JP2003317953A

JP2003317953A - 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造装置及び電子機器

Info

Publication number: JP2003317953A
Application number: JP2002126631A
Authority: JP
Inventors: Hidekazu Kobayashi; 英和小林
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2002-04-26
Filing date: 2002-04-26
Publication date: 2003-11-07

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、有機ＥＬ装置の製造工程で照射さ
れる紫外線から画素領域を保護して、有機ＥＬ装置のダ
ークスポットの数を低減し、製品寿命を延ばすことを可
能とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方
法、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクト
ロルミネッセンス装置の製造装置及び電子機器を提供す
る。【解決手段】封止基板を有機ＥＬ基板に接着するため
の接着剤として紫外線硬化型の接着剤を用い、封止基板
が接着された有機ＥＬ基板（有機ＥＬ装置１）を基板保
持ステージ３に載せた状態で、その有機ＥＬ装置１の接
着剤を含む部位に紫外線源２から放射された紫外線を照
射する工程を有し、基板保持ステージ３の表面３’に、
紫外線吸収処理が施されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話などの携
帯機器、パーソナルコンピュータ又はテレビなどのディ
スプレイとして用いられる有機エレクトロルミネッセン
ス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装
置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造装置及び
電子機器に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセ
ンス）装置の製造工程においては、有機ＥＬ基板を封止
するために、接着剤で有機ＥＬ基板に封止基板を貼り合
わせている。そして、接着剤を硬化させるために紫外線
を封止部分に照射する。ここで、紫外線を有機ＥＬ基板
側から照射する場合は、画素領域を紫外線から保護する
ために、その画素部分については黒いテープを貼るなど
していた。一方、紫外線を封止基板側から照射する場合
は、陰極が画素領域に対して紫外線カット層として働く
ため、紫外線に対する防護策を何ら取っていなかった。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記黒
いテープによる紫外線防護方法では、基板周辺の紫外線
硬化部分（接着剤部分）については紫外線の遮蔽がなさ
れていないので、その基板周辺から基板内への紫外線の
回り込みが生じ、その紫外線が基板内で複雑に反射して
画素領域に到達することで、ダークスポットを増やし、
表示劣化及び点灯寿命の短縮化を招いていたという問題
点を有していた。また、ＵＶを封止基板側から照射する
場合にも、基板周辺からＵＶが画素領域に回り込む問題
が同様にあった。

【０００４】本発明は、有機ＥＬ装置の製造工程で照射
される紫外線から画素領域を保護することを可能とし
て、有機ＥＬ装置のダークスポットの数を低減し、製品
寿命を延ばすことを可能とする有機エレクトロルミネッ
センス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス
装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造装置及
び電子機器の提供を目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明の電気光学装置の製造方法は、基板上に
形成された電極間に少なくとも発光層を配置した構造を
有してなる有機ＥＬ基板と、前記有機ＥＬ基板に接着さ
れて前記電極及び発光層を封止する封止基板とを有して
なる有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であ
って、前記封止基板を前記有機ＥＬ基板に接着するため
の接着剤として紫外線硬化型の接着剤を用い、前記封止
基板が接着された有機ＥＬ基板を基板保持ステージに載
せた状態で、前記接着剤を含む部位に紫外線を照射する
工程を有し、前記基板保持ステージにおける前記有機Ｅ
Ｌ基板が載せられる面に、紫外線吸収処理が施されてい
ることを特徴とする。このような製造方法によれば、有
機ＥＬ装置の製造工程において、接着剤を硬化させるた
めに照射された紫外線が基板保持ステージで反射するこ
とが無くなるので、従来、基板保持ステージで反射して
有機ＥＬ装置内の画素領域にまで回り込んでいた紫外線
を除去することが可能となり、有機ＥＬ装置におけるダ
ークスポットの数を低減させて表示品質を向上させ、製
品寿命を延ばすことが可能となる。

【０００６】また、本発明の電気光学装置の製造方法
は、基板上に形成された電極間に少なくとも発光層を配
置した構造を有してなる有機ＥＬ基板と、前記有機ＥＬ
基板に接着されて前記電極及び発光層を封止する封止基
板とを有してなる有機エレクトロルミネッセンス装置の
製造方法であって、前記封止基板を前記有機ＥＬ基板に
接着するための接着剤として紫外線硬化型の接着剤を用
い、前記接着剤を硬化させる紫外線として、３００ナノ
メートルより短い波長の成分が他の波長成分よりも低減
された紫外線を用いることを特徴とする。このような製
造方法によれば、有機ＥＬ装置の画素領域は主に有機材
料で形成されているが、その有機材料を劣化させる３０
０ナノメートルより短い波長成分の紫外線について低減
した紫外線（例えば、３００ｎｍ〜４００ｎｍの紫外
線）で接着剤を硬化させるので、有機ＥＬ層へのダメー
ジが少なく、有機ＥＬ装置におけるダークスポットの数
を低減させて表示品質を向上させ、製品寿命を延ばすこ
とが可能となる。

【０００７】また、本発明の電気光学装置の製造方法
は、基板上に形成された電極間に少なくとも発光層を配
置した構造を有してなる有機ＥＬ基板と、前記有機ＥＬ
基板に接着して前記電極及び発光層を封止する封止基板
とを有してなる有機エレクトロルミネッセンス装置の製
造方法であって、前記封止基板を前記有機ＥＬ基板に接
着するための接着剤として紫外線硬化型の接着剤を用
い、前記接着剤を硬化させる紫外線の放射源と前記有機
ＥＬ基板との間に、３００ナノメートルより短い波長の
紫外線を吸収又は反射するフィルタを挿入して、前記接
着剤を含む部位に前記フィルタを透過した紫外線を照射
する工程を有することを特徴とする。このような製造方
法によれば、有機ＥＬ装置の画素領域は主に有機材料で
形成されているが、その有機材料を劣化させる３００ナ
ノメートルより短い波長成分の紫外線についてフィルタ
で除去し、残りの成分の紫外線（例えば、３００ｎｍ〜
４００ｎｍの紫外線）で接着剤を硬化させるので、有機
ＥＬ装置におけるダークスポットの数を低減させて表示
品質を向上させ、製品寿命を延ばすことが可能となる。

【０００８】また、本発明の電気光学装置の製造方法
は、基板上に形成された電極間に少なくとも発光層を配
置した構造を有してなる有機ＥＬ基板と、前記有機ＥＬ
基板に接着して前記電極及び発光層を封止する封止基板
とを有してなる有機エレクトロルミネッセンス装置の製
造方法であって、前記封止基板を前記有機ＥＬ基板に接
着するための接着剤として紫外線硬化型の接着剤を用
い、前記封止基板が接着された基板を基板保持ステージ
に載せた状態で、前記接着剤を含む部位に紫外線を照射
する工程を有し、前記基板保持ステージにおける前記有
機ＥＬ基板が載せられる面に、紫外線吸収処理が施して
あり、前記紫外線を照射する工程では、前記紫外線の放
射源と前記有機ＥＬ基板との間に、３００ナノメートル
より短い波長の紫外線を吸収又は反射するフィルタを挿
入して、前記接着剤を含む部位に前記フィルタを透過し
た紫外線を照射することを特徴とする。このような製造
方法によれば、有機ＥＬ装置の製造工程において、接着
剤を硬化させる紫外線が基板保持ステージで反射するこ
とが無くなるので、従来、基板保持ステージで反射して
有機ＥＬ装置内の画素領域にまで回り込んでいた紫外線
を除去することが可能となり、さらに、有機ＥＬ装置の
画素領域をなす有機材料を劣化させる３００ナノメート
ルより短い波長成分の紫外線についてフィルタで除去
し、残りの成分の紫外線（例えば、３００ｎｍ〜４００
ｎｍの紫外線）で接着剤を硬化させるので、有機ＥＬ層
へのダメージが少なく、有機ＥＬ装置におけるダークス
ポットの数をさらに低減させて表示品質を向上させ、さ
らに製品寿命を延ばすことが可能となる。

