JP4489092B2 - 有機電界発光表示装置及び有機電界発光表示装置の製造方法 - Google Patents

有機電界発光表示装置及び有機電界発光表示装置の製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、有機電界発光表示装置及びその製造方法に関し、より詳しくは、薄い厚さの有機電界発光表示装置を製造でき、製造工程中または製造工程後に紫外線が基板を通じて半導体層及び有機電界発光素子に伝達されるのを防ぎ、製造工程中に基板の曲がり及び損傷を防止して、製造工程時間を短縮することができる、有機電界発光表示装置及びその製造方法に関する。
一般に、有機電界発光表示装置は、蛍光性または燐光性有機化合物に電流を流すことで、電子と正孔とが結合して自発光する表示装置である。また、このような有機電界発光表示装置は、例えば、ｎ×ｍ個の有機電界発光素子を電圧駆動または電流記入して映像を表示する。
また、このような有機電界発光素子は、図１に示すように、アノード（ＩＴＯ）、有機薄膜、及びカソード電極（ｍｅｔａｌ）の構造を基本構造にする。有機薄膜は、電子と正孔が結合し、励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）を生成して発光する発光層（ｅｍｉｔｔｉｎｇｌａｙｅｒ、ＥＭＬ）と、電子の移動速度を適切に調節する電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ、ＥＴＬ）と、正孔の移動速度を適切に調節する正孔輸送層（ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ、ＨＴＬ）と、を含む。また、電子輸送層には、電子の注入効率を向上させる電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ、ＥＩＬ）が形成され、正孔輸送層には、正孔の注入効率を向上させる正孔注入層（ｈｏｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ、ＨＩＬ）がさらに形成されてもよい。
このような有機電界発光表示装置は、広視野角、超高速応答、自発光などの利点を有しており、小型から大型に至るまでの動画表示装置としても適している。また、有機電界発光表示装置は、低消費電力、バックライト（ｂａｃｋｌｉｇｈｔ）が不要なことから、軽量及び薄型に製作することができる。また、有機電界発光表示装置は、低温での製造が可能であり、製造工程が単純なことから、低価格化が可能である。さらに、最近では、有機薄膜材料技術及び工程技術の急速な成長により、既存の平板表示装置の代替技術として期待されている。
ところが、最近では、携帯電話機、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｄｉｇｉｔａｌ Ａｓｓｉｓｔａｎｔ）、ノート型ＰＣ、コンピューターモニター、及びテレビなどのような電子製品のスリム（ｓｌｉｍ）化に伴い、有機電界発光表示装置も次第に、約１ｍｍ以下の厚さで形成されることが要求されてきている。しかし、現在の有機電界発光表示装置は、封止技術を代替する保護膜技術が充分に開発されてない状況であるため、１ｍｍ以下の厚さの製造は困難である。
この困難を克服し、厚さ１ｍｍ以下の有機電界発光表示装置を製造するために、特許文献１〜特許文献３によれば、２枚のガラス基板にそれぞれ素子層（半導体層及び有機電界発光素子など）を形成して、各素子層が対面するようにガラス基板を合着し、以後、素子層のないガラス基板の表面をエッチング工程や研磨工程により除去することで、スリムな有機電界発光表示装置を製造する方法が知られている。
特開２００５−３４０１８２号公報 特開２００５−２２２９３０号公報 特開２００５−２２２７８９号公報
しかし、このような方法によれば、２枚のガラス基板を用意し、それぞれのガラス基板に半導体層や有機電界発光素子をそれぞれ形成した後、この２枚のガラス基板を合着してエッチング（蝕刻、食刻）または研磨する。従って、製造工程時間が非常に長くなるという問題点があった。さらに、このような従来の方法によれば、ある程度の完成されたガラス基板を合着することで、合着工程中に、ガラス基板、半導体層、及び有機電界発光素子が損傷したり、破損する場合が多いので生産性（低生産収率）が悪く、これに伴い製造費用が高くなるという問題点があった。
勿論、ガラス基板の厚さをあらかじめ１ｍｍ以下に製造した後、その表面に素子層を形成する方法も考慮できるが、この場合、ガラス基板の厚さが非常に薄くなるため、移送工程中にガラス基板が湾曲したり、移送装置に機械的に接触して破損するという問題点があった。
そこで、本発明は、問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、薄型に形成することが可能で、かつ、製造工程中の基板の湾曲や破損等の不具合の発生を防止するとともに、製造工程に要する時間を短縮することができるため、生産性を向上し、製造に掛かる費用を削減することが可能な、新規かつ改良された有機電界発光表示装置及び有機電界発光表示装置の製造方法を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、基板と、基板に形成された非透過層と、非透過層に形成された半導体層と、半導体層に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜に形成されたゲート電極と、ゲート電極に形成された層間絶縁膜と、層間絶縁膜に形成されたソース／ドレイン電極と、ソース／ドレイン電極に形成された絶縁膜と、絶縁膜に形成された有機電界発光素子と、を備えることを特徴とする、有機電界発光表示装置が提供される。
また、非透過層は、紫外線遮断剤で形成されてもよい。
また、非透過層は、紫外線を透過しない金属、透明紫外線遮断剤、及び不透明の紫外線遮断剤の中から選択されたいずれか１つにより形成されてもよい。
また、非透過層は、クロム（Ｃｒ）、酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、及び銀合金（ＡＴＤ）の中から選択されたいずれか１つにより形成されてもよい。
また、非透過層は、５００〜３０００Åの厚さに形成されてもよい。
また、非透過層と半導体層との間には、バッファ層がさらに形成されてもよい。
また、基板と非透過層との間には、バッファ層がさらに形成されてもよい。
また、基板は、０．０５〜１ｍｍの厚さに形成されてもよい。
また、基板は、ガラス、プラスチック、金属、及びポリマーの中から選択されたいずれか１つにより形成されてもよい。
また、基板の下面には、摩擦防止層がさらに形成されてもよい。
また、基板の下面には、１０〜１００μｍ厚さの摩擦防止層がさらに形成されてもよい。
また、基板の下面には、有機材料及び無機材料の中から選択されたいずれか１つからなる摩擦防止層がさらに形成されてもよい。
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、基板を準備する段階と、基板を２枚準備して合着する段階と、各基板のうち、合着面の反対面に非透過層を形成する段階と、各非透過層上に、半導体層を形成する段階と、各半導体層上に、絶縁膜を形成する段階と、各絶縁膜上に、有機電界発光素子を形成する段階と、合着された２枚の基板をそれぞれ分離する段階と、を備えることを特徴とする、有機電界発光表示装置の製造方法が提供される。
また、非透過層形成段階では、紫外線遮断剤をコーティングして非透過層を形成してもよい。
また、非透過層形成段階では、紫外線を透過しない金属、透明紫外線遮断剤、及び不透明の紫外線遮断剤の中から選択されたいずれか１つにより非透過層を形成してもよい。
また、非透過層形成段階では、クロム（Ｃｒ）、酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、及び銀合金（ＡＴＤ）の中から選択されたいずれか１つにより非透過層を形成してもよい。
また、非透過層形成段階では、５００〜３０００Åの厚さの非透過層を形成してもよい。
また、基板準備段階では、０．０５〜１ｍｍの厚さの基板を準備してもよい。
また、基板準備段階では、ガラス、プラスチック、金属、及びポリマーの中から選択されたいずれか１つにより形成された基板を準備してもよい。
また、非透過層形成段階は、基板の表面にあらかじめバッファ層を形成した後に、実行されてもよい。
また、半導体層形成段階は、非透過層の表面にあらかじめバッファ層を形成した後に、実行されてもよい。
また、基板合着段階では、２枚の基板の間に、摩擦防止層を形成してもよい。
また、基板合着段階では、２枚の基板の間に、１０〜１００μｍ厚さの摩擦防止層を形成してもよい。
また、基板合着段階では、２枚の基板の間に、有機材料及び無機材料の中から選択されたいずれか１つからなる摩擦防止層を形成してもよい。
また、基板分離段階の後には、摩擦防止層を除去する段階をさらに含んでもよい。
以上説明したように本発明によれば、薄型に形成することが可能で、かつ、製造工程中の基板の湾曲や破損等の不具合の発生を防止するとともに、製造工程に要する時間を短縮することができるため、生産性を向上し、製造に掛かる費用を削減することができる。
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
（有機電界発光表示装置の構成）
まず、図２ａ及び図２ｂを参照して、本発明の実施形態に係る有機電界発光表示装置について説明する。図２ａは、本実施形態に係る有機電界表示装置の構成の一例を示す断面図であり、図２ｂは、本実施形態に係る有機電界表示装置の構成の他の例を示す断面図である。
（有機電界発光表示装置の一例）
図２ａに示すように、本実施形態に係る有機電界発光表示装置の一例である有機電界発光表示装置１０１は、基板１１０と、基板１１０上に形成されたバッファ層１２０と、バッファ層１２０上に形成された非透過層１３０と、非透過層１３０上に形成された半導体層１４０と、半導体層１４０上に形成されたゲート絶縁膜１５０と、ゲート絶縁膜１５０上に形成されたゲート電極１６０と、ゲート電極１６０上に形成された層間絶縁膜１７０と、層間絶縁膜１７０上に形成されたソース／ドレイン電極１８０と、ソース／ドレイン電極１８０上に形成された絶縁膜１９０と、絶縁膜１９０上に形成された有機電界発光素子２００と、有機電界発光素子２００の外周縁において絶縁膜１９０上に形成された画素定義膜２１０と、基板１１０の下面に形成された摩擦防止層２２０と、を含む。
基板１１０は、上面と下面とが略平坦に形成され、上面と下面との間の厚さが約０．０５〜１ｍｍ程度に形成されうる。基板１１０の厚さが約０．０５ｍｍ以下である場合には、製造工程中の洗浄、エッチング、及び熱処理工程などによって損傷されやすく、また、外力に弱いという弱点がある。そして、基板１１０の厚さが約１ｍｍ以上である場合には、最近のスリム化した各種表示装置に適用し難いという難点がある。
