JP4711658B2 - 微細なパターンを有する半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
イオン注入により、ゲート電極パターンG1、G2間にソース/ドレイン接合領域を形成する場合、通常ゲート電極パターンG1、G2間の基板50に、不純物イオンが調整されて注入されるようにする。その後、ゲート電極パターンG1、G2の側壁にスペーサを形成し、再びイオン注入を行ってLDD構造となるようにする。なお、ここでは説明を簡単にするために、LDD構造及びスペーサの形成に関する説明を省略する。
層間絶縁膜56に酸化物系の物質を利用する場合には、BSG、BPSG、PSG、TEOS、HDPなどの酸化物又はSOGなどが適している。酸化物系以外にも、無機系又は有機系の低誘電率物質を利用することができる。
なお、エッチング停止膜55の除去後に残留するハードマスク57Aは、コンタクトホール61の底面におけるCD(Critical Design)を確保するために行う湿式洗浄処理で問題を起こす原因になる。
図6を参照すると、複数のゲート電極パターンG1〜G4が一定間隔に配置されており、ゲート電極パターンG1〜G4と交差する方向にLPC形成用の線状のマスクパターンP1〜P4が配置されている。マスクパターンP1〜P4は、層間絶縁膜とハードマスクとが積層された構造である。マスクパターンP1〜P4を利用したSACエッチング及びそれに続くエッチング停止膜のエッチングを行うことによって、ゲート電極パターンG1〜G4の間に複数のコンタクトホールが形成される。コンタクトホールのうち、符号SNCは、比較的小さなサイズのコンタクトホールであり、ストレージノードコンタクト形成用のコンタクトホールを示し、符号BLCは、コンタクトホールSNCに比べて比較的大きなサイズのコンタクトホールであり、ビットラインコンタクト形成用のコンタクトホールを示している。
ハードマスクのリフティング現象は、特にメモリ素子の場合、周辺回路領域でハードマスクを残留させる処理を行う場合に、さらに頻繁に発生する。
このリフティングに関する問題は、パターンのサイズとも密接な関係があり、接触面積が小さいほど発生しやすい。したがって、デザインルール80nm以下の素子の製造においては、さらに深刻な問題となる。
71 ゲート絶縁膜
72 ゲート導電膜
73 ゲートハードマスク
74 不純物拡散領域
75、75a エッチング停止膜
76 層間絶縁膜
83 プラグ
Claims (12)
- セル領域と周辺回路領域とを備える基板上に、ゲート導電膜及び窒化物系のゲートハードマスクが積層された、隣接する複数のゲート電極パターンを形成するステップと、
前記ゲート電極パターンの形状に沿って、エッチング停止膜を形成するステップと、
該エッチング停止膜が形成された基板全面に、酸化物系の層間絶縁膜を形成するステップと、
前記ゲートハードマスクの上部が露出するまで前記層間絶縁膜と前記エッチング停止膜とを除去することにより、前記ゲート電極パターン及び前記層間絶縁膜を平坦化するステップと、
平坦化された前記ゲート電極パターン及び前記層間絶縁膜上に、ハードマスク用窒化膜を形成するステップと、
該ハードマスク用窒化膜上に、反射防止膜を形成するステップと、
該反射防止膜上に、ArF露光源を利用したフォトリソグラフィ法により、フォトレジストパターンを形成するステップと、
該フォトレジストパターンをエッチングマスクとして、前記反射防止膜と前記ハードマスク用窒化膜とを選択的にエッチングすることにより、ハードマスクを形成するステップと、
前記フォトレジストパターン及び前記反射防止膜を除去するステップと、
前記ハードマスクをエッチングマスクとして、前記隣接する複数のゲート電極パターン間に位置する前記層間絶縁膜をエッチングすることにより、前記エッチング停止膜を露出させたコンタクトホールを形成するステップと、
前記コンタクトホールの底面の前記エッチング停止膜を除去することにより、前記基板を露出させるステップと、
前記コンタクトホールの内部を洗浄するステップと
を含み、
前記フォトレジストパターンをマスクとして利用したエッチング、及び前記ハードマスクをマスクとして利用したエッチングにより、前記コンタクトホールに面した位置の前記ゲートハードマスクの一部を除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記ゲート電極パターン及び前記層間絶縁膜を平坦化するステップにおいて、
化学的機械研磨により、前記ゲートハードマスクを、厚さ約100Å以下の範囲まで除去することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記コンタクトホールを形成するステップを、自己整合コンタクト(SAC)エッチング法を利用して実施することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ゲートハードマスクを、前記自己整合コンタクトのエッチングにおける前記ハードマスクの除去厚さと、前記エッチング停止膜を除去するステップにおける前記ゲートハードマスクの除去厚さとの合計値より厚く形成することを特徴とする請求項3に記載半導体装置の製造方法。
- 前記自己整合コンタクトのエッチングに、C4F6又はC5F8ガスを利用することを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記エッチング停止膜を除去するステップにおいて、ブランケットエッチングを利用することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ハードマスク用窒化膜を、前記コンタクトホールを形成するステップにおける前記ハードマスク用窒化膜の除去厚さと、前記エッチング停止膜を除去するステップにおける前記ハードマスク用窒化膜の除去厚さとの合計値、又は該合計値より厚く形成することを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記エッチング停止膜を除去するステップにおいて、セルオープンマスクを利用して前記セル領域における前記エッチング停止膜を除去することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記コンタクトホールの内部を洗浄するステップの後、
前記基板の露出部に電気的に接続したプラグを形成するステップをさらに含み、
前記プラグを形成するステップが、
前記基板の露出部に電気的に接続したプラグ形成用物質を形成するステップと、
前記プラグ形成用物質の一部をエッチバックして除去することにより、前記セル領域と前記周辺回路領域との段差を低減するステップと、
前記ゲートハードマスクの上部が露出するまで、前記プラグ形成用物質を研摩することにより、隔離されたプラグを形成するステップと
を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記プラグ形成用物質を形成するステップを、
前記基板全面に前記プラグ形成用物質を形成する方法、又は選択的エピタキシャル成長により、前記基板の露出部に前記プラグ形成用物質を成長させる方法を利用して行うことを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記フォトレジストパターンが、ラインタイプ又はホールタイプを含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記フォトレジストパターンを形成するステップの後、
第1及び第2チャンバを含むエッチング装置に、前記フォトレジストパターンが形成された基板を装入するステップをさらに含み、
前記第1チャンバで、前記ハードマスクを形成するステップと、前記フォトレジストパターン及び前記反射防止膜を除去するステップとを実施し、
前記第2チャンバで、前記コンタクトホールを形成するステップと、前記エッチング停止膜を除去するステップとを実施することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
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