，还包括步骤：旋风分离，进行气固分离得到滤渣和气态物质，该气态物质进行所述再过滤。
7.一种三氯氢硅生产得到的渣浆处理装置，其特征在于，包括：
过滤器，用于三氯氢硅生产得到的渣浆过滤，所述过滤得到的液态物质为液态氯硅烷，所述过滤得到浓渣浆；
雾化器，与所述过滤器连接，所述雾化器用于所述过滤得到的浓渣浆再经过雾化处理，使得雾化的浓渣浆中的氯硅烷充分气化和其他的固含物充分干燥；
布袋分离器，与所述雾化器连接，所述布袋分离器用于再过滤，所述再过滤得到气态物质，所述再过滤得到的固态物质为滤渣；
冷凝器，与所述布袋分离器连接，所述冷凝器用于所述再过滤得到的气态物质冷凝得到液态氯硅烷。
8.根据权利要求7所述的三氯氢硅生产得到的渣浆处理装置，其特征在于，所述冷凝器的出料口与所述雾化器的进料口连接，所述冷凝器得到的液态氯硅烷进入到所述雾化器的进料口。
9.根据权利要求7所述的三氯氢硅生产得到的渣浆处理装置，其特征在于，还包括气化器，所述气化器的进料口与所述雾化器的出料口连接，所述气化器的出料口与所述布袋分离器的进料口连接，所述气化器用于气化处理。
10.根据权利要求9所述的三氯氢硅生产得到的渣浆处理装置，其特征在于，还包括冷凝氯硅烷气化器，所述冷凝器的出料口与所述冷凝氯硅烷气化器的进料口连接，所述冷凝氯硅烷气化器用于将所述冷凝器输出的液态氯硅烷气化成气态的氯硅烷，所述冷凝氯硅烷气化器的出料口与所述气化器的进料口连接。
11.根据权利要求9所述的三氯氢硅生产得到的渣浆处理装置，其特征在于，还包括旋风分离器，所述旋风分离器的进料口与所述气化器的出料口连接，所述旋风分离器的第一出料口与所述布袋分离器的进料口连接，所述旋风分离器用于旋风分离，进行气固分离得到滤渣和气态物质，该气态物质进入所述布袋分离器的进料口进行所述再过滤，所述旋风分离器的第二出料口用于排出旋风分离出的滤渣。
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| CN201410475472.2A CN105480980B (zh) | 2014-09-17 | 2014-09-17 | 一种三氯氢硅生产得到的渣浆处理方法和装置 |
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