また、基板１１０は、例えば、通常のガラス、プラスチック、ポリマー、及びその等価物の中から選択されたいずれか１つによって形成することができるが、本発明は、かかる材質に限定されるものではない。
バッファ層１２０は、基板１１０の上面に形成されうる。このようなバッファ層１２０は、下記の半導体層１４０や有機電界発光素子２００側に湿気（Ｈ２Ｏ）、水素（Ｈ２）、または酸素（Ｏ２）などが基板１１０を貫通して侵透しないようにする役割を担う。このために、バッファ層１２０は、例えば、半導体の工程中に形成し易いシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）、シリコン窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４）、無機膜、及びその等価物の中から選択された少なくともいずれか１つによって形成することができるが、本発明は、かかる材質に限定されるものではない。勿論、このようなバッファ層１２０は、必要によって省略することもできる。
非透過層１３０は、バッファ層１２０の上面に形成されうる。このような非透過層１３０は、２枚の基板１１０を合着し、一方の基板１１０に半導体層１４０及び有機電界発光素子２００などを形成する製造工程中に、紫外線が反対側の他方の基板１１０に透過することを防ぐ役割を担う。勿論、非透過層１３０は、基板１１０が一個ずつ分離された後、外部の紫外線が半導体層１４０や有機電界発光素子２００側に透過することを防ぐ役割も担う。
このような非透過層１３０は、例えば、実質的に、紫外線遮断剤及びその等価物の中から選択されたいずれか１つによって形成することができる。尚、非透過層１３０は、例えば、紫外線を透過しない金属、透明紫外線遮断剤、不透明の紫外線遮断剤、及びその等価物の中から選択されたいずれか１つによって形成することもできる。さらに、非透過層１３０が金属である場合、非透過層１３０は、例えば、クロム（Ｃｒ）、酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、銀合金（ＡＴＤ）、及びその等価物の中から選択されたいずれか１つによって形成することも可能であるが、本発明は、かかる材質に限定されるものではない。
また、このような非透過層１３０は、下記の半導体層１４０との間で電気的にショートしないように、表面に別途の絶縁処理が施されてもよい。勿論、自体材質が絶縁性である場合には、このような絶縁処理が不要である。
このような非透過層１３０は、５００〜３０００Åの厚さに形成されうる。非透過層１３０の厚さが５００Åの以下である場合には、紫外線遮断率が低く、製造工程中、或いは工程後に、紫外線が透過して半導体層１４０や有機電界発光素子２００に影響を与える恐れがあり、また、非透過層１３０の厚さが３０００Åの以上である場合には、充分な紫外線遮断効率を確保できるにもかかわらず、全体の厚さが非常に厚くなる恐れがある。
半導体層１４０は、非透過層１３０の上面に形成されうる。このような半導体層１４０は、相互に対向する両側に形成されたソース／ドレイン領域１４２と、ソース／ドレイン領域１４２の間に形成されたチャネル領域１４４と、を含む。例えば、半導体層１４０は、薄膜トランジスタにより形成することができる。このような薄膜トランジスタは、例えば、アモルファスシリコン（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ Ｓｉ）薄膜トランジスタ、ポリシリコン（ｐｏｌｙ Ｓｉ）薄膜トランジスタ、有機薄膜トランジスタ、マイクロシリコン（ｍｉｃｒｏ Ｓｉ、アモルファスシリコンとポリシリコンとの間にグレーンサイズを有するシリコン）薄膜トランジスタ、及びその等価物の中から選択された少なくともいずれか１つによって形成することができるが、本発明において、上記の薄膜トランジスタの種類が、かかる例に限定されるわけではない。
また、薄膜トランジスタがポリシリコン薄膜トランジスタである場合、ポリシリコン薄膜トランジスタは、例えば、低温でレーザを利用して結晶化する方法、金属を利用して結晶化する方法、高圧力を利用して結晶化する方法、及びその等価方法の中から選択されたいずれか１つの方法により形成できるが、本発明において、ポリシリコンの結晶化方法がかかる例に限定されるわけではない。レーザを利用して結晶化する方法としては、例えば、ＥＬＡ（Ｅｘｃｉｍｅｒ Ｌａｓｅｒ Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）、ＳＬＳ（Ｓｅｑｕｅｎｔｉａｌ Ｌａｔｅｒａｌ Ｓｏｌｉｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ）、ＴＤＸ（Ｔｈｉｎ Ｂｅａｍ Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）などの方式が使用可能であるが、本発明は、これらの方法に限定されるものではない。また、金属を利用して結晶化する方法は、例えば、ＳＰＣ（Ｓｏｌｉｄ Ｐｈａｓｅｓ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）、ＭＩＣ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）、ＭＩＬＣ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｌａｔｅｒａｌ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）、ＳＧＳ（Ｓｕｐｅｒ Ｇｒａｉｎｅｄ Ｓｉｌｉｃｏｎ）などが使用可能であるが、本発明は、これらの方法に限定されるものではない。勿論、薄膜トランジスタは、例えば、ＰＭＯＳ、ＮＭＯＳ、及びその等価形態の中から選択された少なくともいずれか１つによって形成することができるが、本発明において、薄膜トランジスタの導電形態がかかる例に限定されるものでもない。
ゲート絶縁膜１５０は、半導体層１４０の上面に形成されうる。勿論、このようなゲート絶縁膜１５０は、半導体層１４０の外周縁である非透過層１３０上にも形成されてもよい。また、ゲート絶縁膜１５０は、例えば、半導体の工程（半導体層形成段階Ｓ５等）中に、容易に形成することができるシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、無機膜、及びその等価物の中から選択された少なくともいずれか１つによって形成することができるが、ここでその材質がかかる例に限定されるわけではない。
ゲート電極１６０は、ゲート絶縁膜１５０の上面に形成されうる。さらに、具体的に、ゲート電極１６０は、半導体層１４０のうち、チャネル領域１４４に対応したゲート絶縁膜１５０上に形成されうる。このようなゲート電極１６０は、ゲート絶縁膜１５０下部のチャネル領域１４４に電界を印加することで、チャネル領域１４４に正孔または電子のチャネルを形成することができる。また、ゲート電極１６０は、例えば、通常の金属（Ｍｏ、ＭｏＷ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ａｌ、ＡｌＮｄ、Ｃｒ、Ｍｏ合金、Ｃｕ合金、Ａｌ合金など）、ドーピングされたポリシリコン、及びその等価物の中から選択された少なくともいずれか１つによって形成することができるが、ここで、その材質がかかる例に限定されるわけではない。
層間絶縁膜１７０は、ゲート電極１６０の上面に形成されうる。勿論、このような層間絶縁膜１７０は、ゲート電極１６０の外周縁であるゲート絶縁膜１５０の上面にも形成されうる。また、層間絶縁膜１７０は、例えば、ポリマー系列、プラスチック系列、ガラス系列またはその等価物の中から選択されたいずれか１つに形成されることができるが、ここで、層間絶縁膜１７０の材質がかかる例に限定されるわけではない。
ソース／ドレイン電極１８０は、層間絶縁膜１７０の上面に形成されうる。勿論、ソース／ドレイン電極１８０と半導体層１４０との間には、層間絶縁膜１７０を貫通する導電性コンタクト１８６（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｃｏｎｔａｃｔ）が形成されうる。すなわち、導電性コンタクト１８６によって半導体層１４０のうち、ソース／ドレイン領域１４２とソース／ドレイン電極１８０とが互いに電気的に接続される。尚、ソース／ドレイン電極１８０は、ゲート電極１６０のような金属材質によって形成することができるが、ここで、その材質がかかる例に限定されるわけではない。
一方、上記のような半導体層１４０（すなわち、薄膜トランジスタ）は、通常、同一平面構造（ｃｏｐｌａｎａｒ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）に定義されることができる。しかし、本実施形態における半導体層１４０は、同一平面構造のみに限定されるものではなく、今まで知られたすべての薄膜トランジスタの構造を例に挙げれば、逆転同一平面構造（ｉｎｖｅｒｔｅｄ ｃｏｐｌａｎａｒ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）、ジグザグ型構造（ｓｔａｇｇｅｒｅｄ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）、逆転ジグザグ型構造（ｉｎｖｅｒｔｅｄ ｓｔａｇｇｅｒｅｄ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）、及びその等価構造の中から選択された少なくともいずれか１つによって形成すること可能であり、本発明において、半導体層１４０の構造が限定されるわけではない。
絶縁膜１９０は、ソース／ドレイン電極１８０の上面全体に形成されうる。このような絶縁膜１９０は、保護膜１９２と、保護膜１９２の上面に形成された平坦化膜１９４と、を備えてもよい。
保護膜１９２は、ソース／ドレイン電極１８０及び層間絶縁膜１７０を覆って、ソース／ドレイン電極１８０及びゲート電極１６０などを保護する役割を担う。このような保護膜１９２は、例えば、通常の無機膜及びその等価物の中から選択されたいずれか１つによって形成することができるが、本発明において、保護膜１９２の材質がかかる例に限定されるわけではない。平坦化膜１９４は、保護膜１９２を覆う。このような平坦化膜１９４は、素子全体の表面を平坦にするために、ＢＣＢ（Ｂｅｎｚｏ Ｃｙｃｌｏ Ｂｕｔｅｎｅ）、アクリル（Ａｃｒｙｌｉｃ）、及びその等価物の中から選択された少なくともいずれか１つによって形成することができるが、ここで、その材質がかかる例に限定されるわけではない。
有機電界発光素子２００は、絶縁膜１９０の上面に形成されうる。このような、有機電界発光素子２００は、アノード２０２と、アノード２０２の上面に形成された有機電界発光薄膜２０４と、有機電界発光薄膜２０４の上面に形成されたカソード２０６と、を含んでもよい。
