JP4684258B2 - 有機電界発光表示装置の製造方法 - Google Patents
有機電界発光表示装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4684258B2 JP4684258B2 JP2007109771A JP2007109771A JP4684258B2 JP 4684258 B2 JP4684258 B2 JP 4684258B2 JP 2007109771 A JP2007109771 A JP 2007109771A JP 2007109771 A JP2007109771 A JP 2007109771A JP 4684258 B2 JP4684258 B2 JP 4684258B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- layer
- light emitting
- display device
- organic light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 82
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 79
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 325
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 89
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 55
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 35
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 30
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 18
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 16
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 14
- 239000002981 blocking agent Substances 0.000 claims description 13
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 12
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 11
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 10
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 10
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 10
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 claims description 9
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 6
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 5
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 3
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 394
- 239000010408 film Substances 0.000 description 84
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 66
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 66
- 239000002585 base Substances 0.000 description 51
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 49
- 230000008569 process Effects 0.000 description 39
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 description 29
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 25
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 13
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 9
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 9
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 6
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 6
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 4
- DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N tetraphosphorus decaoxide Chemical compound O1P(O2)(=O)OP3(=O)OP1(=O)OP2(=O)O3 DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910020091 MgCa Inorganic materials 0.000 description 3
- 101100003996 Mus musculus Atrn gene Proteins 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002990 reinforced plastic Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M perchlorate Inorganic materials [O-]Cl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000009958 sewing Methods 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
- H10K71/421—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour using coherent electromagnetic radiation, e.g. laser annealing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
本発明は、有機電界発光表示装置及びその製造方法に関する。
一般に、有機電界発光表示装置は、蛍光性または燐光性有機化合物に電流を流すことで、電子と正孔とが結合し自発光する表示装置である。また、このような有機電界発光表示装置は、例えばｎ×ｍ個の有機電界発光素子を電圧駆動または電流書込みして映像を表示できるようになっている。
また、このような有機電界発光素子は、図１に示されたようにアノード（anode）、有機薄膜及びカソード（cathode）の構造を基本構造とする。有機薄膜は、電子と正孔とが結合して励起子（exciton）を形成して発光する発光層（EMitting Layer、ＥＭＬ）、電子の移動速度を適切に調節する電子輸送層（Electron Transport Layer、ＥＴＬ）、正孔の移動速度を適切に調節する正孔輸送層（Hole Transport Layer、ＨＴＬ）を備える。また、電子輸送層には、電子の注入効率を向上させる電子注入層（Electron Injecting Layer、ＥＩＬ）が形成され、正孔輸送層には正孔の注入効率を向上させる正孔注入層（Hole Injecting Layer、ＨＩＬ）がさらに形成され得る。
このような有機電界発光表示装置は、広視野角、超高速回答、自体発光などの長所から、小型から大型に至るまで、いかなる動画表示装置としても遜色なく、消費電力が小さくバックライト（back light）が必要ないため、軽量及び薄型で製作することができる。また、低温で製造が可能であり、製造工程が簡単であって低価格化が可能である。さらに、近年、有機薄膜材料技術及び工程技術が急速に成長し、既存の平板表示装置に代替する技術として考えられている。
ところが、近年の携帯電話、ＰＤＡ（Personal Digital Assistant）、ノートパソコン、コンピューターモニター及びテレビなどのような電子製品のスリム（slim）化趨勢により、有機電界発光表示装置も徐々に略１ｍｍ以下の厚さに製造することが求められている。しかし、現在の有機電界発光表示装置は、既存の封止技術に代替するほどの保護膜技術が十分開発されていない状況であるため、１ｍｍ以下の厚さに製造することは困難である。
これによって、厚さ１ｍｍ以下の有機電界発光表示装置を製造するため、特開２００５−３４０１８２号公報、特開２００５−２２２９３０号公報及び特開２００５−２２２７８９号公報によると、２枚のガラス基板にそれぞれ素子層（半導体層及び有機電界発光素子など）を形成し、各素子層を対向させてガラス基板を合着した後、素子層のない表面をエッチングまたは研磨工程によって除去することで、スリム有機電界発光表示装置を製造する方法を開示している。
しかし、このような方法は、それぞれのガラス基板に半導体層や有機電界発光素子をそれぞれ形成した後、これを合着してエッチングまたは研磨するため、製造工程時間が非常に長くなる問題があった。さらに、このような従来の方法は、ある程度完成されたガラス基板を合着することで、合着工程中、ガラス基板、半導体層及び有機電界発光素子が損傷されたり破損されたりする場合が多く、生産歩留まりが低い。したがって、製造コストも高くなる問題があった。
勿論、ガラス基板の厚さを予め１ｍｍ以下に製造した後、その表面に素子層を形成する方法も考えられるが、この場合、ガラス基板の厚さが非常に薄く、移送工程中にガラス基板が反ったり、移送装置に機械的に接触して破損されたりする問題があった。
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、製造工程中または製造工程後の基板の反り及び損傷を防止することが可能な、新規かつ改良された有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、支持台が形成された基板と、基板に形成された半導体層と、半導体層に形成された有機電界発光素子と、半導体層及び有機電界発光素子の外周縁である基板の周りに形成された封止材と、封止材に接着された封止基板と、を備えることを特徴とする有機電界発光表示装置が提供される。
上記支持台は、半導体層が形成された面と同じ面に形成され得る。
上記支持台は、基板のうち少なくともいずれか１辺に沿って形成され得る。
上記支持台は、半導体層及び有機電界発光素子の外周縁に形成され得る。
上記支持台は、絶縁材料及び導電材料のうち選択されたいずれか１つで形成され得る。
上記支持台は、封止材より薄く形成され得る。
上記支持台は、封止材及び封止基板の全体より薄く形成され得る。
上記基板には、支持台が形成された面の反対面に合着剤が形成され得る。
上記合着剤は、基板のうち少なくともいずれか１辺に沿って形成され得る。
上記合着剤は、封止材及び封止基板の外周縁に形成され得る。
上記基板は、封止基板より広い面積で形成され得る。
上記基板は、０．０５〜１ｍｍの厚さで形成され得る。
上記基板は、ガラス、プラスチック、ポリマー及びスチールのうち選択されたいずれか１つで形成され得る。
上記基板には、半導体層が形成された面の反対面に非透過層がさらに形成され得る。
上記基板には、半導体層が形成された面の反対面に５００〜３０００Åの厚さを有する非透過層がさらに形成され得る。
上記基板には、半導体層が形成された面の反対面に紫外線の透過されない金属、透明紫外線遮断剤及び不透明紫外線遮断剤のうち選択されたいずれか１つで非透過層がさらに形成され得る。
上記基板には、半導体層が形成された面の反対面にクロム（Ｃｒ）、酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）及び銀合金（ＡＴＤ）のうち選択された少なくともいずれか１つで非透過層がさらに形成され得る。
上記基板には、半導体層が形成された面の反対面に非透過層及び摩擦防止層が順次さらに形成され得る。
上記摩擦防止層は、１０〜１００μｍの厚さで形成され得る。
上記摩擦防止層は、有機材料及び無機材料のうち選択された少なくともいずれか１つで形成され得る。
上記半導体層の下面には、バッファ層が形成され、半導体層の上面にはゲート絶縁膜が形成され、ゲート絶縁膜の上面にはゲート電極が形成され、ゲート電極の上面には層間絶縁膜が形成され、層間絶縁膜の上面にはソース／ドレーン電極が形成され、ソース／ドレーン電極の上面には絶縁膜が形成され、絶縁膜の上面に有機電界発光素子が形成され得る。
上記基板には、半導体層の外周縁と封止材の内周縁間に駆動ドライバ回路がさらに形成され得る。
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、支持台が形成された基板を用意するステップと、基板のうち支持台が形成された面の反対面に非透過層を形成するステップと、基板を２枚用意し、非透過層を互いに対向させた状態で合着剤を介在して互いに合着するステップと、合着された基板のうち支持台が形成された面と同じ面にそれぞれ半導体層を形成するステップと、各半導体層に有機電界発光素子を形成するステップと、各有機電界発光素子の外周縁に封止材を介在して封止基板を接着するステップと、基板のうち封止基板の外周縁と対応する領域をソーイングするものの、基板には支持台を残存させるステップと、合着された２枚の基板を別個に分離するステップと、を含むことを特徴とする、有機電界発光表示装置の製造方法が提供される。
