WO2005122644A1 - 有機半導体素子 - Google Patents

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WO2005122644A1
WO2005122644A1 PCT/JP2005/010656 JP2005010656W WO2005122644A1 WO 2005122644 A1 WO2005122644 A1 WO 2005122644A1 JP 2005010656 W JP2005010656 W JP 2005010656W WO 2005122644 A1 WO2005122644 A1 WO 2005122644A1
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WO
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layer
organic
organic semiconductor
adhesive layer
semiconductor device
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PCT/JP2005/010656
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English (en)
French (fr)
Inventor
Tsuyoshi Masuda
Tadaoki Mitani
Rennie John
Kounosuke Uozumi
Original Assignee
Japan Science And Technology Agency
Komatsu Seiren Co., Ltd.
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Publication date
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Priority to KR1020067023322A priority patent/KR101141659B1/ko
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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/02Details
    • H05B33/04Sealing arrangements, e.g. against humidity
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/841Self-supporting sealing arrangements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842Containers
    • H10K50/8426Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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    • H10K50/8428Vertical spacers, e.g. arranged between the sealing arrangement and the OLED
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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    • H10K50/80Constructional details
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    • Y10T428/28Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y10T428/2848Three or more layers

Definitions

  • the present invention relates to an organic semiconductor element having a film sealing structure, particularly to an organic electroluminescent element, and more particularly to an organic semiconductor element having a novel structure capable of achieving both film sealing and heat radiation.
  • An organic electroluminescent (hereinafter, referred to as an organic EL) element which is a kind of organic semiconductor element, is a self-luminous surface light source, which is thin, light, and has a wide viewing angle. It is expected to be applied to a wide range of fields such as displays.
  • a general organic EL element has, for example, an element part in which a transparent electrode, an organic layer including at least a light emitting layer, and a cathode are laminated in this order on a transparent substrate as an anode, and a current is applied to the organic layer. The light generated by the above is taken out from the back side of the substrate.
  • an organic layer or the like constituting an organic EL element is generally composed of an extremely unstable organic material, it has a disadvantage that it is easily deteriorated by the influence of oxygen, moisture, and the like. Short life is a problem. Therefore, it is necessary to take measures to prevent oxygen and moisture existing around the organic EL element from entering the element.
  • an element portion including an organic layer is sealed with a metal or glass sealing can.
  • a structure in which a void inside the sealed can is filled with an inert gas such as nitrogen gas is employed.
  • an organic EL device having a structure sealed with a sealing can it is necessary to perform sealing with a sealing can for each element, thereby improving workability, productivity, and manufacturing.
  • seal the periphery of the element section including the organic layer with a sealing can There is also a problem that it is difficult to cool the element due to the structure.
  • mounting a structure with high thermal conductivity so as to be in contact with the element part including the organic layer in order to enhance the heat dissipation effect requires an organic EL element with a thin mechanical thickness of several hundred nm and poor mechanical strength. Is not easy.
  • the sealing can also has the function of radiating the heat generated in the laminate, since an inert gas with low thermal conductivity is interposed between the laminate containing the organic layer and the sealing can, the The heat dissipation effect is very low.
  • Japanese Patent No. 3334408 and Japanese Patent No. 3405335 disclose the main focus is on the film sealing structure, and little consideration is given to heat dissipation.
  • Japanese Patent No. 3405335 discloses that a plastic plate or a metal plate is stacked on a film sealing structure, but does not assume any function as a heat sink.
  • the optimization of the structure for efficient heat dissipation and the structure for achieving both film sealing and heat dissipation is completely unexpected.
  • the heat sink When a heat sink is directly provided on the sealing film, the heat sink is usually attached using an adhesive or the like. In this case, however, the environment at the time of curing adversely affects the organic EL element. The effect has been great. For example, when a photo-curable adhesive is used, the ultraviolet light irradiated for curing the adhesive is simultaneously irradiated on the organic EL element, which causes deterioration of organic substances in the organic EL element portion. When a thermosetting adhesive is used, the force that needs to be heated during curing The outgas generated at this time penetrates into the sealing film and reaches the organic EL element, which also degrades the organic EL element become. The conventional technology does not recognize any adverse effect on the organic EL element at the time of bonding, and has not taken any measures against it.
  • the present invention has been proposed in view of such a conventional situation, and aims to optimize the structure so as to achieve both sealing and heat dissipation, and to reduce oxygen, moisture, and the like. It is an object of the present invention to provide an organic semiconductor element that can reliably shut off light and that can efficiently release heat. Another object of the present invention is to provide an organic semiconductor device capable of suppressing an adverse effect when a heat sink is bonded and suppressing deterioration of an organic semiconductor device portion (organic EL device). .
  • an organic semiconductor element according to the present invention has an organic semiconductor element portion formed on a substrate, which is covered with a flattening layer, and heat is radiated on the flattening layer.
  • the board is fixed by an adhesive layer, and a shield layer is formed between the adhesive layer and the flattening layer to block an adverse effect on the organic semiconductor element portion when the adhesive layer is cured.
  • a film sealing structure is adopted in which the organic semiconductor element portion is sealed with thin films such as a flat layer and a shield layer.
  • thin films such as a flat layer and a shield layer.
  • a heat sink is fixed on the sealing film via an adhesive layer. Therefore, heat generated in the organic semiconductor element portion is quickly transmitted to the heat sink through the sealing film, and efficient heat dissipation is performed.
  • the bonding of the radiator plate may adversely affect the organic EL element portion.
  • the structure of the sealing film covering the organic semiconductor element is optimized.
  • the sealing film has a laminated structure in which the function is separated into a flattening layer covering the organic semiconductor element and a shield layer covering the flattening layer. Layer having a function to be selected.
  • the shield layer blocks light used for curing the photocurable adhesive layer. Since the shield layer blocks light (mainly ultraviolet light) when the adhesive layer is cured, the light when the adhesive layer is cured does not reach the organic semiconductor layer under the shield layer, so that the deterioration of the organic semiconductor layer due to the light is ensured. Is suppressed.
  • the shield layer blocks outgas generated when the thermosetting adhesive layer is cured. Since the shield layer blocks the gas generated when the thermosetting adhesive layer is cured, the deterioration of the organic semiconductor layer under the shield layer due to the gas is reliably suppressed.
  • a flattening layer is arranged between the organic semiconductor device portion and the shield layer.
  • the organic semiconductor element portion is sealed with a thin film, and a heat sink is adhered on the sealing film, so that penetration of oxygen, moisture, and the like into the organic semiconductor element is ensured. It actually shuts off and efficient heat radiation is realized. Therefore, deterioration of the organic semiconductor element portion due to abnormal heat generation and intrusion of oxygen, moisture, and the like inside the organic semiconductor element is suppressed, and it is possible to provide an organic semiconductor element having a longer life. is there.
  • the organic semiconductor element of the present invention by providing the flattening layer and the shield layer as the sealing film provided on the organic semiconductor element portion, the adverse effect when fixing the heat sink is reduced. Thus, it is possible to reliably prevent the organic semiconductor element portion from being interrupted by the shield layer and to prevent the organic semiconductor element portion from deteriorating when the heat sink is fixed.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing one example of an organic EL device to which the present invention is applied.
  • FIG. 2 is a schematic sectional view showing another example of the organic EL device to which the present invention is applied.
  • FIG. 3 is a characteristic diagram showing current density versus luminance characteristics of an organic EL device using a UV-curable epoxy resin for an adhesive layer.
  • FIG. 4 is a photograph showing a light emitting state of an organic EL device in which a thermosetting resin is used for an adhesive layer and a shield layer (A1) is formed.
  • FIG. 5 is a photograph showing a light emitting state of an organic EL device in which a thermosetting resin is used for an adhesive layer and a shield layer is not formed.
  • FIG. 6 is a photograph showing an initial light emitting state of the organic EL element in which the outer peripheral edge of the heat radiating plate and the outer peripheral edge of the shield layer have a positional relationship such that they match when viewed from a plane. .
  • FIG. 7 is a photograph showing a light emitting state of the organic EL device shown in FIG. 6 after an acceleration test.
  • FIG. 8 is a characteristic diagram showing current density and surface temperature characteristics of an organic EL element using a glass cap for sealing and an organic EL element using a heat sink for sealing.
  • FIG. 9 is a photograph showing the difference in noria between an organic EL element using a UV-curable adhesive and an organic EL element using a sheet-like thermosetting adhesive.
  • FIG. 10 is a photograph showing how the characteristics change over time when the heat treatment temperature of the organic EL element is set to 110 ° C. and 120 ° C.
  • an organic semiconductor device to which the present invention is applied will be described in detail with reference to the drawings.
  • an organic electroluminescent (hereinafter, simply referred to as an organic EL) device will be described as an example of an organic semiconductor device, but the present invention is not limited to this and requires sealing and heat radiation measures. Needless to say, it can be applied to any organic semiconductor device.
  • FIG. 1 is a sectional view of an organic EL device 1 of the present invention.
  • the organic EL element 1 is composed of an element part 6 in which an anode 3, an organic layer 4 formed of one or more kinds of organic materials and a cathode 5 are laminated in this order on a substrate 2, and a surface of the element part 6. , A shield layer 8 laminated on the flat layer 7, an adhesive layer 9 provided on the shield layer 8, and a bonding layer 9. And a heat sink 10 bonded to the surface.