アノード２０２は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｕｉｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＯ／Ａｇ、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、及びその等価物の中から選択された少なくともいずれか１つによって形成することができるが、本発明において、アノード２０２の材質がかかる例に限定されるわけではない。ＩＴＯは、仕事関数が均一で有機電界発光薄膜２０４に対する正孔注入障壁が小さい透明導電膜であり、Ａｇは、全面発光方式で特に有機電界発光薄膜２０４から光を上面に反射させる膜である。
一方、有機電界発光薄膜２０４は、電子と正孔とが結合して励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）を生成して発光する発光層（ｅｍｉｔｔｉｎｇｌａｙｅｒ、ＥＭＬ）と、電子の移動速度を適切に調節する電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ、ＥＴＬ）と、正孔の移動速度を適切に調節する正孔輸送層（ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ、ＨＴＬ）と、からなることができる。また、電子輸送層には、電子の注入効率を向上させる電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ、ＥＩＬ）が形成され、正孔輸送層には、正孔の注入効率を向上させる正孔注入層（ｈｏｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ、ＨＩＬ）がさらに形成されてもよい。
尚、カソード２０６は、例えば、Ａｌ、ＭｇＡｇ合金、ＭｇＣａ合金、及びその等価物の中から選択された少なくともいずれか１つにより形成することができるが、本発明において、カソード２０６の材質がかかる例に限定されるわけではない。但し、本発明において、全面発光式を採用する場合、Ａｌは、厚さを非常に薄くしなければならなく、その場合、抵抗が高くなって電子注入障壁が大きくなる短所がある。ＭｇＡｇ合金は、Ａｌに比べて電子注入障壁が小さく、ＭｇＣａ合金は、ＭｇＡｇ合金に比べて電子注入障壁がより低い。しかし、このようなＭｇＡｇ合金及びＭｇＣａ合金は、周辺環境に敏感あり、酸化して絶縁層を形成することがありうるので、外部と完璧に遮断しなければならない。
尚、有機電界発光素子２００のうち、アノード２０２とソース／ドレイン電極１８０とは、絶縁膜１９０（保護膜１９２及び平坦化膜１９４）を貫通して形成された導電性ビア２０８（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｖｉａ）によって互いに電気的に接続されうる。一方、ここで本実施形態では、基板１１０の上部方向に発光する全面発光方式を中心に説明したが、これに限定されなく、本発明は、基板１１０の下部方向に発光する背面発光方式、または基板１１０の上部と下部方向に同時に発光する両面発光にも全部適用可能である。
画素定義膜２１０は、有機電界発光素子２００の外周縁として、絶縁膜１９０の上面に形成されうる。このような画素定義膜２１０は、赤色有機電界発光素子と、緑色有機電界発光素子と、青色有機電界発光素子との間の境界を明確にして、さらに各画素の間の発光境界領域が明確になるようにする。また、このような画素定義膜２１０は、例えば、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、及びその等価物の中から選択された少なくともいずれか１つによって形成することができるが、ここで画素定義膜２１０の材質がかかる例に限定されるわけではない。
一方、本実施形態に係る有機電界発光表示装置１０１には、基板１１０の下面に摩擦防止層２２０がさらに形成されうる。このような摩擦防止層２２０は、２枚の基板１１０を合着して半導体層１４０及び有機電界発光素子２００などを形成する工程中に、両基板１１０が互いに接触しないようにする役割を担う。尚、このような摩擦防止層２２０は、２枚の基板１１０が合着された状態において、全体的な厚さを厚くすることで、所定の剛性を確保して基板の移送工程などにおける基板１１０の湾曲や破損等の不良の発生を防止することができる。このような摩擦防止層２２０は、例えば、有機材料、無機材料、及びその等価物の中から選択されたいずれか１つを利用して形成することができるが、ここでその材質がかかる例に限定されるわけではない。
また、摩擦防止層２２０は、１０〜１００μｍの厚さに形成することが好ましい。摩擦防止層２２０の厚さが１０μｍの以下である場合には、製造工程中に基板と基板とが接触する可能性があり、摩擦防止層２２０の厚さが１００μｍ以上である場合には、基板１１０の全体の厚さが非常に厚くなりうる。
（有機電界発光表示装置の他の例）
以上、本実施形態に係る有機電界発光表示装置の一例について説明した。次に、図２ｂを参照して、有機電界表示装置の他の例である有機電界発光表示装置１０２について説明する。なお、有機電界発光表示装置１０２は、有機電界発光表示装置１０１の構成に対して、非透過層１３０の配置位置のみが異なる。他の構成については同様であるため、ここでの説明は省略する。
図２ｂに示すように、本実施形態に係る有機電界発光表示装置１０２は、基板１１０と、バッファ層１２０との間に、非透過層１３０が形成される。勿論、このような非透過層１３０の材質や厚さは、上記の有機電界発光表示装置１０１が有する非透過層１３０と同様である。このように非透過層１３０をバッファ層１２０上面ではなく、基板１１０とバファ層１２０との間に形成することで、非透過層１３０と半導体層１４０との間に発生しうる電気的ショート現象をあらかじめ防止することができる。
（有機電界発光表示装置の製造方法）
以上、本発明の実施形態に係る有機電界表示装置１０１、１０２について、説明した。以下では、図３〜図４ｉを参照して、かかる構成を有する有機電界表示装置の製造方法について説明する。図３は、本実施形態に係る有機電界発光表示装置の製造方法の手順図である。
図３に示すように、本実施形態に係る有機電界発光表示装置の製造方法は、基板準備段階（Ｓ１）と、基板合着段階（Ｓ２）と、バッファ層形成段階（Ｓ３）と、非透過層形成段階（Ｓ４）と、半導体層形成段階（Ｓ５）と、絶縁膜形成段階（Ｓ６）と、有機電界発光素子形成段階（Ｓ７）と、基板分離段階（Ｓ８）と、摩擦防止層除去段階（Ｓ９）と、を含む。
図４ａ〜図４ｉは、本実施形態に係る有機電界発光表示装置の製造手順を示した断面図である。図３及び図４ａ〜図４ｉを参照して、本実施形態に係る有機電界発光表示装置の製造方法を順次に説明する。
（基板準備段階（Ｓ１））
図４ａに示すように、基板準備段階（Ｓ１）においては、上面と下面とが略平坦に形成され、一定の厚さを有する基板１１０を提供する。
基板１１０は、例えば、通常のガラス、プラスチック、ポリマー、及びその等価物の中から選択されたいずれか１つにより形成することができるが、本発明において、基板１１０の材質や種類がかかる例に限定されるわけではない。また、基板１１０としては、厚さが約０．０５〜１ｍｍの程度であるものを準備することができる。基板１１０の厚さが約０．０５ｍｍの以下である場合には、製造工程中の洗浄、エッチング、及び熱処理工程などによって損傷されやすく、取り扱いが難しく、また外力に破損されやすい短所がある。また、基板１１０の厚さが約１ｍｍの以上である場合には、最近のスリム化傾向のある各種の表示装置に適用し難いという短所がある。
（基板合着段階（Ｓ２））
図４ｂに示すように、基板合着段階（Ｓ２）においては、上記のような基板１１０を２枚準備して互いに合着する。
この際、合着する基板１１０と基板１１０との間の直接的な摩擦を抑え、また製造工程中に一定な剛性を維持するように、基板１１０と基板１１０との間には、摩擦防止層２２０がさらに介在されうる。このような摩擦防止層２２０は、例えば、通常の有機材料、無機材料、及びその等価物の中から選択された少なくともいずれか１つを、蒸着、或はコーティングして形成することができるが、本発明において、摩擦防止層２２０の材質及び形成方法がかかる例に限定されるわけではない。
勿論、このような摩擦防止層２２０は、有機電界発光表示装置の完成後に除去する場合は、除去しやすい材質によって形成することができる。このような材質として、例えば、有機物質であるフォトレジスト（ｐｈｏｔｏ ｒｅｓｉｓｔ）が使用可能であるが、ここでその材質がかかる例に限定されるわけではない。
尚、基板１１０の端部または全体領域には、製造工程中に２枚の基板１１０が互いに分離しないように合着剤（図示せず）がさらに介在されうる。このような合着剤は、例えば、通常のエポキシ接着剤、紫外線硬化接着剤、及びその等価物の中から選択された少なくともいずれか１つを利用して形成することができるが、ここでその材質がかかる例に限定されるわけではない。また、摩擦防止層２２０を各基板１１０にあらかじめ形成した後、この基板１１０を互いに合着することもできるが、２枚の基板１１０を合着剤を介在させて合着した後、両基板１１０の間に形成された隙間に液体成分の摩擦防止層２２０を注入して形成することもできる。すなわち、２枚の基板１１０の間に液体成分の摩擦防止層２２０を注入すれば、毛細管現象によって容易に注入される。勿論、このような液体成分の摩擦防止層２２０の形成後には、所定の温度で基板１１０を熱処理することで、摩擦防止層２２０を硬化することができる。
（バッファ層形成段階（Ｓ３））
図４ｃに示すように、バッファ層形成段階（Ｓ３）においては、摩擦防止層２２０が形成された面の反対面である各基板１１０の表面に、一定の厚さのバッファ層１２０を形成する。このようなバッファ層１２０は、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、無機膜、及びその等価物の中から選択された少なくともいずれか１つを利用して形成することができる。バッファ層１２０は、水分、水素、または酸素などが基板１１０を通じて半導体層１４０または有機電界発光素子２００に伝達しないようにする役割を担う。勿論、このようなバッファ層１２０は、その表面に非透過層１３０または半導体層１４０などを形成し易くする役割も担う。
尚、このようなバッファ層１２０は、いずれか一側の基板１１０に先に形成し、次に他の基板１１０に順次に形成してもよく、また両側の基板１１０に同時に形成してもよい。
（非透過層形成段階（Ｓ４））
図４ｄに示すように、非透過層形成段階（Ｓ４）においては、バッファ層１２０の表面に一定の厚さの非透過層１３０を形成する。
非透過層１３０は、合着された２枚の基板１１０のうちいずれかの基板１１０に半導体層１４０及び有機電界発光素子２００などを形成する製造工程中に、露光用の紫外線が反対側の他の基板１１０方へ透過しないように反射する役割を担う。