上記基板用意ステップにおいて、支持台はソーイングされるいずれか１辺に沿って形成され得る。
上記基板用意ステップにおいて、支持台は半導体層及び有機電界発光素子の外周縁に形成され得る。
上記基板用意ステップにおいて、支持台は絶縁材料及び導電材料のうち選択されたいずれか１つで形成され得る。
上記基板用意ステップにおいて、支持台は封止材より薄く形成され得る。
上記基板用意ステップにおいて、支持台は封止材及び封止基板の全体より薄く形成され得る。
上記基板合着ステップにおいて、合着剤は半導体層及び有機電界発光素子の外周縁と対応する領域の基板に介在され得る。
上記基板合着ステップにおいて、合着剤は封止材の外周縁と対応する領域の基板に介在され得る。
上記基板用意ステップにおいて、基板は０．０５〜１ｍｍの厚さであり得る。
上記基板用意ステップにおいて、基板はガラス、プラスチック、ポリマー及びスチールのうち選択されたいずれか１つで形成され得る。
上記非透過層形成ステップにおいて、基板の下面に５００〜３０００Å厚さの非透過層が形成され得る。
上記非透過層形成ステップにおいて、基板の下面に紫外線遮断剤がコーティングされ得る。
上記非透過層形成ステップにおいて、基板の下面に紫外線の透過されない金属、透明紫外線遮断剤及び不透明紫外線遮断剤のうちいずれか１つの非透過層が形成され得る。
上記非透過層形成ステップにおいて、基板の下面にクロム（Ｃｒ）、酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）及び銀合金（ＡＴＤ）のうち選択された少なくともいずれか１つの非透過層が形成され得る。
上記非透過層形成ステップにおいて、基板の下面に摩擦防止層がさらに形成され得る。
上記非透過層形成ステップにおいて、基板の下面に１０〜１００μｍ厚さの摩擦防止層がさらに形成され得る。
上記非透過層形成ステップにおいて、非透過層の下面に有機材料及び無機材料のうち選択されたいずれか１つの摩擦防止層がさらに形成され得る。
上記基板合着ステップにおいて、各基板に形成された摩擦防止層が相互接触され得る。
上記封止基板の接着ステップにおいて、封止基板の広さが基板の広さより狭いことがあり得る。
上記ソーイングステップにおいて、ソーイングはレーザービームで行われ得る。
上記ソーイングステップにおいて、基板に合着剤が残存され得る。
上記基板分離ステップの後には、非透過層を除去するステップがさらに含まれ得る。
上記半導体層形成ステップにおいて、半導体層の一側には駆動ドライバ回路がさらに形成され得る。
上記のようにして本発明による有機電界発光表示装置は、０．０５〜１ｍｍの厚さを有する基板に形成されることで、近年スリム化趨勢にある携帯電話、ＰＤＡ、ノートパソコン、コンピューターモニター及びテレビなどのような各種ディスプレイ用電子製品に容易に適用することができる。
また、上記のようにして本発明による有機電界発光表示装置は、基板に非透過層を形成することで、製品の使用中、紫外線が基板を通じて半導体層や有機電界発光素子に影響を及ぼさなくなる。
また、上記のようにして本発明による有機電界発光表示装置は、基板の一側に支持台または合着剤が残存することで、製品の剛性を向上させ、外力によって容易に破損されなくなる。
上記のように本発明による有機電界発光表示装置の製造方法は、０．０５〜１ｍｍの厚さを有する薄型基板を２枚合着して半導体工程及び有機薄膜工程（勿論、各工程には洗浄、エッチング、露光、現像及び熱処理などが含まれる）を同時に行うことで、全体工程時間を略５０％程短縮させることができ、剛性を補強することで基板の移送工程中に、基板が反ったり破損されなくなったりする。
また、上記のようにして本発明による製造方法は、基板の一側に予め支持台を形成することで、製造工程中、基板の反り現象及び破損現象を抑制する。したがって、製造工程中、半導体層及び有機薄膜工程が不良なく良好に形成される。
また、上記のようにして本発明による製造方法は、基板の下面に非透過層を形成することで、製造工程中、露光工程による紫外線が反対側の他の基板に影響を与えなくなる。
また、上記のようにして本発明による製造方法は、基板に摩擦防止層を形成することで、２枚の基板合着の際にも、基板または基板表面に形成された金属間の接触を防止して基板損傷を防止することができる。
本発明によれば、製造工程中または製造工程後の基板の反り及び損傷を防止することができる。
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
（第１の実施形態）
まず、本発明の第１の実施形態に係る有機電界発光表示装置について説明する。図２ａ及び図２ｂを参照すれば、本実施形態に係る有機電界発光表示装置の断面図が示されている。
まず、本発明の第１の実施形態に係る有機電界発光表示装置について説明する。図２ａ及び図２ｂを参照すれば、本実施形態に係る有機電界発光表示装置の断面図が示されている。
図２ａに示されたように、本実施形態に係る有機電界発光表示装置１０１は、基板１１０と、基板１１０上に形成された半導体層１３０と、半導体層１３０の一側に形成された駆動ドライバ回路１３９と、半導体層１３０上に形成された有機電界発光素子１９０と、半導体層１３０、有機電界発光素子１９０及び駆動ドライバ回路１３９の外周縁である基板１１０の上面の周りに形成された封止材２４０と、封止材２４０に接着された封止基板２５０と、を備える。
ここで、基板１１０には、製造工程中及び／または製造工程後、基板１１０の反り現象を防止するために一定厚さの支持台１１２がさらに形成され得る。特に、支持台１１２は、製造工程中に基板１１０の反り現象を防止することで、半導体層１３０、駆動ドライバ回路１３９及び有機電界発光素子１９０を不良なく精細に形成する役割をする。勿論、支持台１１２は、製造工程の完了後にも基板１１０に残しておくことで、製品の剛性を向上させる役割をする。このような支持台１１２は、半導体層１３０、駆動ドライバ回路１３９及び封止材２４０の外周縁に形成でき、基板１１０のうち少なくともいずれか一辺に沿って形成され得る。すなわち、基板１１０の平面形態が四角形であれば、支持台１１２は、基板１１０の１辺、２辺、３辺または４辺に沿って形成され得る。
また、支持台１１２の厚さは、スリム有機電界発光表示装置の提供のため、封止材２４０より薄く、または封止材２４０と封止基板２５０とを合わせた厚さより薄く形成され得る。さらに、支持台１１２は、絶縁材料、導電材料及びその等価物のうち選択されたいずれか１つで形成され得るが、ここでその材質は限定されない。一例として、支持台１１２は強化プラスチックまたはステンレススチールなどを用いて形成することができる。勿論、このような支持台１１２は、図示していない接着剤を介して基板１１０に接着され得る。さらには、支持台１１２は基板１１０と同一材質で形成されることもできる。すなわち、基板１１０の製造時、支持台１１２を同時に形成することができるためである。
駆動ドライバ回路１３９は、半導体層１３０と封止材２４０間の基板１１０の表面に形成され得る。このような駆動ドライバ回路１３９は、例えばスキャンドライバ（scan driver）、データドライバ（data driver）、エミッションドライバ（emission driver）または電源制御ドライバ（power control driver）などが可能であり、ここで、ドライバの種類は限定されない。勿論、このような駆動ドライバ回路１３９は、半導体層１３０の形成工程中、同時に形成され得る。
封止材２４０は、エポキシ接着剤、紫外線硬化接着剤、フリット（frit）及びその等価物のうち選択された少なくともいずれか１つであり得るが、ここでその材質は限定されない。封止材２４０としてフリットを用いる場合には、一定温度でフリットを加熱する必要があるため、レーザービームを用いて封止作業を行うこともできる。すなわち、基板１１０と封止基板２５０間にフリットを位置させた後、一側でフリットにレーザービームを照射するようになれば、フリットが溶融されながら基板１１０と封止基板２５０が強く接着される。
封止基板２５０は、通常の透明ガラス、透明プラスチック、透明ポリマー及びその等価物のうち選択されたいずれか１つで形成され得るが、ここでその材質は限定されない。
基板１１０のうち支持台１１２が形成された面の反対面には、一定厚さの合着剤２６０が形成され得る。図面においては、基板１１０を中心として支持台１１２と合着剤２６０とが相互対向する位置に形成されたことを示しているが、このような対向位置に本実施形態は限定されない。すなわち、支持台１１２と合着剤２６０とは相互対向しない位置にそれぞれ形成されることもできる。合着剤２６０は、本実施形態に係る有機電界発光表示装置の製造工程中に不可欠で形成されたものであるが、これは製品の完成後、基板の強度を強化する役割もする。このような合着剤２６０は、基板１１０の下面のうち、少なくとも１辺に沿って形成され得る。勿論、合着剤２６０は、基板１１０の下面のすべての辺に沿って形成されることもできる。
また、合着剤２６０は、半導体層１３０及び有機電界発光素子１９０の外周縁と対応する基板１１０の下面に形成され得る。さらに、合着剤２６０は、封止材２４０及び封止基板２５０の外周縁と対応する基板１１０の下面に形成され得る。このような合着剤２６０は、エポキシ接着剤、紫外線硬化接着剤及びその等価物のうち選択された少なくともいずれか１つで形成され得るが、ここで合着剤２６０の材質は限定されない。また、合着剤２６０は、略１０〜１００μｍの厚さで形成され得る。合着剤２６０の厚さが１０μｍ以下である場合には、製造工程中、２つの基板１１０が互いに接触すると同時に剛性が弱くなることがあり、合着剤２６０の厚さが１００μｍ以上である場合には、製造工程中、基板１１０の合着厚さが厚くなり過ぎる恐れがある。また、上記のように合着剤２６０が半導体層１３０、有機電界発光素子１９０、封止材２４０及び封止基板２５０の外周縁に位置するためには、基板１１０が封止基板２５０より広い面積を有する必要がある。
一方、基板１１０の下面には、製造工程中または製造工程後、紫外線が半導体層１３０や有機電界発光素子１９０の方に入射できないように非透過層２１０がさらに形成され得る。
また、図２ｂに示されたように、本実施形態に係る有機電界発光表示装置１０２は、基板１１０の下面に非透過層２１０及び摩擦防止層２３０が順次形成されることもできる。
さらに、図面には示していないが、封止基板２５０の下面には透明吸湿膜がさらに形成され得る。すなわち、有機電界発光素子１９０は水分に弱いため、封止基板２５０の下面に光の透過を遮らず水分を吸収することができる透明吸湿膜の形成が可能である。このような透明吸湿膜は、封止基板２５０の透明度が確保される条件下で厚いほど有利であるが、通常０．１〜３００μｍの厚さで形成されるとよい。透明吸湿膜の厚さが０．１μｍ未満であれば、十分な吸湿特性を有することができず、３００μｍを超過すれば、有機電界発光素子１９０に接触する恐れがある。また、透明吸湿膜は、平均粒径が１００ｎｍ以下、特に２０〜１００ｎｍであるアルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、金属ハロゲン化物、金属硫酸塩及び金属過塩素酸塩、五酸化リン（Ｐ２Ｏ５）及びその等価物のうち選択された少なくともいずれか１つを用いることができるが、ここでその材質は限定されない。
また、本実施形態は上記のように封止基板２５０に透明吸湿膜を形成する代わりに、基板１１０と封止基板２５０間の空間を層状無機物（layered inorganic substance）、高分子、硬化剤及びその等価物のうち選択された少なくともいずれか１つを充填させ、水分を吸収させることもできる。勿論、このような充填後には熱処理工程を行い、物質を硬化させる。
さらに、本実施形態は、各封止基板２５０の表面に偏光フィルムを接着することで、外光による光反射現象を防止することもできる。
図３ａ及び図３ｂを参照すれば、封止基板が封止される前の本実施形態に係る有機電界発光表示装置の断面図が示されている。
まず、図３ａに示されたように、本実施形態に係る有機電界発光表示装置１０１は基板１１０と、基板１１０上に形成されたバッファ層１２０と、バッファ層１２０上に形成された半導体層１３０と、半導体層１３０上に形成されたゲート絶縁膜１４０と、ゲート絶縁膜１４０上に形成されたゲート電極１５０と、ゲート電極１５０上に形成された層間絶縁膜１６０と、層間絶縁膜１６０上に形成されたソース／ドレーン電極１７０と、ソース／ドレーン電極１７０上に形成された絶縁膜１８０と、絶縁膜１８０上に形成された有機電界発光素子１９０と、有機電界発光素子１９０の外周縁である絶縁膜１８０に形成された画素定義膜２００とを備える。
基板１１０は上面と下面が略扁平であり、上面と下面間の厚さは略０．０５〜１ｍｍ程度に形成され得る。基板１１０の厚さが略０．０５ｍｍ以下である場合には、工程中、洗浄、エッチング及び熱処理工程などによって損傷され易く、また、外力に弱いという短所がある。また、基板１１０の厚さが略１ｍｍ以上である場合には、近年のスリム化趨勢にある各種表示装置への適用が困難である。また、基板１１０は通常のガラス、プラスチック、ポリマー、ステンレススチール及びその等価物のうち選択されたいずれか１つで形成され得るが、このような材質に本実施形態は限定されない。
バッファ層１２０は、基板１１０の上面に形成され得る。このようなバッファ層１２０は、後述する半導体層１３０や有機電界発光素子１９０の方へ湿気（Ｈ２Ｏ）、水素（Ｈ２）または酸素（Ｏ２）などが基板１１０を貫通して浸透しないようにする役割をする。このために、バッファ層１２０は半導体工程中に容易に形成できる酸化膜（ＳｉＯ２）、窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４）及びその等価物のうち選択された少なくともいずれか１つで形成することができるが、このような材質に本実施形態は限定されない。勿論、このようなバッファ層１２０は必要によって省略されることもある。