  • light emitted from the light emitting layer in the organic layer 4 is extracted from the back surface of the substrate 2 of the organic EL device 1 as shown by an arrow A.
  • the substrate 2 is not particularly limited, but a substrate having optical transparency such as glass or plastic is used.
  • the element section 6 formed on the substrate 2 is constituted by, for example, laminating an anode 3, an organic layer 4, and a cathode 5 in this order.
  • the anode 3 is formed by depositing a light-transmitting conductive material such as ITO (indium tin oxide) or indium zinc oxide by, for example, sputtering.
  • the organic layer 4 stacked on the anode 3 is, for example, a layer in which a hole injection layer, a light emitting layer, an electron injection layer, and the like are sequentially stacked from the anode 3 side.
  • the organic layer 4 has a structure in which a hole transport layer exists between the light emitting layer and the hole injection layer, a structure in which an electron transport layer exists between the light emitting layer and the electron injection layer, and the like. May be a single layer. Further, the structure of the organic layer 4 is not limited to the above-described structure, but can be various structures.
  • the cathode 5 to be superimposed on the organic layer 4 is formed by depositing a metal such as aluminum or an alloy by sputtering evaporation or the like.
  • the anode 3, the organic layer 4, and the cathode 5 are formed on, for example, a solid surface, and the area (light emitting area) of the region where the anode 3, the organic layer 4, and the cathode 5 overlap is, for example, It is 100 mm 2 (for example, 10 mm X 10 mm square) or more.
  • the flat layer 7 covering the element section 6 is formed from the viewpoint of improving the film quality of the shield layer 8 formed thereon and enhancing the barrier properties of the shield layer 8, from the step or unevenness of the surface of the element section 6. In addition, smoothness for uniformly covering a pinhole or the like is required.
  • the planarizing layer 7 has a gas barrier property for protecting the element section 6 from oxygen, moisture, and the like, and a high and thermal conductivity for quickly transmitting heat generated from the element section 6 to the heat sink 10. It is preferable to have.
  • organic insulating materials such as xylylene-based polymer compounds, polyimide-based polymer compounds, acrylic polymer compounds, epoxy-based polymer compounds, and polyurea-based polymer compounds can be prepared by CVD methods such as plasma CVD. It is preferable to form the flat layer 7 by forming a film by a gas phase method (drive opening process) such as a PVD method such as resistance heating evaporation. For example, there is a method of forming the flattening layer by a wet process such as coating.However, a solvent used for dissolving the material for forming the flattening layer 7 and moisture contained in the solvent have an adverse effect on the element section 6. May be affected.
  • the shield layer 8 is stacked on the flat layer 7.
  • the shield layer 8 is required to have a function of blocking an adverse effect on the element section 6 such as the organic layer 4 when the adhesive layer 9 is hardened.
  • the adhesive layer 9 is a photocurable adhesive layer obtained by curing a photocurable resin such as a UV curable resin or a visible light curable resin
  • the UV light used for curing the photocurable adhesive layer is used. It is preferable to form the shield layer 8 so as to absorb or reflect light such as light or visible light and block it.
  • Materials that block light used for curing the photocurable adhesive layer include metals such as aluminum, gold, and silver; metal oxides such as zinc oxide, titanium oxide and cesium oxide; and metals such as barium sulfate. At least one kind of sulfur oxides, barium titanate, barium titanate zirconate, strontium titanate and the like can be used. Among them, it is preferable to use metals such as aluminum, gold, silver and the like because of their excellent noria property.
  • Light hard By blocking the light such as UV light used for curing the adhesive layer with the shield layer 8, the element section 6 is protected from the light used when the adhesive layer 9 is cured, and the heat sink 10 is fixed. In addition, deterioration of the organic layer 4 and the like can be suppressed.
  • the adhesive layer 9 is a thermosetting adhesive layer obtained by curing a thermosetting resin
  • outgas generated from the thermosetting resin when the thermosetting adhesive layer is cured is shut off. It is preferable to form the shield layer 8.
  • the material having a gas barrier property that blocks gas generated from the thermosetting resin include a material that blocks light used when the photocurable adhesive layer is hardened, magnesium fluoride, calcium fluoride, and fluoride.
  • Metal fluorides such as lithium, metal nitrides such as aluminum nitride, silicon nitrides such as silicon dioxide, silicon nitrides such as silicon nitride, etc. Can be used.
  • metals such as aluminum, gold, and silver, metal nitrides such as aluminum nitride, silicon oxides such as silicon dioxide, It is preferable to use silicon nitrides such as silicon nitride.
  • metals such as aluminum, gold, and silver
  • metal nitrides such as aluminum nitride, silicon oxides such as silicon dioxide
  • silicon nitrides such as silicon nitride.
  • the film configuration of the flattening layer 7 and the shield layer 8 described above may basically be formed by laminating one shield layer 8 on one flattening layer 7, but is not limited thereto.
  • one or both of the flat layer 7 and the shield layer 8 may be formed as two or more layers.
  • a film configuration in which three layers are stacked in the order of the shield layer 8, the flattening layer 7, and the shield layer 8, or three layers are stacked in the order of the flattening layer 7, the shield layer 8, and the flat layer 7 are used. Can be mentioned. Further, it is also possible to form a pair of the flat layer 7 and the shield layer 8 and repeatedly laminate a plurality of these.
  • the adhesive layer 9, which is the adhesive layer 9 formed thereon, is provided with a resin material such as a photo-curable resin or a thermosetting resin, specifically, an acrylic resin.
  • a resin material such as a photo-curable resin or a thermosetting resin, specifically, an acrylic resin.
  • a molecular compound, an epoxy polymer compound, or the like can be used.
  • the range of choice of the heat radiating plate 10 described later is widened, and it is possible to use a metal or alloy plate having high thermal conductivity, and as a result, the storage life (barrier property) is also improved.
  • the adhesive layer 9 having a uniform thickness can be formed even in an organic EL element having a large light emitting area, for example.
  • a sheet-like thermosetting adhesive a so-called hot melt adhesive
  • the sheet-like thermosetting adhesive exhibits fluidity when heated, and exhibits adhesiveness.
  • the element structure has a multi-layer structure of thin films, and high fluidity is required in order to obtain good coverability. Therefore, the sheet-like thermosetting adhesive needs to have a low flow start temperature and low viscosity.
  • the heat resistance temperature of the organic EL element is about 110 ° C, and the heat treatment at a temperature exceeding this temperature causes deterioration of the characteristics of the organic EL element.
  • the sheet-like thermosetting adhesive needs to have sufficient fluidity for coating under an environment of 110 ° C. or less. It is preferable to keep the temperature below 110 ° C
  • fillers such as a filler having high heat conductivity, a filler having gas adsorption properties, and a filler having a moisture absorbing property are dispersed in the adhesive layer 9.
  • the heat dissipation of the organic EL element 1 and the noria to oxygen, moisture, and the like of the organic EL element 1 can be further increased according to the type of the filler.
  • the adhesive layer 9 is preferably as thin as possible in order to suppress the invasion of oxygen and moisture from the horizontal direction, but it is not necessary to set the thickness of the adhesive layer 9 to, for example, 20 m or less. Have difficulty. In such a case, the particle size of the filler is limited by the thickness of the adhesive layer 9, and the average particle size of the filler is preferably smaller than the thickness of the adhesive layer 9. Further, when the filler is mixed into the sheet-like thermosetting adhesive, the thickness of the sheet-like thermosetting adhesive (adhesive layer 9) is not more than half, that is, in view of quality control of sheet molding, that is, It is preferable that the thickness be 10 ⁇ m or less.
  • the heat radiating plate 10 has a function of quickly radiating the heat generated from the element unit 6 by being fixed to the surface of the film formed in close contact with the element unit 6.
  • heat sink 10 Has a function as a sealing material for suppressing intrusion of oxygen, moisture and the like into the inside of the element, and also has a function of reinforcing the gas noria property of the sealing film.
  • the area of the heat sink 10 be larger than the area of the element portion 6.
  • a glass plate, a metal or alloy plate having high thermal conductivity such as aluminum, copper, stainless steel, aluminum nitride, and copper tungsten is used.
  • the heat radiating plate 10 does not have to have a plate shape.
  • the heat radiating plate 10 may have a sheet shape such as a plastic sheet having gas barrier properties.
  • the heat radiating plate 10 is not limited to a sheet shape, and may have any shape.
  • the heat radiating plate 10 When the adhesive layer 9 is a photo-curable adhesive layer, the heat radiating plate 10 is adhered to the surface after applying a photo-curable resin on the shield layer 8 or the like. It is fixed on the adhesive layer 9 by irradiating light. That is, since the light curable adhesive layer is cured by the light transmitted through the heat radiating plate 10, the heat radiating plate 10 transmits the light used when curing a glass substrate, a plastic sheet having gas noria, or the like. It is preferable to use a material having properties.
