JP4745181B2 - 有機ｅｌ発光装置、及び有機ｅｌ発光装置の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、電気エネルギーを光に変換して発光できる有機電界発光装置、及びその製造方法に関する。
今日、種々の表示素子に関する研究開発が活発であり、中でも有機電界発光（ＥＬ）素子は、低電圧で高輝度の発光を得ることができるため、有望な表示素子として注目されている。
この有機電界発光素子は、大気に曝されると、水分、ガス等その他の要因でその発光特性は劣化するため、素子を封止して劣化防止する封止板が用いられている。
この有機電界発光素子は、大気に曝されると、水分、ガス等その他の要因でその発光特性は劣化するため、素子を封止して劣化防止する封止板が用いられている。
一方、有機電界発光素子の基板として、ガラス基板の代わりに樹脂基板を用いたフレキシブルな素子が開示されている（例えば、特許文献１、２参照）。
しかし、封止板の作製において、封止板と樹脂基板との接着剤として有機電界発光素子に悪影響となるガスや熱の発生が少ない紫外線硬化性樹脂に用いた場合、紫外線透過率が高いガラス基板を用いた従来法では問題とならなかった接着性が新たな問題として浮上した。
特開２００４−４７３８１号公報
特開２００５−１２３０１２号公報
しかし、封止板の作製において、封止板と樹脂基板との接着剤として有機電界発光素子に悪影響となるガスや熱の発生が少ない紫外線硬化性樹脂に用いた場合、紫外線透過率が高いガラス基板を用いた従来法では問題とならなかった接着性が新たな問題として浮上した。
本発明は、封止性が良好で、かつ、発光特性への影響が少ない有機ＥＬ装置の製造方法を提供すること、及びその製造方法を用いて製造された有機ＥＬ装置を提供することにある。
前記実情に鑑み本発明者らは、鋭意研究を行ったところ、上記課題を解決しうることを見出し本発明を完成した。
即ち、本発明は下記の手段により達成されるものである。
即ち、本発明は下記の手段により達成されるものである。
＜１＞第１及び第２の可撓性板を有し、前記可撓性板の少なくとも一方の略中央上に有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬ装置の製造方法であって、
（Ａ）前記第１の可撓性板が紫外線透過量の異なるＳ領域とＷ領域とを有し、
前記Ｗ領域が前記第１の可撓性板の略中央にあり前記Ｓ領域は前記Ｗ領域の周囲にあり、かつ前記Ｓ領域の紫外線透過量がＷ領域の紫外線透過量より大きい第１の可撓性板を形成する工程と、
（Ｂ）前記第１及び第２の可撓性板を重ねたとき、前記有機ＥＬ素子の周囲に位置し、かつ、前記Ｓ領域に少なくとも重なるように、第１及び／又は第２の可撓性板上に枠状の紫外線硬化樹脂層を形成する工程と、
（Ｃ）前記Ｓ領域と、前記枠状の紫外線硬化樹脂層とを対面させて重ね合わせた後、前記Ｓ領域を照射面とする紫外線照射により前記紫外線硬化樹脂層を硬化させて前記第１の可撓性板と第２の可撓性板とを接着する工程と、
を含み、前記第１の可撓性板が、枠状の紫外線透過性の第１高分子フィルムとガスバリア膜付きの第２高分子フィルムとを用いて、前記第２高分子フイルムが前記第１高分子フィルムの枠内を覆うと共に、前記第２高分子フイルムの周囲に前記第１高分子フィルムの少なくとも一部を前記Ｓ領域として残すように対面させて接着して形成した可撓性板であることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
（Ａ）前記第１の可撓性板が紫外線透過量の異なるＳ領域とＷ領域とを有し、
前記Ｗ領域が前記第１の可撓性板の略中央にあり前記Ｓ領域は前記Ｗ領域の周囲にあり、かつ前記Ｓ領域の紫外線透過量がＷ領域の紫外線透過量より大きい第１の可撓性板を形成する工程と、
（Ｂ）前記第１及び第２の可撓性板を重ねたとき、前記有機ＥＬ素子の周囲に位置し、かつ、前記Ｓ領域に少なくとも重なるように、第１及び／又は第２の可撓性板上に枠状の紫外線硬化樹脂層を形成する工程と、
（Ｃ）前記Ｓ領域と、前記枠状の紫外線硬化樹脂層とを対面させて重ね合わせた後、前記Ｓ領域を照射面とする紫外線照射により前記紫外線硬化樹脂層を硬化させて前記第１の可撓性板と第２の可撓性板とを接着する工程と、
を含み、前記第１の可撓性板が、枠状の紫外線透過性の第１高分子フィルムとガスバリア膜付きの第２高分子フィルムとを用いて、前記第２高分子フイルムが前記第１高分子フィルムの枠内を覆うと共に、前記第２高分子フイルムの周囲に前記第１高分子フィルムの少なくとも一部を前記Ｓ領域として残すように対面させて接着して形成した可撓性板であることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
＜２＞前記ガスバリア膜の材料がＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯｘ（Ｘは１〜２の数値を示す。）、ＭｇＯ、Ａｌ２Ｏ３、及び有機樹脂から選択される１種以上であることを特徴とする上記＜１＞に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
＜３＞前記ガスバリア膜の材料がＳｉＯＮであることを特徴とする上記＜２＞に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
＜４＞上記＜１＞〜＜３＞のいずれか１項またはに記載の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする有機電界発光装置。
＜３＞前記ガスバリア膜の材料がＳｉＯＮであることを特徴とする上記＜２＞に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