【０００９】また、本発明の電気光学装置の製造方法
は、紫外線吸収処理が施された前記基板保持ステージが
紫外線吸収フィルム及び紫外線吸収シートのうちの少な
くとも一方を配置したものからなることが好ましい。こ
のような製造方法によれば、紫外線吸収フィルム及び紫
外線吸収シートによって、接着剤を硬化させるために照
射された紫外線が基板保持ステージで反射することが無
くなるので、従来、基板保持ステージで反射して有機Ｅ
Ｌ装置内の画素領域にまで回り込んでいた紫外線を除去
することが可能となり、有機ＥＬ装置におけるダークス
ポットの数を低減させて表示品質を向上させ、製品寿命
を延ばすことが可能となる。また、基板保持ステージか
ら紫外線吸収フィルム又は紫外線吸収シートを取り外す
ことも容易となるので、基板保持ステージを含む製造装
置を他の目的の製造装置として用いることも容易とな
る。

【００１０】また、本発明の電気光学装置の製造方法
は、紫外線吸収処理が施された前記基板保持ステージが
表面に紫外線吸収剤を塗布したものからなることが好ま
しい。このような製造方法によれば、基板保持ステージ
の表面に紫外線吸収剤を塗布することによって、接着剤
を硬化させるために照射された紫外線が基板保持ステー
ジで反射することが無くなるので、従来、基板保持ステ
ージで反射して有機ＥＬ装置内の画素領域にまで回り込
んでいた紫外線を除去することが可能となり、有機ＥＬ
装置におけるダークスポットの数を低減させて表示品質
を向上させ、製品寿命を延ばすことが可能となる。ま
た、基板保持ステージを加熱したときに、その基板保持
ステージの温度分布の均一化が容易となり、有機ＥＬ装
置の温度調節を高精度に行うことが可能となる。

【００１１】また、本発明の電気光学装置の製造方法
は、前記フィルタがソーダガラスからなることが好まし
い。このような製造方法によれば、簡便かつ安価な手段
によって、有機ＥＬ装置の画素領域に到達する紫外線を
低減することが可能となる。

【００１２】また、本発明の電気光学装置の製造方法
は、前記接着剤を硬化させる紫外線を前記有機ＥＬ基板
側から照射することが好ましい。このような製造方法に
よれば、封止基板として不透明な材質を用いることが可
能となり、例えば、封止基板として価格の安い金属製の
封止缶などを用いることが可能となる。

【００１３】また、本発明の電気光学装置の製造方法
は、前記封止基板が紫外線透過性の材料からなり、前記
接着剤を硬化させる紫外線を当該封止基板側から照射す
ることが好ましい。このような製造方法によれば、接着
剤を硬化させる紫外線を封止基板側から照射することが
可能となり、電気光学装置の画素領域への紫外線の直射
を陰極によって遮蔽することが可能となる。

【００１４】また、本発明の有機エレクトロルミネッセ
ンス装置は、前記有機エレクトロルミネッセンス装置の
製造方法によって製造されたことを特徴とする。このよ
うな有機エレクトロルミネッセンス装置によれば、ダー
クスポットなどの表示の初期劣化を大幅に低減した表示
装置となり、製品寿命を延ばすことが可能となる。

【００１５】また、本発明の有機エレクトロルミネッセ
ンス装置は、マトリクス状に形成された複数の走査線及
び複数のデータ線と、前記走査線とデータ線に接続され
たスイッチング手段と、前記スイッチング手段に接続さ
れた画素電極とを有することが好ましい。このような有
機エレクトロルミネッセンス装置によれば、アクティブ
表示手段としての有機エレクトロルミネッセンス装置に
ついて、ダークスポットなどの表示の初期劣化を大幅に
低減することが可能となり、製品寿命を延ばすことが可
能となる。

【００１６】また、本発明の電気機器は、前記有機エレ
クトロルミネッセンス装置を備えたことを特徴とする。
本発明によれば、電気機器の表示部についての初期劣化
及び表示品質を大幅に改善することが可能となり、製品
寿命を延ばすことが可能となる。

【００１７】また、本発明の有機エレクトロルミネッセ
ンス装置の製造装置は、基板上に形成された電極間に少
なくとも発光層を配置した構造を有してなる有機ＥＬ基
板と、前記有機ＥＬ基板に紫外線硬化型の接着剤で接着
されることで前記電極及び発光層を封止する封止基板と
を有してなる有機エレクトロルミネッセンス装置の製造
装置であって、前記接着剤を硬化させるための紫外線を
照射するときに、前記封止基板が接着された有機ＥＬ基
板が載せられる基板保持ステージを有し、前記基板保持
ステージにおける前記有機ＥＬ基板が載せられる面に
は、紫外線吸収処理が施されていることを特徴とする。
このような有機エレクトロルミネッセンス装置の製造装
置によれば、有機ＥＬ装置の製造時において、接着剤を
硬化させるために照射された紫外線が基板保持ステージ
で反射することが無くなるので、従来、基板保持ステー
ジで反射して有機ＥＬ装置内の画素領域にまで回り込ん
でいた紫外線を除去することが可能となり、ダークスポ
ットの数が従来よりも大幅に少なくて表示品質が高く、
製品寿命の長い有機ＥＬ装置を製造することが可能とな
る。

【００１８】また、本発明の有機エレクトロルミネッセ
ンス装置の製造装置は、基板上に形成された電極間に少
なくとも発光層を配置した構造を有してなる有機ＥＬ基
板と、前記有機ＥＬ基板に紫外線硬化型の接着剤で接着
されることで前記電極及び発光層を封止する封止基板と
を有してなる有機エレクトロルミネッセンス装置の製造
装置であって、前記接着剤を硬化させる紫外線として、
３００ナノメートルより短い波長の成分が他の波長成分
よりも低減された紫外線を放射する紫外線放射手段を有
することを特徴とする。このような有機エレクトロルミ
ネッセンス装置の製造装置によれば、有機ＥＬ装置の画
素領域の有機材料を劣化させる３００ナノメートルより
短い波長成分の紫外線について低減した紫外線（例え
ば、３００ｎｍ〜４００ｎｍの紫外線）で接着剤を硬化
させるので、ダークスポットの数が従来よりも大幅に少
なくて表示品質が高く、製品寿命の長い有機ＥＬ装置を
製造することが可能となる。

【００１９】また、本発明の有機エレクトロルミネッセ
ンス装置の製造装置は、基板上に形成された電極間に少
なくとも発光層を配置した構造を有してなる有機ＥＬ基
板と、前記有機ＥＬ基板に紫外線硬化型の接着剤で接着
されることで前記電極及び発光層を封止する封止基板と
を有してなる有機エレクトロルミネッセンス装置の製造
装置であって、前記接着剤を硬化させる紫外線の放射源
と前記有機ＥＬ基板との間に配置されるとともに、３０
０ナノメートルより短い波長の紫外線を吸収又は反射す
るフィルタを有することを特徴とする。このような有機
エレクトロルミネッセンス装置の製造装置によれば、有
機ＥＬ装置の画素領域の有機材料を劣化させる３００ｎ
ｍより短い波長成分の紫外線をフィルタで除去し、残り
の成分の紫外線（例えば、３００ｎｍ〜４００ｎｍの紫
外線）で接着剤を硬化させるので、ダークスポットの数
が従来よりも大幅に少なくて表示品質が高く、製品寿命
の長い有機ＥＬ装置を製造することが可能となる。