  • the radiator plate 10 When the adhesive layer 9 is a thermosetting adhesive layer, the radiator plate 10 is adhered to the surface after applying a thermosetting resin or the like on the shield layer 8 and heated in this state. Is fixed on the adhesive layer 9. For this reason, when the adhesive layer 9 is a thermosetting adhesive layer, the material of the heat sink 10 can be selected from a wider range than when the adhesive layer 9 is a light-curable adhesive layer. Metals and alloys having high heat conductivity, such as aluminum, copper, stainless steel, aluminum nitride, and copper tungsten, and light-transmitting materials such as plastic sheets having gaseous properties can be used.
  • the gas barrier property in the thickness direction of the element portion 6 is a force secured by the heat radiating plate 10.
  • the viewpoint force for reliably preventing oxygen and hydrogen from entering the organic EL element 1 is based on the element portion 6. It is also important to increase the gas noria in the direction parallel to the plate surface. Therefore, the element portion 6 is located inside the heat sink 10 when viewed from a plane, and the distance between the outer end of the heat sink 10 and the outer end of the shield layer 8 in the direction parallel to the substrate surface, or the adhesive layer It is preferable that one of the shorter distances in the direction parallel to the substrate surface between the outer peripheral end of the shield layer 9 and the outer peripheral end of the shield layer 8 is at least lmm. For example, in FIG.
  • the distance B between the end and the outer peripheral end of the shield layer 8 is 1 mm or more.
  • the flat layer 7, the sinored layer 8, the adhesive layer 9, and the like are sufficiently present in the direction parallel to the substrate surface of the element portion 6, so that moisture, oxygen, and the like hardly reach the organic layer 4.
  • deterioration of the element section 6 such as the organic layer 4 is more reliably suppressed.
  • Such an organic EL element 1 is manufactured, for example, as described below.
  • an element section 6 having an anode 3, an organic layer 4, and a cathode 5 is formed on a substrate 2 according to an ordinary method.
  • a film of an organic insulating material is formed by, for example, a vapor phase method to cover the surface of the element section 6 and form a planarization layer 7.
  • a shield layer 8 is formed so as to cover the flat layer 7.
  • a resin material forming the adhesive layer 9 is applied so as to cover the shield layer 8, and the heat sink 10 is brought into close contact with the resin material forming the adhesive layer 9.
  • curing is performed by an appropriate method to form the adhesive layer 9, and the heat sink 10 is fixed on the adhesive layer 9.
  • the organic EL device 1 shown in FIG. 1 is obtained.
  • the organic EL element 1 can be used as a lighting device such as decorative lighting by setting the light emitting area of the element section 6 to a large area of, for example, 100 mm 2 or more. Further, the organic EL element 1 can be formed as an organic EL display by disposing a plurality of element parts 6 between the substrate 2 and the heat sink 10.
  • the device portion 6 is sealed with the thin films of the flattening layer 7 and the shield layer 8, and the heat sink 10 is mounted on the sealing film.
  • intrusion of oxygen, moisture, and the like into the element inside the element can be reliably blocked, and deterioration of the element section 6 can be suppressed.
  • the sealing film of the flat layer 7 and the shield layer 8 is formed on the element section 6 and the heat sink 10 is attached, no inert gas or the like having low thermal conductivity is interposed. Heat dissipation is possible.
  • a heat sink 10 is attached to the organic EL element 1 for the purpose of achieving both a gas barrier property for shutting off oxygen, moisture and the like and a heat dissipation property.
  • the shield layer 8 for the heat dissipation of the organic EL element 1, While securing the gas barrier property against oxygen and the like, it is possible to suppress the deterioration of the element section 6 such as the organic layer 4 when the heat sink 10 is bonded.
  • the flat layer 7 under the shield layer 8 the film quality of the shield layer 8 is improved, and the effect of the shield layer 8 is maximized.
  • the film sealing and heat dissipation can be improved by optimizing the configuration of each of the separated layers.
  • the element portion 6 is also protected from adverse effects when the heat sink 10 is fixed, and the deterioration of the element portion 6 including the organic layer 4 can be suppressed.
  • the organic EL element 1 of the present invention since the plurality of films and the heat radiating plate 10 are sealed in close contact with the element section 6, an effect of reducing the thickness of the organic EL element 1 is also expected. it can. Further, since the flat layer 7 and the shield layer 8 can be formed by a normal thin film process, a large number of element portions 6 can be sealed at a time, and the process of bonding the heat sink 10 is extremely simple. . Therefore, compared to an organic EL element having a structure sealed with a conventional sealing can, the workability and productivity are excellent, and the organic EL element 1 can be manufactured at a low manufacturing cost.
  • the organic EL element 1 of the present invention is not limited to the structure shown in Fig. 1 as described above, and as shown in Fig. 2, the substrate 2 and the heat sink 10 A structure in which a spacer layer 11 for regulating the interval may be provided. If a force is applied to the surface of the heat sink 10, the heat sink 10 may come into contact with the element part 6 and damage the element part 6, but by providing the spacer layer 11, the substrate 2 and the heat sink 10 The distance between the device and the device section 6 can be kept constant, and damage to the element section 6 can be reduced.
  • the spacer layer 11 preferably has a height of, for example, 50 m or less.
  • the spacer layer 11 is made of, for example, the same resin as the resin of the adhesive layer 9. Further, the spacer layer 11 may contain a minute spherical glass spacer or the like.
  • the spacer layer 11 is formed, for example, as follows. First, a resin material constituting the adhesive layer 9 is applied so as to cover the shield layer 8, and then a resin layer constituting the spacer layer 11 on the substrate 2 is provided so as to surround the outside of the resin material. The material is applied linearly, and a heat sink 10 is brought into close contact with the resin material forming the adhesive layer 9 and the resin material forming the spacer layer 11, and The adhesive layer 9 and the spacer 11 are cured by an appropriate method in this state.
  • a glass plate (thickness: 0.7 mm) was attached as a heat sink, and the resin was cured to produce an organic EL device.
  • the UV-curable epoxy resin was cured by using a metal halide lamp and irradiating UV light having a wavelength of 365 nm included in this lamp to 6000 mJ Zcm 2 , and after-curing at a temperature of 80 ° C. It took one hour.
  • the device size (light emitting area) was Imm vertical x 1.5 mm horizontal.
  • An organic EL device as a comparative example was manufactured in the same manner except that SiO (6000A) was formed as a shield layer by a sputtering method.
  • thermosetting acrylic resin was applied, and then a glass plate (thickness 0.7 mm) was attached as a heat sink, and cured at a temperature of 90 ° C. for 1 hour to produce an organic EL device.
  • the device size (light emission area) was Imm vertically ⁇ 1.5mm horizontally.
  • the outer peripheral edge of the shield layer is located at least 1 mm inside the outer peripheral edge of the heat sink when viewed from above.
  • an organic EL device having the same structure except that no shield layer was formed was manufactured.
  • FIG. 4 shows a photograph when the shield layer (A1) is formed
  • Fig. 5 shows a photograph when the shield layer is not formed.
  • UV curable epoxy is Metaruno ⁇ using halide lamp, performed by irradiating UV light having a wavelength of 365nm included in the lamp so that 6000MiZcm 2, also temperature Afutaki Your 80 ° C Performed in 1 hour.
  • the device size (light-emitting area) is Imm x 1.5mm x 7mm.
  • the organic EL device manufactured in this experiment had a positional relationship such that the outer peripheral edge of the heat sink and the outer peripheral edge of the shield layer matched when viewed in plane force.
  • the outer peripheral edge was located at a position of 0.5 mm inside each of the outer peripheral edges of the shield layer and the flat layer.
  • the positional relationship of the outer peripheral end of each layer viewed from the plane force is as follows: The order is a shield layer, a planarization layer, and an organic layer.
  • an organic EL device in which the outer peripheral end of the shield layer was located at least lmm inside from the outer peripheral end of the heat sink when viewed from a plane was manufactured, and the same examination as described above was performed.
  • this organic EL device the enlargement of the dark area as shown in Fig. 7 was not observed even after the acceleration test, and it was confirmed that the state before the acceleration test was almost maintained (not shown).
  • UV curable epoxy resin was applied, a glass plate (0.7 mm in thickness) was attached as a heat sink, and the resin was cured to produce an organic EL device.
  • the curing of UV hardening epoxy uses a Metaruno ⁇ halide lamp, performed by irradiating such that 6000MjZcm 2 with UV light having a wavelength of 365nm included in the lamp, also the after-curing temperature 80 ° C, performed in 1 hour.
  • the device size (luminous area) was 20 mm long by 30 mm wide.
  • the rise in the temperature of the radiator plate due to the heat generated in the organic EL element is referred to as the radiation temperature.
  • the surface of the radiator plate was painted black with a black body spray for measurement with a meter.
  • an organic EL device sealed with a sealing can was produced. First, an organic layer and a cathode were formed on a glass substrate with ITO in the same manner as described above. Next, this element was sealed in a nitrogen gas atmosphere (oxygen and water content: 10 PPM or less) using a sealing can (glass cap).
  • the void inside the sealed can is filled with nitrogen gas having low thermal conductivity.
  • curing is conducted by irradiation so as to 6000MjZcm 2 wavelengths 365nm UV light, also the after-curing temperature 80 ° C, 1 hour Performed at The surface of the sealing can was painted black with a black body spray to measure the temperature rise of the sealing can due to the heat generated in the organic EL element with a radiation thermometer.