＜４＞上記＜１＞〜＜３＞のいずれか１項またはに記載の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする有機電界発光装置。
本発明によれば、封止性が良好で、かつ、発光特性への影響が少ない有機ＥＬ装置の製造方法を提供することができる。また、本発明によれば、前記製造方法を用いて製造された有機ＥＬ装置を提供することができる。
本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、第１及び第２の可撓性板を有し、前記可撓性板の少なくとも一方の略中央上に有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬ装置の製造方法であって、
（Ａ）前記第１の可撓性板が紫外線透過量の異なるＳ領域とＷ領域とを有し、
前記Ｗ領域が前記第１の可撓性板の略中央にあり前記Ｓ領域は前記Ｗ領域の周囲にあり、かつ前記Ｓ領域の紫外線透過量がＷ領域の紫外線透過量より大きい第１の可撓性板を形成する工程と、
（Ｂ）前記第１及び第２の可撓性板を重ねたとき、前記有機ＥＬ素子の周囲に位置し、かつ、前記Ｓ領域に少なくとも重なるように、第１及び／又は第２の可撓性板上に枠状の紫外線硬化樹脂層を形成する工程と、
（Ｃ）前記Ｓ領域と、前記枠状の紫外線硬化樹脂層とを対面させて重ね合わせた後、前記Ｓ領域を照射面とする紫外線照射により前記紫外線硬化樹脂層を硬化させて前記第１の可撓性板と第２の可撓性板とを接着する工程と、
を含むこと特徴とする。
上記製造方法で製造することにより、封止性が良好で、かつ、発光特性への影響が少ない有機電界発光装置を容易に製造することができる。
（Ａ）前記第１の可撓性板が紫外線透過量の異なるＳ領域とＷ領域とを有し、
前記Ｗ領域が前記第１の可撓性板の略中央にあり前記Ｓ領域は前記Ｗ領域の周囲にあり、かつ前記Ｓ領域の紫外線透過量がＷ領域の紫外線透過量より大きい第１の可撓性板を形成する工程と、
（Ｂ）前記第１及び第２の可撓性板を重ねたとき、前記有機ＥＬ素子の周囲に位置し、かつ、前記Ｓ領域に少なくとも重なるように、第１及び／又は第２の可撓性板上に枠状の紫外線硬化樹脂層を形成する工程と、
（Ｃ）前記Ｓ領域と、前記枠状の紫外線硬化樹脂層とを対面させて重ね合わせた後、前記Ｓ領域を照射面とする紫外線照射により前記紫外線硬化樹脂層を硬化させて前記第１の可撓性板と第２の可撓性板とを接着する工程と、
を含むこと特徴とする。
上記製造方法で製造することにより、封止性が良好で、かつ、発光特性への影響が少ない有機電界発光装置を容易に製造することができる。
以下、本発明の有機電界発光装置、及びその製造方法について詳細に説明する。
まず、本発明の有機電界発光装置の構成について説明する。
図２は、本発明の有機ＥＬ装置の構成を示す概念図である。
図２に示すように、本発明の有機ＥＬ装置は、第２の可撓性板上に枠状の紫外線硬化樹脂層８を有し、さらにその上部に紫外線透過量の異なるＳ領域（紫外線透過量が多い領域）及びＷ領域（紫外線透過量が少ない領域）を有する第１の可撓性板１００とを有し、さらに前記第１、第２の可撓性板１００、２００間であって少なくとも一方の可撓性板上に有機電界発光素子（図示なし）を有する構成である。前記Ｗ領域の一部がＳ領域の外側にあってもよい。
まず、本発明の有機電界発光装置の構成について説明する。
図２は、本発明の有機ＥＬ装置の構成を示す概念図である。
図２に示すように、本発明の有機ＥＬ装置は、第２の可撓性板上に枠状の紫外線硬化樹脂層８を有し、さらにその上部に紫外線透過量の異なるＳ領域（紫外線透過量が多い領域）及びＷ領域（紫外線透過量が少ない領域）を有する第１の可撓性板１００とを有し、さらに前記第１、第２の可撓性板１００、２００間であって少なくとも一方の可撓性板上に有機電界発光素子（図示なし）を有する構成である。前記Ｗ領域の一部がＳ領域の外側にあってもよい。
以下、本発明の有機電界発光装置の製造方法について、その一態様を例に、図１を参照して各工程ごとに具体的に説明する。図１は本発明の有機電界発光装置の製造方法の一実施態様を示す製造フローである。
［（Ａ）紫外線透過量の異なるＳ領域とＷ領域とを有する第１の可撓性板を形成する工程］
＜第１の可撓性板の形成工程：（１）−（４）＞
図１（１）、（２）に示すように、枠状に紫外線硬化接着剤４が設けられた第１高分子フィルム１と、ガスバリア膜付きの第２高分子フィルム２とを圧着した。
このとき、第２高分子フイルム２が第１高分子フィルム１の枠内を覆うようにし、かつ、ガスバリア膜付きの第２高分子フィルム２の周囲に第１高分子フィルム１の少なくとも一部をＳ領域（紫外線透過量が多い領域）として残すようにした。
前記ガスバリア膜付きの第２高分子フィルム２は、少なくとも一方側にガスバリア膜を有する。
＜第１の可撓性板の形成工程：（１）−（４）＞
図１（１）、（２）に示すように、枠状に紫外線硬化接着剤４が設けられた第１高分子フィルム１と、ガスバリア膜付きの第２高分子フィルム２とを圧着した。
このとき、第２高分子フイルム２が第１高分子フィルム１の枠内を覆うようにし、かつ、ガスバリア膜付きの第２高分子フィルム２の周囲に第１高分子フィルム１の少なくとも一部をＳ領域（紫外線透過量が多い領域）として残すようにした。
前記ガスバリア膜付きの第２高分子フィルム２は、少なくとも一方側にガスバリア膜を有する。
続いて、ＵＶ照射して前記紫外線硬化接着剤４を硬化して、Ｗ領域（紫外線が通り難い領域、即ち「紫外線透過量が少ない領域」）と、前記Ｗ領域の周囲にＳ領域（紫外線が通り易い領域、即ち「紫外線透過量が多い領域」）を有する第１の可撓性板１００を形成した。
＜第２の可撓性板の形成工程：（５）−（６）＞
一方、ガスバリア膜付きの第３高分子フィルム６に紫外線硬化樹脂接着剤を付与して枠状の紫外線硬化樹脂層８を有する第２の可撓性板２００を形成した。