【００２０】また、本発明の有機エレクトロルミネッセ
ンス装置の製造装置は、基板上に形成された電極間に少
なくとも発光層を配置した構造を有してなる有機ＥＬ基
板と、前記有機ＥＬ基板に紫外線硬化型の接着剤で接着
されることで前記電極及び発光層を封止する封止基板と
を有してなる有機エレクトロルミネッセンス装置の製造
装置であって、前記接着剤を硬化させる紫外線を照射す
るときに前記封止基板が接着された有機ＥＬ基板が載せ
られるステージであるとともに、当該ステージにおける
有機ＥＬ基板が載せられる面に紫外線吸収処理が施され
ている基板保持ステージと、前記接着剤を硬化させる紫
外線の放射源と前記有機ＥＬ基板との間に配置されると
ともに、３００ナノメートルより短い波長の紫外線を吸
収又は反射するフィルタとを有することを特徴とする。
このような有機エレクトロルミネッセンス装置の製造装
置によれば、有機ＥＬ装置の製造時において、接着剤を
硬化させる紫外線が基板保持ステージで反射することが
無くなるので、従来、基板保持ステージで反射して有機
ＥＬ装置内の画素領域にまで回り込んでいた紫外線を除
去することが可能となり、さらに、有機ＥＬ装置の画素
領域をなす有機材料を劣化させる３００ナノメートルよ
り短い波長成分の紫外線についてフィルタで除去し、残
りの成分の紫外線（例えば、３００ｎｍ〜４００ｎｍの
紫外線）で接着剤を硬化させるので、ダークスポットの
数が従来よりもさらに大幅に少なくて表示品質が高く、
製品寿命がさらに長い有機ＥＬ装置を製造することが可
能となる。

【００２１】また、本発明の有機エレクトロルミネッセ
ンス装置の製造装置は、前記基板保持ステージは、前記
紫外線吸収処理として、紫外線吸収フィルム及び紫外線
吸収シートのうちの少なくとも一方が当該基板保持ステ
ージに配置されてなることが好ましい。このような有機
エレクトロルミネッセンス装置の製造装置によれば、紫
外線吸収フィルム及び紫外線吸収シートによって、紫外
線が基板保持ステージで反射することが無くなるので、
従来、有機ＥＬ装置内の画素領域にまで回り込んでいた
紫外線を除去することが可能となり、ダークスポットの
数が従来よりもさらに大幅に少なくて表示品質が高く、
製品寿命がさらに長い有機ＥＬ装置を製造することが可
能となる。また、基板保持ステージから紫外線吸収フィ
ルム又は紫外線吸収シートを取り外すことも容易となる
ので、基板保持ステージを含む製造装置を他の目的の製
造装置として用いることも容易となる。

【００２２】また、本発明の有機エレクトロルミネッセ
ンス装置の製造装置は、前記基板保持ステージの表面に
は、前記紫外線吸収処理として、紫外線吸収剤が塗布さ
れていることが好ましい。このような有機エレクトロル
ミネッセンス装置の製造装置によれば、基板保持ステー
ジの表面に紫外線吸収剤を塗布することによって、紫外
線が基板保持ステージで反射することが無くなるので、
従来、基板保持ステージで反射して有機ＥＬ装置内の画
素領域にまで回り込んでいた紫外線を除去することが可
能となり、ダークスポットの数が従来よりも大幅に少な
くて表示品質が高く、製品寿命が長い有機ＥＬ装置を製
造することが可能となる。また、基板保持ステージを加
熱したときに、その基板保持ステージの温度分布の均一
化が容易となり、有機ＥＬ装置の温度調節を高精度に行
うことが可能となる。

【００２３】また、本発明の有機エレクトロルミネッセ
ンス装置の製造装置は、前記フィルタがソーダガラスか
らなることが好ましい。このような有機エレクトロルミ
ネッセンス装置の製造装置によれば、簡便かつ安価な製
造装置によって、表示品質が高く、製品寿命が長い有機
ＥＬ装置を製造することが可能となる。

【００２４】また、本発明の有機エレクトロルミネッセ
ンス装置の製造装置は、前記接着剤を硬化させる紫外線
を前記有機ＥＬ基板側から照射する紫外線照射手段を有
することが好ましい。このような有機エレクトロルミネ
ッセンス装置の製造装置によれば、封止基板として不透
明な材質を用いることが可能となり、例えば、封止基板
として価格の安い金属製の封止缶などを用いることが可
能となる。

【００２５】また、本発明の有機エレクトロルミネッセ
ンス装置の製造装置は、前記接着剤を硬化させる紫外線
を前記封止基板側から照射する紫外線照射手段を有する
ことが好ましい。このような有機エレクトロルミネッセ
ンス装置の製造装置によれば、接着剤を硬化させる紫外
線を封止基板側から照射することが可能となり、電気光
学装置の画素領域への紫外線の直射を陰極によって遮蔽
することが可能となる。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る有機ＥＬ装置
の製造方法について、図面を参照して説明する。本製造
方法は、有機ＥＬ装置の製造過程において、接着剤を硬
化させるために紫外線照射を行う際、有機ＥＬ装置と紫
外線源の間に所望波長の紫外線を吸収する部材（フィル
タ）を設けるか、又は紫外線吸収処理が施された処理基
板（基板保持ステージ）上に有機ＥＬ装置を載置するも
のである。

【００２７】（第１実施形態）本発明の第１実施形態に
係る有機ＥＬ装置の製造方法について図１を参照して説
明する。図１は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造
方法を示す模式概念図である。有機ＥＬ装置の製造過程
において、有機ＥＬ基板を封止するために、先ず、一対
の電極とその電極間に配置した発光層とを透明基板上に
作り込んで有機ＥＬ基板を形成し、その有機ＥＬ基板
に、紫外線硬化型の接着剤を塗布し、封止基板を貼り付
けて有機ＥＬ装置１を形成する。その後、接着剤を硬化
させるために、紫外線源２から接着剤に紫外線を照射す
る。

【００２８】本実施形態では、図１に示すように、有機
ＥＬ基板に封止基板を貼り合わせた状態（接着剤が硬化
していない状態）の有機ＥＬ装置１を基板保持ステージ
３に載せ、紫外線源２から放射された紫外線を有機ＥＬ
装置１に照射する。ここで、紫外線源２に対峙する基板
保持ステージ３の表面３’には、紫外線吸収剤が塗布さ
れている。紫外線源２としては、例えばハイテックスＤ
バルブを用い、紫外線照射装置としては、例えばハイテ
ックスＦ−３００を用いる。

【００２９】一例として、紫外線源２から放射される紫
外線の強度を４０［ｍＷ／ｃｍ²］、その紫外線の波長
を３５０ｎｍとして、１６０秒間だけ基板保持ステージ
３上の有機ＥＬ装置１に照射した。こうして接着剤が硬
化された有機ＥＬ基板１に所定の電圧を印加して、点灯
させたところ、点欠陥は４１［個／ｃｍ²］であった。
一方、紫外線吸収剤が塗布されていない基板保持ステー
ジ上に有機ＥＬ装置１を載せ、紫外線源２から放射され
る紫外線の照射条件は前記一例と同一とした場合は、点
欠陥は１１０［個／ｃｍ²］であった。したがって、基
板保持ステージ３の表面３’に紫外線吸収剤を塗布する
ことで、点欠陥を６０パーセント以上除去することがで
きた。

【００３０】なお、基板保持ステージ３（紫外線吸収剤
が塗布されていない基板保持ステージも含む）は、温度
調節機能を備え、基板保持ステージ３上の温度を摂氏２
３±１度以内に調節した。また、紫外線源２及び紫外線
照射装置としては、他の装置も用いることができる。紫
外線の照射条件、強度、照射時間及び加熱温度は、有機
ＥＬ装置１の製造で用いる紫外線硬化型接着剤に合わせ
て最適化する。これらの条件は、特に記載がない限り、
以下の実施形態においても同様とした。また、本実施形
態では、有機ＥＬ装置１の封止構造として、ガラス缶を
用いた缶封止構造をとっており、内部に乾燥剤を封入し
た。そして、紫外線は封止基板側から照射した。この有
機ＥＬ装置１の構造及び紫外線の照射方向は、下記第２
乃至第４実施形態でも同様である。

【００３１】（第２実施形態）次に、本発明の第２実施
形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法について図２を参照
して説明する。図２は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置
の製造方法を示す模式概念図である。有機ＥＬ装置の製
造過程において、有機ＥＬ基板を封止するために、先
ず、一対の電極とその電極間に配置した発光層とを透明
基板上に作り込んで有機ＥＬ基板を形成し、その有機Ｅ
Ｌ基板に、紫外線硬化型の接着剤を塗布し、封止基板を
貼り付けて有機ＥＬ装置１を形成する。その後、接着剤
を硬化させるために、紫外線源２から接着剤に紫外線を
照射する。この製造過程は、上記第１実施形態と同じで
ある。