  • the temperature was measured with the temperature rise of the heat sink or the sealing can of the organic EL device produced as described above. For the temperature measurement, after changing the current value, the temperature was stabilized for 5 minutes and the force was applied. As shown in Fig. 8, when a heat sink is used to seal the organic EL element, heat generated in the element part is efficiently transmitted to the heat sink and dissipated into the air. It has been proved that the surface temperature of the plate is unlikely to rise. At this time, it is considered that the temperature of the element portion is substantially the same as the temperature of the heat sink, or the temperature of the element portion is slightly higher.
  • FIG. 9 (a) shows the noria of the organic EL element using the UV curable adhesive
  • FIG. 9 (b) shows the organic EL element using the sheet-like thermosetting adhesive. It shows barrier properties. The barrier properties were evaluated by comparing the initial state and the light emission state after 100 hours and 192 hours. As a result, when the sheet-like thermosetting adhesive was used, it hardly deteriorated even after 192 hours, whereas when the UV-curable adhesive was used, it deteriorated with time. Deterioration of characteristics (decrease in light emitting area) is observed.
  • FIG. 10 shows the results.
  • FIG. 10 ( a ) shows the case where the organic EL element was heat-treated at 110 ° C.
  • FIG. 10 (b) shows the case where the organic EL element was heat-treated at 120 ° C.
  • the curing temperature is preferably set to 110 ° C. or lower.

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Abstract

  基板上に形成された有機半導体素子部が平坦化層によって覆われるとともに、当該平坦化層上に放熱板が接着層によって固定され、接着層と平坦化層との間には、接着層を硬化する際の有機半導体素子部への悪影響を遮断するシールド層が形成されている。接着層が光硬化性接着層である場合には、シールド層は光硬化性接着層の硬化に用いる光を遮断することが好ましい。また、接着層が熱硬化接着層である場合には、シールド層は熱硬化接着層の硬化時に発生するアウトガスを遮断することが好ましい。このような構成を採用することで、酸素や水分等を確実に遮断することができ、効率の良い放熱が可能である。さらには放熱板を接着する際の悪影響を抑制することができ、有機半導体素子部(有機EL素子)の劣化を抑えることが可能である。

Description

有機半導体素子
技術分野
[0001] 本発明は、膜封止構造を有する有機半導体素子、特に有機エレクト口ルミネッセン ス素子に関し、膜封止と放熱を両立し得る新規構造を有する有機半導体素子に関す るものである。
背景技術
[0002] 有機半導体素子の 1種である有機エレクト口ルミネッセンス(以下、有機 ELと称する 。)素子は、自発光型の面状光源であり、薄くて軽ぐ広視野角であるため、照明ゃデ イスプレイ等、幅広い分野への応用が期待されている。一般的な有機 EL素子は、例 えば透明基板上に陽極として透明電極と少なくとも発光層を含む有機層と陰極とをこ の順に積層してなる素子部を有し、有機層に電流を流すことにより発生した光を基板 の裏面側から取り出す構成とされて 、る。
[0003] ところで、有機 EL素子を構成する有機層等は一般的に極めて不安定な有機材料 力 構成されるため、酸素や水分等の影響を受けて容易に劣化するという欠点があり 、素子の寿命が短いことが問題となっている。そこで、有機 EL素子の周囲に存在す る酸素や水分等の素子内部への侵入を防ぐ対策が必要である。
[0004] 一方、有機 EL素子からは光だけでなく熱も発生するが、この熱が素子内部に蓄積 することにより有機材料を劣化させるため、素子の放熱性も重要である。この有機 EL 素子の発熱の問題は、照明用の有機 EL素子のように、発光エリアの大面積ィ匕等に 伴ってより一層顕著となる傾向にある。
[0005] 酸素や水分等の侵入を防ぐための対策としては、例えば一般的な有機 EL素子に おいては、有機層を含む素子部を金属又はガラス製の封止缶で封止するとともに、 封止缶の内部の空隙に窒素ガス等の不活性ガスを充填した構造が採用されている。
[0006] し力しながら、封止缶で封止した構造の有機 EL素子においては、個々の素子毎に 封止缶による封止を行なわなければならず、作業性や生産性、さらには製造コストの 点等において問題が多い。また、有機層を含む素子部の周囲を封止缶で封止して いる構造上、素子の冷却が困難であるという問題もある。例えば、放熱効果を高める 目的で、有機層を含む素子部に接するように熱伝導性の高い構造体を取り付けるこ とは、素子の厚みが数百 nmと薄ぐ機械的強度に乏しい有機 EL素子において容易 ではない。強いて言えば、封止缶が積層体で発生した熱を放熱させる機能を兼ねる ものの、有機層を含む積層体と封止缶との間に熱伝導性の低い不活性ガスが介在 するため、その放熱効果は非常に低いものである。
[0007] 封止缶を使用せずに有機 EL素子を封止する構造としては、榭脂材料等からなる保 護膜で有機層を含む積層体を被覆して封止する構造が提案されて ヽる (例えば、特 許第 3334408号公報や特許第 3405335号公報等を参照)。特許第 3334408号 公報記載の発明では、保護層や封止層、外気遮断層等、多層構造により酸素や水 分の侵入を防ぐ構造が開示されており、特許第 3405335号公報記載の発明では、 さらにプラスチック板や金属板等の保護層を多層膜上に重ね、機械的なダメージ力 の保護層とする構造が開示されて!、る。
[0008] また、有機 EL素子の放熱構造として、有機層を含む素子部を保護膜で封止して、 その上に直接放熱板を取り付ける構造が提案されている (例えば、特開平 10— 106 746号公報ゃ特開平 10— 275681号公報等を参照)。特開平 10— 106746号公報 ゃ特開平 10— 275681号公報記載の発明では、撥水性保護膜等の上に直接放熱 板 (ガラス、榭脂、セラミック、金属等の板)を密着させる構造が開示されている。
[0009] し力しながら、前記特許第 3334408号公報や特許第 3405335号公報記載の発 明においては、膜封止構造に主眼が置かれており、放熱に関してはほとんど考慮さ れていない。例えば、特許第 3405335号公報には、膜封止構造の上にプラスチック 板や金属板を重ねることが開示されているが、放熱板としての機能は全く想定してい ない。ましてや、効率の良い放熱を行うための構造や、膜封止と放熱を両立するため の構造の最適化については、完全に想定外である。
[0010] 同様に、前記特開平 10— 106746号公報ゃ特開平 10— 275681号公報記載の 発明においては、放熱板を設けることは開示されているものの、膜封止についてはほ とんど考慮されておらず、ただ単に放熱板を設けることが記載されているに過ぎない 。当然、これら特開平 10— 106746号公報ゃ特開平 10— 275681号公報記載の発 明でも、膜封止と放熱を両立するための構造の最適化については、一切記載がない