前記紫外線硬化樹脂接着剤の付与位置は、前記第３高分子フィルム６上の一方側の略中央部に形成された有機ＥＬ素子（図示なし）の周囲であって、前記第１の可撓性板１００に形成されたＳ領域に少なくとも重なる位置であることが必要である。そうすることにより、後工程の紫外線照射により硬化させることができる。
前記ガスバリア膜付きの第３高分子フィルム６は、少なくとも一方側にガスバリア膜を有する。
一方、ガスバリア膜付きの第３高分子フィルム６に紫外線硬化樹脂接着剤を付与して枠状の紫外線硬化樹脂層８を有する第２の可撓性板２００を形成した。
前記紫外線硬化樹脂接着剤の付与位置は、前記第３高分子フィルム６上の一方側の略中央部に形成された有機ＥＬ素子（図示なし）の周囲であって、前記第１の可撓性板１００に形成されたＳ領域に少なくとも重なる位置であることが必要である。そうすることにより、後工程の紫外線照射により硬化させることができる。
前記ガスバリア膜付きの第３高分子フィルム６は、少なくとも一方側にガスバリア膜を有する。
＜第１の可撓性板と第２の可撓性板とを接着する工程：（７）−（８）＞
上記で得られた第１の可撓性板１００のＳ領域と、第２の可撓性板２００の枠状の紫外線硬化樹脂層８とを対面させ、前記紫外線硬化樹脂接着剤８と前記第１の可撓性板に形成されたＳ領域とが少なくとも重なるように圧着した後、図１（７）に示すように第１の可撓性板側からＳ領域を照射面として紫外線を照射して前記紫外線硬化樹脂層８を硬化させた。
前記紫外線硬化樹脂層８を紫外線により硬化することにより前記第１の可撓性板１００と前記第２の可撓性板２００とを接着して、有機電界発光装置を製造した。
前記紫外線透過量は、単位：ｍＪ／ｃｍ２で示され、紫外線照度計（ＵＩＴ−１５０；ウシオ電機）を透過した紫外光を紫外線照度計センサ部に照射することにより測定した。
上記で得られた第１の可撓性板１００のＳ領域と、第２の可撓性板２００の枠状の紫外線硬化樹脂層８とを対面させ、前記紫外線硬化樹脂接着剤８と前記第１の可撓性板に形成されたＳ領域とが少なくとも重なるように圧着した後、図１（７）に示すように第１の可撓性板側からＳ領域を照射面として紫外線を照射して前記紫外線硬化樹脂層８を硬化させた。
前記紫外線硬化樹脂層８を紫外線により硬化することにより前記第１の可撓性板１００と前記第２の可撓性板２００とを接着して、有機電界発光装置を製造した。
前記紫外線透過量は、単位：ｍＪ／ｃｍ２で示され、紫外線照度計（ＵＩＴ−１５０；ウシオ電機）を透過した紫外光を紫外線照度計センサ部に照射することにより測定した。
次に、本発明の有機電界発光装置の各態様について、図３〜図１６を用いて説明する。 ここで、図３〜図７において第１の可撓性板は封止板を表し、第２の可撓性板は基板を表す態様を示している。また、図８〜図１２においては第１の可撓性板１００は基板を表し、第２の可撓性板２００は封止板を表す態様を示している。即ち、紫外線を照射する第１の可撓性板の周縁部の内側で有機電界発光素子の外側に位置する部分が紫外線透過量が多いＳ領域となるものである。
図３（Ａ）は、図１に示す本発明の有機電界発光装置の製造方法により得られた本発明の有機電界発光装置の一実施形態を示す平面図であり、図３（Ｂ）は図３（Ａ１）の有機電界発光装置の横断面構成図である。
図３（Ｂ）に示す有機電界発光装置は、第２の可撓性板２００と、それに対向する第１の可撓性板１００と、前記第２と第１の可撓性板２００、１００との間に紫外線硬化樹脂層８と、から構成されている。
前記第２の可撓性板２００は、ガスバリア膜が形成された高分子フィルム（第３高分子フイルム又はガスバリア膜付きの第３高分子フィルムともいう。）から構成される。
ガスバリア膜付きの第３高分子フィルム６を用いることにより、ガス、水分等その他の透過性のものの侵入を阻止することができ、内在する有機電界発光素子（図示なし）の劣化を防止することができる。
ガスバリア膜付きの第３高分子フィルム６を用いることにより、ガス、水分等その他の透過性のものの侵入を阻止することができ、内在する有機電界発光素子（図示なし）の劣化を防止することができる。
第３高分子フィルムにおけるガスバリア膜の材料（以下、「ガスバリア膜材料」ともいう。）としては、ガス、水分等の侵入防止、また、光透過性の観点から、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯｘ、ＳｉＡｌＯ、ＭｇＯ、Ａｌ２Ｏ３の無機物質、及び有機樹脂から選択される１種以上が好ましく、ＳｉＯＮとＳｉＮがより好ましい。ここで、ＸはＳｉに対するＯの元素含有比率（Ｘ＞０、好ましくは１〜２、より好ましくは１．５〜１．８）を表す。本発明において、Ｘは同義である。
前記有機樹脂としては、ポリアミド系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリアクリレート系樹脂が好ましく、ポリアクリレート系樹脂がより好ましい。
前記ガスバリア膜は、湿式法（スピンコート法等）、乾式法（真空蒸着法、スパッタ法等）等の公知の成膜法によって形成することができる。
ガスバリア膜の厚みとしては、ガス、水分等の侵入防止、光透過性の観点から１０ｎｍ〜１０μｍが好ましく、１μｍ〜５μｍがより好ましい。
前記有機樹脂としては、ポリアミド系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリアクリレート系樹脂が好ましく、ポリアクリレート系樹脂がより好ましい。
前記ガスバリア膜は、湿式法（スピンコート法等）、乾式法（真空蒸着法、スパッタ法等）等の公知の成膜法によって形成することができる。
ガスバリア膜の厚みとしては、ガス、水分等の侵入防止、光透過性の観点から１０ｎｍ〜１０μｍが好ましく、１μｍ〜５μｍがより好ましい。