勿論、非透過層１３０は、基板１１０が一個ずつ分離された後、外部の紫外線が半導体層１４０、又は有機電界発光素子２００側に透過できないように反射する役割も担う。このような非透過層１３０は、例えば、実質的に紫外線遮断剤、及びその等価物の中から選択されたいずれか１つにより形成することができる。尚、非透過層１３０は、例えば、紫外線が透過されない絶縁金属、透明紫外線遮断剤、不透明の紫外線遮断剤、及びその等価物の中から選択されたいずれか１つにより形成することもできる。また、非透過層１３０が金属である場合、非透過層１３０は、例えば、クロム（Ｃｒ）、酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、銀合金（ＡＴＤ）、及びその等価物の中から選択されたいずれか１つにより形成することができるが、ここでその材質がかかる例に限定されるわけではない。
勿論、このような非透過層１３０は、絶縁処理をすることで、下記の半導体層１４０と電気的にショートしないようにできる。また、このような非透過層１３０は、５００〜３０００Åの厚さに形成することができる。非透過層１３０の厚さが５００Åの以下である場合には、紫外線遮断率が低くて製造工程中、又は工程後に半導体層１４０や有機電界発光素子２００に影響を与える恐れがあり、また、非透過層１３０の厚さが３０００Åの以上である場合には、充分な紫外線遮断効率を確保できる一方、全体の厚さが非常に厚くなる恐れがある。
一方、このように非透過層１３０は、バッファ層１２０の表面ではなく、基板１１０の表面に直接に形成することも可能である。すなわち、基板１１０の表面に先に非透過層１３０を形成し、引き続き非透過層１３０の表面にバファ層１２０を形成することもできる。このように、非透過層１３０をバファ層１２０の形成前にあらかじめ形成すれば、非透過層１３０と半導体層１４０との間に生じる可能性のある電気的ショート現象をあらかじめ防止することができる。
尚、このような非透過層１３０は、例えば、ＰＥＣＶＤ（Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｔｉｏｎ）、ＬＰＣＶＤ（Ｌｏｗ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｔｉｏｎ）、スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、コーティング、及びその等価方式の中から選択された少なくともいずれか１つの方法によって形成することができるが、ここでその形成方法がかかる例に限定されるわけではない。
勿論、このような非透過層１３０も、いずれか一側の基板１１０に先に形成し、次に他の基板１１０に順次に形成することができ、または両側の基板１１０に同時に形成することもできる。
（半導体層形成段階（Ｓ５））
図４ｅに示すように、半導体層形成段階（Ｓ５）においては、非透過層１３０の表面に半導体層１４０を形成する。
このような半導体層１４０は、互いに対向される両側に形成されたソース／ドレイン領域１４２と、ソース／ドレイン領域１４２の間に形成されたチャネル領域１４４と、を含む。一例として、半導体層１４０は、例えば、薄膜トランジスタとして形成することができる。このような薄膜トランジスタは、例えば、アモルファスシリコン（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ Ｓｉ）薄膜トランジスタ、ポリシリコン（ｐｏｌｙ Ｓｉ）薄膜トランジスタ、有機薄膜トランジスタ、マイクロシリコン（ｍｉｃｒｏ Ｓｉ）薄膜トランジスタ、及びその等価物の中から選択された少なくともいずれか１つによって形成することができるが、本発明において、薄膜トランジスタの種類がかかる例に限定されるわけではない。
また、薄膜トランジスタがポリシリコン薄膜トランジスタである場合、例えば、アモルファスシリコンを非透過層１３０上に形成した後（または、バッファ層１２０の上に形成した後）、低温でレーザを利用して結晶化する方法、金属を利用して結晶化する方法、高圧力を利用して結晶化する方法、及びその等価方法の中から選択された少なくともいずれか１つの方法により結晶化することができる。しかし、本発明において、ポリシリコンの結晶化方法がかかる例に限定されるわけではない。
勿論、アモルファスシリコンは、例えば、ＰＥＣＶＤ、ＬＰＣＶＤ、スパッタリング、及びその等価方式の中から選択された少なくともいずれか１つの方法により形成することができ、ここでアモルファスシリコンの形成方法が限定されるわけではない。尚、このようなアモルファスシリコンの結晶化の以後には、フォトレジスト塗布、露光、現象、エッチング、及びフォトレジスト剥離などの工程を通じて所望の位置に所望の個数の半導体層１４０を形成する。
一方、レーザを利用してアモルファスシリコンをポリシリコンに結晶化する方法として、例えば、ＥＬＡ（Ｅｘｃｉｍｅｒ Ｌａｓｅｒ Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）、ＳＬＳ（Ｓｅｑｕｅｎｔｉａｌ Ｌａｔｅｒａｌ Ｓｏｌｉｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ）、ＴＤＸ（Ｔｈｉｎ Ｂｅａｍ Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）などの方式が使用可能であるが、本発明において、その方式がかかる例に限定されるわけではない。また、金属を利用して結晶化する方法としては、例えば、ＳＰＣ（Ｓｏｌｉｄ Ｐｈａｓｅｓ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）、ＭＩＣ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）、ＭＩＬＣ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｌａｔｅｒａｌ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）、ＳＧＳ（Ｓｕｐｅｒ Ｇｒａｉｎｅｄ Ｓｉｌｉｃｏｎ）などが使用可能であるが、本発明において、その方式がかかる例に限定されるわけではない
また、薄膜トランジスタは、例えば、ＰＭＯＳ、ＮＭＯＳ、及びその等価形態の中から選択された少なくともいずれか１つにより形成することができるが、本発明において、薄膜トランジスタの導電形態がかかる例に限定されるわけではない。
半導体層１４０の表面には、例えば、ＰＥＣＶＤ、ＬＰＣＶＤ、スパッタリング、及びその等価方法の中から選択されたいずれか１つの方法を用いて、一定の厚さのゲート絶縁膜１５０を形成する。勿論、このようなゲート絶縁膜１５０は、半導体層１４０の外周縁である非透過層１３０上にも形成することができる。また、ゲート絶縁膜１５０は、例えば、半導体の工程中に容易に形成することができるシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、無機膜、及びその等価物の中から選択された少なくともいずれか１つにより形成することができ、ここでその材質がかかる例に限定されるわけではない。
尚、ゲート絶縁膜１５０の上面には、例えば、ＰＥＣＶＤ、ＬＰＣＶＤ、スパッタリング、及びその等価方法の中から選択されたいずれか１つの方法により、ゲート電極１６０を形成する。勿論、上記のような蒸着工程以後には、フォトレジスト塗布、露光、現象、エッチング、及びフォトレジスト剥離などの工程を通じて所望の位置に所望の個数のゲート電極１６０を形成する。すなわち、ゲート電極１６０は、半導体層１４０のうちのチャネル領域１４４と対応するゲート絶縁膜１５０上に形成することができる。このようなゲート電極１６０は、ゲート絶縁膜１５０の下部のチャネル領域１４４に電界を印加することで、チャネル領域１４４に正孔または電子のチャネルを形成する。また、ゲート電極１６０は、例えば、通常の金属（Ｍｏ、ＭｏＷ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ａｌ、ＡｌＮｄ、Ｃｒ、Ｍｏ合金、Ｃｕ合金、Ａｌ合金など）、ドーピングされたポリシリコン、及びその等価物の中から選択された少なくともいずれか１つを利用して形成することができるが、ここでその材質がかかる例に限定されるわけではない。
また、ゲート電極１６０の上面には、層間絶縁膜１７０を形成する。このような層間絶縁膜１７０は、ゲート電極１６０の外周縁であるゲート絶縁膜１５０の上にも形成することができる。また、層間絶縁膜１７０は、例えば、ポリマー系列、プラスチック系列、ガラス系列、またはその等価物の中から選択されたいずれか１つにより形成することができるが、ここで層間絶縁膜１７０の材質がかかる例に限定されるわけではない。勿論、層間絶縁膜１７０のうち、ソース／ドレイン領域１４２と対応した領域は、エッチング工程を通じて、ソース／ドレイン領域１４２を外部に露出させる。このような露出された領域を通常、コンタクトホールといい、このようなコンタクトホールには、後に導電性コンタクト１８６が形成される。
また、層間絶縁膜１７０の上面には、例えば、ＰＥＣＶＤ、ＬＰＣＶＤ、スパッタリング、及びその等価方法の中から選択されたいずれか１つの方法により、ソース／ドレイン電極１８０を形成する。勿論、上記のような蒸着工程の以後に、フォトレジスト塗布、露光、現象、エッチング及びフォトレジスト剥離などの工程を通じて、所望の位置に所望の個数のソース／ドレイン電極１８０を形成することができる。尚、ソース／ドレイン電極１８０と、半導体層１４０のソース／ドレイン領域１３２との間には、層間絶縁膜１７０を貫通する導電性コンタクト１８６（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｃｏｎｔａｃｔ）を形成する。勿論、導電性コンタクト１８６は、上述したようにあらかじめ形成されたコンタクトホールを充填してことにより形成することができる。
導電性コンタクト１８６によって、半導体層１４０とソース／ドレイン電極１８０とが電気的に互いに接続される。このような導電性コンタクト１８６も、ゲート電極１６０及びソース／ドレイン電極１８０のような材質を利用して形成することができるが、ここで導電性コンタクト１８６の材質がかかる例に限定されるわけではない。
また、ソース／ドレイン電極１８０は、例えば、ゲート電極１６０のような金属材質に形成することができるが、ここでその材質がかかる例に限定されるわけではない。一方、上記のような半導体層１４０（すなわち、薄膜トランジスタ）は、通常、同一平面構造（ｃｏｐｌａｎａｒ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）に定義される。しかし、本発明に開示された半導体層１４０は、同一平面構造のみに限定されるわけではなく、今まで知られたすべての薄膜トランジスタの構造、例えば、逆転同一平面構造（ｉｎｖｅｒｔｅｄ ｃｏｐｌａｎａｒ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）、ジグザグ型構造（ｓｔａｇｇｅｒｅｄ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）、逆転ジグザグ型構造（ｉｎｖｅｒｔｅｄ ｓｔａｇｇｅｒｅｄ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）、及びその等価構造の中から選択された少なくともいずれか１つに形成することが可能であり、本発明において、半導体層１４０の構造がかかる例に限定されるわけではない。