[0011] また、封止膜上に直接放熱板を設ける場合、接着剤等を用いて放熱板を貼り付け るのが通常であるが、その場合、硬化時の環境が有機 EL素子に悪影響を及ぼすこ とがわカゝつてきた。例えば、光硬化性接着剤を用いた場合、接着剤の硬化のために 照射された紫外線が同時に有機 EL素子にも照射されており、有機 EL素子部の有機 物が劣化する原因となる。熱硬化性接着剤を用いた場合、硬化時に加熱する必要が ある力 このとき発生するアウトガスが封止膜中に侵入して有機 EL素子部にまで到 達し、やはり有機 EL素子部を劣化させる原因になる。従来技術では、接着の際の有 機 EL素子に及ぼす悪影響を全く認識しておらず、それに対する対策は講じられてい ない。
発明の開示
課題を解決するための手段
[0012] 本発明は、このような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、封止と放熱を両 立し得るように構造の最適化を行うことを目的とし、酸素や水分等を確実に遮断する ことができ、しかも効率の良い放熱が可能な有機半導体素子を提供することを目的と する。また、本発明は、放熱板を接着する際の悪影響を抑制することができ、有機半 導体素子部 (有機 EL素子)の劣化を抑えることが可能な有機半導体素子を提供する ことを目的とする。
[0013] 前記の問題を解決するために、本発明に係る有機半導体素子は、基板上に形成さ れた有機半導体素子部が平坦ィ匕層によって覆われるとともに、当該平坦化層上に放 熱板が接着層によって固定され、前記接着層と前記平坦化層との間には、前記接着 層を硬化する際の前記有機半導体素子部への悪影響を遮断するシールド層が形成 されていることを特徴とする。
[0014] 以上のような有機半導体素子においては、有機半導体素子部を平坦ィ匕層及びシ 一ルド層といった薄膜で封止する膜封止構造をとり、それとともに、膜封止構造の上 部に放熱板を接着することにより、水分や酸素等の素子内部への侵入を防ぐようにし ている。 [0015] また、有機半導体素子においては、有機半導体素子部上に封止膜として平坦ィ匕層 及びシールド層が形成されるとともに、この封止膜上に接着層を介して放熱板が固 定されて!/、るので、有機半導体素子部で発生した熱が封止膜を介して速やかに放熱 板に伝えられ、効率の良い放熱が行なわれる。
[0016] また、従来の膜封止構造に単に放熱板を接着しただけの構造では放熱板を接着 する際に有機 EL素子部に悪影響を及ぼすおそれがあるため、本発明の有機半導体 素子においては、有機半導体素子部を覆う封止膜の構造を最適化している。すなわ ち、封止膜を有機半導体素子部を覆う平坦化層と平坦化層を覆うシールド層とに機 能分離させた積層構造とし、シールド層として、放熱板の接着時の悪影響を遮断す る機能を有する層を選択するようにする。有機半導体素子部と接着層との間にこのよ うなシールド層を配置することで、接着層を硬化する際に用いる光や、接着層の硬化 時に発生するアウトガス等がシールド層で遮断され、有機 EL素子部への光照射ゃガ スの到達が防止される。したがって、有機 EL素子に悪影響を及ぼすことなぐ放熱板 が接着される。
[0017] 例えば、前記接着層が光硬化性接着層である場合には、前記シールド層は前記光 硬化性接着層の硬化に用いる光を遮断する。シールド層が接着層硬化時の光(主に 紫外線)を遮断することで、シールド層下の有機半導体層に接着層硬化時の光が到 達しないので、光による有機半導体層の劣化が確実に抑制される。
[0018] さらに、前記接着層が熱硬化接着層である場合には、前記シールド層は前記熱硬 化接着層の硬化時に発生するアウトガスを遮断する。シールド層が熱硬化接着層の 硬化時に発生するガスを遮断することで、シールド層下の有機半導体層のガスによる 劣化が確実に抑制される。
[0019] ところで、本発明者らの検討の結果、有機半導体素子部上に直接シールド層を成 膜した場合、放熱板を接着する際の悪影響を完全には遮断できな ヽことがわかった 。そこで、本発明の有機半導体素子においては、有機半導体素子部とシールド層と の間に平坦ィ匕層を配置するようにしている。有機半導体素子部の表面をシールド層 で被覆して有機半導体素子部表面の凹凸を平坦ィ匕した上にシールド層を設けること で、欠陥の少ない良好な膜質のシールド層が形成され、この結果、放熱板を接着す る際の悪影響が確実にシールド層で遮断される。
発明の効果
[0020] 本発明によれば、有機半導体素子部が薄膜により封止されるとともに、封止膜上に 放熱板が接着されることにより、有機半導体素子内部への酸素や水分等の侵入を確 実に遮断し、効率の良い放熱が実現される。このため、有機半導体素子内部での異 常発熱や酸素及び水分等の侵入に起因する有機半導体素子部の劣化が抑制され 、さらなる長寿命化が実現された有機半導体素子を提供することが可能である。
[0021] また、本発明の有機半導体素子によれば、有機半導体素子部上に設ける封止膜と して平坦ィ匕層及びシールド層を設けることで、放熱板を固定する際の悪影響をシー ルド層で遮断して有機半導体素子部へ及ぶことを確実に抑制し、放熱板を固着する 際の有機半導体素子部の劣化を確実に抑えることが可能である。
図面の簡単な説明
[0022] [図 1]図 1は、本発明を適用した有機 EL素子の一例を示す概略断面図である。
[図 2]図 2は、本発明を適用した有機 EL素子の他の例を示す概略断面図である。
[図 3]図 3は、接着層に UV硬化性エポキシ榭脂を用いた有機 EL素子の、電流密度 一輝度特性を示す特性図である。
[図 4]図 4は、接着層に熱硬化性榭脂を用い、シールド層 (A1)が形成された有機 EL 素子の発光状態を示す写真である。
[図 5]図 5は、接着層に熱硬化型榭脂を用い、シールド層が形成されていない有機 E L素子の発光状態を示す写真である。
[図 6]図 6は、放熱板の外周端部とシールド層の外周端部とが平面力 見て一致する ような位置関係とされた有機 EL素子の、初期の発光状態を示す写真である。
[図 7]図 7は、図 6に示す有機 EL素子の、加速試験後の発光状態を示す写真である
[図 8]図 8は、ガラスキャップを封止に用いた有機 EL素子及び放熱板を封止に用い た有機 EL素子の電流密度 表面温度特性を示す特性図である。
[図 9]図 9は、 UV硬化性接着剤を使用した有機 EL素子とシート状の熱硬化性接着 剤を使用した有機 EL素子のノリア性の相違を示す写真である。 [図 10]図 10は、有機 EL素子の熱処理温度を 110°C及び 120°Cとした時の経時によ る特性変化の様子を示す写真である。
発明を実施するための最良の形態
[0023] 以下、本発明を適用した有機半導体素子について、図面を参照しながら詳細に説 明する。以下では、有機半導体素子として有機エレクト口ルミネッセンス(以下、単に 有機 ELと称する。)素子を例に挙げて説明するが、本発明はこれに限定されるもの ではなぐ封止及び放熱対策が必要なあらゆる有機半導体素子に適用可能であるこ とは言うまでもない。
[0024] 図 1は、本発明の有機 EL素子 1の断面図である。有機 EL素子 1は、基板 2上に陽 極 3、 1種類以上の有機材料により多層成膜される有機層 4及び陰極 5をこの順に積 層してなる素子部 6と、素子部 6の表面を被覆するように成膜された平坦ィ匕層 7と、平 坦ィ匕層 7上に積層されたシールド層 8と、シールド層 8上に設けられた接着層 9と、接 着層 9の表面に接着された放熱板 10とを備えている。この有機 EL素子 1は、有機層 4中の発光層からの発光を、矢印 Aに示すように有機 EL素子 1の基板 2の裏面から 取り出すようにしている。
[0025] 基板 2としては特に限定されな 、が、例えばガラス、プラスチック等の光透過性を有 する基板が用いられる。
[0026] 基板 2上に形成される素子部 6は、例えば陽極 3、有機層 4及び陰極 5をこの順に積 層することにより構成される。ここで、陽極 3は、 ITO (インジウム錫酸ィ匕物)やインジゥ ム亜鉛酸化物等の光透過性を有する導電材料が例えばスパッタ等により成膜されて 構成される。
[0027] 陽極 3上に重ねられる有機層 4は、例えば陽極 3側から、正孔注入層、発光層及び 電子注入層等が順次積層されたものである。また、有機層 4は、発光層と正孔注入層 との間に正孔輸送層が存在する構 成や、発光層と電子注入層との間に電子輸送 層が存在する構成、さら〖こは単層でもよい。さらに、有機層 4としては前述の構造に限 定されず、種々の構造をとることが可能である。
[0028] 有機層 4上に重ねられる陰極 5は、例えばアルミニウム等の金属や合金等がスパッ タゃ蒸着等により成膜されて構成される。 [0029] 本発明の有機 EL素子 1は、陽極 3、有機層 4及び陰極 5が例えばべた一面に形成 され、陽極 3、有機層 4及び陰極 5が重なり合う領域の面積 (発光面積)が、例えば 10 0mm2 (例えば 10mm X 10mm角)以上とされる。このような大面積の有機 EL素子で は、例えば小面積の有機 EL素子に比べて、発熱量の増大ゃ蓄熱による有機 EL層 の劣化の問題が顕著になるので、薄膜による封止構造及び放熱板 10を取り付けるこ とによる放熱対策が極めて有効である。