前記ガスバリア膜付きの第３高分子フィルムの高分子フィルムの材料としては、特に限定されるものではなく、ポリエチレンテレフタレート、ポリマーボネート、ポリプロピレン、ポリオレフィン、ポリカーボネート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルサルホン等を用いることができ、耐熱性の観点から、好ましくは、ポリエチレンナフタレートやポリエーテルサルホンが好ましい。
前記ガスバリア膜が形成された第３高分子フィルムにおける高分子フィルムの厚みとしては、力学特性や加工適正の観点から１０μｍ〜１，０００μｍが好ましく、５０μｍ〜５００μｍがより好ましく、１００μｍ〜３００μｍが特に好ましい。
前記ガスバリア膜が形成された第３高分子フィルムにおける高分子フィルムの厚みとしては、力学特性や加工適正の観点から１０μｍ〜１，０００μｍが好ましく、５０μｍ〜５００μｍがより好ましく、１００μｍ〜３００μｍが特に好ましい。
前記第１の可撓性板は、ガスバリア膜が形成された高分子フィルム２（第２高分子フイルム、ガスバリア膜付きの第２高分子フイルム）が枠状の第１高分子フィルム１の枠内を覆うと共に、前記第２高分子フイルム２の周囲に第１高分子フィルム１の少なくとも一部（Ｓ領域）を残すように対面させて接着して構成されている。即ち、前記Ｓ領域は第１高分子フィルムから構成されている。
上記のような構成とすることにより紫外線透過率が高い材料を第１高分子フィルム１の材料として用いることにより前記Ｗ領域の紫外線透過量を下げ、一方、前記Ｓ領域の紫外線透過量を相対的に上げることができることから、前記紫外線硬化樹脂層８を少ない紫外線量で効率的に硬化させることができ、その結果、前記有機電界発光素子の紫外線による劣化を効果的に防止することができる。
上記のような構成とすることにより紫外線透過率が高い材料を第１高分子フィルム１の材料として用いることにより前記Ｗ領域の紫外線透過量を下げ、一方、前記Ｓ領域の紫外線透過量を相対的に上げることができることから、前記紫外線硬化樹脂層８を少ない紫外線量で効率的に硬化させることができ、その結果、前記有機電界発光素子の紫外線による劣化を効果的に防止することができる。
第２高分子フィルムのガスバリア膜の材料としては、前記第３高分子フィルムにおけるガスバリア膜の材料と同様のものを用いることができる。
該ガスバリア膜の成膜は、前記第３高分子フィルムと同様である。
該ガスバリア膜の厚みとしては、ガス、水分等の侵入防止、光透過性の観点から、１０ｎｍ〜１０μｍが好ましく、１μｍ〜５μｍがより好ましい。
該ガスバリア膜の成膜は、前記第３高分子フィルムと同様である。
該ガスバリア膜の厚みとしては、ガス、水分等の侵入防止、光透過性の観点から、１０ｎｍ〜１０μｍが好ましく、１μｍ〜５μｍがより好ましい。
枠状の高分子フィルム１（第１高分子フィルム）の材質としては、紫外線透過率が高い程、前記紫外線硬化樹脂接着層８に紫外線照射することができるとの観点から、紫外線透過率が高い材料が好ましい。
この様な高分子フィルム（第１高分子フィルム）の材料としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリマーボネート、ポリプロピレン、ポリオレフィン、ポリカーボネート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルサルホンが好ましく、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルサルホンがより好ましく、ポリエチレンナフタレートが特に好ましい。
前記第１高分子フィルムの厚みとしては、力学特性や加工適正の観点から１０μｍ〜１，０００μｍが好ましく、５０μｍ〜５００μｍがより好ましく、１００μｍ〜３００μｍが特に好ましい。
この様な高分子フィルム（第１高分子フィルム）の材料としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリマーボネート、ポリプロピレン、ポリオレフィン、ポリカーボネート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルサルホンが好ましく、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルサルホンがより好ましく、ポリエチレンナフタレートが特に好ましい。
前記第１高分子フィルムの厚みとしては、力学特性や加工適正の観点から１０μｍ〜１，０００μｍが好ましく、５０μｍ〜５００μｍがより好ましく、１００μｍ〜３００μｍが特に好ましい。
前記第２高分子フィルムにおける高分子フィルムの材料としては、前記第３高分子フィルムのそれと同様のものを用いることができ、好ましい例も同様である。
また、前記第２高分子フィルムにおける高分子フィルムの厚みも、前記第３高分子フィルクに記載の高分子フィルムの厚みと同様であり、好ましい範囲も同様である。
また、前記第２高分子フィルムにおける高分子フィルムの厚みも、前記第３高分子フィルクに記載の高分子フィルムの厚みと同様であり、好ましい範囲も同様である。
また、前記紫外線硬化樹脂層８は、前記第１及び第２の可撓性板１００、２００を重ねたとき、前記有機ＥＬ素子（図示なし）の周囲に位置し、かつ、前記Ｓ領域に少なくとも重なるように、第１の可撓性板１００上又は第２の可撓性板２００上に枠状に形成される。
ここで、前記有機電界発光素子は第１及び第２の可撓性板１００，２００のいずれか一方に形成されればよく、特に限定されるものではない。
また、前記枠状とは、第１と第２の可撓性板で形成された空間の周縁部を前記紫外線硬化樹脂で囲い、前記空間内部に外界からのガス、水分等が侵入できないように周りを固める目的が達成できれば、特にその形状が限定されるものではない。