また、半導体層１４０は、一側の基板１１０に先に形成した後、他側の基板１１０に形成することができる。すなわち、一側の基板１１０上に半導体層１４０を完成して、他側の基板１１０に再び半導体層１４０を完成することができる。尚、このような半導体層１４０は、工程別に一側と他側の基板１１０とをひっくり返して（上下反転させて）順次に形成することもできる。さらに、半導体層１４０は、工程装備が可能であれば、両側の基板１１０に同時に形成して完成することもできる。
（絶縁膜形成段階（Ｓ６））
図４ｆに示すように、絶縁膜形成段階（Ｓ６）においては、半導体層１４０（すなわち、ソース／ドレイン電極１８０及び層間絶縁膜１７０の上面）上に一定の厚さの絶縁膜１９０を形成する。
絶縁膜１９０は、保護膜１９２と平坦化膜１９４とからなることができる。勿論、保護膜１９２を先に形成し、次に保護膜１９２の上に平坦化膜１９４を形成する。保護膜１９２は、ソース／ドレイン電極１８０及び層間絶縁膜１７０を覆って、ソース／ドレイン電極１８０及びゲート電極１６０などを保護する役割を担う。勿論、保護膜１９２及び平坦化膜１９４には、ソース／ドレイン電極１８０と対応する領域をエッチングして、ビアホールをあらかじめ形成する。このようなビアホールには、後に導電性ビア２０８を形成する。保護膜１９２は、例えば、通常の無機膜、及びその等価物の中から選択された少なくともいずれか１つを蒸着またはコーティングして形成することができるが、本発明において、保護膜１９２の材質や形成方法がかかる例に限定されるわけではない。
尚、保護膜１９２上には、平坦化膜１９４を形成する。このような平坦化膜１９４は、素子全体の表面を平坦にするために、例えば、ＢＣＢ（Ｂｅｎｚｏ Ｃｙｃｌｏ Ｂｕｔｅｎｅ）、アクリル、及びその等価物の中から選択された少なくともいずれか１つをコーティングまたは蒸着して形成することができるが、本発明において、平坦化膜１９４の材質や形成方法がかかる例に限定されるわけではない。
絶縁膜１９０は、一側の基板１１０に形成した後、他側の基板１１０に形成することができる。すなわち、一側の基板１１０上に絶縁膜１９０を先に完成して、他側の基板１１０に再び絶縁膜１９０を完成することができる。尚、このような絶縁膜１９０は、工程別に一側の基板１１０と他側の基板１１０とをひっくり返して順次に形成することもできる。さらに、絶縁膜１９０は、工程装備が可能であれば、両側の基板１１０に同時に形成して完成することもできる。
（有機電界発光素子形成段階（Ｓ７））
図４ｇに示すように、有機電界発光素子形成段階（Ｓ７）においては、絶縁膜１９０の上に、薄膜形態として有機電界発光素子２００を形成する。
さらに、具体的に、絶縁膜１９０の上にアノード２０２と、有機電界発光薄膜２０４と、カソード２０６とを順次に形成する。
アノード２０２は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｕｉｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＯ（Ｉｎｄｕｉｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）／Ａｇ、ＩＴＯ（Ｉｎｄｕｉｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）／Ａｇ／ＩＴＯ（ＩＺＯ：Ｉｎｄｕｉｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、及びその等価物の中から選択されたいずれか１つを蒸着して形成することができるが、本発明において、アノード２０２の材質や形成方法がかかる例に限定されるわけではない。一例として、アノード２０２は、ＲＦスパッタリング、ＤＣスパッタリング、イオンビームスパッタリング、及び真空蒸着方法の中から選択されたいずれか１つの方法により形成することができる。その後、フォトレジスト塗布、露光、現象、エッチング、及びフォトレジスト剥離などの工程を通じて、所望の位置に所望の面積のアノード２０２を形成することができる。勿論、この際、アノード２０２は、絶縁膜１９０を貫通する導電性ビア２０８を通じて、ソース／ドレイン電極１８０に電気的に接続される。
ここで、ＩＴＯは、仕事関数が均一で有機電界発光薄膜２０４に対する正孔注入障壁が小さい透明導電膜の役割を有し、Ａｇは、全面発光方式で特に有機電界発光薄膜２０４からの光を上面へ反射させる役割を有する。
有機電界発光薄膜２０４としては、周知のように、正孔の注入効率を向上させる正孔注入層（ｈｏｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ、ＨＩＬ）と、正孔の移動速度を適切に調節する正孔輸送層（ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ、ＨＴＬ）と、電子と正孔が結合して励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）を生成して発光する発光層（ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ、ＥＭＬ）と、電子の移動速度を適切に調節する電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ、ＥＴＬ）と、電子の注入効率を向上させる電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ、ＥＩＬ）と、を順次に形成することができるが、層の種類がこれに限定されるわけではない。一例として、このような有機電界発光薄膜２０４は、例えば、溶液状態として塗布するスピンコーティング、ディップコーティング、スプレー法、スクリーン印刷、またはインクジェットプリンティング法などの湿式コーティング方法で形成することができ、または、スパッタリング、真空蒸着などの乾式コーティング方法で形成することができる。
有機電界発光薄膜２０４のうち、電子注入層表面には、カソード２０６を形成する。このようなカソード２０６は、例えば、Ａｌ、ＭｇＡｇ合金、ＭｇＣａ合金、及びその等価物の中から選択された少なくともいずれか１つを蒸着して形成することができるが、本発明において、カソード２０６の材質や形成方法がかかる例に限定されるわけではない。例えば、カソード２０６は、例えば、ＲＦスパッタリング、ＤＣスパッタリング、イオンビームスパッタリング、及び真空蒸着方法の中から選択されたいずれか１つの方法で形成することができる。その後、フォトレジスト塗布、露光、現象、エッチング、及びフォトレジスト剥離などの工程を通じて、所望の位置に所望の面積のカソード２０６を形成することができる。
尚、本実施形態において、全面発光式を採用する場合、カソード２０６としてＡｌを用いれば、光放出率を大きくするために厚さを非常に薄くしなければならないが、その場合、抵抗が高くなって電子注入障壁が大きくなる可能性がある。よって、この際には、カソード２０６として、例えば、Ａｌより電子注入障壁が低いＭｇＡｇ合金、ＭｇＣａ合金、及びその等価物の中から選択された少なくともいずれか１つを利用することができる。勿論、この以外にも、カソード２０６は、例えば、ＩＴＯ、及びＩＺＯの中から選択されたいずれか１つにより形成することもできる。
ここで、ＭｇＡｇ合金及びＭｇＣａ合金は、周辺環境に敏感であり、酸化されて絶縁層を形成することができるので、外部と完璧に遮断しなければならない。
尚、このようなカソード２０６の形成後には、各有機電界発光素子２００の間の境界が明確になるように画素定義膜２１０を形成する。このような画素定義膜２１０は、例えば、通常のポリイミド、及びその等価物の中から選択された少なくともいずれか１つをコーティング、又は蒸着して形成する。勿論、このようなコーティングや蒸着後には、通常のフォトレジスト塗布、露光、現象、エッチング、及びフォトレジスト剥離などの工程を通じて上述した有機電界発光素子２００を外部に露出させる。
さらに、ここで本実施形態は、基板１１０の上部方向に発光する全面発光方式を中心に説明したが、これに限定されなく、基板１１０の下部方向に発光する背面発光方式または基板１１０の上部と下部方向に同時に発光する両面発光にも全部適用可能である。
有機電界発光素子２００は、一側の基板１１０に形成した後、他側の基板１１０に形成することができる。すなわち、一側の基板１１０上に有機電界発光素子２００を完成し、他側の基板１１０に再び有機電界発光素子２００を完成することができる。尚、このような有機電界発光素子２００は、工程別に一側の基板１１０と他側の基板１１０とをひっくり返して順次に形成することもできる。さらに、有機電界発光素子２００は、工程装備が可能であれば、両側の基板１１０で同時に形成して完成することもできる。
（基板分離段階（Ｓ８））
図４ｈに示すように、基板分離段階（Ｓ８）においては、今まで合着されて製造工程の各段階を行ったそれぞれの基板１１０を、別々の基板１１０に分離する。すなわち、２枚の基板１１０を、それぞれ接着している合着剤をソーイングツール（ｓａｗｉｎｇ ｔｏｏｌ）などを利用して除去することで、それぞれの基板１１０を分離する。勿論、このような基板１１０の分離によって基板１１０の一側には、まだ摩擦防止層２２０が残存する状態になる。尚、図面には図示していないが、ソーイング前、またはソーイング後には、封止材を利用して封止基板を接着する工程が、含まれてもよい。勿論、封止基板には、水分などを吸収するために透明吸湿剤が形成されてもよい。
本実施形態は、上記のような基板１１０の分離段階を最後に終了してもよい。すなわち、このような基板１１０の分離段階の後、セルテスト、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）ボンディング、モジュールテスト、信頼性テストを経て製品として出荷することもできる。勿論、セルテストは、ソーイング段階（基板分離段階（Ｓ８））前に、基板１１０にセルテストのための領域を別途に作って行うこともできる。
一方、上記のように基板１１０の分離段階（Ｓ８）を最後に製造工程を終了すれば、当然、完成した有機電界発光表示装置１００のうち、基板１１０の一側表面には、摩擦防止層２３０がそのまま残存可能である。このような摩擦防止層２３０は、紫外線の透過を防止すると同時に、基板１１０の表面を外部環境から保護する役割をすることもできる。
