JP5289863B2 - アモルファスカーボンナイトライド膜の形成方法、多層レジスト膜、半導体装置の製造方法および制御プログラムが記憶された記憶媒体 - Google Patents
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- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 title claims description 109
- JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N oxalonitrile Chemical compound N#CC#N JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 92
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 44
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 290
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 75
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 56
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 53
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 claims description 37
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 23
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 14
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 12
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 10
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 5
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 102100022717 Atypical chemokine receptor 1 Human genes 0.000 description 2
- 101000678879 Homo sapiens Atypical chemokine receptor 1 Proteins 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 2
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
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- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
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- H01L21/0274—Photolithographic processes
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
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- C23C16/347—Carbon nitride
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
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Description
(1)アモルファスカーボン膜中における炭素原子の含有率が高いほどエッチング耐性の向上を図れること
(2)炭素原子の含有率を高めるためには水素原子の含有率を低下させることが不可欠であること
(3)CVD法における炭素を供給するガスとして、炭化水素ガスに代えて、水素原子を分子中に含まない一酸化炭素を使用することにより、水素原子の含有率の極めて低いアモルファスカーボン膜を生成できること
(4)水素原子の含有率の極めて低いアモルファスカーボン膜に、さらに窒素ガスをドーピングすることにより、レジスト膜を露光する際、照射する光がアモルファスカーボン膜で反射する確率を低下させることができること
プラズマCVD装置10は、円筒状の処理容器100を有している。処理容器100は接地されている。処理容器100の内部には、ウエハWを載置するサセプタ105が設けられている。サセプタ105は、支持体110により支持されている。サセプタ105の載置面近傍には下部電極115が埋設され、その下方にはヒータ120が埋設されている。下部電極115には、整合器125を介して高周波電源130が接続されている。必要に応じて、高周波電源130からバイアス用の高周波電力が出力され、下部電極115に印加される。ヒータ120には、ヒータ電源135が接続されており、必要に応じてヒータ電源135から交流電圧が印加され、ウエハWを所望の温度に調整する。サセプタ上部の外縁部にはガイドリング140が設けられ、ウエハWをガイドするようになっている。
次に、プラズマCVD装置10を用いて、本実施形態に係るアモルファスカーボンナイトライド膜を形成する方法について説明する。
次に、半導体装置を製造するために使われるアモルファスカーボンナイトライド膜を含む多層膜の積層構造について、図3を参照しながら説明する。ウエハW上にはエッチング対象膜として、SiC膜305、SiOC膜(Low−k膜)310、SiC膜315、SiO2膜320、SiN膜325が順に積層されている。
次に、上述した積層構造の多層膜に適用する半導体装置の製造方法について、図4〜図8を参照しながら説明する。図4(a)(b)は、フォトリソグラフィーによるArFレジスト膜のパターニングを説明するための図である。図5は、アモルファスカーボン膜及びアモルファスカーボンナイトライド膜の反射率の測定値を示した図である。図6〜図8は、エッチングによる多層膜のパターニングを説明するための図である。
まず、フォトリソグラフィーによるArFレジスト膜のパターニングを説明する。図4(a)に示したように、ArFレジスト膜345は、193nmの波長のArFエキシマレーザを用いてArFレジスト膜345を感光することにより図示しないマスクのパターンを投影する。図4(a)には投影されたパターンの一部としてパターンの境界部分Bが示されている。ArFレジスト膜345の感光部分は図4(b)に示したように除去され、これにより、ArFレジスト膜345のパターニングが完了する。
本実施形態に係るアモルファスカーボンナイトライド膜330は、アモルファスカーボンに窒素原子が混入されている。発明者が鋭意研究した結果、図5に示したように、添加するN原子の量により、アモルファスカーボンナイトライド膜330を反射する193nmの光の反射率が変化することがわかった。