前記紫外線硬化樹脂層８の材料としては、従来公知の紫外線硬化樹脂を用いることができる。
また、前記紫外線硬化樹脂層８は、前記樹脂を公知の湿式法（例えば、溶剤に溶かしてディップ法、スピンコータ法、ディスペンサによる液滴吐出法）、乾式法（例えば、プリント法）等を用いて形成できる。
紫外線硬化樹脂層８の厚みとしては、特に限定されないが、有機電界発光素子が安全に内在できる厚みとすることが好ましい。
ここで、前記有機電界発光素子は第１及び第２の可撓性板１００，２００のいずれか一方に形成されればよく、特に限定されるものではない。
また、前記枠状とは、第１と第２の可撓性板で形成された空間の周縁部を前記紫外線硬化樹脂で囲い、前記空間内部に外界からのガス、水分等が侵入できないように周りを固める目的が達成できれば、特にその形状が限定されるものではない。
前記紫外線硬化樹脂層８の材料としては、従来公知の紫外線硬化樹脂を用いることができる。
また、前記紫外線硬化樹脂層８は、前記樹脂を公知の湿式法（例えば、溶剤に溶かしてディップ法、スピンコータ法、ディスペンサによる液滴吐出法）、乾式法（例えば、プリント法）等を用いて形成できる。
紫外線硬化樹脂層８の厚みとしては、特に限定されないが、有機電界発光素子が安全に内在できる厚みとすることが好ましい。
図４（Ａ）は、本発明の有機電界発光装置の更に別の一実施形態を示す平面図であり、図４（Ｂ）は図４（Ａ）の有機電界発光装置の横断面構成図である。
図４（Ｂ）に示す有機電界発光装置は、前記図３の第１の可撓性板の構成のみが異なる態様である。即ち、図４（Ｂ）に示すとおり、ガスバリア膜付きの第２高分子フィルム２のＷ領域の厚みに対して、Ｗ領域の周囲のＳ領域の厚みを減らして構成したものである。
前記第２高分子フィルム２の周囲（Ｓ領域）の厚みを小さくすることによって、同じ材質の高分子フィルムで一定量の紫外線照射をした場合でも、Ｗ領域における紫外線透過量に比べてＳ領域の紫外線透過量を大きくすることができる。その結果、前記第１の可撓性板と第２の可撓性板の内部に存在し、第１の可撓性板側から見たときその裏側に位置する有機電界発光素子には紫外線照射がされないで、素子の劣化を防止することができる。
前記第２高分子フィルム２の周囲（Ｓ領域）の厚みを小さくすることによって、同じ材質の高分子フィルムで一定量の紫外線照射をした場合でも、Ｗ領域における紫外線透過量に比べてＳ領域の紫外線透過量を大きくすることができる。その結果、前記第１の可撓性板と第２の可撓性板の内部に存在し、第１の可撓性板側から見たときその裏側に位置する有機電界発光素子には紫外線照射がされないで、素子の劣化を防止することができる。
前記第２高分子フィルム２の厚みが薄い部分（Ｓ領域に相当する。）の厚みは、用いる材質等によって異なるが、厚い部分の１／２〜１／１００が好ましく、厚い部分の１／１０〜１／５０が更に好ましい。
前記第２高分子フィルム２において、ガスバリア膜及び高分子フィルムの材質、材料については前記図３の態様における材質材料と同様であり、好ましい例も同様である。
前記第２高分子フィルム２において、ガスバリア膜及び高分子フィルムの材質、材料については前記図３の態様における材質材料と同様であり、好ましい例も同様である。
図５（Ｂ）に示す有機電界発光装置は、前記図４の第１の可撓性板の構成を一部変形した一態様である。即ち、図５（Ｂ）に示す第２高分子フィルムのＳ領域（厚みが薄い部分）を周縁部に形成して外周部をＷ領域（厚みが厚いままの部分）として、紫外線照射を第１の可撓性板の裏から行うように構成したものである。その他においては、前記図４の有機電界発光装置と同様の構成であり、また、第１の可撓性板を構成する材料も同様である。
図６（Ａ）は、本発明の有機電界発光装置の更に別の一実施形態を示す平面図であり、図６（Ｂ）は図６（Ａ）の有機電界発光装置の横断面構成図である。
図６（Ａ）に示す有機電界発光装置は、前記図３に示す第１の可撓性板の構成のみが異なる態様である。即ち、第１の可撓性板は、紫外線透過率が異なる２種類のガスバリア膜材料を用いて形成されたガスバリア膜を有する高分子フィルム（第２高分子フィルム）から構成され、Ｓ領域に用いるガスバリア膜材料の紫外線透過率がＷ領域形成に用いるガスバリア膜材料の紫外線透過率より大きいガスバリア膜材料を用いて形成された構成である。
前記ガスバリア膜形成に用いられる材料としては、前記図３に示す第３高分子フィルムのガスバリア膜の材料が挙げられ、前記紫外線透過率が高い材料（Ｓ領域材料）と紫外線透過率が低い材料（Ｗ領域材料）との組合せとしては、ＳｉＯｘとＳｉＯＮ、又はＳｉＯｘとＳｉＮ、Ａｌ２Ｏ３とＳｉＮが好ましく、ＳｉＯＮとＳｉＮがより好ましい。
ガスバリア膜の厚みとしては、ガス、水分等の侵入防止，光透過性の観点から、１０ｎｍ〜１０μｍが好ましく、１μｍ〜５μｍがより好ましい。
ガスバリア膜の厚みとしては、ガス、水分等の侵入防止，光透過性の観点から、１０ｎｍ〜１０μｍが好ましく、１μｍ〜５μｍがより好ましい。
前記第２高分子フィルムの高分子フィルムの材料としては、前記第３高分子フィルムにおける高分子フィルムの材料と同様であり、好ましい例も同様である。
前記第２高分子フィルムの高分子フィルムの厚みは、前記第３高分子フィルムにおける高分子フィルムの厚みと同様であり、好ましい範囲も同様である。
前記第２高分子フィルムの高分子フィルムの厚みは、前記第３高分子フィルムにおける高分子フィルムの厚みと同様であり、好ましい範囲も同様である。
図６（Ｂ）に示す高分子フィルム上のガスバリア膜は、第１の可撓性板の高分子フィルム２２上で、第２の可撓性板とは反対側に、紫外線透過率が低い材料を用いて、Ｗ領域（紫外線透過量が少ない領域）を形成し、続いて紫外線透過率が高い材料を用いてＳ領域（紫外線透過量が多い領域）を形成することにより、２種類のガスバリア膜材料を用いて形成された高分子フィルム２（第２高分子フィルム）を得ることができる。