半導体層１３０は、バッファ層１２０の上面に形成され得る。このような半導体層１３０は、相互対向する両側に形成されたソース／ドレーン領域１３２と、ソース／ドレーン領域１３２の間に形成されたチャネル領域１３４とを備える。一例として、半導体層１３０は薄膜トランジスタであり得る。このような薄膜トランジスタは、アモルファスシリコン（amorphous Si）薄膜トランジスタ、ポリシリコン（poly Si）薄膜トランジスタ、有機薄膜トランジスタ、マイクロシリコン（micro Si）薄膜トランジスタ、または、その等価物のうち選択された少なくともいずれか１つで形成され得るが、本実施形態で薄膜トランジスタの種類は限定されない。また、薄膜トランジスタが、ポリシリコン薄膜トランジスタである場合、ポリシリコン薄膜トランジスタは低温でレーザーを用いて結晶化する方法、金属を用いて結晶化する方法、高い圧力を用いて結晶化する方法、及び、その等価方法のうち選択されたいずれか１つの方法であり得るが、本実施形態でポリシリコンの結晶化方法は限定されない。レーザーを用いて結晶化する方法は、ＥＬＡ（Excimer Laser Annealing）、ＳＬＳ（Sequential Lateral Solidification）、ＴＤＸ（Thin Beam Direction Crystallization）などの方式が可能であるが、このような方法で本実施形態は限定されない。また、金属を用いて結晶化する方法は、ＳＰＣ（Solid Phases Crystallization）、ＭＩＣ（Metal Induced Crystallization）、ＭＩＬＣ（Metal Induced Lateral Crystallization）、ＳＧＳ（Super Grained Silicon）などが可能であるが、このような方式で本実施形態は限定されない。勿論、薄膜トランジスタはＰＭＯＳ、ＮＭＯＳ及びその等価形態のうち選択された少なくともいずれか１つであり得るが、本実施形態で薄膜トランジスタの導電形態は限定されない。
ゲート絶縁膜１４０は、半導体層１３０の上面に形成され得る。勿論、このようなゲート絶縁膜１４０は半導体層１３０の外周縁であるバッファ層１２０上にも形成され得る。また、ゲート絶縁膜１４０は半導体工程中容易に得られる酸化膜、窒化膜またはその等価物のうち選択された少なくともいずれか１つで形成され得るが、ここでその材質は限定されない。
ゲート電極１５０は、ゲート絶縁膜１４０の上面に形成され得る。より具体的に、ゲート電極１５０は、半導体層１３０のうちチャネル領域１３４と対応するゲート絶縁膜１４０上に形成され得る。公知のように、このようなゲート電極１５０はゲート絶縁膜１４０の下部のチャネル領域１３４に電界を印加することで、チャネル領域１３４に正孔または電子のチャネルを形成する。また、ゲート電極１５０は、通常の金属（ＭｏＷ、Ｔｉ、Ｃｕ、ＡｌＮｄ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ合金、Ｃｕ合金、Ａｌ合金など）、ドープされたポリシリコン及びその等価物のうち選択された少なくともいずれか１つで形成され得るが、ここでその材質は限定されない。
層間絶縁膜１６０は、ゲート電極１５０の上面に形成され得る。勿論、このような層間絶縁膜１６０はゲート電極１５０の外周縁であるゲート絶縁膜１４０上にも形成され得る。また、層間絶縁膜１６０はポリマー系列、プラスチック系列、ガラス系列またはその等価系列のうち選択されたいずれか１つで形成され得るが、ここで層間絶縁膜１６０の材質は限定されない。
ソース／ドレーン電極１７０は、層間絶縁膜１６０の上面に形成され得る。勿論、ソース／ドレーン電極１７０と半導体層１３０間には、層間絶縁膜１６０を貫通する導電コンタクト１７６（electrically conductive contact）が形成され得る。すなわち、導電コンタクト１７６によって半導体層１３０とソース／ドレーン電極１７０とが電気的に繋がれる。さらに、ソース／ドレーン電極１７０は、ゲート電極１５０と同じ金属材質で形成され得るが、ここでその材質は限定されない。一方、上記のような半導体層１３０（すなわち、薄膜トランジスタ）は、通常同一平面構造（coplanar structure）に定義される。しかし、本実施形態に開示された半導体層１３０は、同一平面構造だけに限定されることなく、公知のすべての薄膜トランジスタの構造、例えば、反転同一平面構造（inverted coplanar structure）、ジグザグ型構造（staggered structure）、反転ジグザグ型構造（inverted staggered structure）及びその等価構造のうち選択された少なくともいずれか１つが可能であり、本実施形態で半導体層１３０の構造は限定されない。
絶縁膜１８０は、ソース／ドレーン電極１７０の上面に形成され得る。このような絶縁膜１８０は、さらに、保護膜１８２と、保護膜１８２の上面に形成された平坦化膜１８４と、を備える。保護膜１８２は、ソース／ドレーン電極１７０及び層間絶縁膜１６０を覆い、ソース／ドレーン電極１７０及びゲート電極１５０などを保護する役割をする。このような保護膜１８２は、通常の無機膜及びその等価物のうち選択されたいずれか１つで形成され得るが、本実施形態で保護膜１８２の材質は限定されない。さらに、平坦化膜１８４は保護膜１８２を覆う。このような平坦化膜１８４は、素子全体の表面を平坦にするものであって、ＢＣＢ（Benzo Cyclo Butene）、アクリル及びその等価物のうち選択された少なくともいずれか１つで形成され得るが、ここでその材質は限定されない。
有機電界発光素子１９０は、絶縁膜１８０の上面に形成され得る。このような有機電界発光素子１９０は、さらに、アノード１９２、アノード１９２の上面に形成された有機薄膜１９４及び有機薄膜１９４の上面に形成されたカソード１９６を含むことができる。アノード１９２はＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＴＯ／Ａｇ、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ（またはＩＺＯ：Indium Zinc Oxide）またはその等価物のうち選択されたいずれか１つで形成され得るが、本実施形態でアノード１９２の材質は限定されない。ＩＴＯは、仕事関数が均一であって有機薄膜１９４に対する正孔注入障壁が小さい透明導電膜であり、Ａｇは前面発光方式において、特に有機薄膜１９４からの光を上面に反射させる膜である。一方、有機薄膜１９４は、電子と正孔とが結合して励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）を形成して発光する発光層（EMitting Layer、ＥＭＬ）、電子の移動速度を適切に調節する電子輸送層（Electron Transport Layer、ＥＴＬ）、正孔の移動速度を適切に調節する正孔輸送層（Hole Transport Layer、ＨＴＬ）を有する。また、電子輸送層には、電子の注入効率を向上させる電子注入層（Electron Injecting Layer、ＥＩＬ）が形成され、正孔輸送層には正孔の注入効率を向上させる正孔注入層（Hole Injecting Layer、ＨＩＬ）がさらに形成され得る。さらに、カソード１９６は、Ａｌ、ＭｇＡｇ合金、ＭｇＣａ合金及びその等価物のうち選択された少なくともいずれか１つであり得るが、本実施形態でカソード１９６の材質は限定されない。但し、本実施形態において、前面発光方式を選ぶ場合、Ａｌは非常に薄くせねばならないが、そのような場合、抵抗が高くなって電子注入障壁が大きくなる短所がある。ＭｇＡｇ合金はＡｌに比べて電子注入障壁が小さく、ＭｇＣａ合金はＭｇＡｇ合金に比べて電子注入障壁がさらに低い。しかし、このようなＭｇＡｇ合金及びＭｇＣａ合金は周辺環境に敏感であり酸化されて絶縁層を形成することがあるため、外部と完全に遮断させなければならない。さらに、有機電界発光素子１９０のうちアノード１９２とソース／ドレーン電極１７０とは、絶縁膜１８０（保護膜１８２、平坦化膜１８４）を貫通して形成された導電ビア１９８（electrically conductive via）によって相互電気的に繋がれ得る。一方、ここで本実施形態は、基板１１０の上部方向に発光する前面発光方式を中心に説明したが、ここに限定されず、基板１１０の下部方向に発光する背面発光方式または基板１１０の上部及び下部方向に同時に発光する両面発光にもすべて適用可能である。
さらに、燐光型有機電界発光素子の場合には、正孔抑制層（Hole Blocking Layer、ＨＢＬ）が発光層（ＥＭＬ）と電子輸送層（ＥＴＬ）間に選択的に形成でき、電子抑制層（Electron Blocking Layer、ＥＢＬ）が発光層（ＥＭＬ）と正孔輸送層（ＨＴＬ）間に選択的に形成され得る。
また、有機薄膜１９４は、２種類の層を混合してその厚さをさらに減少させるスリム有機電界発光素子（Slim ＯＬＥＤ）に形成することもできる。例えば、正孔注入層と正孔輸送層を同時に形成する正孔注入輸送層（Hole Injection Transport Layer、ＨＩＴＬ）構造、及び電子注入層と電子輸送層を同時に形成する電子注入輸送層（Electron Injection Transport Layer、ＥＩＴＬ）構造を選択的に形成することができる。上記のようなスリム有機電界発光素子は、発光効率を増加させるところにその使用目的がある。
また、アノードと発光層間には、選択層としてバッファ層（Buffer Layer）を形成することができる。バッファ層は、電子をバッファリングする電子バッファ層（Electron Buffer Layer）と正孔をバッファリングする正孔バッファ層（Hole Buffer Layer）とに区分することができる。電子バッファ層は、カソードと電子注入層（ＥＩＬ）間に選択的に形成でき、電子注入層（ＥＩＬ）の機能に代わって形成することができる。このとき、有機薄膜１９４の積層構造は、発光層（ＥＭＬ）／電子輸送層（ＥＴＬ）／電子バッファ層（Electron Buffer Layer）／カソードとなり得る。また、正孔バッファ層は、アノードと正孔注入層（ＨＩＬ）間に選択的に形成でき、正孔注入層（ＨＩＬ）の機能に代わって形成することができる。このとき、有機薄膜１９４の積層構造は、アノード／正孔バッファ層／正孔輸送層（ＨＴＬ）／発光層（ＥＭＬ）となり得る。
構造に対して可能な積層構造を記載すると、次のようである。
ａ）正常積層構造（Normal Stack Structure）
１）アノード／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／カソード
２）アノード／正孔バッファ層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／カソード
３）アノード／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／電子バッファ層／カソード
４）アノード／正孔バッファ層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／電子バッファ層／カソード
５）アノード／正孔注入層／正孔バッファ層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／カソード
６）アノード／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子バッファ層／電子注入層／カソード
１）アノード／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／カソード
２）アノード／正孔バッファ層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／カソード
３）アノード／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／電子バッファ層／カソード
４）アノード／正孔バッファ層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／電子バッファ層／カソード
５）アノード／正孔注入層／正孔バッファ層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／カソード
６）アノード／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子バッファ層／電子注入層／カソード
ｂ）正常スリム構造（Normal Slim Structure）
１）アノード／正孔注入輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／カソード
２）アノード／正孔バッファ層／正孔注入輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／カソード
３）アノード／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入輸送層／電子バッファ層／カソード
４）アノード／正孔バッファ層／正孔輸送層／発光層／電子注入輸送層／電子バッファ層／カソード
５）アノード／正孔注入輸送層／正孔バッファ層／発光層／電子輸送層／電子注入層／カソード
６）アノード／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子バッファ層／電子注入輸送層／カソード
１）アノード／正孔注入輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／カソード
２）アノード／正孔バッファ層／正孔注入輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／カソード
３）アノード／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入輸送層／電子バッファ層／カソード
４）アノード／正孔バッファ層／正孔輸送層／発光層／電子注入輸送層／電子バッファ層／カソード
５）アノード／正孔注入輸送層／正孔バッファ層／発光層／電子輸送層／電子注入層／カソード
６）アノード／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子バッファ層／電子注入輸送層／カソード
ｃ）逆相積層構造（Inverted Stack Structure）
１）カソード／電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層／アノード
２）カソード／電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層／正孔バッファ層／アノード
３）カソード／電子バッファ層／電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層／アノード