次に、ArFレジスト膜345に形成されたパターンニングをエッチングにより下層膜に転写する工程を説明する。図3に示した状態のArFレジスト膜345をエッチングマスクとして、プラズマCVD装置10を用いて、反射防止膜340及び酸化シリコン膜335をプラズマによりエッチングする。その結果、図6に示したように、酸化シリコン膜335にArFレジスト膜345のパターンが転写される。ArFレジスト膜345はエッチング耐性が低いため、本工程中にArFレジスト膜345は消失してしまう。また、反射防止膜340もエッチングされて薄くなっている。
前述したアモルファスカーボンナイトライド膜のプラズマ耐性について、発明者が行った実験を以下に述べる。プロセス条件としては、アモルファスカーボンナイトライド膜の成膜時とほぼ同様であり、処理容器内を20mTorrの減圧状態に維持し、上部ウォール、下部ウォール、サセプタ105の温度がそれぞれ60℃、50℃、40℃になるように処理容器内の温度を調整した。シャワーヘッド(上部電極)150には、高周波電源175から出力された4.0W/cm2の高周波電力を「15秒」印加した。バイアス用の高周波電力は印加しなかった。シャワーヘッド150とサセプタ105との間のギャップは30cmであった。
(a)ウエハ上にエッチング対象膜を形成する工程
(b)処理容器内に一酸化炭素ガス及び窒素ガスを含む処理ガスを供給する工程
(c)処理容器内で一酸化炭素ガス及び窒素ガスを分解してウエハ上にアモルファスカーボンナイトライド膜330を成膜する工程
(d)アモルファスカーボンナイトライド膜330の上に酸化シリコン膜335を形成する工程
(e)酸化シリコン膜335の上にArFレジスト膜345を形成する工程
(f)ArFレジスト膜345をパターニングする工程
(g)ArFレジスト膜345をエッチングマスクとして酸化シリコン膜335をエッチングする工程
(h)酸化シリコン膜335をエッチングマスクとしてアモルファスカーボンナイトライド膜330をエッチングしてArFレジスト膜345のパターンを転写する工程
(i)アモルファスカーボンナイトライド膜330をエッチングマスクとしてエッチング対象膜をエッチングする工程
105 サセプタ
115 下部電極
130 高周波電源
150 シャワーヘッド
155 ガス供給源
175 高周波電源
200 制御装置
330 アモルファスカーボンナイトライド膜
335 酸化シリコン膜
340 反射防止膜
345 ArFレジスト膜
Claims (9)
- フォトリソグラフィー技術に用いられるArFレジスト膜の下に形成されるアモルファスカーボンナイトライド膜の形成方法であって、
処理容器の内部に被処理体を配置する工程と、
前記処理容器の内部に一酸化炭素ガス及び窒素ガスを含む処理ガスを供給する工程と、
プラズマCVD装置を用いて前記処理容器の内部にて一酸化炭素ガス及び窒素ガスを分解して被処理体上にアモルファスカーボンナイトライド膜を成膜する工程と、を有するアモルファスカーボンナイトライド膜の形成方法。 - 前記アモルファスカーボンナイトライド膜中の窒素原子の含有率は、同膜中に含有される炭素原子の10%以下である請求項1に記載されたアモルファスカーボンナイトライド膜の形成方法。
- 前記プラズマCVD装置は、前記処理容器の内部に上部電極および下部電極が配設された平行平板型であり、前記下部電極上に被処理体が配置された状態で、少なくとも前記上部電極に高周波電力を印加して前記処理ガスからプラズマを生成する請求項1または請求項2のいずれかに記載されたアモルファスカーボンナイトライド膜の形成方法。
- 前記下部電極にバイアス用の高周波電力を印加する請求項3に記載されたアモルファスカーボンナイトライド膜の形成方法。
- 前記上部電極は炭素電極である請求項3または請求項4のいずれかに記載されたアモルファスカーボンナイトライド膜の形成方法。
- 前記処理ガスは、不活性ガスを含むことを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載されたアモルファスカーボンナイトライド膜の形成方法。
- 処理容器の内部に一酸化炭素ガス及び窒素ガスを含む処理ガスを供給し、プラズマCVD装置を用いて前記処理容器の内部にて一酸化炭素ガス及び窒素ガスを分解することにより、エッチング対象膜上に形成されたアモルファスカーボンナイトライド膜と、
前記アモルファスカーボンナイトライド膜上に形成されたシリコン系薄膜と、
前記シリコン系薄膜上に形成された、フォトリソグラフィー技術に用いられるArFレジスト膜を含む多層レジスト膜。 - 被処理体上にエッチング対象膜を形成する工程と、
処理容器の内部に一酸化炭素ガス及び窒素ガスを含む処理ガスを供給する工程と、
プラズマCVD装置を用いて前記処理容器の内部にて一酸化炭素ガス及び窒素ガスを分解して被処理体上にアモルファスカーボンナイトライド膜を成膜する工程と、
前記アモルファスカーボンナイトライド膜上にシリコン系薄膜を形成する工程と、
前記シリコン系薄膜上にArFレジスト膜を形成する工程と、
前記ArFレジスト膜をパターニングする工程と、
前記ArFレジスト膜をエッチングマスクとして前記シリコン系薄膜をエッチングする工程と、
前記シリコン系薄膜をエッチングマスクとして前記アモルファスカーボンナイトライド膜をエッチングする工程と、
前記アモルファスカーボンナイトライド膜をエッチングマスクとして前記エッチング対象膜をエッチングする工程と、を有する半導体装置の製造方法。 - コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、
前記制御プログラムは、請求項1〜6のいずれかに記載された方法が実行されるように、前記コンピュータにアモルファスカーボンナイトライド膜を形成するための成膜装置を制御させる記憶媒体。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008219359A JP5289863B2 (ja) | 2008-08-28 | 2008-08-28 | アモルファスカーボンナイトライド膜の形成方法、多層レジスト膜、半導体装置の製造方法および制御プログラムが記憶された記憶媒体 |
PCT/JP2009/061907 WO2010024037A1 (ja) | 2008-08-28 | 2009-06-30 | アモルファスカーボンナイトライド膜の形成方法、アモルファスカーボンナイトライド膜、多層レジスト膜、半導体装置の製造方法および制御プログラムが記憶された記憶媒体 |
CN2009801306647A CN102112651B (zh) | 2008-08-28 | 2009-06-30 | 无定形碳氮膜的形成方法、无定形碳氮膜、多层抗蚀剂膜、半导体装置的制造方法 |
KR1020117000272A KR101194192B1 (ko) | 2008-08-28 | 2009-06-30 | 어모퍼스 카본 나이트라이드막의 형성 방법, 어모퍼스 카본 나이트라이드막, 다층 레지스트막, 반도체 장치의 제조 방법 및 제어 프로그램이 기억된 기억 매체 |