前記２種類のガスバリア膜の形成順序には、特に限定されるものではない。
前記ガスバリア膜は、図３に示す第２高分子フィルムのガスバリア膜の形成と同様にして形成することができる。
前記２種類のガスバリア膜の形成順序には、特に限定されるものではない。
前記ガスバリア膜は、図３に示す第２高分子フィルムのガスバリア膜の形成と同様にして形成することができる。
図７（Ａ）は、本発明の有機電界発光装置の更に別の一実施形態を示す平面図であり、図７（Ｂ）は図７（Ａ）の有機電界発光装置の横断面構成図である。
図７（Ｂ）に示す有機電界発光装置は、前記図６に示す第１の可撓性板の構成のみが異なる態様である。即ち、図７（Ｂ）に示す第１の可撓性板において、第２高分子フィルム２が有するガスバリア膜のＳ領域に相当する部分の厚みをＷ領域に相当する部分の厚み以下とする態様である。
上記構成とすることにより、Ｗ領域の紫外線透過量に比べてＳ領域の紫外線透過量を多くすることができる。その結果、前記第１の可撓性板と第２の可撓性板の内部に存在し、第１の可撓性板側から見たときその裏側に位置する有機電界発光素子には紫外線が到達しないため、素子の劣化を防止することができる。
上記構成とすることにより、Ｗ領域の紫外線透過量に比べてＳ領域の紫外線透過量を多くすることができる。その結果、前記第１の可撓性板と第２の可撓性板の内部に存在し、第１の可撓性板側から見たときその裏側に位置する有機電界発光素子には紫外線が到達しないため、素子の劣化を防止することができる。
前記第２高分子フィルムにおけるガスバリア膜の材料は、図３に示す第２高分子フィルムにおけるそれと同様であり、好ましい例も同様である。
前記第２高分子フィルムにおけるガスバリア膜の厚みは、Ｓ領域の厚みはＷ領域の厚み以下であり、Ｓ領域にガスバリア膜がないことが好ましい。
前記第２高分子フィルムにおける高分子フィルムの材料は、図３に示す第２高分子フィルムにおけるそれと同様であり、好ましい例も同様である。
この第１の可撓性板の形成方法は、前記図６のＳ，Ｗ領域形成方法と同様の方法で形成することができる。
前記第２高分子フィルムにおけるガスバリア膜の厚みは、Ｓ領域の厚みはＷ領域の厚み以下であり、Ｓ領域にガスバリア膜がないことが好ましい。
前記第２高分子フィルムにおける高分子フィルムの材料は、図３に示す第２高分子フィルムにおけるそれと同様であり、好ましい例も同様である。
この第１の可撓性板の形成方法は、前記図６のＳ，Ｗ領域形成方法と同様の方法で形成することができる。
図８（Ａ）〜図１２（Ａ）は、本発明の有機電界発光装置の更に別の実施形態を示す平面図であり、図８（Ｂ）〜図１２（Ｂ）は図８（Ａ）〜図１２（Ｂ）のそれぞれに対応する有機電界発光装置の横断面構成図である。
図３〜図７に示す本発明の有機電界発光装置における第１の可撓性板が封止板として用いられているのに対して、図８〜図１２に示す本発明の有機電界発光装置における第１の可撓性板は、基板として用いる態様となっている以外は、同様である。
図３〜図７に示す本発明の有機電界発光装置における第１の可撓性板が封止板として用いられているのに対して、図８〜図１２に示す本発明の有機電界発光装置における第１の可撓性板は、基板として用いる態様となっている以外は、同様である。
具体的には、図８（Ｂ）に示す第１の可撓性板において、図３（Ｂ）に示す第１高分子フィルム１、第２高分子フイルム（ガスバリア膜付き）２の代わりに、それぞれ第１高分子フィルム１、第３高分子フィルム（ガスバリア膜付き）６を用い、また、
図８（Ｂ）に示す第２の可撓性板において、図３（Ｂ）の第３高分子フィルム（ガスバリア膜付き）６の代わりに、第２高分子フィルム（ガスバリア膜付き）２に変更した以外は、その作成方法、厚み等は図３（Ｂ）と同様である。
図９〜図１２においても、それぞれ対応する図４〜図７と同様である。
図８（Ｂ）に示す第２の可撓性板において、図３（Ｂ）の第３高分子フィルム（ガスバリア膜付き）６の代わりに、第２高分子フィルム（ガスバリア膜付き）２に変更した以外は、その作成方法、厚み等は図３（Ｂ）と同様である。
図９〜図１２においても、それぞれ対応する図４〜図７と同様である。
図１３（Ａ）及び（Ｂ）は、本発明の有機電界発光装置の更に別の実施形態を示す横断面構成図である。
（Ａ）は、前記図６に示す有機電界発光装置において、第１の可撓性板のガスバリア膜の外側に更に高分子フィルムを積層した形態である。
該高分子フィルムの材料としては、前記図３（Ｂ）に示す第３高分子フィルムの高分子フィルムと同様であり、好ましい例も同様である。
（Ｂ）は、前記図６に示す有機電界発光装置において、第１の可撓性板を積層する多層体であり、第２の可撓性板側の第１の可撓性板上にガスバリア膜を有する形態である。
上記（Ａ）及び（Ｂ）に示す積層型の装置であっても、封止性が良好で、かつ、発光特性への影響が少ない有機電界発光装置とすることができる。
前記積層型の有機電界発光装置も上記方法と同様の方法により形成することができる。
（Ａ）は、前記図６に示す有機電界発光装置において、第１の可撓性板のガスバリア膜の外側に更に高分子フィルムを積層した形態である。
該高分子フィルムの材料としては、前記図３（Ｂ）に示す第３高分子フィルムの高分子フィルムと同様であり、好ましい例も同様である。
（Ｂ）は、前記図６に示す有機電界発光装置において、第１の可撓性板を積層する多層体であり、第２の可撓性板側の第１の可撓性板上にガスバリア膜を有する形態である。
上記（Ａ）及び（Ｂ）に示す積層型の装置であっても、封止性が良好で、かつ、発光特性への影響が少ない有機電界発光装置とすることができる。
前記積層型の有機電界発光装置も上記方法と同様の方法により形成することができる。