【００３２】本実施形態では、図２に示すように、有機
ＥＬ基板に封止基板を貼り合わせた状態（接着剤が硬化
していない状態）の有機ＥＬ装置１をステージ３０上に
載せ、紫外線源２から放射された紫外線であって紫外線
カットフィルタ４を透過した紫外線を有機ＥＬ装置１に
照射する。ここで、第１実施形態と異なり、紫外線源２
に対峙するステージ３０の表面には、紫外線吸収剤は塗
布されていない。また、紫外線源２と有機ＥＬ装置１の
間に配置した紫外線吸収フィルタ４としては、例えば、
ソーダガラスを用いる。紫外線源２としては、例えばハ
イテックスＤバルブを用い、紫外線照射装置としては、
例えばハイテックスＦ−３００を用いる。

【００３３】一例として、厚み１．１ｍｍのソーダガラ
スを紫外線吸収フィルタ４として用い、紫外線源２から
放射される紫外線の強度を４０［ｍＷ／ｃｍ²］、その
紫外線の波長を３５０ｎｍとして、１６０秒間だけ基板
保持ステージ３上の有機ＥＬ装置１に照射した。こうし
て接着剤が硬化された有機ＥＬ基板１に所定の電圧を印
加して、点灯させたところ、点欠陥は３０［個／ｃ
ｍ²］であった。一方、紫外線吸収フィルタ４を除去
し、その他の紫外線の照射条件は前記一例と同一とした
場合は、点欠陥は１１０［個／ｃｍ²］であった。した
がって、紫外線吸収フィルタ４を用いることで、点欠陥
を約７３パーセント除去することができた。

【００３４】なお、基板保持ステージ３（紫外線吸収剤
が塗布されていない基板保持ステージも含む）は、温度
調節機能を備え、基板保持ステージ３上の温度を摂氏２
３±１度以内に調節した。紫外線吸収フィルタ４として
は、ソーダガラス以外でもよく、３００ｎｍより短い波
長の紫外線を吸収できるものであればよく、４００ｎｍ
より長い波長の光を吸収するものであってもよい。

【００３５】（第３実施形態）次に、本発明の第３実施
形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法について図３を参照
して説明する。図３は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置
の製造方法を示す模式概念図である。本実施形態は、上
記第１実施形態と第２実施形態を組み合わせたものであ
る。具体的には、有機ＥＬ装置の製造過程において、有
機ＥＬ基板を封止するために、先ず、一対の電極とその
電極間に配置した発光層とを透明基板上に作り込んで有
機ＥＬ基板を形成し、その有機ＥＬ基板に、紫外線硬化
型の接着剤を塗布し、封止基板を貼り付けて有機ＥＬ装
置１を形成する。その後、接着剤を硬化させるために、
紫外線源２から接着剤に紫外線を照射する。この製造過
程は、上記第１及び第２実施形態と同じである。

【００３６】本実施形態では、図３に示すように、有機
ＥＬ基板に封止基板を貼り合わせた状態（接着剤が硬化
していない状態）の有機ＥＬ装置１を基板保持ステージ
３に載せ、紫外線源２から放射された紫外線であって紫
外線カットフィルタ４を透過した紫外線を有機ＥＬ装置
１に照射する。ここで、紫外線源２に対峙する基板保持
ステージ３の表面３’には、紫外線吸収剤が塗布されて
いる。また、紫外線源２と有機ＥＬ装置１の間に配置し
た紫外線吸収フィルタ４としては、例えば、ソーダガラ
スを用いる。このように、本実施形態は、上記第１実施
形態と第２実施形態を組み合わせた形態である。紫外線
源２としては、例えばハイテックスＤバルブを用い、紫
外線照射装置としては、例えばハイテックスＦ−３００
を用いる。

【００３７】一例として、厚み１．１ｍｍのソーダガラ
スを紫外線吸収フィルタ４として用い、紫外線源２から
放射される紫外線の強度を４０［ｍＷ／ｃｍ²］、その
紫外線の波長を３５０ｎｍとして、１６０秒間だけ基板
保持ステージ３上の有機ＥＬ装置１に照射した。こうし
て接着剤が硬化された有機ＥＬ基板１に所定の電圧を印
加して、点灯させたところ、点欠陥は５［個／ｃｍ²］
であった。一方、紫外線吸収剤が塗布されていない基板
保持ステージ上に有機ＥＬ装置１を載せ、かつ、紫外線
吸収フィルタ４を除去し、その他の紫外線の照射条件は
前記一例と同一とした場合は、点欠陥は１１０［個／ｃ
ｍ²］であった。したがって、基板保持ステージ３の表
面３’に紫外線吸収剤を塗布し、さらに紫外線吸収フィ
ルタ４を用いることで、点欠陥を約９５パーセント除去
することができた。なお、基板保持ステージ３（紫外線
吸収剤が塗布されていない基板保持ステージも含む）
は、温度調節機能を備え、基板保持ステージ３上の温度
を摂氏２３±１度以内に調節した。

【００３８】（第４実施形態）次に、本発明の第４実施
形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法について図４を参照
して説明する。図４は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置
の製造方法を示す模式概念図である。有機ＥＬ装置の製
造過程において、有機ＥＬ基板を封止するために、先
ず、一対の電極とその電極間に配置した発光層とを透明
基板上に作り込んで有機ＥＬ基板を形成し、その有機Ｅ
Ｌ基板に、紫外線硬化型の接着剤を塗布し、封止基板を
貼り付けて有機ＥＬ装置１を形成する。その後、接着剤
を硬化させるために、紫外線源２から接着剤に紫外線を
照射する。この製造過程は、上記第１乃至第３実施形態
と同じである。

【００３９】本実施形態では、図４に示すように、紫外
線源２に対峙するステージ３０の表面に紫外線吸収シー
ト５を配置している。そして、有機ＥＬ基板に封止基板
を貼り合わせた状態（接着剤が硬化していない状態）の
有機ＥＬ装置１を紫外線吸収シート５上に載せ、紫外線
源２から放射された紫外線を有機ＥＬ装置１に照射す
る。紫外線源２としては、例えばＤバルブを用い、紫外
線照射装置としては、例えばハイテックスＦ−３００を
用いる。

【００４０】一例として、紫外線吸収シート５として黒
いビニールシートを用い、紫外線源２から放射される紫
外線の強度を４０［ｍＷ／ｃｍ²］、その紫外線の波長
を３５０ｎｍとして、１６０秒間だけ紫外線吸収シート
５上の有機ＥＬ装置１に照射した。こうして接着剤が硬
化された有機ＥＬ基板１に所定の電圧を印加して、点灯
させたところ、点欠陥は４３［個／ｃｍ²］であった。
一方、紫外線吸収シート５を除去し、その他の紫外線の
照射条件は前記一例と同一とした場合は、点欠陥は１１
０［個／ｃｍ²］であった。したがって、紫外線吸収シ
ート５を用いることで、点欠陥を約６１パーセント除去
することができた。

【００４１】なお、基板保持ステージ３（紫外線吸収剤
が塗布されていない基板保持ステージも含む）は、温度
調節機能を備え、基板保持ステージ３上の温度を摂氏２
３±１度以内に調節した。紫外線吸収シート５の代わり
に、薄いフィルム状のものを用いてもよい。