上記のような本発明は、例えば、基板１１０の厚さが０．５ｍｍである場合、このような基板１１０を２枚合着して製造工程を行うことで、製造工程中には、１ｍｍ以上の合着基板１１０を取り扱うこととなる。よって、製造工程中に合着基板１１０の剛性を高めることができるので、基板１１０の湾曲（曲がり）や破損現象を防止することができ、また、半導体層形成段階、有機電界発光素子形成段階などを容易に行うことができる。勿論、製品の完成後には、基板１１０が一個ずつに再び分離することで、約０．５ｍｍ程度のスリムな薄型の基板１１０を得ることができる。
（摩擦防止層除去段階（Ｓ９））
上記基板分離段階（Ｓ８）を最後に製造工程を終了せずに、更に、摩擦防止層除去段階（Ｓ９）を行ってもよい。図４ｉに示すように、摩擦防止層除去段階（Ｓ９）においては、基板１１０に形成された摩擦防止層２２０を除去する。すなわち、このような摩擦防止層２２０は、所定の化学溶液を利用して基板１１０から除去することができ、また、研摩機などを利用する基板１１０から除去することもできる。このような摩擦防止層２２０を除去すれば、完成された有機電界発光表示装置のうち、基板１１０の表面にはいかなる摩擦防止層２２０も残存しなくなり、また厚さはさらに薄くなる。勿論、本実施形態は、このような摩擦防止層２２０を残存させて、紫外線を遮断するとか、外部衝撃保護用として使用することができるが、すでに基板１１０内部に絶縁膜１９０が形成されていることで、摩擦防止層２２０を残存させなくてもよい。
（効果）
以上、本発明の実施形態に係る有機電界発光表示装置及びその製造方法について、説明した。かかる構成を有する有機電界発光表示装置は、薄型に形成されうる。すなわち、有機電界発光表示装置によれば、０．０５〜１ｍｍの厚さを有する基板に形成されるため、最近のスリム化された携帯電話、ＰＤＡ、ノート型ＰＣ、コンピューターモニター、及びテレビなどのような各種のディスプレー用の電子製品に適用することができる。
また、この有機電界発光表示装置によれば、製造工程後に、紫外線が基板１１０を通じて、半導体層１４０及び有機電界発光素子２００に入射することを防ぐことができる。すなわち、有機電界発光表示装置は、バッファ層１２０と半導体層１４０との間、または基板１１０とバッファ層１２０との間に、非透過層１３０を有するため、製品の使用中に紫外線が基板１１０を通じて半導体層１４０や有機電界発光素子２００に影響を与えることを防ぐことができる。
また、上記の有機電界発光表示装置の製造方法によれば、製造工程に要する時間を短縮することができる。すなわち、本製造方法によれば、０．０５〜１ｍｍの厚さを有する基板１１０を２枚合着して半導体層形成段階（Ｓ５）と、有機電界発光素子形成段階（Ｓ７、勿論、各工程には洗浄、エッチング、露光、現象及び熱処理などを含む。）とを同時に行うことができるため、全体工程時間を約５０％程度に短縮することができる。
また、本製造方法によれば、製造工程中に、紫外線が基板１１０を通じて、半導体層１４０及び有機電界発光素子２００に入射することを防ぐことができる。すなわち、本製造方法によれば、バッファ層１２０と半導体層１４０との間、または基板１１０とバッファ層１２０との間に非透過層１３０を形成することにより、製造工程における一方の基板１１０に対する露光工程等による紫外線が、合着された反対側の他の基板１１０に影響を与えることを防ぐことができる。
また、本製造方法によれば、製造工程中に基板１１０の湾曲や破損等の不具合が発生することを防ぐことができる。すなわち、本製造方法によれば、合着される２枚の基板１１０の間に所定の厚さの摩擦防止層２２０を形成することにより、製造工程中の基板１１０の強度を補強することができるため、製造工程中に基板１１０が曲がったり、破損することを防ぐことができる。更に、本製造方法によれば、合着される基板１１０の間に摩擦防止層２２０を形成することにより、２枚の基板１１０を合着する際にも、基板１１０同士の接触を防止して基板１１０の損傷を防止することができる。
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
通常の有機電界発光素子を示した概路図である。 本発明の実施形態に係る有機電界発光表示装置の構成の一例を示した断面図である。 同実施形態に係る有機電界発光表示装置の構成の他の例を示した断面図である。 同実施形態に係る有機電界発光表示装置の製造方法を示した手順図である。 同実施形態に係る有機電界発光表示装置の製造手順を示した断面図である。 同実施形態に係る有機電界発光表示装置の製造手順を示した断面図である。 同実施形態に係る有機電界発光表示装置の製造手順を示した断面図である。 同実施形態に係る有機電界発光表示装置の製造手順を示した断面図である。 同実施形態に係る有機電界発光表示装置の製造手順を示した断面図である。 同実施形態に係る有機電界発光表示装置の製造手順を示した断面図である。 同実施形態に係る有機電界発光表示装置の製造手順を示した断面図である。 同実施形態に係る有機電界発光表示装置の製造手順を示した断面図である。 同実施形態に係る有機電界発光表示装置の製造手順を示した断面図である。
符号の説明
１０１、１０２ 有機電界発光表示装置
１１０ 基板
１２０ バッファ層
１３０ 非透過層
１４０ 半導体層
１４２ ソース／ドレイン領域
１４４ チャネル領域
１５０ ゲート絶縁膜
１６０ ゲート電極
１７０ 層間絶縁膜
１８０ ソース／ドレイン電極
１８６ 導電性コンタクト
１９０ 絶縁膜
１９２ 保護膜
１９４ 平坦化膜
２００ 有機電界発光素子
２０２ アノード
２０４ 有機薄膜
２０６ カソード
２０８ 導電性ビア
２１０ 画素定義膜
２２０ 摩擦防止層

Claims (13)

  1. 基板を準備する段階と、
    前記基板を２枚準備して合着する段階と、
    前記各基板のうち、合着面の反対面に非透過層を形成する段階と、
    前記各非透過層上に、半導体層を形成する段階と、
    前記各半導体層上に、絶縁膜を形成する段階と、
    前記各絶縁膜上に、有機電界発光素子を形成する段階と、
    前記合着された２枚の基板をそれぞれ分離する段階と、
    を備えることを特徴とする、有機電界発光表示装置の製造方法。
  2. 前記非透過層形成段階では、紫外線遮断剤をコーティングして前記非透過層を形成することを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
  3. 前記非透過層形成段階では、紫外線を透過しない金属、透明紫外線遮断剤、及び不透明の紫外線遮断剤の中から選択されたいずれか１つにより前記非透過層を形成することを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
  4. 前記非透過層形成段階では、クロム（Ｃｒ）、酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、及び銀合金（ＡＴＤ）の中から選択されたいずれか１つにより前記非透過層を形成することを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
  5. 前記非透過層形成段階では、５００〜３０００Åの厚さの前記非透過層を形成することを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
  6. 前記基板準備段階では、０．０５〜１ｍｍの厚さの前記基板を準備することを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
  7. 前記基板準備段階では、ガラス、プラスチック、金属、及びポリマーの中から選択されたいずれか１つにより形成された前記基板を準備することを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
  8. 前記非透過層形成段階は、前記基板の表面にあらかじめバッファ層を形成した後に、実行されることを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
  9. 前記半導体層形成段階は、前記非透過層の表面にあらかじめバッファ層を形成した後に、実行されることを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
  10. 前記基板合着段階では、前記２枚の基板の間に、摩擦防止層を形成することを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
  11. 前記基板合着段階では、前記２枚の基板の間に、１０〜１００μｍ厚さの摩擦防止層を形成することを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
  12. 前記基板合着段階では、前記２枚の基板の間に、有機材料及び無機材料の中から選択されたいずれか１つからなる摩擦防止層を形成することを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
  13. 前記基板分離段階の後には、前記摩擦防止層を除去する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項１０に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100824880B1 (ko) 2006-11-10 2008-04-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100770127B1 (ko) * 2006-11-10 2007-10-24 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100824881B1 (ko) * 2006-11-10 2008-04-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100833738B1 (ko) * 2006-11-30 2008-05-29 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100824902B1 (ko) * 2006-12-13 2008-04-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100963075B1 (ko) * 2008-10-29 2010-06-14 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시 장치
KR101017494B1 (ko) 2009-02-20 2011-02-25 연세대학교 산학협력단 ＩｎＺｎＯ 박막 및 그 제조 방법