図１４は、本発明の有機電界発光装置の更に別の一実施形態を示す平面図である。
本発明の有機電界発光装置は、図１〜１３に示す有機電界発光装置における前記紫外線硬化樹脂の形状が多数の枠を含む形態である態様であることも好ましい。
本発明の有機電界発光装置は、図１〜１３に示す有機電界発光装置における前記紫外線硬化樹脂の形状が多数の枠を含む形態である態様であることも好ましい。
図１５は、従来の有機電界発光装置の横断面構成図である。
前記有機電界発光装置は、第１の可撓性板と、第２の可撓性板と、それらの間に紫外線硬化樹脂層８を有する構成である。
紫外線硬化樹脂層８を硬化するための紫外線照射側の第１の可撓性板は、全面にガスバリア膜を有する第２高分子フィルム２から構成され、また、第２の可撓性板はガスバリア膜付き第３高分子フィルム６から構成されている。前記紫外線照射側の第１の可撓性板は、どの領域においても紫外線透過量は一定である構成となっていることから、内部の紫外線硬化樹脂層８に紫外線照射したとき、ガスバリア膜を有する第２高分子フィルムの紫外線透過量はどの領域においても一定なため紫外線の強度を上げて照射する必要があり、そのためその影響を受けて有機電界発光素子の劣化が起こってしまう。
図１６は、従来の有機電界発光装置の別の一実施形態を示す横断面構成図である。
図１５に示す有機電界発光装置における第１の可撓性板が封止板として用いられているのに対して、図１６に示す有機電界発光装置における第１の可撓性板は、基板として用いる態様となっている以外は、同様であり、その作用効果も同様である。
前記有機電界発光装置は、第１の可撓性板と、第２の可撓性板と、それらの間に紫外線硬化樹脂層８を有する構成である。
紫外線硬化樹脂層８を硬化するための紫外線照射側の第１の可撓性板は、全面にガスバリア膜を有する第２高分子フィルム２から構成され、また、第２の可撓性板はガスバリア膜付き第３高分子フィルム６から構成されている。前記紫外線照射側の第１の可撓性板は、どの領域においても紫外線透過量は一定である構成となっていることから、内部の紫外線硬化樹脂層８に紫外線照射したとき、ガスバリア膜を有する第２高分子フィルムの紫外線透過量はどの領域においても一定なため紫外線の強度を上げて照射する必要があり、そのためその影響を受けて有機電界発光素子の劣化が起こってしまう。
図１６は、従来の有機電界発光装置の別の一実施形態を示す横断面構成図である。
図１５に示す有機電界発光装置における第１の可撓性板が封止板として用いられているのに対して、図１６に示す有機電界発光装置における第１の可撓性板は、基板として用いる態様となっている以外は、同様であり、その作用効果も同様である。
以下、実施例を用いて具体的に説明するが、これに限定されるものではない。
［実施例１］
＜第１の可撓性板の形成＞
図１に示すように、枠状に接着剤（エポキシ系接着剤ＸＮＲ５５１６ＨＶ；ナガセケムテックス（株）、紫外線硬化接着剤４）が設けられたポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ、第１高分子フィルム１、厚み１００μｍ）と、ガスバリア膜（ＳｉＯＮ）付きポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ、第２高分子フィルム２、ガスバリア膜厚み１００ｎｍ）と張り合わせ後、上記ＰＥＴ側から紫外線照射（３６５ｎｍ、９００秒間）して接着して、第１の可撓性板を形成した。
このとき、ＰＥＮがＰＥＴの枠内を覆うようにし、ＰＥＮの周囲にＰＥＴの一部を残した。
［実施例１］
＜第１の可撓性板の形成＞
図１に示すように、枠状に接着剤（エポキシ系接着剤ＸＮＲ５５１６ＨＶ；ナガセケムテックス（株）、紫外線硬化接着剤４）が設けられたポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ、第１高分子フィルム１、厚み１００μｍ）と、ガスバリア膜（ＳｉＯＮ）付きポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ、第２高分子フィルム２、ガスバリア膜厚み１００ｎｍ）と張り合わせ後、上記ＰＥＴ側から紫外線照射（３６５ｎｍ、９００秒間）して接着して、第１の可撓性板を形成した。
このとき、ＰＥＮがＰＥＴの枠内を覆うようにし、ＰＥＮの周囲にＰＥＴの一部を残した。
＜第２の可撓性板の形成＞
一方、ガスバリア膜（ＳｉＯＮ）１００ｎｍを有するＰＥＮ（第３高分子フィルム６、全厚み１００μｍ）に、下記の方法で有機電界発光素子を形成した。
前記有機電界発光素子の周囲で上記第１の可撓性板のＳ領域内になるように、ディスペンサによる液滴吐出で、紫外線硬化樹脂接着剤（エポキシ系接着剤ＸＮＲ５５１６ＨＶ；ナガセケムテックス（株））を付与して枠状の紫外線硬化樹脂層８を形成して第２の可撓性板を得た。
上記有機電界発光素子は、ＩＴＯはスパッタ、ＩＴＯ以外は真空蒸着により、発光材料Ｉｒ（ｐｐｙ）３、ホスト材料ＣＢＰ、正孔注入層２−ＴＮＡＴＡ、正孔輸送材料α−ＮＰＤ、正孔ブロック材料ＢＡｌｑ、電子輸送材料Ａｌｑ３をそれぞれ用い、陽極をＩＴＯ、陰極をＡｌとして、ＩＴＯ（１５０ｎｍ）／２−ＴＮＡＴＡ（１４０ｎｍ）／α−ＮＰＤ（５０ｎｍ）／１０％Ｉｒ（ｐｐｙ）３＋ＣＢＰ（２０ｎｍ）／ＢＡｌｑ（１０ｎｍ）／Ａｌｑ３（２０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）のように形成した。
一方、ガスバリア膜（ＳｉＯＮ）１００ｎｍを有するＰＥＮ（第３高分子フィルム６、全厚み１００μｍ）に、下記の方法で有機電界発光素子を形成した。
前記有機電界発光素子の周囲で上記第１の可撓性板のＳ領域内になるように、ディスペンサによる液滴吐出で、紫外線硬化樹脂接着剤（エポキシ系接着剤ＸＮＲ５５１６ＨＶ；ナガセケムテックス（株））を付与して枠状の紫外線硬化樹脂層８を形成して第２の可撓性板を得た。