[0030] 素子部 6を覆う平坦ィ匕層 7は、その上に形成されるシールド層 8の膜質を良好にし てシールド層 8のバリア性を高める観点から、素子部 6の表面の段差や凹凸、ピンホ 一ル等を均一に被覆する平滑性が要求される。それとともに、平坦化層 7には、素子 部 6を酸素や水分等から保護するためのガスバリア性、及び素子部 6から発生した熱 を速やかに放熱板 10へ伝えるために高 、熱伝導性を有することが好ま 、。これら の観点から、キシリレン系高分子化合物、ポリイミド系高分子化合物、アクリル系高分 子化合物、エポキシ系高分子化合物、ポリ尿素系高分子化合物等の有機絶縁材料 を、プラズマ CVD等の CVD法や抵抗加熱蒸着等の PVD法などの気相法 (ドライブ 口セス)により成膜して平坦ィ匕層 7を形成することが好ましい。例えば、塗布等のゥェッ トプロセスにより平坦化層を形成する方法もあるが、平坦化層 7を形成する材料を溶 かすために使用する溶媒及びその溶媒に含まれる水分等が素子部 6に悪影響を及 ぼすおそれがある。
[0031] 平坦ィ匕層 7上には、シールド層 8が積層される。本発明においては、接着層 9の硬 化時に有機層 4等の素子部 6の受ける悪影響を遮断する機能がシールド層 8に要求 される。例えば接着層 9が UV硬化榭脂ゃ可視光硬化榭脂等の光硬化性榭脂を硬 化してなる光硬化性接着層である場合には、光硬化性接着層の硬化に使用される U V光や可視光等の光を吸収又は反射して遮断するように、シールド層 8を形成するこ とが好ましい。光硬化性接着層の硬化に使用される光を遮断する材料としては、アル ミニゥム、金、銀等の金属類、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化セシウム等の金属酸化物 類、硫酸バリウム等の金属硫酸化物類、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸バリウ ム、チタン酸ストロンチウム等力も少なくとも 1種を用いることができる。中でも、ノリア 性に優れることから、アルミニウム、金、銀等の金属類を用いることが好ましい。光硬 化性接着層の硬化に使用される UV光等の光をシールド層 8で遮断することで、接着 層 9の光硬化時に使用する光から素子部 6が保護され、放熱板 10を固着する際に有 機層 4等が劣化することを抑えられる。
[0032] また、接着層 9が熱硬化性榭脂を硬化してなる熱硬化性接着層である場合には、 熱硬化性接着層の硬化時に熱硬化性榭脂から発生するアウトガスを遮断するよう〖こ シールド層 8を形成することが好ま ヽ。熱硬化性榭脂から発生するガスを遮断する 、ガスバリア性を有する材料としては、前述の光硬化性接着層の硬化時に使用する 光を遮断する材料や、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ化リチウム等の金 属フッ化物類、窒化アルミニウム等の金属窒化物類、二酸ィヒけい素等のけい素酸ィ匕 物類、窒化けい素等のけい素窒化物類等力 少なくとも 1種を用いることができる。中 でも、バリア性に優れ、硬化時のアウトガスを防ぐ効果が高いことから、アルミニウム、 金、銀等の金属類、窒化アルミニウム等の金属窒化物類、二酸化けい素等のけい素 酸化物類、窒化けい素等のけい素窒化物類を用いることが好ましい。このように、熱 硬化性接着層の硬化時に発生するアウトガスをシールド層 8で遮断することで、接着 層 9の硬化時に発生するガスから素子部 6が保護され、放熱板 10を固定する際に有 機層 4等が劣化することを抑えられる。
[0033] 前述の平坦ィ匕層 7及びシールド層 8の膜構成としては、基本的には 1層の平坦化層 7上に 1層のシールド層 8を積層すればよいが、これに限らず、平坦ィ匕層 7やシールド 層 8のいずれか一方、あるいは双方を 2層以上とすることも可能である。具体的には、 シールド層 8、平坦化層 7、シールド層 8の順に 3層積層したり、平坦化層 7、シールド 層 8、平坦ィ匕層 7の順に 3層積層する等の膜構成を挙げることができる。さらには、平 坦ィ匕層 7とシールド層 8を 1組として、これらを複数組繰り返し積層することも可能であ る。
[0034] 次に、この上に形成される接着層 9である力 接着層 9には、光硬化性榭脂ゃ熱硬 化性榭脂等の榭脂材料、具体的には、アクリル系高分子化合物、エポキシ系高分子 化合物等を用いることができる。これらの中では、後述の放熱板 10の選択の幅が広 がり、高い熱伝導性を有する金属及び合金の板等を用いることが可能であること、そ の結果、保管寿命 (バリア性)も良好になること等の理由により、熱硬化性榭脂からな る熱硬化性接着剤を用いることが好ま 、。
[0035] 特に、シート状とされた熱硬化性接着剤 ( 、わゆるホットメルト接着剤)を用いること により、例えば発光面積の大きな有機 EL素子においても、均一な厚さの接着層 9を 形成することができ、また接着層 9の形成に際して、液状接着剤を塗布する場合に発 生するエアかみの問題を解消することができ、素子面積拡大に伴う塗布時間の増加 を抑えることが可能である。
[0036] 前記シート状の熱硬化性接着剤は、加熱によって流動性を示し、接着性を発揮す る。ここで、有機 EL素子では、素子構造が薄膜の多段構成となっており、良好な被 覆性を得るためには、高い流動性が必要となる。したがって、前記シート状の熱硬化 性接着剤は、流動開始温度や粘度が低いことが必要である。一方で、有機 EL素子 は、耐熱温度が 110°C程度であり、これを超える温度での熱処理は、有機 EL素子の 特性を劣化させる要因となる。これらの事項を加味すると、前記シート状の熱硬化性 接着剤は、 110°C以下の環境下で被覆に十分な流動性が得られることが必要であり 、接着層 9の形成に際しては、硬化温度を 110°C以下とすることが好ましいことになる
[0037] 接着層 9には、高 ヽ熱伝導性を有するフィラー、ガス吸着性を有するフィラー、吸湿 性を有するフイラ一等のフィラーが分散されていることが好ましい。接着層 9にフイラ一 を含有させることで、フィラーの種類に応じて、有機 EL素子 1の放熱性、酸素や水分 等に対するノリア性等をさらに高めることができる。
[0038] なお、前記接着層 9は、水平方向からの酸素や水分の侵入を抑えるためには、なる ベく薄い方が良いが、接着層 9の厚さを例えば 20 m以下にすることは困難である。 このような場合、前記フィラーの粒径は接着層 9の厚さの制約を受け、フィラーの平均 粒径は接着層 9の厚みよりも小さいことが好ましい。さらに、フィラーを前記シート状の 熱硬化性接着剤中に混入する場合には、シート成形の品質管理上、シート状の熱硬 化性接着剤 (接着層 9)の厚さの半分以下、すなわち 10 μ m以下とすることが好まし い。
[0039] 放熱板 10は、素子部 6上に密着形成された膜の表面に固定されることにより、素子 部 6から発生した熱を速やかに放熱させる機能を有するものである。また、放熱板 10 は、酸素や水分等が素子内部へ侵入することを抑える封止材としての機能を有する ものであり、封止膜のガスノリア性を補強する機能も兼ねるものである。厚み方向の ガスノリア性をより一層高めるためには、放熱板 10の面積は素子部 6の面積より大と されることが好ましい。放熱板 10としては、例えばガラス板や、アルミニウム、銅、ステ ンレス、窒化アルミニウム、銅タングステン等の高い熱伝導性を有する金属及び合金 の板等が用いられる。なお、放熱板 10は板状でなくてもよぐ例えば、ガスバリア性を 有するプラスチックシート等のシート状でもよい。また、放熱板 10は、シート状に限ら ず、任意の形状をとることができる。
[0040] 接着層 9が光硬化性接着層であるとき、放熱板 10は、シールド層 8上に光硬化性 榭脂を塗布等した後に表面に密着され、この状態で放熱板 10の表面に光を照射す ることにより接着層 9上に固定される。すなわち、放熱板 10を透過してきた光により光 硬化性接着層の硬化が行なわれることから、放熱板 10としては、例えばガラス基板、 ガスノリア性を有するプラスチックシート等の硬化時に用いる光に対して透過性を有 する材料を用いることが好まし 、。
[0041] また、接着層 9が熱硬化性接着層であるとき、放熱板 10は、シールド層 8上に熱硬 化性榭脂を塗布等した後に表面に密着され、この状態で加熱することにより接着層 9 上に固定される。このため、接着層 9が熱硬化性接着層であるときには、接着層 9が 光硬化性接着層であるときに比べて放熱板 10の材料を幅広く選択でき、放熱板 10 として、例えばガラス板、アルミニウム、銅、ステンレス、窒化アルミニウム、銅タンダス テン等の高 ヽ熱伝導性を有する金属及び合金、ガスノ リア性を有するプラスチックシ ート等の光透過性を有する材料等を使用できる。
[0042] ところで、素子部 6の厚み方向のガスバリア性は放熱板 10により確保されている力 酸素や水素等の有機 EL素子 1内への侵入を確実に防ぐ観点力 は、素子部 6の基 板面に平行な方向のガスノリア性を高めることも重要である。そこで、平面から見て 素子部 6が放熱板 10より内側に位置するとともに、放熱板 10の外周端部とシールド 層 8の外周端部との基板面に平行な方向での距離、又は接着層 9の外周端部とシー ルド層 8の外周端部との基板面に平行な方向での距離のうち、短いほうの一方が lm m以上であることが好ましい。例えば図 1においては、放熱板 10及び接着層 9の外周 端部とシールド層 8の外周端部との距離 Bが lmm以上であることが好ましい。素子部 6の基板面に平行な方向に平坦ィ匕層 7、シーノレド層 8、接着層 9等が前記のように充 分に存在することで水分や酸素等が有機層 4まで到達し難くなり、有機層 4等の素子 部 6の劣化がより確実に抑制される。また、素子部 6の劣化をさらに確実に抑制する ためには、放熱板 10の外周端部とシールド層 8の外周端部との基板面に平行な方 向での距離、又は接着層 9の外周端部とシールド層 8の外周端部との基板面に平行 な方向での距離のうち、短いほうの一方が 2mm以上であることが好ましい。