４）カソード／電子バッファ層／電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔バッファ層／アノード
５）カソード／電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔バッファ層／正孔注入層／アノード
６）カソード／電子注入層／電子バッファ層／電子輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層／アノード
１）カソード／電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層／アノード
２）カソード／電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層／正孔バッファ層／アノード
３）カソード／電子バッファ層／電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層／アノード
４）カソード／電子バッファ層／電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔バッファ層／アノード
５）カソード／電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔バッファ層／正孔注入層／アノード
６）カソード／電子注入層／電子バッファ層／電子輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層／アノード
ｄ）逆相スリム構造（Inverted Slim Structure）
１）カソード／電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔注入輸送層／アノード
２）カソード／電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔注入輸送層／正孔バッファ層／アノード
３）カソード／電子バッファ層／電子注入輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層／アノード
４）カソード／電子バッファ層／電子注入輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔バッファ層／アノード
５）カソード／電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔バッファ層／正孔注入輸送層／アノード
６）カソード／電子注入輸送層／電子バッファ層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層／アノード
１）カソード／電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔注入輸送層／アノード
２）カソード／電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔注入輸送層／正孔バッファ層／アノード
３）カソード／電子バッファ層／電子注入輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層／アノード
４）カソード／電子バッファ層／電子注入輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔バッファ層／アノード
５）カソード／電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔バッファ層／正孔注入輸送層／アノード
６）カソード／電子注入輸送層／電子バッファ層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層／アノード
画素定義膜２００は、有機電界発光素子１９０の外周縁として絶縁膜１８０の上面に形成され得る。このような画素定義膜２００は、赤色有機電界発光素子、緑色有機電界発光素子、青色有機電界発光素子の間の境界を明確にさせ、画素間の発光境界領域を明確させる。また、このような画素定義膜２００は、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）及びその等価物のうち選択された少なくともいずれか１つで形成できるが、ここで画素定義膜２００の材質は限定されない。
一方、本実施形態は基板１１０の下面に非透過層２１０がさらに形成され得る。このような非透過層２１０は、２枚の基板１１０を合着して半導体層１３０及び有機電界発光素子１９０などを形成する製造工程中、紫外線を反対側の他の基板の方へ透過させない役割をする。勿論、非透過層２１０は、基板１１０が別個に分離された後、外部の紫外線を半導体層１３０や有機電界発光素子１９０の方へ透過できなくする役割もする。このような非透過層２１０は、実質的に紫外線遮断剤及びその等価物のうち選択されたいずれか１つで形成され得る。さらに、非透過層２１０は、紫外線の透過されない金属、透明紫外線遮断剤、不透明紫外線遮断剤及びその等価物のうち選択されたいずれか１つで形成されることもできる。また、非透過層２１０が金属である場合、これはクロム（Ｃｒ）、酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、銀合金（ＡＴＤ）及びその等価物のうち選択されたいずれか１つで形成され得るが、ここでその材質は限定されない。このような非透過層２１０は、５００〜３０００Åの厚さで形成することが望ましい。非透過層２１０の厚さが５００Å以下である場合には、紫外線遮断率が低く製造工程中や工程後に、半導体層１３０や有機電界発光素子１９０に影響を与えることがあり、また非透過層２１０の厚さが３０００Å以上である場合には、十分な紫外線遮断効率にもかかわらず厚くなり過ぎる恐れがある。
また、図３ｂに示されたように、本実施形態に係る有機電界発光表示装置１０２は、非透過層２１０の下面に摩擦防止層２３０がさらに形成され得る。このような摩擦防止層２３０は、２枚の基板１１０を合着して半導体層１３０及び有機電界発光素子１９０などを形成する工程中、両基板１１０が接触されないようにする。すなわち、両基板１１０に形成された非透過層２１０が相互接触されないようにして、基板１１０の損傷を防止する。このような摩擦防止層２３０は、有機材料、無機材料及びその等価物のうち選択されたいずれか１つを用いて形成することができるが、ここでその材質は限定されない。また、摩擦防止層２３０は、１０〜１００μｍの厚さで形成することが望ましい。摩擦防止層２３０の厚さが１０μｍ以下である場合には、製造工程中、他の基板１１０に形成された非透過層２１０に接触することがあり、摩擦防止層２３０の厚さが１００μｍ以上である場合には、基板１１０全体が厚くなり過ぎる恐れがある。
図４を参照すれば、本実施形態に係る有機電界発光表示装置の製造方法がフロー図として示されている。
図示されたように、本実施形態に係る有機電界発光表示装置の製造方法は、基板用意ステップＳ１、非透過層（及び摩擦防止層）形成ステップＳ２、基板合着ステップＳ３、半導体層形成ステップＳ４、有機電界発光素子形成ステップＳ５、封止ステップＳ６、ソーイングステップＳ７及び基板分離ステップＳ８を含む。さらに、本実施形態においては、非透過層（及び摩擦防止層）除去ステップＳ９がさらに含まれることもできる。
図５ａ〜図５ｉを参照すれば、本実施形態に係る有機電界発光表示装置の製造手順が断面図として示されている。以下、図４及び図５ａ〜図５ｉを参照し、本実施形態に係る有機電界発光表示装置の製造方法を説明する。
図５ａに示されたように、基板用意ステップＳ１においては、上面と下面が略扁平であって所定厚さを有する基板１１０を提供する。
基板１１０は、厚さを略０．０５〜１ｍｍ程度にすることが望ましい。基板１１０の厚さが略０．０５ｍｍ以下である場合には、製造工程中、洗浄、エッチング及び熱処理工程によって損傷され易くて取り扱いが難しく、また外力に弱い短所がある。また、基板１１０の厚さが略１ｍｍ以上である場合には、近年のスリム化趨勢にある各種表示装置に適用し難い短所がある。また、基板１１０は、通常のガラス、プラスチック、ポリマー及びその等価物のうち選択されたいずれか１つで用意することができるが、本実施形態で基板１１０の材質や種類は限定されない。
ここで、基板１１０には、製造工程中または／及び製造工程後、基板１１０の反り現象を防止するために一定厚さの支持台１１２がさらに形成され得る（図５ｂ参照）。特に、支持台１１２は、製造工程中、基板１１０の反り現象を防止することで、半導体層１３０、駆動ドライバ回路１３９及び有機電界発光素子１９０が不良なく精細に形成する役割をする。勿論、支持台１１２は、製造工程完了後も基板１１０に残存して製品の剛性を向上させる役割をする。このような支持台１１２は、半導体層１３０、駆動ドライバ回路１３９及び封止材２４０の外周縁に形成でき、基板１１０のうち少なくともいずれか１辺に沿って形成され得る。すなわち、基板１１０の平面形態が四角形であれば、支持台１１２は基板１１０の１辺、２辺、３辺または４辺に沿って形成され得る。また、支持台１１２の厚さは、スリム有機電界発光表示装置の提供のため、封止材２４０より薄く、または封止材２４０と封止基板２５０とを合わせた厚さより薄く形成され得る。さらに、支持台１１２は、絶縁材料、導電材料及びその等価物のうち選択されたいずれか１つで形成され得るが、ここでその材質は限定されない。一例として、支持台１１２は強化プラスチックまたはステンレススチールなどを用いて形成することができる。勿論、このような支持台１１２は、図示していない接着剤を介して基板１１０に接着され得る。さらには、支持台１１２は、基板１１０と同一材質で形成されることもできる。すなわち、基板１１０の製造時、支持台１１２を同時に形成することができるためである。
図５ｂに示されたように、非透過層形成ステップＳ２においては、基板１１０の下面に所定厚さの非透過層２１０を形成する。
このような非透過層２１０は、２枚の基板１１０を合着して半導体層及び有機電界発光素子などを形成する製造工程中、紫外線を反対側の基板の方へ透過させない役割をする。勿論、非透過層２１０は、基板１１０が別個に分離された後、外部の紫外線を半導体層１３０や有機電界発光素子１９０の方へ透過できなくする役割もする。このような非透過層２１０は、実質的に紫外線遮断剤及びその等価物のうち選択されたいずれか１つを基板１１０の表面にコーティングして形成され得る。さらに、非透過層２１０は、紫外線の透過されない金属、透明紫外線遮断剤、不透明紫外線遮断剤及びその等価物のうち選択されたいずれか１つを基板１１０の表面に蒸着またはコーティングして形成することができる。また、非透過層２１０が金属である場合、これはクロム（Ｃｒ）、酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、銀合金（ＡＴＤ）及びその等価物のうち選択されたいずれか１つを基板１１０の表面に蒸着またはコーティングして形成することができる。このような非透過層２１０は、５００〜３０００Åの厚さで形成することが望ましい。非透過層２１０の厚さが５００Å以下である場合には、紫外線遮断率が低く製造工程中や工程後に、半導体層１３０や有機電界発光素子１９０に影響を与えることがあり、また非透過層２１０の厚さが３０００Å以上である場合には、十分な紫外線遮断効率にもかかわらず厚くなり過ぎる恐れがある。
また、非透過層形成ステップＳ２においては、非透過層２１０の下面に摩擦防止層２３０をさらに形成することもできる。ここで、摩擦防止層２３０は、２枚の基板１１０を合着して半導体層及び有機電界発光素子などを形成する途中に、両基板１１０を接触させない機能を有する。すなわち、両基板１１０に形成された非透過層２１０が相互接触されないようにして、基板１１０の損傷を防止する。このような摩擦防止層２３０は有機材料、無機材料及びその等価物のうち選択された少なくともいずれか１つを用いて形成することができるが、ここでその材質は限定されない。また、摩擦防止層２３０は１０〜１００μｍの厚さで形成することが望ましい。摩擦防止層２３０の厚さが１０μｍ以下である場合には、製造工程中、他の基板１１０に形成された非透過層２１０が接触することがあり、摩擦防止層２３０の厚さが１００μｍ以上である場合には、基板１１０全体が厚くなり過ぎる恐れがある。
図５ｃに示されたように、基板合着ステップＳ３においては、上記のように非透過層２１０または非透過層２１０／摩擦防止層２３０のうちいずれか１つが形成された同一基板１１０を２枚用意して相互合着する。ここで、図５ｃには実際に基板１１０に非透過層２１０／摩擦防止層２３０が順次形成された構成が示されている。
一方、合着工程中、２枚の基板１１０が互いに分離されないように、２枚の基板１１０の間には合着剤２６０が介在され得る。このような合着剤２６０は、通常のエポキシ接着剤、紫外線硬化接着剤及びその等価物のうち選択された少なくともいずれか１つが利用できるが、本実施形態で合着剤２６０の材質は限定されない。また、合着剤２６０は基板１１０の縁にのみ形成するか、またはより安定的な基板１１０の合着のために両基板１１０の内周縁に多数のライン形態で形成することもできる。図５ｃには、両基板１１０の間に多数の合着剤２６０が形成された構成が示されている。
ここで、合着剤２６０は、基板１１０を中心に支持台１１２と対向する位置に形成されている構成が示されているが、このような対向位置に本実施形態は限定されない。すなわち、合着剤２６０と支持台１１２とは相互対向しない位置にそれぞれ形成されることもできる。
また、摩擦防止層２３０は、非透過層２１０の形成ステップＳ２ではなく基板１１０の合着ステップＳ３で形成することもできる。すなわち、２枚の基板１１０が合着剤２６０を介在して合着された後、その内部に液体成分の摩擦防止層２３０を注入すると、毛細管現象によって２枚の基板１１０の間に形成された隙間に全て染み込む。勿論、このような液体成分の摩擦防止層２３０の形成後には、所定温度で基板１１０を熱処理することで、摩擦防止層２３０を硬化させることがよい。さらに、基板１１０の合着ステップＳ３において、両基板１１０に形成された摩擦防止層２３０は、相互接触するように形成することがよい。すなわち、合着された基板１１０の移送中、基板１１０の反り現象や相互間の摩擦が発生しないように、両基板１１０に形成された摩擦防止層２３０を相互密着させることがよい。