上記有機電界発光素子は、ＩＴＯはスパッタ、ＩＴＯ以外は真空蒸着により、発光材料Ｉｒ（ｐｐｙ）３、ホスト材料ＣＢＰ、正孔注入層２−ＴＮＡＴＡ、正孔輸送材料α−ＮＰＤ、正孔ブロック材料ＢＡｌｑ、電子輸送材料Ａｌｑ３をそれぞれ用い、陽極をＩＴＯ、陰極をＡｌとして、ＩＴＯ（１５０ｎｍ）／２−ＴＮＡＴＡ（１４０ｎｍ）／α−ＮＰＤ（５０ｎｍ）／１０％Ｉｒ（ｐｐｙ）３＋ＣＢＰ（２０ｎｍ）／ＢＡｌｑ（１０ｎｍ）／Ａｌｑ３（２０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）のように形成した。
＜第１と第２の可撓性板とを接着＞
上記第１の可撓性板のＳ領域と、上記第２の可撓性板の枠状の紫外線硬化樹脂層とを対面させ、圧着して後、図１（７）に示すように前記Ｓ領域側からＳ領域を照射面として紫外線を照射して前記紫外線硬化樹脂層を硬化し、前記第１の可撓性板と前記第２の可撓性板とを接着した。
以上により、本発明の有機電界発光装置を製造した。
上記第１の可撓性板のＳ領域と、上記第２の可撓性板の枠状の紫外線硬化樹脂層とを対面させ、圧着して後、図１（７）に示すように前記Ｓ領域側からＳ領域を照射面として紫外線を照射して前記紫外線硬化樹脂層を硬化し、前記第１の可撓性板と前記第２の可撓性板とを接着した。
以上により、本発明の有機電界発光装置を製造した。
上記有機電界発光装置を温度２５℃湿度２５％、１５ｍＡ／ｃｍ２の条件で、２００時間発光させた後の、発光素子部の全面積に対する発光している素子部の面積の割合（残存率）を求めて評価した。前記残存率は９２％であった。
［比較例１］
＜第１の可撓性板の形成＞
実施例１において、第１の可撓性板を用いる代わりに、図１５に示すようなガスバリア膜（ＳｉＯＮ）１００ｎｍ付きＰＥＮ（第２高分子フィルム２、全厚み１００μｍ）の第１の可撓性板を用いた以外は、実施例と同様にして、比較の有機電界発光装置を製造した。
実施例１と同様に評価したところ、２００時間発光させた後の、発光素子部の面積に対する発光している素子部の面積の割合は４３％であった
＜第１の可撓性板の形成＞
実施例１において、第１の可撓性板を用いる代わりに、図１５に示すようなガスバリア膜（ＳｉＯＮ）１００ｎｍ付きＰＥＮ（第２高分子フィルム２、全厚み１００μｍ）の第１の可撓性板を用いた以外は、実施例と同様にして、比較の有機電界発光装置を製造した。
実施例１と同様に評価したところ、２００時間発光させた後の、発光素子部の面積に対する発光している素子部の面積の割合は４３％であった
１ 第１高分子フィルム
２ 第２高分子フィルム
４ 接着剤
６ 第３高分子フィルム
８ 紫外線接着剤層
２１，６１ ガスバリア膜材料（例えば、ＳｉＯＮ）
２２，６２ 高分子フィルム（例えば、ＰＥＮ）
２３、６３ ガスバリア膜材料（例えば、ＳｉＯｘ）
１００ 第１の可撓性板
２００ 第２の可撓性板
Ｓ 紫外線透過量の多い領域
Ｗ 紫外線透過量の少ない領域
２ 第２高分子フィルム
４ 接着剤
６ 第３高分子フィルム
８ 紫外線接着剤層
２１，６１ ガスバリア膜材料（例えば、ＳｉＯＮ）
２２，６２ 高分子フィルム（例えば、ＰＥＮ）
２３、６３ ガスバリア膜材料（例えば、ＳｉＯｘ）
１００ 第１の可撓性板
２００ 第２の可撓性板
Ｓ 紫外線透過量の多い領域
Ｗ 紫外線透過量の少ない領域
Claims (4)
- 第１及び第２の可撓性板を有し、前記可撓性板の少なくとも一方の略中央上に有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬ装置の製造方法であって、
（Ａ）前記第１の可撓性板が紫外線透過量の異なるＳ領域とＷ領域とを有し、
前記Ｗ領域が前記第１の可撓性板の略中央にあり前記Ｓ領域は前記Ｗ領域の周囲にあり、かつ前記Ｓ領域の紫外線透過量がＷ領域の紫外線透過量より大きい第１の可撓性板を形成する工程と、
（Ｂ）前記第１及び第２の可撓性板を重ねたとき、前記有機ＥＬ素子の周囲に位置し、かつ、前記Ｓ領域に少なくとも重なるように、第１及び／又は第２の可撓性板上に枠状の紫外線硬化樹脂層を形成する工程と、
（Ｃ）前記Ｓ領域と、前記枠状の紫外線硬化樹脂層とを対面させて重ね合わせた後、前記Ｓ領域を照射面とする紫外線照射により前記紫外線硬化樹脂層を硬化させて前記第１の可撓性板と第２の可撓性板とを接着する工程と、
を含み、前記第１の可撓性板が、枠状の紫外線透過性の第１高分子フィルムとガスバリア膜付きの第２高分子フィルムとを用いて、前記第２高分子フイルムが前記第１高分子フィルムの枠内を覆うと共に、前記第２高分子フイルムの周囲に前記第１高分子フィルムの少なくとも一部を前記Ｓ領域として残すように対面させて接着して形成した可撓性板であることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。 - 前記ガスバリア膜の材料がＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯｘ（Ｘは１〜２の数値を示す。）、ＭｇＯ、Ａｌ２Ｏ３、及び有機樹脂から選択される１種以上であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
- 前記ガスバリア膜の材料がＳｉＯＮであることを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
- 請求項１〜３のいずれか１項に記載の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする有機電界発光装置。
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