[0043] このような有機 EL素子 1は、例えば、次に説明するように作製される。最初に、基板 2上に通常の方法にしたがって陽極 3、有機層 4及び陰極 5を有する素子部 6を形成 する。続いて、例えば気相法により有機絶縁材料を成膜して素子部 6の表面を覆い、 平坦化層 7を形成する。次に、平坦ィ匕層 7を覆うようにシールド層 8を成膜する。次に 、シールド層 8を覆うように接着層 9を構成する榭脂材料を塗布し、放熱板 10を接着 層 9を構成する榭脂材料の上に密着させる。その状態で適当な方法により硬化を行 つて接着層 9とし、放熱板 10を接着層 9上に固着する。この結果、図 1に示す有機 E L素子 1が得られる。
[0044] 有機 EL素子 1は、前述したように素子部 6の発光面積を例えば 100mm2以上の大 面積とすることで、例えば装飾用照明等の照明装置として利用することができる。また 、有機 EL素子 1は、基板 2と放熱板 10との間に複数の素子部 6を配置することで、有 機 ELディスプレイとすることもできる。
[0045] 以上のように、本発明の有機 EL素子 1によれば、素子部 6を平坦化層 7及びシール ド層 8の薄膜で封止するとともに、封止膜上に放熱板 10を取り付けるようにしているの で、素子内部への酸素や水分等の素子内への侵入が確実に遮断され、素子部 6の 劣化を抑制することができる。また、素子部 6上に平坦ィ匕層 7及びシールド層 8の封 止膜が形成され、放熱板 10が取り付けられることにより、熱伝導性の低い不活性ガス 等が介在しな 、ので、効率的な放熱が可能である。
[0046] また、有機 EL素子 1には、酸素や水分等を遮断するガスバリア性及び放熱性を両 立する目的で放熱板 10が取り付けられるが、この放熱板 10を接着する際の悪影響 を遮断するためのシールド層 8を設けることで、有機 EL素子 1の放熱性及び水分や 酸素等に対するガスバリア性を確保しつつ、放熱板 10を接着する際の有機層 4等の 素子部 6の劣化を抑制することができる。また、シールド層 8下に平坦ィ匕層 7を設ける ことで、シールド層 8の膜質を良好なものとし、シールド層 8の持つ効果が最大限に発 揮される。以上のように、素子部 6を膜封止するとともに放熱板 10を取り付ける構造の 有機 EL素子 1においては、機能分離された各層の構成を最適化することにより、膜 封止と放熱性とが両立され、さらには、放熱板 10を固定する際の悪影響力も素子部 6が保護され、有機層 4を含む素子部 6の劣化を抑えることができる。
[0047] さらにまた、封止缶で有機 EL素子を封止する場合には、強度を確保する観点から 、有機 EL素子の大型化に伴って封止缶の厚みを増加させる必要があるため、有機 E L素子そのものの厚みも増大してしまう。これに対して本発明の有機 EL素子 1にお ヽ ては、複数の膜及び放熱板 10を素子部 6に密着させて封止しているので、有機 EL 素子 1の薄型化の効果も期待できる。また、平坦ィ匕層 7及びシールド層 8は通常の薄 膜プロセスで形成できるため、多数の素子部 6を一括して封止することができ、放熱 板 10を接着するプロセスも極めて簡単である。したがって、従来の封止缶で封止した 構造の有機 EL素子に比べて、作業性や生産性に優れ、安価な製造コストにて有機 EL素子 1の製造が可能である。
[0048] なお、本発明の有機 EL素子 1は、前述のような図 1に示す構造に限らず、図 2に示 すように、素子部 6の外周に、基板 2と放熱板 10との間隔を規制するスぺーサ層 11を 設けた構造でもよい。放熱板 10の表面に力が加わると、放熱板 10が素子部 6に接触 して素子部 6に損傷を与えるおそれがあるが、スぺーサ層 11を設けることで、基板 2と 放熱板 10との間隔を一定に保ち、素子部 6の損傷を軽減できる。スぺーサ層 11の高 さは例えば 50 m以下であることが好ましい。スぺーサ層 11は、例えば接着層 9の 榭脂と同じ榭脂により構成される。また、スぺーサ層 11には、微小な球状のガラスス ぺーサ等が含有されて 、てもよ 、。
[0049] スぺーサ層 11は、例えば次のように形成される。最初に、シールド層 8を覆うように 接着層 9を構成する榭脂材料を塗布した後、この榭脂材料の外側を囲むように、基 板 2上にスぺーサ層 11を構成する榭脂材料を線状に塗布し、接着層 9を構成する榭 脂材料及びスぺーサ層 11を構成する榭脂材料の上に放熱板 10を密着させ、その状 態で適当な方法により硬化を行って接着層 9及びスぺーサ 11とする。
[0050] 以下、本発明を適用した有機 EL素子の具体的な実施例について、実験結果に基 づいて説明する。
[0051] 実験 1
本実験では、接着層に UV硬化性榭脂を用いた有機 EL素子のシールド層の影響 について検討を行なった。先ず、洗浄した ITO付ガラス基板 (厚み 0. 7mm)上に、 C uPc (厚み 200 A)、 a— NPD (厚み 200 A)、 Alq (厚み 500 A)、 LiF (厚み 10 A)、 Al (厚み 2000 A)の順に抵抗加熱法にて蒸着し、有機層及び陰極を形成した。次に 、平坦ィ匕層としてポリモノクロ口パラキシリレン(2 m)を熱 CVD法にて成膜し、次に シールド層として A1 (厚み 6000 A)を抵抗加熱により蒸着した。次に、 UV硬化性ェ ポキシ榭脂を塗布後、放熱板としてガラス板 (厚み 0. 7mm)を貼り付け、榭脂を硬化 させること〖こより、有機 EL素子を作製した。なお、 UV硬化性エポキシ榭脂の硬化は 、メタルハライドランプを用い、このランプに含まれる波長 365nmの UV光を 6000mJ Zcm2になるように照射して行い、また、アフターキュアを温度 80°C、 1時間にて行な つた。デバイスサイズ (発光面積)は、縦 Imm X横 1. 5mmとした。また、シールド層 として SiO (6000A)をスパッタ法にて成膜したこと以外は同様にして、比較例となる 有機 EL素子を作製した。
[0052] 以上のように作製した有機 EL素子にっ ヽて、それぞれ電流密度—輝度特性を測 定した。結果を図 3に示す。図 3より、シールド層に A1を用いた場合には、低い電流 密度で高い輝度が得られたのに対し、シールド層に SiOを用いた場合、メタルハライ ドランプ力もの UV光を遮断しきれな力つたために素子部の有機材料が劣化し、実施 例 1に比して輝度特性が損なわれて 、ることが確認された。
[0053] 実験 2
本実験では、接着層に熱硬化性アクリル系榭脂を用いた場合のシールド層の影響 について検討を行なった。先ず、洗浄した ITO付ガラス基板 (厚み 0. 7mm)上に Cu Pc (厚み 200 A)、 a -NPD (厚み 200 A)、 Alq (厚み 500 A)、 LiF (厚み 10 A)、 Al (厚み 2000 A)の順に抵抗加熱法にて蒸着し、有機層及び陰極を形成した。次に 、平坦ィ匕層としてポリモノクロ口パラキシリレン(2 m)を熱 CVD法にて成膜し、次に シールド層として Al (3 /z m)を抵抗加熱法にて成膜した。次に、熱硬化性アクリル系 榭脂を塗布後、放熱板としてガラス板 (厚み 0. 7mm)を貼り付け、温度 90度、 1時間 の条件で硬化させることにより、有機 EL素子を作製した。デバイスサイズ (発光面積) は、縦 Imm X横 1. 5mmとした。この有機 EL素子においては、平面から見てシール ド層の外周端部が放熱板の外周端部より lmm以上内側に位置している。また、比較 例として、シールド層を形成しな ヽこと以外は同様の構造を有する有機 EL素子を作 製した。
[0054] 以上のように作製した有機 EL素子に電流を流し、素子の発光状態を観察した。シ 一ルド層(A1)が形成されている場合の写真を図 4に、シールド層が形成されていな い場合の写真を図 5に示す。図 4及び図 5から明らかなように、シールド層が形成され て 、な 、場合、熱硬化性エポキシ榭脂の硬化時のアウトガスの影響を受けて素子が 劣化し、多数のダークスポットの発生が観察された。
[0055] 実験 3
本実験では、放熱板と素子との位置関係について検討した。先ず、洗浄した ITO 付ガラス基板(厚み 0. 7mm)上に CuPc (厚み 200A)、 a—NPD (厚み 200A)、 A lq (厚み 500 A)、 LiF (厚み 10 A)、 Al(厚み 2000 A)の順に抵抗加熱法にて蒸着 し、有機層及び陰極を形成した。次に、平坦ィ匕層としてポリモノクロ口パラキシリレン( 2 m)を熱 CVD法にて成膜し、次にシールド層として A1 (3000 A)を抵抗加熱法に て成膜した。次に、 UV硬化性エポキシ榭脂を塗布後、放熱板としてガラス板 (厚み 0 . 7mm)を貼り付け、榭脂を硬化させることにより、有機 EL素子を作製した。なお、 U V硬化性エポキシ榭脂の硬化は、メタルノヽライドランプを用い、このランプに含まれる 波長 365nmの UV光を 6000miZcm2になるように照射して行い、また、アフターキ ユアを温度 80°C、 1時間にて行なった。デバイスサイズ (発光面積)は、縦 ImmX横 1. 5mmとし 7こ。