図５ｄに示されたように、半導体層形成ステップＳ４においては、相互合着された両基板１１０の表面に半導体層１３０を形成する。勿論、このとき、半導体層１３０の一側には駆動ドライバ回路１３９も形成され得る。より具体的に、摩擦防止層２３０が形成された面の反対面である両基板１１０の表面に有機電界発光表示装置の駆動のための半導体層１３０を形成する。勿論、このとき、半導体層１３０の一側に駆動ドライバ回路１３９も形成することができる。さらに、このような半導体層１３０や駆動ドライバ回路１３９の形成前に、予め基板１１０の表面にバッファ層（図示せず。）を形成することができる。また、半導体層１３０の形成後には、ゲート絶縁膜、ゲート電極、層間絶縁膜、ソース／ドレーン電極、絶縁膜（図示せず。）などを形成する。これに関しては、上記で詳細に説明したので、これに関する説明は省略する。勿論、絶縁膜の形成後には、画素定義膜も形成することができる。
半導体層１３０及び駆動ドライバ回路１３９は、一側の基板に形成した後、他側の基板に形成することができる。すなわち、一側の基板上で半導体層１３０及び駆動ドライバ回路１３９を完成し、他側の基板で再び半導体層１３０及び駆動ドライバ回路１３９を完成することができる。さらに、このような半導体層１３０及び駆動ドライバ回路１３９は、工程別に一側と他側の基板を返しながら順次形成することもできる。さらに、半導体層１３０及び駆動ドライバ回路１３９は、工程装備が整うならば両側の基板で同時に形成して完成することもできる。
図５ｅに示されたように、有機電界発光素子形成ステップＳ５においては、各半導体層１３０の上面に有機電界発光素子１９０を形成する。より具体的に、上述したように絶縁膜（図示せず。）上にアノード、有機薄膜及びカソードを順次形成する。ここで、有機電界発光素子１９０の構造及び形成方法はすでに説明したので、これに関する説明は省略する。
同様に、有機電界発光素子１９０は一側の基板に形成した後、他側の基板に形成することができる。すなわち、一側の基板上で有機電界発光素子１９０を完成し、他側の基板で再び有機電界発光素子１９０を完成することができる。さらに、このような有機電界発光素子１９０は、工程別に一側と他側の基板を返しながら順次形成することもできる。さらに、有機電界発光素子１９０は工程装備が整うならば、両側の基板で同時に形成して完成することもできる。
図５ｆに示されたように封止基板接着ステップＳ６においては、半導体層１３０及び有機電界発光素子１９０が形成された面に封止材２４０を用いて封止基板２５０を接着する。ここで封止基板２５０は、通常の透明ガラス、透明プラスチック、透明ポリマー及びその等価物のうち選択されたいずれか１つであり得るが、本実施形態でその材質は限定されない。また、封止基板２５０は、実質的に合着剤２６０がなす面積より狭い面積を有するものが用いられることがよい。より具体的には、封止基板２５０は、その縁が合着剤２６０から内側方向に略３〜８ｍｍ程度さらに小さく形成することで、後述のソーイング工程で基板１１０の縁を容易にソーイングすることもできる。しかし、ここで封止基板２５０と合着剤２６０との距離は限定されない。また、封止材２４０は通常のエポキシ接着剤、紫外線硬化接着剤、フリット（ｆｒｉｔ）及びその等価物のうち選択された少なくともいずれか１つを用いることができるが、本実施形態でその材質は限定されない。さらに、封止材２４０としてフリットを用いる場合には、一定温度でフリットを加熱する必要があるため、レーザービームを用いて封止作業を行うこともできる。
また、図面においては、封止基板２５０として各半導体層１３０、駆動ドライバ回路１３９及び有機電界発光素子１９０が形成された領域ごとに別個の封止基板２５０を用いて封止工程を行ったが、一体型の封止基板を用いて工程を行うことで工程複雑度を減らすこともできる。
一方、図面には示していないが、本実施形態は封止基板２５０の下面に透明吸湿膜がさらに形成されたものを用いることもできる。すなわち、有機電界発光素子１９０は水分に弱いため、封止基板２５０の下面に光の透過を遮らず水分を吸収できる透明吸湿膜の形成が可能である。このような透明吸湿膜は、封止基板２５０の透明度が確保される条件下で厚いほど有利であるが、通常０．１〜３００μｍの厚さで形成することがよい。透明吸湿膜の厚さが０．１μｍ未満であれば、十分な吸湿特性を有することができず、３００μｍを超えれば有機電界発光素子１９０に接触する恐れがある。また、透明吸湿膜は平均粒径が１００ｎｍ以下、特に２０〜１００ｎｍであるアルカリ金属酸化物、アルカルリ土類金属酸化物、金属ハロゲン化物、金属硫酸塩及び金属過塩素酸塩、五酸化リン（Ｐ２Ｏ５）またはその等価物のうち選択された少なくともいずれか１つを用いることができるが、ここでその材質は限定されない。
さらに、本実施形態は上記のように封止基板２５０に透明吸湿膜を形成する代わりに、基板１１０と封止基板２５０間の空間を層状無機物（layered inorganic substance）、高分子、硬化剤及びその等価物のうち選択された少なくともいずれか１つを充填して封止工程を完成することもできる。勿論、このような充填後には、熱処理工程を行い、物質を硬化させる。
さらに、本実施形態は、当然、各封止基板２５０の表面に偏光フィルムを接着して外光による反射現象を改善させることもできる。
図５ｇに示されたようにソーイングステップＳ７においては、それぞれの単位有機電界発光表示装置に分離することもできるように、基板１１０をソーイングする。すなわち、ソーイングステップにおいては、半導体層１３０、駆動ドライバ回路１３９及び有機電界発光素子１９０の外周縁に位置された基板１１０をソーイングすることができる。ソーイングはダイヤモンドホイール、レーザービーム及びその等価方式のうち選択された少なくとも１つの方式でなり得るが、本実施形態でソーイング方法は限定されない。図面のうち、部材番号２７０はレーザービーム発射機を示したものである。
ここで、ソーイング工程中、基板１１０の少なくとも一側には支持台１１２及び合着剤２６０が残存するようにソーイング工程を行う。図５ｇには、基板１１０の略右側端にすべて支持台１１２及び合着剤２６０が残存した状態でソーイングされることが示されている。このように基板１１０に残存する支持台１１２及び合着剤２６０は、残っている多くの工程の間、基板１１０の剛性を確保する役割をする。
図５ｈに示されたように基板分離ステップＳ８においては、ソーイングが完了された２つの基板１１０をそれぞれ分離する。勿論、分離されたそれぞれの基板１１０には、支持台１１２及び合着剤２６０だけでなく非透過層２１０または非透過層２１０／摩擦防止層２３０が残存している状態である。図面には基板１１０の下面に非透過層２１０／摩擦防止層２３０が残存している状態が示されている。
ここで、各基板１１０の分離は、基板合着ステップの前に予め各基板１１０に摩擦防止層２３０を独立して形成した場合であれば用意に行われる。しかし、基板１１０の合着の後、液状の摩擦防止層２３０を注入して形成した場合であれば、基板１１０の分離が容易に行われないこともある。したがって、この際には、摩擦防止層２３０を溶解できる化学溶液を用いて摩擦防止層２３０を除去する。勿論、このために摩擦防止層２３０は化学溶液によって用意に溶解される有機物質で形成することが望ましい。
本実施形態は上記のような基板１１０の分離ステップを最後に終了する。すなわち、このような基板１１０の分離ステップの後、セルテスト、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）ボンディング、モジュールテスト、信頼性テストを経て製品として出荷することもできる。勿論、セルテストはソーイングステップの前に基板１１０にセルテストのための領域を別に設けて行うこともできる。
一方、上記のように基板１１０の分離ステップを最後の工程として採択すると、当然完成された有機電界発光表示装置１０１に支持台１１２及び合着剤２６０だけでなく非透過層２１０または非透過層２１０／摩擦防止層２３０がそのまま残存することがあり得る。
図５ｉに示されたように非透過層除去ステップＳ９においては、非透過層２１０をエッチングや研磨によって除去することができる。さらに具体的に、基板１１０の下面に非透過層２１０だけが残存している場合には、非透過層２１０を除去する。また、基板１１０の下面に非透過層２１０／摩擦防止層２３０が残存している場合には、摩擦防止層２３０だけを除去するか、または摩擦防止層２３０／非透過層２１０を共に除去することができる。さらに、このような非透過層２１０などの除去後にも、基板１１０の一側には相変らず支持台１１２及び合着剤２６０が残存することで、基板１１０の剛性を向上させるようになる。
図６ａ〜図６ｄは、本実施形態に係る有機電界発光表示装置のうち基板に形成される多様な支持台の配置形状を示した平面図である。
図示されたように、基板１１０にはマトリクス状に有機電界発光素子１９０及び駆動ドライバ回路１３９が配列されている。有機電界発光素子１９０及び駆動ドライバ回路１３９を総称してユニットと定義する。ユニットは、図面には３×３の個数に配列されているが、このような個数で本実施形態は限定されない。また、基板１１０の上面には、製造工程中または製造工程後、反り現象を防止するための支持台１１２が形成されている。
図６ａに示されたように、支持台１１２は横方向のライン形態に形成され得る。図６ｂに示されたように、支持台１１２は縦方向のライン形態に形成され得る。図６ｃに示されたように、支持台１１２は横方向のライン形態と縦方向のライン形態とが混合された形態（すなわち碁盤のライン模様）であり得る。図６ｄに示されたように、支持台１１２は基板１１０の４辺に沿って四角ライン形態に形成されることもできる。
また、図面で二点鎖線はソーイングライン（sawing line）を意味する。図示されたように、ソーイングラインは略碁盤ライン形態に形成され得る。ここで、支持台１１２はソーイングラインの一側に沿って横方向、縦方向または横方向と縦方向とに同時形成されている。
したがって、上述したように、ソーイングラインに沿ってソーイングをすれば、基板１１０の一側端に所定厚さの支持台１１２が残存するようになる。勿論、支持台１１２の形成位置により、基板１１０に残存する支持台１１２の位置が多様に変更される。さらに、支持台１１２の幅をソーイング幅より少し大きく形成した状態で、ソーイングライン全体に沿って支持台１１２を形成すれば、ソーイングされた基板１１０のすべての周り（四角周り）に支持台１１２が残存することもできる。
上述したように、このような支持台１１２は、有機電界発光表示装置の残り製造工程または使用中に剛性を補強することで、有機電界発光表示装置の損傷や破損現象を防止する役割をする。
本実施形態のさらに他の目的は、製造工程時間を短縮するところにある。
本実施形態のさらに他の目的は、製造工程中、露光用紫外線を所望の基板だけに入射させて露光不良が発生しないようにするところにある。
上記のようにして本発明による有機電界発光表示装置は、０．０５〜１ｍｍの厚さを有する基板に形成されることで、近年スリム化趨勢にある携帯電話、ＰＤＡ、ノートパソコン、コンピューターモニター及びテレビなどのような各種ディスプレイ用電子製品に容易に適用することができる。
また、上記のようにして本実施形態に係る有機電界発光表示装置は、基板に非透過層を形成することで、製品の使用中、紫外線が基板を通じて半導体層や有機電界発光素子に影響を及ぼさなくなる。
また、上記のようにして本実施形態に係る有機電界発光表示装置は、基板の一側に支持台または合着剤が残存することで、製品の剛性を向上させ、外力によって容易に破損されなくなる。
上記のように本実施形態に係る有機電界発光表示装置の製造方法は、０．０５〜１ｍｍの厚さを有する薄型基板を２枚合着して半導体工程及び有機薄膜工程（勿論、各工程には洗浄、エッチング、露光、現像及び熱処理などが含まれる）を同時に行うことで、全体工程時間を略５０％程短縮させることができ、剛性を補強することで基板の移送工程中に、基板が反ったり破損されなくなったりする。
また、上記のようにして本実施形態に係る製造方法は、基板の一側に予め支持台を形成することで、製造工程中、前記基板の反り現象及び破損現象を抑制する。したがって、製造工程中、半導体層及び有機薄膜工程が不良なく良好に行われる。
また、上記のようにして本実施形態に係る製造方法は、基板の下面に非透過層を形成することで、製造工程中、露光工程による紫外線が反対側の他の基板に影響を与えなくなる。
また、上記のようにして本実施形態に係る製造方法は、基板に摩擦防止層を形成することで、２枚の基板合着の際にも、基板または基板表面に形成された金属間の接触を防止して基板損傷を防止することができる。
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例又は修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
１０１、１０２ 有機電界発光表示装置
１１０ 基板
１１２ 支持台
１２０ バッファ層
１３０ 半導体層
１３２ ソース／ドレーン領域
１３４ チャネル領域
１３９ 駆動ドライバ回路
１４０ ゲート絶縁膜
１５０ ゲート電極
１６０ 層間絶縁膜
１７０ ソース／ドレーン電極
１７６ 導電コンタクト
１８０ 絶縁膜
１８２ 保護膜
１８４ 平坦化膜
１９０ 有機電界発光素子
１９２ アノード
１９４ 有機薄膜
１９６ カソード
１９８ 導電ビア
２００ 画素定義膜
２１０ 非透過層
２３０ 摩擦防止層
２４０ 封止材
２５０ 封止基板
２６０ 合着剤
１１０ 基板
１１２ 支持台
１２０ バッファ層
１３０ 半導体層
１３２ ソース／ドレーン領域
１３４ チャネル領域
１３９ 駆動ドライバ回路
１４０ ゲート絶縁膜
１５０ ゲート電極
１６０ 層間絶縁膜
１７０ ソース／ドレーン電極
１７６ 導電コンタクト
１８０ 絶縁膜
１８２ 保護膜
１８４ 平坦化膜
１９０ 有機電界発光素子
１９２ アノード
１９４ 有機薄膜
１９６ カソード
１９８ 導電ビア
２００ 画素定義膜
２１０ 非透過層
２３０ 摩擦防止層
２４０ 封止材
２５０ 封止基板
２６０ 合着剤
Claims (23)
- 支持台が形成された基板を用意するステップと、
前記基板のうち支持台が形成された面の反対面に非透過層を形成するステップと、
前記基板を２枚用意し、前記非透過層を互いに対向させた状態で合着剤を介在して互いに合着するステップと、
前記合着された基板のうち支持台が形成された面と同じ面にそれぞれ半導体層を形成するステップと、
前記各半導体層に有機電界発光素子を形成するステップと、