US13/060,821 US8741396B2 (en) | 2008-08-28 | 2009-06-30 | Method for forming amorphous carbon nitride film, amorphous carbon nitride film, multilayer resist film, method for manufacturing semiconductor device, and storage medium in which control program is stored |
TW098128747A TWI452630B (zh) | 2008-08-28 | 2009-08-27 | A method for forming an amorphous carbon-nitrogen film, an amorphous carbon-nitrogen film, a multilayer photoresist film, a method of manufacturing a semiconductor device, and a memory medium having a memory control program |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008219359A JP5289863B2 (ja) | 2008-08-28 | 2008-08-28 | アモルファスカーボンナイトライド膜の形成方法、多層レジスト膜、半導体装置の製造方法および制御プログラムが記憶された記憶媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010053397A JP2010053397A (ja) | 2010-03-11 |
JP5289863B2 true JP5289863B2 (ja) | 2013-09-11 |
Family
ID=41721211
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008219359A Expired - Fee Related JP5289863B2 (ja) | 2008-08-28 | 2008-08-28 | アモルファスカーボンナイトライド膜の形成方法、多層レジスト膜、半導体装置の製造方法および制御プログラムが記憶された記憶媒体 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8741396B2 (ja) |
JP (1) | JP5289863B2 (ja) |
KR (1) | KR101194192B1 (ja) |
CN (1) | CN102112651B (ja) |
TW (1) | TWI452630B (ja) |
WO (1) | WO2010024037A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5289863B2 (ja) * | 2008-08-28 | 2013-09-11 | 東京エレクトロン株式会社 | アモルファスカーボンナイトライド膜の形成方法、多層レジスト膜、半導体装置の製造方法および制御プログラムが記憶された記憶媒体 |
JP5568340B2 (ja) * | 2010-03-12 | 2014-08-06 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 |
WO2011158703A1 (en) * | 2010-06-18 | 2011-12-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
CN102115878B (zh) * | 2010-11-26 | 2012-09-26 | 中国科学院微电子研究所 | 一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法 |
CN101985744B (zh) * | 2010-11-26 | 2012-07-04 | 中国科学院微电子研究所 | 一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法 |
JP5588856B2 (ja) | 2010-12-27 | 2014-09-10 | 東京エレクトロン株式会社 | カーボン膜上への酸化物膜の成膜方法及び成膜装置 |
DE102013112855A1 (de) * | 2013-11-21 | 2015-05-21 | Aixtron Se | Vorrichtung und Verfahren zum Fertigen von aus Kohlenstoff bestehenden Nanostrukturen |
US9449821B2 (en) * | 2014-07-17 | 2016-09-20 | Macronix International Co., Ltd. | Composite hard mask etching profile for preventing pattern collapse in high-aspect-ratio trenches |
JP2019047119A (ja) * | 2017-09-04 | 2019-03-22 | Tdk株式会社 | 磁気抵抗効果素子、磁気メモリ、および磁気デバイス |
JP6782211B2 (ja) * | 2017-09-08 | 2020-11-11 | 株式会社東芝 | 透明電極、それを用いた素子、および素子の製造方法 |
KR20220012474A (ko) * | 2020-07-22 | 2022-02-04 | 주식회사 원익아이피에스 | 박막 증착 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
EP3945067A1 (en) | 2020-07-27 | 2022-02-02 | Universitat Rovira I Virgili | A method for producing an s-triazine or s-heptazine-based polymeric or oligomeric materials and s-triazine or s-heptazine-based coatings and composites derived therefrom |
Family Cites Families (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4504519A (en) * | 1981-10-21 | 1985-03-12 | Rca Corporation | Diamond-like film and process for producing same |
US6099457A (en) * | 1990-08-13 | 2000-08-08 | Endotech, Inc. | Endocurietherapy |
US5606056A (en) * | 1994-05-24 | 1997-02-25 | Arizona Board Of Regents | Carbon nitride and its synthesis |
CN1138635A (zh) * | 1995-06-16 | 1996-12-25 | 南京大学 | 一种低温镀复金刚石薄膜的方法及设备 |