KR101084263B1 (ko) * 2009-12-14 2011-11-16 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
TWI495091B (zh) * 2012-02-16 2015-08-01 Au Optronics Corp 陣列基板及多晶矽層的製作方法
CN104425542B (zh) * 2013-08-26 2017-08-04 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种有机发光显示装置及其制备方法
CN106410027B (zh) * 2013-09-24 2019-11-05 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示基板及其制备方法、柔性显示装置
CN105097874B (zh) * 2015-06-01 2019-02-19 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种oled显示器件及其制作方法、显示装置
US9799713B2 (en) 2015-07-23 2017-10-24 Apple Inc. Organic light-emitting diode display with barrier layer
US10121843B2 (en) 2015-09-30 2018-11-06 Apple Inc. Corrosion resistant test lines
US9786790B2 (en) * 2015-12-10 2017-10-10 Industrial Technology Research Institute Flexible device
JP2019032456A (ja) * 2017-08-09 2019-02-28 株式会社ジャパンディスプレイ 押圧センサを備える表示装置
JP7086582B2 (ja) * 2017-12-11 2022-06-20 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN110459564A (zh) * 2019-08-01 2019-11-15 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其显示装置
CN111916462B (zh) * 2020-07-30 2022-12-23 北海惠科光电技术有限公司 一种基板、制备基板的方法和显示面板

Family Cites Families (84)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5917810B2 (ja) 1975-06-12 1984-04-24 セイコーエプソン株式会社 回路基板の製造方法
AU572615B2 (en) * 1983-12-27 1988-05-12 Sony Corporation Electrically conductive adhesive sheet circuit board and electrical connection structure
US5504605A (en) * 1993-06-02 1996-04-02 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display module having cut-away portions of the back frame for weight reduction and heat dissipation
JP3364081B2 (ja) 1995-02-16 2003-01-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JPH0980476A (ja) * 1995-09-12 1997-03-28 Nec Corp アクティブマトリックス基板とその製造方法
JPH09211482A (ja) 1996-01-31 1997-08-15 Sharp Corp 液晶表示装置
US5986401A (en) * 1997-03-20 1999-11-16 The Trustee Of Princeton University High contrast transparent organic light emitting device display
JP3874871B2 (ja) 1997-02-10 2007-01-31 シャープ株式会社 液晶表示装置の製造方法
US5998919A (en) * 1997-09-10 1999-12-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Image display devices including image display screen shields
GB9803764D0 (en) * 1998-02-23 1998-04-15 Cambridge Display Tech Ltd Display devices
EP1127381B1 (en) * 1998-11-02 2015-09-23 3M Innovative Properties Company Transparent conductive oxides for plastic flat panel displays
JP2000150145A (ja) 1998-11-02 2000-05-30 Toyota Motor Corp Ｅｌ素子の密封方法
JP3450213B2 (ja) * 1999-03-18 2003-09-22 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 フラットパネル型表示装置
JP2000298264A (ja) 1999-04-13 2000-10-24 Samukon:Kk 液晶表示装置用ガラス基板の製造方法とそれを用いた液晶表示装置
US6559594B2 (en) * 2000-02-03 2003-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
JP2001267578A (ja) * 2000-03-17 2001-09-28 Sony Corp 薄膜半導体装置及びその製造方法
JP2001319776A (ja) 2000-05-12 2001-11-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Ｅｌパネルの作製方法
WO2002067632A1 (fr) * 2001-02-21 2002-08-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Element lumineux et procede de preparation de ce dernier
JP2002350833A (ja) 2001-05-30 2002-12-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置およびその製造方法
US6735982B2 (en) * 2001-07-12 2004-05-18 Intel Corporation Processing relatively thin glass sheets
KR100782937B1 (ko) 2001-07-24 2007-12-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광소자
US6660547B2 (en) * 2001-07-26 2003-12-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Stabilization for thin substrates
FR2829723B1 (fr) * 2001-09-14 2004-02-20 Saint Gobain Vitrage de securite fonctionnalise
TW594947B (en) * 2001-10-30 2004-06-21 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of manufacturing the same
US6731064B2 (en) * 2001-11-20 2004-05-04 International Business Machines Corporation Yield enchancement pixel structure for active matrix organic light-emitting diode displays
KR100656490B1 (ko) 2001-11-26 2006-12-12 삼성에스디아이 주식회사 풀칼라 유기전계 발광표시소자 및 그의 제조방법
KR100483988B1 (ko) * 2001-11-29 2005-04-15 삼성에스디아이 주식회사 투명도전막의 투과도 변형방법
JP2003173872A (ja) 2001-12-06 2003-06-20 Sony Corp アライメント方法、パターン形成方法及びアライメント装置、並びに有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法
KR100472502B1 (ko) * 2001-12-26 2005-03-08 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치
KR100491143B1 (ko) 2001-12-26 2005-05-24 삼성에스디아이 주식회사 블랙매트릭스를 구비한 평판표시장치 및 그 제조방법
US6815723B2 (en) * 2001-12-28 2004-11-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method of manufacturing the same, and manufacturing apparatus therefor
US6953735B2 (en) * 2001-12-28 2005-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating a semiconductor device by transferring a layer to a support with curvature
KR100845557B1 (ko) 2002-02-20 2008-07-10 삼성전자주식회사 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
JP2003282235A (ja) 2002-03-25 2003-10-03 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