前記各有機電界発光素子の外周縁に封止材を介在して封止基板を接着するステップと、
前記基板のうち封止基板の外周縁と対応する領域をソーイング（sawing）するものの、前記基板には前記支持台を残存させるステップと、
前記合着された２枚の基板を別個に分離するステップと、
を含むことを特徴とする、有機電界発光表示装置の製造方法。 - 前記基板用意ステップにおいて、前記支持台はソーイングされるいずれか１辺に沿って形成されることを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記基板用意ステップにおいて、前記支持台は前記半導体層及び有機電界発光素子の外周縁に形成されることを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記基板用意ステップにおいて、前記支持台は絶縁材料及び導電材料のうち選択されたいずれか１つで形成されることを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記基板用意ステップにおいて、前記支持台は前記封止材より薄く形成されることを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記基板用意ステップにおいて、前記支持台は前記封止材及び封止基板の全体より薄く形成されることを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記基板合着ステップにおいて、前記合着剤は半導体層及び有機電界発光素子の外周縁と対応する領域の基板に介在されることを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記基板合着ステップにおいて、前記合着剤は前記封止材の外周縁と対応する領域の基板に介在されることを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記基板用意ステップにおいて、前記基板は０．０５〜１ｍｍの厚さで形成されることを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記基板用意ステップにおいて、前記基板はガラス、プラスチック、ポリマー及びスチールのうち選択されたいずれか１つで形成されることを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記非透過層形成ステップにおいて、前記非透過層は前記基板の下面に５００〜３０００Åの厚さで形成されることを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記非透過層形成ステップにおいて、前記非透過層は前記基板の下面に紫外線遮断剤をコーティングして形成されることを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記非透過層形成ステップにおいて、前記非透過層は前記基板の下面に紫外線の透過されない金属、透明紫外線遮断剤及び不透明紫外線遮断剤のうちいずれか１つで形成されることを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記非透過層形成ステップにおいて、前記非透過層は前記基板の下面にクロム（Ｃｒ）、酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）及び銀合金（ＡＴＤ）のうち選択された少なくともいずれか１つで形成されることを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記非透過層形成ステップにおいて、前記基板の下面には摩擦防止層がさらに形成されることを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記非透過層形成ステップにおいて、前記基板の下面には１０〜１００μｍ厚さの摩擦防止層がさらに形成されることを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記非透過層形成ステップにおいて、前記非透過層の下面には有機材料及び無機材料のうち選択されたいずれか１つで摩擦防止層がさらに形成されることを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記基板合着ステップにおいて、前記各基板に形成された前記摩擦防止層が相互接触されることを特徴とする、請求項１５に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記封止基板の接着ステップにおいて、前記封止基板の広さは前記基板の広さより狭いことを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記ソーイングステップは、レーザービームで行われることを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記ソーイングステップは、前記基板に前記合着剤が残存するように行われることを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記基板分離ステップの後には、非透過層を除去するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記半導体層形成ステップは、前記半導体層の一側に駆動ドライバ回路をさらに形成してなることを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020060127290A KR100824902B1 (ko) | 2006-12-13 | 2006-12-13 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010177466A Division JP5432081B2 (ja) | 2006-12-13 | 2010-08-06 | 有機電界発光表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008153608A JP2008153608A (ja) | 2008-07-03 |
| JP4684258B2 true JP4684258B2 (ja) | 2011-05-18 |
Family
ID=39180643
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007109771A Active JP4684258B2 (ja) | 2006-12-13 | 2007-04-18 | 有機電界発光表示装置の製造方法 |
| JP2010177466A Active JP5432081B2 (ja) | 2006-12-13 | 2010-08-06 | 有機電界発光表示装置 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010177466A Active JP5432081B2 (ja) | 2006-12-13 | 2010-08-06 | 有機電界発光表示装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8916852B2 (ja) |
| EP (1) | EP1933401B1 (ja) |
| JP (2) | JP4684258B2 (ja) |
| KR (1) | KR100824902B1 (ja) |
| CN (1) | CN101202329B (ja) |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100824881B1 (ko) * | 2006-11-10 | 2008-04-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR100770127B1 (ko) * | 2006-11-10 | 2007-10-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR100824880B1 (ko) * | 2006-11-10 | 2008-04-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR100833738B1 (ko) | 2006-11-30 | 2008-05-29 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR100824902B1 (ko) | 2006-12-13 | 2008-04-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR100953654B1 (ko) | 2008-06-26 | 2010-04-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| EP2333862B1 (en) * | 2009-03-13 | 2014-09-17 | Mitsubishi Chemical Corporation | Process for manufacturing organic electroluminescent element |
| KR101084263B1 (ko) * | 2009-12-14 | 2011-11-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| JP5576296B2 (ja) * | 2010-03-01 | 2014-08-20 | パナソニック株式会社 | 有機ｅｌ装置およびその製造方法 |
| KR20120008359A (ko) * | 2010-07-16 | 2012-01-30 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 봉지 기판 및 유기 발광부 사이에 ｕｖ 차단 성능 등을 가지는 층을 포함하는 유기 발광 소자 |
| US8780579B2 (en) * | 2011-01-05 | 2014-07-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display |
| CN102810512B (zh) * | 2012-07-16 | 2014-07-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性显示器件的制造方法 |
| CN104012173B (zh) | 2012-07-26 | 2016-08-24 | 松下电器产业株式会社 | 有机el装置 |
| US20140139985A1 (en) * | 2012-11-12 | 2014-05-22 | Industrial Technology Research Institute | Environmental sensitive electronic device package |
| KR101971202B1 (ko) * | 2012-11-22 | 2019-04-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
| KR20140095851A (ko) * | 2013-01-25 | 2014-08-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102053411B1 (ko) * | 2013-03-07 | 2019-12-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102126276B1 (ko) * | 2013-08-30 | 2020-06-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| CN103560209A (zh) * | 2013-10-12 | 2014-02-05 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 有机发光二极管装置以及其制造方法 |
| KR102068093B1 (ko) * | 2013-11-04 | 2020-01-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시장치 제조 방법 |
| US10193101B2 (en) * | 2014-03-26 | 2019-01-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electronic device |
| WO2016018076A1 (en) * | 2014-07-29 | 2016-02-04 | Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. | Electron buffering material and organic electroluminescent device |
| WO2016092881A1 (ja) * | 2014-12-09 | 2016-06-16 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 表示装置および電子機器 |
| CN106450027B (zh) * | 2016-10-31 | 2018-08-14 | 昆山维信诺科技有限公司 | 柔性有机发光显示屏及其制备方法 |
| KR102537591B1 (ko) | 2018-04-25 | 2023-06-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치의 제조 방법 및 제조 장치 |
| KR102552930B1 (ko) | 2018-06-27 | 2023-07-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 패널 하부 부재 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| KR20200144172A (ko) * | 2019-06-17 | 2020-12-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5917810B2 (ja) * | 1975-06-12 | 1984-04-24 | セイコーエプソン株式会社 | 回路基板の製造方法 |