JP4109356B2 (ja) | 1998-08-20 | 2008-07-02 | 学校法人 龍谷大学 | 結晶質の窒化炭素膜を形成する方法 |
JP2000285437A (ja) | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Hoya Corp | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
JP5121090B2 (ja) | 2000-02-17 | 2013-01-16 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | アモルファスカーボン層の堆積方法 |
US6872503B2 (en) * | 2000-05-05 | 2005-03-29 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Copolymers for photoresists and processes therefor |
US6486082B1 (en) * | 2001-06-18 | 2002-11-26 | Applied Materials, Inc. | CVD plasma assisted lower dielectric constant sicoh film |
US7498066B2 (en) * | 2002-05-08 | 2009-03-03 | Btu International Inc. | Plasma-assisted enhanced coating |
JP3941627B2 (ja) * | 2002-08-07 | 2007-07-04 | 株式会社豊田中央研究所 | 密着層を備える積層体 |
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JP3931229B2 (ja) * | 2002-09-13 | 2007-06-13 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 酸化炭素薄膜および酸化窒化炭素薄膜とこれら酸化炭素系薄膜の製造方法 |
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JP5200371B2 (ja) * | 2006-12-01 | 2013-06-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法、半導体装置及び記憶媒体 |
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SE532721C2 (sv) * | 2007-10-01 | 2010-03-23 | Mircona Ab | Produkt med vibrationsdämpande keramisk beläggning för spånavskiljning vid materialbearbetning samt metod för dess tillverkning |
TW200947670A (en) * | 2008-05-13 | 2009-11-16 | Nanya Technology Corp | Method for fabricating a semiconductor capacitor device |
CN102171384B (zh) * | 2008-05-28 | 2013-12-25 | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 | 碳化硅基抗反射涂层 |
JP5064319B2 (ja) * | 2008-07-04 | 2012-10-31 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
JP5289863B2 (ja) * | 2008-08-28 | 2013-09-11 | 東京エレクトロン株式会社 | アモルファスカーボンナイトライド膜の形成方法、多層レジスト膜、半導体装置の製造方法および制御プログラムが記憶された記憶媒体 |
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JP2012038815A (ja) * | 2010-08-04 | 2012-02-23 | Toshiba Corp | 磁気抵抗素子の製造方法 |
JP5412402B2 (ja) * | 2010-11-02 | 2014-02-12 | 株式会社日立製作所 | 摺動部品およびそれを用いた機械装置 |
-
2008
- 2008-08-28 JP JP2008219359A patent/JP5289863B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-06-30 KR KR1020117000272A patent/KR101194192B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2009-06-30 WO PCT/JP2009/061907 patent/WO2010024037A1/ja active Application Filing
- 2009-06-30 CN CN2009801306647A patent/CN102112651B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-06-30 US US13/060,821 patent/US8741396B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-08-27 TW TW098128747A patent/TWI452630B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI452630B (zh) | 2014-09-11 |
CN102112651B (zh) | 2013-05-22 |
US8741396B2 (en) | 2014-06-03 |
KR20110027759A (ko) | 2011-03-16 |
TW201021121A (en) | 2010-06-01 |
KR101194192B1 (ko) | 2012-10-25 |
US20110201206A1 (en) | 2011-08-18 |
JP2010053397A (ja) | 2010-03-11 |
WO2010024037A1 (ja) | 2010-03-04 |
CN102112651A (zh) | 2011-06-29 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110826 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110912 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130226 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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