TW595254B (en) 2002-03-29 2004-06-21 Sanyo Electric Co Electroluminescense display device
JP2003317953A (ja) 2002-04-26 2003-11-07 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造装置及び電子機器
TWI272641B (en) 2002-07-16 2007-02-01 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing a semiconductor device
WO2004040648A1 (ja) 2002-10-30 2004-05-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 半導体装置および半導体装置の作製方法
JP2004170910A (ja) 2002-10-31 2004-06-17 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
JP2004192969A (ja) * 2002-12-12 2004-07-08 Hitachi Displays Ltd 有機ｅｌ表示装置
JP4218338B2 (ja) 2002-12-24 2009-02-04 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置の製造方法
KR100904523B1 (ko) * 2002-12-26 2009-06-25 엘지디스플레이 주식회사 액티브 매트릭스형 유기전계발광 소자용 박막트랜지스터
JP4373085B2 (ja) * 2002-12-27 2009-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法、剥離方法及び転写方法
TW578441B (en) * 2003-01-10 2004-03-01 Au Optronics Corp Top emission active matrix OLED and fabricating method thereof
JP4343850B2 (ja) 2003-02-20 2009-10-14 富士フイルム株式会社 有機ｅｌ素子及びその製造方法
US7304005B2 (en) * 2003-03-17 2007-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method for manufacturing a semiconductor device
JP2004311421A (ja) * 2003-03-27 2004-11-04 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
US7365442B2 (en) * 2003-03-31 2008-04-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Encapsulation of thin-film electronic devices
US7247986B2 (en) * 2003-06-10 2007-07-24 Samsung Sdi. Co., Ltd. Organic electro luminescent display and method for fabricating the same
KR20040106808A (ko) * 2003-06-11 2004-12-18 삼성에스디아이 주식회사 평판 표시 장치
KR100527195B1 (ko) 2003-07-25 2005-11-08 삼성에스디아이 주식회사 유기전계 발광표시장치
KR100542997B1 (ko) * 2003-08-07 2006-01-20 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치 및 그의 제조방법
JP4373159B2 (ja) 2003-08-21 2009-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2005071646A (ja) * 2003-08-28 2005-03-17 Chi Mei Electronics Corp 有機ｅｌディスプレイおよびその製造方法
JP2005077945A (ja) * 2003-09-02 2005-03-24 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置の製造方法
JP2005085705A (ja) 2003-09-10 2005-03-31 Seiko Epson Corp 電気デバイス及びその製造方法、電子機器
KR20050029826A (ko) 2003-09-23 2005-03-29 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치 및 그의 제조방법
JP4497881B2 (ja) * 2003-09-30 2010-07-07 三洋電機株式会社 有機ｅｌ素子および有機ｅｌパネル
JP2005135977A (ja) * 2003-10-28 2005-05-26 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
JP4759917B2 (ja) 2003-12-16 2011-08-31 ソニー株式会社 薄膜デバイスの製造方法、薄膜デバイスおよび液晶表示装置
KR100959786B1 (ko) * 2003-12-23 2010-05-28 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자의 제조방법
JP3646120B1 (ja) 2004-02-05 2005-05-11 西山ステンレスケミカル株式会社 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ（以下、有機ｅｌｄ）パネルの製造方法、および、有機ｅｌｄパネル用ガラス基板の薄型化方法
GB0406540D0 (en) 2004-03-24 2004-04-28 Koninkl Philips Electronics Nv Electroluminescent display devices
KR100615214B1 (ko) 2004-03-29 2006-08-25 삼성에스디아이 주식회사 평판 디스플레이 장치
KR100984362B1 (ko) * 2004-04-02 2010-09-30 삼성전자주식회사 유기 발광 표시판
JP2005340182A (ja) 2004-04-30 2005-12-08 Toyota Industries Corp Ｅｌ装置の基板の薄型化方法及び貼り合わせ基板の分断方法
KR20050112031A (ko) 2004-05-24 2005-11-29 삼성에스디아이 주식회사 반도체 소자 및 그 형성 방법
JP2005340011A (ja) 2004-05-27 2005-12-08 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
KR100603350B1 (ko) * 2004-06-17 2006-07-20 삼성에스디아이 주식회사 전계 발광 디스플레이 장치
JP2006058814A (ja) 2004-08-24 2006-03-02 Sony Corp 表示装置
US7365494B2 (en) * 2004-12-03 2008-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
JP2005222930A (ja) 2004-12-15 2005-08-18 Nishiyama Stainless Chem Kk 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法、および、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル用ガラス基板の薄型化方法
JP2006216456A (ja) 2005-02-04 2006-08-17 Seiko Instruments Inc 有機電子デバイスの製造方法
KR20050051646A (ko) * 2005-02-18 2005-06-01 후지쯔 가부시끼가이샤 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조 방법
KR100700657B1 (ko) * 2005-03-14 2007-03-27 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치
JP2006270511A (ja) 2005-03-24 2006-10-05 Fuji Xerox Co Ltd 情報処理装置、データ送信方法および情報処理プログラム
KR100711890B1 (ko) * 2005-07-28 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP4466536B2 (ja) 2005-10-26 2010-05-26 パナソニック電工株式会社 照明装置
KR100742368B1 (ko) * 2005-11-02 2007-07-24 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광소자 및 그 제조방법
KR100824881B1 (ko) * 2006-11-10 2008-04-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100770127B1 (ko) * 2006-11-10 2007-10-24 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100824880B1 (ko) 2006-11-10 2008-04-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100833738B1 (ko) * 2006-11-30 2008-05-29 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100824902B1 (ko) * 2006-12-13 2008-04-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법

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