【００４２】（第５実施形態）次に、本発明の第５実施
形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法について図５乃至図
９を参照して説明する。図５は、本実施形態に係る有機
ＥＬ装置の製造方法を示す模式概念図である。本実施形
態は、紫外線から有機ＥＬ装置を保護するために、有機
ＥＬ装置に貼り付けるマスクに関するものである。有機
ＥＬ装置は、基板上に発光層及び電極からなる有機ＥＬ
素子層１４を作り込んだ有機ＥＬ基板１１と、有機ＥＬ
素子層１４を封止するために有機ＥＬ基板１１に接着層
１３を介して接着される封止基板１２とを具備する。そ
して、有機ＥＬ装置には、有機ＥＬ基板１１として透明
基板を用いて有機ＥＬ基板１１側から光を発する基板側
発光型と、封止基板１２として透明なガラス缶等を用い
て封止基板１２側から光を発する封止側発光型とがあ
る。

【００４３】図６及び図７は基板側発光型の有機ＥＬ装
置を示す要部断面図であり、図６は陰極と封止基板間に
空間を設けない構成の有機ＥＬ装置を示し、図７は陰極
と封止基板間に空間を設ける構成の有機ＥＬ装置を示
す。図８及び図９は封止側発光型の有機ＥＬ装置を示す
要部断面図であり、図８は陰極と封止基板間に空間を設
けない構成の有機ＥＬ装置を示し、図９は陰極と封止基
板間に空間を設ける構成の有機ＥＬ装置を示す。

【００４４】図５（ａ）、（ｂ）は、図８又は図９に示
すような封止側発光型の有機ＥＬ装置１’に対しての２
つの紫外線照射状態を示している。図５（ａ）では、有
機ＥＬ装置１’の封止基板１２側をステージ３００の上
面に着けた状態で、その有機ＥＬ装置１’をステージ３
００上に置いている。そして、接着層１３の接着剤を硬
化させる紫外線２０は、有機ＥＬ装置１’の有機ＥＬ基
板１１側から照射する。この場合は、有機ＥＬ基板１１
が不透明な部材で形成されるので、有機ＥＬ基板１１が
紫外線２０の遮蔽部材（マスク）となり、有機ＥＬ素子
層１４の画素領域を紫外線２０の直射から保護する。そ
こで、この場合は、有機ＥＬ装置１’に対して特にマス
ク部材を貼り付ける等をする必要がない。

【００４５】図５（ｂ）では、有機ＥＬ装置１’の有機
ＥＬ基板１１側をステージ３００の上面に着けた状態
で、その有機ＥＬ装置１’をステージ３００上に置いて
いる。そして、接着層１３の接着剤を硬化させる紫外線
２０は、有機ＥＬ装置１’の封止基板１２側から照射す
る。この場合は、封止基板１２は透明であり有機ＥＬ素
子層１４の画素領域を紫外線２０の直射から保護するた
めの部材が有機ＥＬ装置１’自身にはない。そこで、こ
の場合は、封止基板１２にマスク２１を貼り付けてから
紫外線２０を照射する。

【００４６】図５（ｃ）、（ｄ）は、図６又は図７に示
すような基板側発光型の有機ＥＬ装置１”に対しての２
つの紫外線照射状態を示している。図５（ｃ）では、有
機ＥＬ装置１”の封止基板１２側をステージ３００の上
面に着けた状態で、その有機ＥＬ装置１”をステージ３
００上に置いている。そして、接着層１３の接着剤を硬
化させる紫外線２０は、有機ＥＬ装置１”の有機ＥＬ基
板１１側から照射する。この場合は、有機ＥＬ基板１１
は透明であり有機ＥＬ素子層１４の画素領域を紫外線２
０の直射から保護するための部材が有機ＥＬ装置１”自
身にはない。そこで、この場合は、有機ＥＬ基板１１に
マスク２１を貼り付けてから紫外線２０を照射する。

【００４７】図５（ｄ）では、有機ＥＬ装置１” の有
機ＥＬ基板１１側をステージ３００の上面に着けた状態
で、その有機ＥＬ装置１”をステージ３００上に置いて
いる。そして、接着層１３の接着剤を硬化させる紫外線
２０は、有機ＥＬ装置１”の封止基板１２側から照射す
る。この場合は、有機ＥＬ素子層１４の画素領域を紫外
線２０の直射から保護するために、封止基板１２として
金属の缶を用いることにより、封止基板１２が遮蔽部材
（マスク）となる。そこで、この場合は、有機ＥＬ装置
１”に対して特にマスク部材を貼り付ける等をする必要
がない。この図５（ｄ）に示す形態が上記第１乃至第４
実施形態での紫外線照射状態を示している。

【００４８】図５において、ステージ３００の表面に
は、紫外線吸収剤を塗布するのが好ましい。また、紫外
線２０としては、上記の紫外線吸収フィルタ４を透過さ
せた紫外線を用いるのが好ましい。

【００４９】一例として、図５（ｃ）に示すように、基
板側発光型の有機ＥＬ装置１”に、有機ＥＬ基板１１側
から紫外線２０を照射して接着剤を硬化させたときの点
欠陥の発生状況について実験した。そして、図３に示す
紫外線源２と、紫外線カットフィルタ４と、紫外線吸収
剤が塗布されている基板保持ステージ３とを用いた。

【００５０】すなわち、有機ＥＬ基板１１に金属の缶か
らなる封止基板１２を貼り合わせた状態（接着剤が硬化
していない状態）の有機ＥＬ装置１”を紫外線吸収剤が
塗布されているステージ３００（基板保持ステージ３）
に載せ、紫外線カットフィルタ４を透過した紫外線２０
を有機ＥＬ装置１”に照射する。紫外線カットフィルタ
４としては、ソーダガラスを用いる。

【００５１】ここで、有機ＥＬ装置１”の有機ＥＬ基板
１１にマスク２１を貼り付けてから、紫外線２０を有機
ＥＬ基板１１側から照射する。マスク２１としては、紫
外線カットフィルムを用いた。そして、紫外線源２とし
ては、例えばＤバルブを用い、紫外線照射装置として
は、例えばハイテックスＦ−３００を用いる。また、厚
み１．１ｍｍのソーダガラスを紫外線吸収フィルタ４と
して用い、紫外線源２から放射される紫外線の強度を４
０［ｍＷ／ｃｍ²］、その紫外線の波長を３５０ｎｍと
して、１６０秒間だけステージ３００上の有機ＥＬ装置
１”に照射した。こうして接着剤が硬化された有機ＥＬ
基板１”に所定の電圧を印加して、点灯させたところ、
点欠陥は５［個／ｃｍ²］であった。

【００５２】一方、紫外線吸収剤が塗布されていない基
板保持ステージ上に有機ＥＬ装置１”を載せ、かつ、紫
外線吸収フィルタ４を除去し、その他の紫外線の照射条
件は前記一例と同一とした場合は、点欠陥は１１０［個
／ｃｍ²］であった。したがって、ボトムエミッション
型の有機ＥＬ装置１”へ有機ＥＬ基板１１側から紫外線
２０を照射する場合でも、有機ＥＬ基板１１にマスク２
１を貼り付け、第３実施形態と同様に、ステージ３００
の表面に紫外線吸収剤を塗布し、さらに紫外線吸収フィ
ルタ４を用いることで、点欠陥を約９５パーセント除去
することができた。なお、ステージ３００は、温度調節
機能を備え、ステージ３００上の温度を摂氏±１度以内
に調節した。

【００５３】（第６実施形態）本実施形態では、上記第
３実施形態の製造方法で作成された有機ＥＬ装置１の点
灯寿命について述べる。例えば、緑のＥＬ材料を用いた
有機ＥＬ装置１において、初期輝度１６００［Ｃｄ／ｍ
²］で定電流駆動した場合、輝度が半減するまでの寿命
（輝度半減寿命）は２９１時間であった。比較例とし
て、第３実施形態の紫外線対策をしない場合、同様の測
定において輝度半減寿命は１１７時間であった。したが
って、上記第３実施形態の製造方法を用いることによ
り、有機ＥＬ装置１の点灯寿命を約１５０パーセント延
ばすことができた。

【００５４】（第７実施形態）本実施形態は、図５
（ｂ）に示すように、封止基板側１２から光を発する封
止側発光型の有機ＥＬ装置１’において、紫外線２０を
封止基板１２側から照射して接着剤を硬化させる製造方
法について述べる。

【００５５】有機ＥＬ装置の製造過程において、先ず、
基板に発光層を含む有機層（ＥＬ層）を形成した後に透
明電極を形成し、さらに保護層を形成し、その後に紫外
線硬化型の封止剤（接着剤）を介して基板と封止基板を
貼り合わせ、図８に示すような構造とする。この有機Ｅ
Ｌ装置’の構造は、図９に示すように陰極と封止基板間
に空間を設ける構成の缶封止構造としてもよいが、缶封
止構造の場合は乾燥剤を画素領域以外の部位に配置する
必要がある。また、この缶封止構造の場合は、画素領域
には、紫外線２０を遮蔽する部材が有機ＥＬ装置１’自
身にはないので、その画素領域にマスク２１を貼り付け
てから紫外線２０を照射する必要がある。マスク２１と
しては、紫外線カットフィルムを用いる。

【００５６】封止基板１２としては、例えば、ガラス基
板を用いるが、透明でガスバリア性に優れていれば例え
ば、プラスチック、プラスチックのラミネートフィル
ム、ラミネート成形基板などのガラス基板以外の部材、
またはガラスのラミネートフィルムなどを用いてもよ
い。また、保護層としては紫外線を吸収する部材を用い
るのが好ましい。

【００５７】（電気光学装置の具体例）以下、本実施形
態の具体例に係る電気光学装置について図７を参照しな
がら説明する。図７は、図５（ｃ）又は図５（ｄ）に示
すような、基板側発光型の有機ＥＬ装置を示している。
図７において、有機ＥＬ装置５０は、光を透過可能な基
板（光透過層、図５の有機ＥＬ基板１１に相当）５２
と、基板５２の一方の面側に設けられ一対の陰極（電
極）５７及び陽極（透明電極）５８に挟持された有機エ
レクトロルミネッセンス材料からなる発光層（ＥＬ層）
５５と正孔注入／輸送層５６とからなる有機ＥＬ素子
（発光素子、図５の有機ＥＬ素子層１４に相当）５９
と、封止基板３２０（図５の封止基板１２に相当）を有
している。また、封止基板３２０と基板５２は接着層
（図示せず）で接着されており、封止基板３２０及び接
着層によって有機ＥＬ素子５９が封止されている。

【００５８】ここで、図７に示す有機ＥＬ装置５０は、
発光層５５からの発光を基板５２側から装置外部に取り
出す形態（基板側発光型）である。そこで、有機ＥＬ装
置５０の製造時において、図５（ｃ）のように、基板５
２側から接着剤を硬化させる紫外線を照射させる場合、
このままでは、紫外線が透明な基板５０及び透明な陽極
５等を紫外線が突き抜け有機ＥＬ素子層の画素領域にダ
メージを与える。そこで、画素領域を紫外線の直射から
保護するために、基板５２にマスクを貼り付けてから紫
外線を照射する。

【００５９】一方、図５（ｄ）に示すように、封止基板
３２０側から接着剤を硬化させる紫外線を照射させる場
合は、封止基板３２０として金属の缶を用いることによ
り、封止基板３２０が遮蔽部材（マスク）となる。そこ
で、この場合は、有機ＥＬ装置５０に対して特にマスク
部材を貼り付ける等をする必要がない。この場合、封止
基板３２０の材料としては、金属のラミネートフィルム
を用いても良い。

【００６０】基板５２の形成材料としては、光を透過可
能な透明あるいは半透明材料、例えば、透明なガラス、
石英、サファイア、あるいはポリエステル、ポリアクリ
レート、ポリカーボネート、ポリエーテルケトンなどの
透明な合成樹脂などが挙げられる。特に、基板５２の形
成材料としては、安価なガラスが好適に用いられる。一
方、基板５２と反対側（封止基板３２０側）から発光を
取り出す形態（図８又は図９に示す封止側発光型）の場
合には、基板５２は不透明であってもよく、その場合、
アルミナ等のセラミック、ステンレス等の金属シートに
表面酸化などの絶縁処理を施したもの、熱硬化性樹脂、
熱可塑性樹脂などを用いることができる。

【００６１】陽極５８は、インジウム錫酸化物（ＩＴ
Ｏ：Indium Tin Oxide）等からなる透明電極であって光
を透過可能である。正孔注入／輸送層５６は、例えば、
高分子系材料として、ポリチオフェン、ポリスチレンス
ルホン酸、ポリピロール、ポリアニリン及びこの誘導体
などが例示される。また、低分子系材料を使用する場合
は、正孔注入層と正孔輸送層を積層して形成するのが好
ましい。その場合、正孔注入層の形成材料としては、例
えば銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）や、ポリテトラヒド
ロチオフェニルフェニレンであるポリフェニレンビニレ
ン、１，１−ビス−（４−Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノフェ
ニル）シクロヘキサン、トリス（８−ヒドロキシキノリ
ノール）アルミニウム等が挙げられるが、特に銅フタロ
シアニン（ＣｕＰｃ）を用いるのが好ましい。また、正
孔輸送層としては、トリフェニルアミン誘導体（ＴＰ
Ｄ）、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチ
ルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体等からな
る。具体的には、特開昭６３−７０２５７号、同６３−
１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号、同２
−１３５３６１号、同２−２０９９８８号、同３−３７
９９２号、同３−１５２１８４号公報に記載されている
もの等が例示されるが、トリフェニルジアミン誘導体が
好ましく、中でも４，４’−ビス（Ｎ（３−メチルフェ
ニル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニルが好適とされ
る。

【００６２】なお、正孔輸送層または正孔注入層のいず
れか一方を形成してもよい。

【００６３】発光層５５の形成材料としては、高分子発
光体や低分子の有機発光色素、すなわち各種の蛍光物質
や燐光物質などの発光物質が使用可能である。発光物質
となる共役系高分子の中ではアリーレンビニレン又はポ
リフルオレン構造を含むものなどが特に好ましい。低分
子発光体では、例えばナフタレン誘導体、アントラセン
誘導体、ペリレン誘導体、ポリメチン系、キサテン系、
クマリン系、シアニン系などの色素類、８−ヒドロキノ
リンおよびその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テト
ラフェニルシクロペンタジエン誘導体等、または特開昭
５７−５１７８１、同５９−１９４３９３号公報等に記
載されている公知のものが使用可能である。陰極７はカ
ルシウム（Ｃａ）、アルミニウム（Ａｌ）やマグネシウ
ム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）等からなる金属電
極が好ましい。

【００６４】なお、陰極５７と発光層５５との間に、必
要に応じて電子輸送層や電子注入層を設けてもよい。電
子輸送層の形成材料としては、特に限定されることな
く、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンお
よびその誘導体、ベンゾキノンおよびその誘導体、ナフ
トキノンおよびその誘導体、アントラキノンおよびその
誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンおよびその
誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチ
レンおよびその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒ
ドロキシキノリンおよびその誘導体の金属錯体等が例示
される。具体的には、先の正孔輸送層の形成材料と同様
に、特開昭６３−７０２５７号、同６３−１７５８６０
号公報、特開平２−１３５３５９号、同２−１３５３６
１号、同２−２０９９８８号、同３−３７９９２号、同
３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示
され、特に２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−
ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、ベ
ンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノー
ル）アルミニウムが好適とされる。

【００６５】図示しないが、本実施形態の有機ＥＬ装置
５０はアクティブマトリクス型であり、実際には複数の
データ線と複数の走査線とが格子状に基板５２に配置さ
れる。そして、データ線や走査線に区画されたマトリク
ス状に配置された各画素毎に、従来は、スイッチングト
ランジスタやドライビングトランジスタ等の駆動用ＴＦ
Ｔを介して上記の有機ＥＬ素子５９が接続されている。
そして、データ線や走査線を介して駆動信号が供給され
ると電極間に電流が流れ、有機ＥＬ素子５９の発光層５
５が発光して基板５２の外面側に光が射出され、その画
素が点灯する。

【００６６】本実施形態の有機ＥＬ装置５０は、上記第
１乃至第７実施形態の製造方法で製造することにより、
接着剤硬化工程における画素領域への紫外線の侵入を防
ぐことができるので、従来の有機ＥＬ装置と比べてダー
クスポットの数を大幅に低減することができ、点灯寿命
も大幅に延ばすことができる。また、図６、図８及び図
９に示す有機ＥＬ装置５０も、上記第１乃至第７実施形
態の製造方法で製造することにより、図７に示す有機Ｅ
Ｌ装置５０と同様の効果を奏することができる。

【００６７】図１０は本実施形態に係る電気光学装置
を、有機エレクトロルミネッセンス素子を用いたアクテ
ィブマトリクス型の表示装置（電気光学装置）に適用し
た場合の一例を示すものである。

【００６８】この有機ＥＬ装置Ｓ１は、図５における有
機ＥＬ基板１１上に形成された有機ＥＬ素子層１４（又
は図６〜図９の有機ＥＬ素子５９）に相当し、回路図で
ある図１０に示すように基板上に、複数の走査線１３１
と、これら走査線１３１に対して交差する方向に延びる
複数の信号線１３２と、これら信号線１３２に並列に延
びる複数の共通給電線１３３とがそれぞれ配線されたも
ので、走査線１３１及び信号線１３２の各交点毎に、画
素（画素領域素）ＡＲが設けられて構成されたものであ
る。

【００６９】信号線１３２に対しては、シフトレジス
タ、レベルシフタ、ビデオライン、アナログスイッチを
備えるデータ線駆動回路３９０が設けられている。一
方、走査線１３１に対しては、シフトレジスタ及びレベ
ルシフタを備える走査線駆動回路３８０が設けられてい
る。また、画素領域ＡＲの各々には、走査線１３１を介
して走査信号がゲート電極に供給される第１のトランジ
スタ３２２と、この第１のトランジスタ３２２を介して
信号線１３２から供給される画像信号を保持する保持容
量ｃａｐと、保持容量ｃａｐによって保持された画像信
号がゲート電極に供給される第２のトランジスタ３２４
と、この第２のトランジスタ３２４を介して共通給電線
１３３に電気的に接続したときに共通給電線１３３から
駆動電流が流れ込む画素電極３２３と、この画素電極
（陽極）３２３と対向電極（陰極）２２２との間に挟み
込まれる発光部（発光層）３６０とが設けられている。

【００７０】このような構成のもとに、走査線１３１が
駆動されて第１のトランジスタ３２２がオンとなると、
そのときの信号線１３２の電位が保持容量ｃａｐに保持
され、該保持容量ｃａｐの状態に応じて、第２のトラン
ジスタ３２４の導通状態が決まる。そして、第２のトラ
ンジスタ３２４のチャネルを介して共通給電線１３３か
ら画素電極３２３に電流が流れ、さらに発光層３６０を
通じて対向電極２２２に電流が流れることにより、発光
層３６０は、これを流れる電流量に応じて発光するよう
になる。

【００７１】（電子機器）上記実施形態の電気光学装置
を備えた電子機器の例について説明する。図１１は、携
帯電話の一例を示した斜視図である。図１１において、
符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は上
記の電気光学装置を用いた表示部を示している。

【００７２】図１２は、腕時計型電子機器の一例を示し
た斜視図である。図１２において、符号１１００は時計
本体を示し、符号１１０１は上記の電気光学装置を用い
た表示部を示している。

【００７３】図１３は、ワープロ、パソコンなどの携帯
型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１３に
おいて、符号１２００は情報処理装置、符号１２０２は
キーボードなどの入力部、符号１２０４は情報処理装置
本体、符号１２０６は上記の電気光学装置を用いた表示
部を示している。

【００７４】図１１から図１３に示す電子機器は、上記
実施形態の電気光学装置を備えているので、製品寿命が
長く、長期にわたって安定した発光特性（表示特性）を
維持することができる。また、上記実施形態の製造方法
によって、製造コストを従来のものよりも低減すること
ができる。

【００７５】なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に
限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範
囲において種々の変更を加えることが可能であり、実施
形態で挙げた具体的な材料や層構成などはほんの一例に
過ぎず、適宜変更が可能である。

【００７６】図１〜図４における紫外線源２としては、
紫外線ランプを用いることができ、例えば、高圧水銀ラ
ンプ、キセノンランプ及びマイクロ波励起タイプのフュ
ージョンランプを用いることができる。

【００７７】図２及び図３における紫外線カットフィル
タ４としては、吸収波長が３００ｎｍよりも短いものが
好ましい。また、紫外線カットフィルタ４は、４００ｎ
ｍよりも長い波長の光をカットする特性をも有するも
の、即ちバンドパスフィルタとしてもよい。

【００７８】また、上記実施形態における有機ＥＬ装置
の製造に用いる基板には、ＴＦＴ素子などのアクティブ
素子が形成してあってもよい。また、有機ＥＬ装置の封
止の形態としては、陰極上に空洞を設けない封止でもよ
いし、空洞を設ける所謂缶封止であってもよい。

【００７９】また、紫外線照射による接着剤の硬化時
に、ステージの温度を上昇させることにより有機ＥＬ装
置を加熱してもよい。また、封止基板として紫外線を透
過させるものを用いる場合には、封止基板側又は有機Ｅ
Ｌ基板側から紫外線を照射することができる。

【００８０】また、封止基板として紫外線が透過しない
ものを用いる場合には、有機ＥＬ基板側から紫外線を照
射することになるが、有機ＥＬ基板側から紫外線を照射
する場合、例えば、図５（ｃ）に示すように、画素領域
を紫外線から保護する手段（例えば、マスク２１）を講
じる。

【００８１】

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、有機ＥＬ装置の製造工程で照射される紫外線か
ら有機ＥＬ装置の画素領域を保護することが可能とな
り、有機ＥＬ装置のダークスポットの数を低減させて表
示品質を向上させ、製品寿命を延ばすことが可能とな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の
製造方法を示す模式概念図である。

【図２】本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ装置の
製造方法を示す模式概念図である。

【図３】本発明の第３実施形態に係る有機ＥＬ装置の
製造方法を示す模式概念図である。

【図４】本発明の第４実施形態に係る有機ＥＬ装置の
製造方法を示す模式概念図である。

【図５】本発明の第５実施形態に係る有機ＥＬ装置の
製造方法を示す模式概念図である。

【図６】空間を設けない構成のボトムエミッション型
の有機ＥＬ装置を示す要部断面図である。

【図７】空間を設ける構成のボトムエミッション型の
有機ＥＬ装置を示す要部断面図である。

【図８】空間を設けない構成のトップエミッション型
の有機ＥＬ装置を示す要部断面図である。

【図９】空間を設ける構成のトップエミッション型の
有機ＥＬ装置を示す要部断面図である。

【図１０】アクティブマトリクス型の表示装置を示す
回路図である。

【図１１】本実施形態の電気光学装置を備えた電子機
器の一例を示す図である。

【図１２】本実施形態の電気光学装置を備えた電子機
器の一例を示す図である。

【図１３】本実施形態の電気光学装置を備えた電子機
器の一例を示す図である。

【符号の説明】

１、１’、１” 有機ＥＬ装置２紫外線源３基板保持ステージ３’ 基板保持ステージの表面４紫外線カットフィルタ５紫外線吸収シート１１有機ＥＬ基板１２封止基板１３接着層１４有機ＥＬ素子層２０紫外線２１マスク３０ステージ５０有機ＥＬ装置５２基板５５発光層（ＥＬ層）５６正孔輸送層（正孔注入層）５７陰極５８陽極５９有機ＥＬ素子３００ステージ３２０封止基板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に形成された電極間に少なくとも
発光層を配置した構造を有してなる有機ＥＬ基板と、前
記有機ＥＬ基板に接着されて前記電極及び発光層を封止
する封止基板とを有してなる有機エレクトロルミネッセ
ンス装置の製造方法であって、前記封止基板を前記有機ＥＬ基板に接着するための接着
剤として紫外線硬化型の接着剤を用い、前記封止基板が接着された有機ＥＬ基板を基板保持ステ
ージに載せた状態で、前記接着剤を含む部位に紫外線を
照射する工程を有し、前記基板保持ステージにおける前記有機ＥＬ基板が載せ
られる面に、紫外線吸収処理が施されていることを特徴
とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項２】基板上に形成された電極間に少なくとも
発光層を配置した構造を有してなる有機ＥＬ基板と、前
記有機ＥＬ基板に接着されて前記電極及び発光層を封止
する封止基板とを有してなる有機エレクトロルミネッセ
ンス装置の製造方法であって、前記封止基板を前記有機ＥＬ基板に接着するための接着
剤として紫外線硬化型の接着剤を用い、前記接着剤を硬化させる紫外線として、３００ナノメー
トルより短い波長の成分が他の波長成分よりも低減され
た紫外線を用いることを特徴とする有機エレクトロルミ
ネッセンス装置の製造方法。
【請求項３】基板上に形成された電極間に少なくとも
発光層を配置した構造を有してなる有機ＥＬ基板と、前
記有機ＥＬ基板に接着して前記電極及び発光層を封止す
る封止基板とを有してなる有機エレクトロルミネッセン
ス装置の製造方法であって、前記封止基板を前記有機ＥＬ基板に接着するための接着
剤として紫外線硬化型の接着剤を用い、前記接着剤を硬化させる紫外線の放射源と前記有機ＥＬ
基板との間に、３００ナノメートルより短い波長の紫外
線を吸収又は反射するフィルタを挿入して、前記接着剤
を含む部位に前記フィルタを透過した紫外線を照射する
工程を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッ
センス装置の製造方法。
【請求項４】基板上に形成された電極間に少なくとも
発光層を配置した構造を有してなる有機ＥＬ基板と、前
記有機ＥＬ基板に接着して前記電極及び発光層を封止す
る封止基板とを有してなる有機エレクトロルミネッセン
ス装置の製造方法であって、前記封止基板を前記有機ＥＬ基板に接着するための接着
剤として紫外線硬化型の接着剤を用い、前記封止基板が接着された基板を基板保持ステージに載
せた状態で、前記接着剤を含む部位に紫外線を照射する
工程を有し、前記基板保持ステージにおける前記有機ＥＬ基板が載せ
られる面に、紫外線吸収処理が施してあり、前記紫外線を照射する工程では、前記紫外線の放射源と
前記有機ＥＬ基板との間に、３００ナノメートルより短
い波長の紫外線を吸収又は反射するフィルタを挿入し
て、前記接着剤を含む部位に前記フィルタを透過した紫
外線を照射することを特徴とする有機エレクトロルミネ
ッセンス装置の製造方法。
【請求項５】紫外線吸収処理が施された前記基板保持
ステージは、紫外線吸収フィルム及び紫外線吸収シート
のうちの少なくとも一方を配置したものからなることを
特徴とする請求項１又は４記載の有機エレクトロルミネ
ッセンス装置の製造方法。
【請求項６】紫外線吸収処理が施された前記基板保持
ステージは、表面に紫外線吸収剤を塗布したものからな
ることを特徴とする請求項１又は４記載の有機エレクト
ロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項７】前記フィルタは、ソーダガラスからなる
ことを特徴とする請求項３又は４記載の有機ＥＬ装置の
製造方法。
【請求項８】前記接着剤を硬化させる紫外線を前記有
機ＥＬ基板側から照射することを特徴とする請求項１乃
至７のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセ
ンス装置の製造方法。
【請求項９】前記封止基板は、紫外線透過性の材料か
らなり、前記接着剤を硬化させる紫外線を当該封止基板
側から照射することを特徴とする請求項１乃至７のいず
れか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の
製造方法。
【請求項１０】請求項１乃至９のいずれか一項に記載
の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法によっ
て製造されたことを特徴とする有機エレクトロルミネッ
センス装置。
【請求項１１】前記有機エレクトロルミネッセンス装
置は、マトリクス状に形成された複数の走査線及び複数
のデータ線と、前記走査線とデータ線に接続されたスイ
ッチング手段と、前記スイッチング手段に接続された画
素電極とを有することを特徴とする請求項１０記載の有
機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項１２】請求項１０又は１１に記載の有機エレ
クトロルミネッセンス装置を備えたことを特徴とする電
子機器。
【請求項１３】基板上に形成された電極間に少なくと
も発光層を配置した構造を有してなる有機ＥＬ基板と、
前記有機ＥＬ基板に紫外線硬化型の接着剤で接着される
ことで前記電極及び発光層を封止する封止基板とを有し
てなる有機エレクトロルミネッセンス装置の製造装置で
あって、前記接着剤を硬化させるための紫外線を照射するとき
に、前記封止基板が接着された有機ＥＬ基板が載せられ
る基板保持ステージを有し、前記基板保持ステージにおける前記有機ＥＬ基板が載せ
られる面には、紫外線吸収処理が施されていることを特
徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造装
置。
【請求項１４】基板上に形成された電極間に少なくと
も発光層を配置した構造を有してなる有機ＥＬ基板と、
前記有機ＥＬ基板に紫外線硬化型の接着剤で接着される
ことで前記電極及び発光層を封止する封止基板とを有し
てなる有機エレクトロルミネッセンス装置の製造装置で
あって、前記接着剤を硬化させる紫外線として、３００ナノメー
トルより短い波長の成分が他の波長成分よりも低減され
た紫外線を放射する紫外線放射手段を有することを特徴
とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造装置。
【請求項１５】基板上に形成された電極間に少なくと
も発光層を配置した構造を有してなる有機ＥＬ基板と、
前記有機ＥＬ基板に紫外線硬化型の接着剤で接着される
ことで前記電極及び発光層を封止する封止基板とを有し
てなる有機エレクトロルミネッセンス装置の製造装置で
あって、前記接着剤を硬化させる紫外線の放射源と前記有機ＥＬ
基板との間に配置されるとともに、３００ナノメートル
より短い波長の紫外線を吸収又は反射するフィルタを有
することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装
置の製造装置。
【請求項１６】基板上に形成された電極間に少なくと
も発光層を配置した構造を有してなる有機ＥＬ基板と、
前記有機ＥＬ基板に紫外線硬化型の接着剤で接着される
ことで前記電極及び発光層を封止する封止基板とを有し
てなる有機エレクトロルミネッセンス装置の製造装置で
あって、前記接着剤を硬化させる紫外線を照射するときに前記封
止基板が接着された有機ＥＬ基板が載せられるステージ
であるとともに、当該ステージにおける有機ＥＬ基板が
載せられる面に紫外線吸収処理が施されている基板保持
ステージと、前記接着剤を硬化させる紫外線の放射源と前記有機ＥＬ
基板との間に配置されるとともに、３００ナノメートル
より短い波長の紫外線を吸収又は反射するフィルタとを
有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス
装置の製造装置。
【請求項１７】前記基板保持ステージは、前記紫外線
吸収処理として、紫外線吸収フィルム及び紫外線吸収シ
ートのうちの少なくとも一方が当該基板保持ステージに
配置されてなることを特徴とする請求項１３又は１６記
載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造装置。
【請求項１８】前記基板保持ステージの表面には、前
記紫外線吸収処理として、紫外線吸収剤が塗布されてい
ることを特徴とする請求項１３又は１６記載の有機エレ
クトロルミネッセンス装置の製造装置。
【請求項１９】前記フィルタは、ソーダガラスからな
ることを特徴とする請求項３又は４記載の有機ＥＬ装置
の製造装置。
【請求項２０】前記接着剤を硬化させる紫外線を前記
有機ＥＬ基板側から照射する紫外線照射手段を有するこ
とを特徴とする請求項１３乃至１９のいずれか一項に記
載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造装置。
【請求項２１】前記接着剤を硬化させる紫外線を前記
封止基板側から照射する紫外線照射手段を有することを
特徴とする請求項１３乃至１９のいずれか一項に記載の
有機エレクトロルミネッセンス装置の製造装置。