| JPH09211482A (ja) * | 1996-01-31 | 1997-08-15 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| JP2000298264A (ja) * | 1999-04-13 | 2000-10-24 | Samukon:Kk | 液晶表示装置用ガラス基板の製造方法とそれを用いた液晶表示装置 |
| JP2005284252A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Samsung Sdi Co Ltd | 平板ディスプレイ装置 |
| JP2007122984A (ja) * | 2005-10-26 | 2007-05-17 | Matsushita Electric Works Ltd | 照明装置 |
| JP2008141151A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示装置及び有機電界発光表示装置の製造方法 |
Family Cites Families (81)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US1584971A (en) * | 1924-09-20 | 1926-05-18 | Biro John | Metal former |
| AU572615B2 (en) * | 1983-12-27 | 1988-05-12 | Sony Corporation | Electrically conductive adhesive sheet circuit board and electrical connection structure |
| US5504605A (en) * | 1993-06-02 | 1996-04-02 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display module having cut-away portions of the back frame for weight reduction and heat dissipation |
| JP3364081B2 (ja) | 1995-02-16 | 2003-01-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JPH0980476A (ja) | 1995-09-12 | 1997-03-28 | Nec Corp | アクティブマトリックス基板とその製造方法 |
| US5986401A (en) | 1997-03-20 | 1999-11-16 | The Trustee Of Princeton University | High contrast transparent organic light emitting device display |
| JP3874871B2 (ja) | 1997-02-10 | 2007-01-31 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
| WO2000026973A1 (en) * | 1998-11-02 | 2000-05-11 | Presstek, Inc. | Transparent conductive oxides for plastic flat panel displays |
| JP2000150145A (ja) | 1998-11-02 | 2000-05-30 | Toyota Motor Corp | Ｅｌ素子の密封方法 |
| JP3450213B2 (ja) | 1999-03-18 | 2003-09-22 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | フラットパネル型表示装置 |
| US6469439B2 (en) * | 1999-06-15 | 2002-10-22 | Toray Industries, Inc. | Process for producing an organic electroluminescent device |
| US6559594B2 (en) | 2000-02-03 | 2003-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| JP2001267578A (ja) | 2000-03-17 | 2001-09-28 | Sony Corp | 薄膜半導体装置及びその製造方法 |
| JP2001319776A (ja) | 2000-05-12 | 2001-11-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Ｅｌパネルの作製方法 |
| US7083863B2 (en) | 2001-02-21 | 2006-08-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Luminous element and method for preparation thereof |
| JP2002350833A (ja) | 2001-05-30 | 2002-12-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| US6735982B2 (en) | 2001-07-12 | 2004-05-18 | Intel Corporation | Processing relatively thin glass sheets |
| KR100782937B1 (ko) | 2001-07-24 | 2007-12-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광소자 |
| US6660547B2 (en) * | 2001-07-26 | 2003-12-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Stabilization for thin substrates |
| JP4678120B2 (ja) * | 2001-08-02 | 2011-04-27 | 三菱電機株式会社 | サーボ制御システム及びその制御方法 |
| FR2829723B1 (fr) | 2001-09-14 | 2004-02-20 | Saint Gobain | Vitrage de securite fonctionnalise |
| TW594947B (en) | 2001-10-30 | 2004-06-21 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US6731064B2 (en) | 2001-11-20 | 2004-05-04 | International Business Machines Corporation | Yield enchancement pixel structure for active matrix organic light-emitting diode displays |
| KR100656490B1 (ko) | 2001-11-26 | 2006-12-12 | 삼성에스디아이 주식회사 | 풀칼라 유기전계 발광표시소자 및 그의 제조방법 |
| KR100483988B1 (ko) | 2001-11-29 | 2005-04-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 투명도전막의 투과도 변형방법 |
| JP2003173872A (ja) | 2001-12-06 | 2003-06-20 | Sony Corp | アライメント方法、パターン形成方法及びアライメント装置、並びに有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 |
| KR100491143B1 (ko) | 2001-12-26 | 2005-05-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 블랙매트릭스를 구비한 평판표시장치 및 그 제조방법 |
| US6953735B2 (en) * | 2001-12-28 | 2005-10-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for fabricating a semiconductor device by transferring a layer to a support with curvature |
| US6815723B2 (en) | 2001-12-28 | 2004-11-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method of manufacturing the same, and manufacturing apparatus therefor |
| KR100845557B1 (ko) | 2002-02-20 | 2008-07-10 | 삼성전자주식회사 | 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법 |
| JP2003282235A (ja) | 2002-03-25 | 2003-10-03 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| TW595254B (en) | 2002-03-29 | 2004-06-21 | Sanyo Electric Co | Electroluminescense display device |
| JP2003317953A (ja) | 2002-04-26 | 2003-11-07 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造装置及び電子機器 |
| TWI272641B (en) | 2002-07-16 | 2007-02-01 | Semiconductor Energy Lab | Method of manufacturing a semiconductor device |
| KR101079757B1 (ko) | 2002-10-30 | 2011-11-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 및 반도체장치의 제작방법 |
| JP2004170910A (ja) | 2002-10-31 | 2004-06-17 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
| JP2004192969A (ja) | 2002-12-12 | 2004-07-08 | Hitachi Displays Ltd | 有機ｅｌ表示装置 |
| JP4218338B2 (ja) | 2002-12-24 | 2009-02-04 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
| KR100904523B1 (ko) * | 2002-12-26 | 2009-06-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액티브 매트릭스형 유기전계발광 소자용 박막트랜지스터 |
| JP4373085B2 (ja) | 2002-12-27 | 2009-11-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法、剥離方法及び転写方法 |
| TW578441B (en) | 2003-01-10 | 2004-03-01 | Au Optronics Corp | Top emission active matrix OLED and fabricating method thereof |
| JP4343850B2 (ja) | 2003-02-20 | 2009-10-14 | 富士フイルム株式会社 | 有機ｅｌ素子及びその製造方法 |
| US7304005B2 (en) | 2003-03-17 | 2007-12-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method for manufacturing a semiconductor device |
| JP2004311421A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-11-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US7365442B2 (en) * | 2003-03-31 | 2008-04-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Encapsulation of thin-film electronic devices |
| US7247986B2 (en) * | 2003-06-10 | 2007-07-24 | Samsung Sdi. Co., Ltd. | Organic electro luminescent display and method for fabricating the same |
| KR20040106808A (ko) | 2003-06-11 | 2004-12-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판 표시 장치 |
| KR100527195B1 (ko) | 2003-07-25 | 2005-11-08 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계 발광표시장치 |
| KR100542997B1 (ko) | 2003-08-07 | 2006-01-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 및 그의 제조방법 |