[0056] 本実験で作製した有機 EL素子は、放熱板の外周端部とシールド層の外周端部と が平面力 見て一致するような位置関係とし、詳しくは、平坦化層と有機層の外周端 を、シールド層及び平坦ィ匕層の外周端よりそれぞれ 0. 5mm内側に入り込んだ位置 とした。すなわち、平面力 見た各層の外周端部の位置関係は、外側から放熱板 = シールド層、平坦化層、有機層の順とされている。
[0057] 以上のように作製した有機 EL素子に電流を流し、作製直後の初期の発光状態を 観察した(図 6)。また、作製した有機 EL素子を温度 60°C、相対湿度 90%RHの条 件で恒温恒湿槽に 10時間保管した (加速試験)後に発光させた発光状態を観察し た(図 7)。
[0058] 図 6から明らかなように、陰極の外周端部と有機層の外周端部とを平面力も見て一 致させた領域 (左側)においては、最適化された構造の素子(図 4)に比べ、バリア性 が悪いため、加速試験を行なう前の時点ですでにダークスポットが発生している。さら に、図 7から明らかなように、陰極の外周端部と有機層の外周端部とを平面から見て 一致させた領域 (左側)からダークエリアの侵食が始まり、加速試験後にはダークエリ ァが大幅に拡大した。
[0059] また、平面から見てシールド層の外周端部が放熱板の外周端部より lmm以上内側 に位置するような有機 EL素子を作製し、前記と同様の検討を行なった。この有機 EL 素子では、加速試験後においても図 7のようなダークエリアの拡大は観察されず、加 速試験前の状態がほぼ維持されたことを確認した(図示せず)。
[0060] 実験 4
次に、放熱板による封止と封止缶による封止のそれぞれの放熱特性について検討 した。先ず、放熱板により封止した有機 EL素子を作製した。洗浄済みの ITO付ガラ ス基板(厚み 0. 7mm)上に CuPc (厚み 200A)、 a—NPD (厚み 200A)、 Alq (厚 み 500 A)、 LiF (厚み 10 A)、 Al (厚み 2000 A)の順に抵抗加熱法にて蒸着し、有 機層及び陰極を形成した。次に、平坦ィ匕層としてポリモノクロ口パラキシリレン(2 m )を熱 CVD法にて成膜し、次にシールド層として A1 (6000 A)を抵抗加熱法にて成 膜した。次に、 UV硬化性エポキシ榭脂を塗布後、放熱板としてガラス板 (厚み 0. 7m m)を貼り付け、榭脂を硬化させることにより、有機 EL素子を作製した。なお、 UV硬 化性エポキシ榭脂の硬化は、メタルノヽライドランプを用い、このランプに含まれる波長 365nmの UV光で 6000mjZcm2になるように照射して行い、また、アフターキュア を温度 80°C、 1時間にて行なった。デバイスサイズ (発光面積)は、縦 20mm X横 30 mmとした。なお、有機 EL素子部で発生した熱による放熱板の温度上昇を放熱温度 計で測定するため、放熱板の表面を黒体スプレーにて黒く塗装した。
[0061] また、封止缶で封止した有機 EL素子を作製した。先ず、前記の方法と同様にして、 ITO付ガラス基板上に有機層及び陰極を形成した。次に、この素子部を封止缶 (ガラ スキャップ)を用いて窒素ガス雰囲気 (含有酸素及び水分濃度: 10PPM以下)で封
V
止した。このとき、封止缶の内部の空隙には熱伝導性の低い窒素ガスが充満すること になる。基板と封止缶との接着には UV硬化性榭脂を用い、硬化は、波長 365nmの UV光で 6000mjZcm2になるように照射して行い、また、アフターキュアを温度 80°C 、 1時間にて行なった。なお、有機 EL素子部で発生した熱による封止缶の温度上昇 を放熱温度計で測定するため、封止缶の表面を黒体スプレーにて黒く塗装した。
[0062] 以上のように作製した有機 EL素子の放熱板又は封止缶の温度上昇にっ 、て測定 した。温度測定は、電流値を変更した後、 5分間待ち温度が安定して力も行なった。 図 8に示すように、有機 EL素子の封止に放熱板を用いた場合、素子部で発生した熱 が効率よく放熱板に伝わり空気中に発散されるため、電流値を増加させても放熱板 の表面温度は上昇しにくいことがわ力つた。このとき、素子部の温度と放熱板の温度 とはほぼ同じか、又は素子部の方が多少高温になっていると考えられる。
[0063] これに対し、有機 EL素子の封止にガラスキャップを用いた場合、放熱板を用いた 場合に比べて温度の上昇が著し力つた。この温度上昇の原因は、素子で発生した熱 が熱伝導性の低 、窒素ガスを介してガラスキャップに伝達し、その後発散されるため 、キャップに伝わる熱量に比べて素子部の発熱量が勝り、素子内に蓄熱するためと 考えられる(素子温度》ガラスキャップ温度)。有機 EL材料は熱に弱いため、素子の 温度上昇は素子寿命の点から望ましくな 、が、素子を高輝度化するためには電流値 を上げる必要がある。つまり、既存の封止缶による封止では高輝度化に限界があり、 さらなる高輝度化を図るためには、本発明のような放熱板を用いた放熱構造の採用 が有効であることがわかった。
[0064] 実験 5
本実験では、接着層 9を UV硬化性接着剤により形成した場合と、シート状の熱硬 化性接着剤により形成した場合における保管寿命 (バリア性)の相違について検討し た。作製した有機 EL素子の構造は、実験 1 (UV硬化性接着剤)、あるいは実験 2 (熱 硬化性接着剤:ただし、シート状)と同様である。
[0065] 図 9 (a)は UV硬化性接着剤を使用した有機 EL素子のノリア性を示すものであり、 図 9 (b)はシート状の熱硬化性接着剤を使用した有機 EL素子のバリア性を示すもの である。バリア性の評価は、初期状態と 100時間後、 192時間後の発光状態を比較 することにより行った。その結果、シート状の熱硬化性接着剤を用いた場合には、 19 2時間後にもほとんど劣化していないのに対して、 UV硬化性接着剤を用いた場合に は、時間経過に伴って特性の劣化 (発光領域の減少)が認められる。
[0066] また、本実験にぉ 、ては、シート状の熱硬化性接着剤の硬化温度を決定するため の予備実験として、有機 EL素子の熱処理温度による特性の劣化を調べた。結果を 図 10に示す。図 10 (a)は有機EL素子を110°Cで熱処理した場合、図 10 (b)は有機 EL素子を 120°Cで熱処理した場合である。 110°Cで熱処理した場合には、 40時間 の熱処理の後にも特性の劣化は僅かである。これに対して、 120°Cで熱処理した場 合には、 40時間の熱処理後には、大きく特性が劣化していることがわかる。したがつ て、前記シート状の熱硬化性接着剤を用いて有機 EL素子を作製する場合には、そ の硬化温度を 110°C以下に設定することが好ま 、と言える。

Claims

請求の範囲
[1] 基板上に形成された有機半導体素子部が平坦化層によって覆われるとともに、当 該平坦ィ匕層上に放熱板が接着層によって固定され、
前記接着層と前記平坦化層との間には、前記接着層を硬化する際の前記有機半 導体素子部への悪影響を遮断するシールド層が形成されていることを特徴とする有 機半導体素子。
[2] 前記接着層が光硬化性接着層であり、前記シールド層は前記光硬化性接着層の 硬化に用いる光を遮断することを特徴とする請求項 1記載の有機半導体素子。
[3] 前記放熱板が光透過性を有することを特徴とする請求項 2記載の有機半導体素子
[4] 前記接着層が熱硬化性接着層であり、前記シールド層は前記熱硬化性接着層の 硬化時に発生するガスを遮断することを特徴とする請求項 1記載の有機半導体素子
[5] 前記熱硬化性接着剤層がシート状の熱硬化性接着剤により形成されていることを 特徴とする請求項 4記載の有機半導体素子。
[6] 前記シート状の熱硬化性接着剤の硬化温度が 110°C以下であることを特徴とする 請求項 5記載の有機半導体素子。
[7] 前記平坦化層に含まれる有機絶縁材料が、キシリレン系高分子化合物、ポリイミド 系高分子化合物、アクリル系高分子化合物、エポキシ系高分子化合物、ポリ尿素系 高分子化合物から選ばれる少なくとも 1種であることを特徴とする請求項 1記載の有 機半導体素子。
[8] 前記接着層がフィラーを含有することを特徴とする請求項 1記載の有機半導体素子
[9] 前記フィラーの平均粒径が前記接着層の厚さ以下であることを特徴とする請求項 8 記載の有機半導体素子。
[10] 平面から見て前記有機半導体素子部が前記放熱板より内側に位置するとともに、 前記放熱板の外周端部とシールド層の外周端部との基板面に平行な方向での距離 、又は接着層の外周端部とシールド層の外周端部との基板面に平行な方向での距 離のいずれか短い方が lmm以上であることを特徴とする請求項 1記載の有機半導 体素子。
[11] 前記有機半導体素子部の外周端部と前記放熱板の外周端部との間に配置され、 前記基板と前記放熱板との間隔を規制するスぺーサ層を有することを特徴とする請 求項 1記載の有機半導体素子。
[12] 前記有機半導体素子部が、一対の電極間に少なくとも 1層の有機層を挟んでなる 有機エレクト口ルミネッセンス素子部であることを特徴とする請求項 1〜: L 1のいずれか
1項記載の有機半導体素子。
[13] 前記有機エレクト口ルミネッセンス素子部の発光面積が 100mm2以上であることを 特徴とする請求項 12記載の有機半導体素子。
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