| JP4373159B2 (ja) | 2003-08-21 | 2009-11-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| JP2005071646A (ja) * | 2003-08-28 | 2005-03-17 | Chi Mei Electronics Corp | 有機ｅｌディスプレイおよびその製造方法 |
| JP2005077945A (ja) | 2003-09-02 | 2005-03-24 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 表示装置の製造方法 |
| JP2005085705A (ja) | 2003-09-10 | 2005-03-31 | Seiko Epson Corp | 電気デバイス及びその製造方法、電子機器 |
| JP4400153B2 (ja) | 2003-09-11 | 2010-01-20 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置およびその製造方法、電子機器 |
| KR20050029826A (ko) | 2003-09-23 | 2005-03-29 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 및 그의 제조방법 |
| JP4497881B2 (ja) | 2003-09-30 | 2010-07-07 | 三洋電機株式会社 | 有機ｅｌ素子および有機ｅｌパネル |
| JP2005135977A (ja) * | 2003-10-28 | 2005-05-26 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
| JP4759917B2 (ja) | 2003-12-16 | 2011-08-31 | ソニー株式会社 | 薄膜デバイスの製造方法、薄膜デバイスおよび液晶表示装置 |
| KR100959786B1 (ko) | 2003-12-23 | 2010-05-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광소자의 제조방법 |
| JP3646120B1 (ja) | 2004-02-05 | 2005-05-11 | 西山ステンレスケミカル株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ（以下、有機ｅｌｄ）パネルの製造方法、および、有機ｅｌｄパネル用ガラス基板の薄型化方法 |
| GB0406540D0 (en) | 2004-03-24 | 2004-04-28 | Koninkl Philips Electronics Nv | Electroluminescent display devices |
| KR100984362B1 (ko) * | 2004-04-02 | 2010-09-30 | 삼성전자주식회사 | 유기 발광 표시판 |
| JP2005340182A (ja) | 2004-04-30 | 2005-12-08 | Toyota Industries Corp | Ｅｌ装置の基板の薄型化方法及び貼り合わせ基板の分断方法 |
| KR20050112031A (ko) | 2004-05-24 | 2005-11-29 | 삼성에스디아이 주식회사 | 반도체 소자 및 그 형성 방법 |
| JP2005340011A (ja) | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
| KR100603350B1 (ko) * | 2004-06-17 | 2006-07-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계 발광 디스플레이 장치 |
| JP2006058814A (ja) | 2004-08-24 | 2006-03-02 | Sony Corp | 表示装置 |
| US7407716B2 (en) * | 2004-09-01 | 2008-08-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Light emitting devices with multiple light emitting layers to achieve broad spectrum |
| WO2006049970A2 (en) * | 2004-10-27 | 2006-05-11 | Yuval Carmel | Radio-frequency device for passivation of vascular plaque and method of using same |
| JP2005222930A (ja) | 2004-12-15 | 2005-08-18 | Nishiyama Stainless Chem Kk | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法、および、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル用ガラス基板の薄型化方法 |
| JP2006216456A (ja) | 2005-02-04 | 2006-08-17 | Seiko Instruments Inc | 有機電子デバイスの製造方法 |
| KR20050051646A (ko) | 2005-02-18 | 2005-06-01 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조 방법 |
| KR100700657B1 (ko) | 2005-03-14 | 2007-03-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 |
| JP2006270511A (ja) | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Fuji Xerox Co Ltd | 情報処理装置、データ送信方法および情報処理プログラム |
| KR20060124940A (ko) * | 2005-06-01 | 2006-12-06 | 삼성전자주식회사 | 가요성 표시 장치의 제조 방법 |
| KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
| KR100742368B1 (ko) | 2005-11-02 | 2007-07-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광소자 및 그 제조방법 |
| KR100824881B1 (ko) | 2006-11-10 | 2008-04-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR100824880B1 (ko) | 2006-11-10 | 2008-04-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR100770127B1 (ko) | 2006-11-10 | 2007-10-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR100824902B1 (ko) | 2006-12-13 | 2008-04-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
-
2006
- 2006-12-13 KR KR1020060127290A patent/KR100824902B1/ko active IP Right Grant
-
2007
- 2007-04-13 US US11/785,098 patent/US8916852B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-04-18 JP JP2007109771A patent/JP4684258B2/ja active Active
- 2007-04-20 CN CN2007100978635A patent/CN101202329B/zh active Active
- 2007-05-25 EP EP07252178A patent/EP1933401B1/en active Active
-
2010
- 2010-08-06 JP JP2010177466A patent/JP5432081B2/ja active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5917810B2 (ja) * | 1975-06-12 | 1984-04-24 | セイコーエプソン株式会社 | 回路基板の製造方法 |
| JPH09211482A (ja) * | 1996-01-31 | 1997-08-15 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| JP2000298264A (ja) * | 1999-04-13 | 2000-10-24 | Samukon:Kk | 液晶表示装置用ガラス基板の製造方法とそれを用いた液晶表示装置 |
| JP2005284252A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Samsung Sdi Co Ltd | 平板ディスプレイ装置 |
| JP2007122984A (ja) * | 2005-10-26 | 2007-05-17 | Matsushita Electric Works Ltd | 照明装置 |
| JP2008141151A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示装置及び有機電界発光表示装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101202329B (zh) | 2011-02-16 |
| US20080142791A1 (en) | 2008-06-19 |
| EP1933401B1 (en) | 2011-08-10 |
| JP2008153608A (ja) | 2008-07-03 |
| CN101202329A (zh) | 2008-06-18 |
| JP5432081B2 (ja) | 2014-03-05 |
| JP2010272542A (ja) | 2010-12-02 |
| KR100824902B1 (ko) | 2008-04-23 |
| US8916852B2 (en) | 2014-12-23 |
| EP1933401A1 (en) | 2008-06-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4684258B2 (ja) | 有機電界発光表示装置の製造方法 | |
| JP4713534B2 (ja) | 有機電界発光表示装置及び有機電界発光表示装置の製造方法 | |
| JP4465367B2 (ja) | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 | |
| JP4489092B2 (ja) | 有機電界発光表示装置及び有機電界発光表示装置の製造方法 | |
| KR100824881B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR100770104B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법과 이를 위한이송 장치 | |
| KR102586944B1 (ko) | 구조물 및 이의 제조 방법 | |
| JP2007273400A (ja) | 光デバイスの製造方法、および光デバイス | |
| KR102621564B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법 | |
| KR20160083547A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 | |
| JP2009146628A (ja) | 有機ｅｌディスプレイ及び有機ｅｌディスプレイの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20081209 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100406 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100706 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20100706 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100715 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100806 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110125 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110208 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140218 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4684258 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140218 Year of fee payment: 3 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140218 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |