KR20050051646A

KR20050051646A - 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조 방법

Info

Publication number: KR20050051646A
Application number: KR1020057002806A
Authority: KR
Inventors: 마사야 나까야마
Original assignee: 후지쯔 가부시끼가이샤
Priority date: 2005-02-18
Filing date: 2003-02-20
Publication date: 2005-06-01

Abstract

화소 전극에 자외선 조사를 행하여도, TFT 특성의 열화가 발생하기 어려운 유기 EL 소자를 제공한다. 기판 상에 TFT가 형성되어 있다. TFT는, 소스 및 드레인으로 되는 제1 영역 및 제2 영역, 제1 영역과 제2 영역 사이의 채널 영역, 및 게이트 전극을 갖는다. 박막 트랜지스터를 피복하도록, 기판 위에 층간 절연막이 배치되어 있다. 층간 절연막 위에 배치된 화소 전극이, 층간 절연막에 형성된 비아 홀 내를 경유하여 TFT의 제1 영역에 전기적으로 접속되어 있다. 피복막이, 화소 전극의 모서리를 피복하고, 내부 영역은 노출시킴과 함께, 층간 절연막의 표면 중, 상기 박막 트랜지스터의 채널 영역과 중첩되는 영역을 피복하여, 자외선을 차광한다. 화소 전극 상에 유기 발광층과 상부 전극이 배치되어 있다.

Description

유기 ＥＬ 소자 및 그 제조 방법{ORGANIC EL ELEMENT AND PRODUCTION METHOD THEREFOR}

본 발명은, 유기 EL 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 박막 트랜지스터에 접속된 화소 전극 상에, 유기 발광 재료층과 상부 전극이 적층된 구조를 갖는 유기 EL 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

최근, 유기 일렉트로 루미네센스(유기 EL) 소자를 이용한 표시 장치는, 음극선관(CRT)이나 액정 디스플레이(LCD)에 대체되는 박막 경량 표시 장치로서 주목받고 있다. 특히, 유기 EL 소자를 구동하는 스위칭 소자로서 박막 트랜지스터를 구비한 유기 EL 표시 장치의 연구 개발이 한창 진행되고 있다.

도 6에, 일본 특개 제2001-133807호 공보에 개시되어 있는 유기 EL 소자의 단면도를 나타낸다. 표면이 산화 실리콘막으로 피복된 투명 기판(1) 위에, 탑 게이트형 박막 트랜지스터(10)가 형성되어 있다. 박막 트랜지스터(TFT)(10)는, 소스 및 드레인으로 되는 제1 영역 R1 및 제2 영역 R2, 제1 영역 R1과 제2 영역 R2 사이의 채널 영역 C, 및 게이트 전극 G를 포함하여 구성된다.

TFT(10)의 제1 영역 R1 위에, 중간 접속 부재(15)가 형성되고, 제2 영역 R2에, 신호선(16)이 접속되어 있다. TFT(10), 중간 접속 부재(15), 및 신호선(16)을 피복하도록, 층간 절연막(20)이 형성되어 있다. 층간 절연막(20) 위에, 인듐 틴 옥사이드(ITO)로 이루어지는 투명 화소 전극(25)이 형성되어 있다.

화소 전극(25)의 외주와 중첩되도록 배치된 피복막(26)이, 화소 전극(25)의 모서리를 피복한다. 피복막(26)의 내측의 화소 전극(25) 위에, 유기 발광층(30)이 형성되어 있다. 유기 발광층(30)의 모서리는, 피복막(26) 위에 닿게 하고 있다. 유기 발광층(30) 및 층간 절연막(20) 위에, 상부 전극(35)이 형성되어 있다. 피복막(26)은, 화소 전극(25)과 상부 전극(35)이 단락되게 되는 것을 방지한다.

피복막(26)으로서, 감광성 레지스트 재료가 사용된다. 감광성 레지스트 재료를 사용함으로써, 레지스트 재료 도포, 노광, 현상의 3 공정에서 막의 패터닝을 행하는 것이 가능하다. 다른 절연 재료를 이용하는 경우에는, 절연막의 성막, 레지스트 패턴를 이용한 에칭, 레지스트 패턴의 제거 등의 여분의 공정이 필요하게 된다. 피복막(26)에 감광성 레지스트를 이용함으로써, 제조 공정의 간소화를 도모하는 것이 가능하다.

유기 EL 소자의 양극에 ITO를 이용한 경우, 유기 발광층의 성막 전에 ITO막의 표면을 강제 산화함으로써, 유기 EL 소자의 특성이 향상되는 것이 알려져 있다. 강제 산화의 방법으로서, 산소 플라즈마를 이용한 산화, 및 오존 분위기 속에서의 자외선 조사의 2개의 방법이 유효하다.

도 6에 나타낸 피복막(26)에 감광성 레지스트 재료를 이용한 경우, 화소 전극(25)을 산소 플라즈마에 노출시키면, 피복막(26)이 에칭된다. 따라서, 화소 전극(25) 표면의 강제 산화의 방법으로서, 오존 분위기 속에서 자외선 조사를 행하는 것이 바람직하다.

그런데, 화소 전극(25)에 자외선을 조사하면, TFT(10)에도 자외선이 조사된다. 자외선에 의해 TFT(10)가 손상을 받아서, 그 특성이 열화된다.

〈발명의 개시〉

본 발명의 목적은, 화소 전극에 자외선 조사를 행하여도, TFT 특성의 열화가 발생되기 어려운 유기 EL 소자 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 일 관점에 따르면, 기판 상에 형성되며, 소스 및 드레인으로 되는 제1 영역 및 제2 영역, 상기 제1 영역과 제2 영역 사이의 채널 영역, 및 게이트 전극을 갖는 박막 트랜지스터와, 상기 박막 트랜지스터를 피복하도록, 상기 기판 위에 배치된 층간 절연막과, 상기 층간 절연막 위에 배치되며, 해당 층간 절연막에 형성된 비아 홀 내를 경유하여 상기 박막 트랜지스터의 제1 영역에 전기적으로 접속된 화소 전극과, 상기 화소 전극의 모서리를 피복하고, 내부 영역은 피복하지 않는 피복막과, 상기 층간 절연막의 표면 중, 상기 박막 트랜지스터의 채널 영역과 중첩되는 영역을 피복하여, 자외선을 차광하는 차광막과, 상기 화소 전극 상에 배치된 유기 발광 재료를 포함하는 유기 발광층과, 상기 유기 발광층 위에 배치된 상부 전극을 갖는 유기 EL 소자가 제공된다.

본 발명의 다른 관점에 따르면, 기판의 주면 위에, 소스 및 드레인으로 되는 제1 영역 및 제2 영역, 상기 제1 영역과 제2 영역 사이의 채널 영역, 및 게이트 전극을 갖는 박막 트랜지스터를 형성하는 공정과, 상기 박막 트랜지스터를 피복하도록, 상기 기판 위에 층간 절연막을 형성하는 공정과, 상기 층간 절연막 위에, 상기 박막 트랜지스터의 제1 영역에 전기적으로 접속된 화소 전극을 형성하는 공정과, 상기 화소 전극의 모서리를 피복하고, 내부 영역은 노출시키며, 또한 상기 층간 절연막의 표면 중 상기 박막 트랜지스터의 채널 영역과 중첩되는 영역을 피복하는 피복막을 형성하는 공정과, 상기 화소 전극의 표면을 산화성 분위기에 노출시키면서, 상기 기판의 주면측으로부터 해당 기판에 자외선을 조사하는 공정과, 상기 화소 전극 상에, 유기 발광 재료를 포함하는 유기 발광층을 형성하는 공정과, 상기 유기 발광층 위에, 상부 전극을 형성하는 공정을 갖는 유기 EL 소자의 제조 방법이 제공된다.

기판에 자외선을 조사할 때에, 차광막이 자외선을 차광하기 때문에, TFT의 채널 영역까지 도달하는 자외선의 강도가 약해진다. 이 때문에, TFT 특성의 열화를 방지할 수 있다.

도 1은 제1 실시예에 따른 유기 EL 소자의 단면도.

도 2는 제1 실시예에 따른 유기 EL 소자의 평면도.

도 3A 및 도 3B는 제1 실시예에 따른 유기 EL 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 기판의 단면도.

도 4A는 제1 실시예에 따른 유기 EL 소자의 TFT의, 자외선 조사 전 및 조사 후의 특성을 나타내는 그래프이고, 도 4B는 종래의 유기 EL 소자의 TFT의, 자외선 조사 전 및 조사 후의 특성을 나타내는 그래프.

도 5는 제1 실시예에 따른 유기 EL 소자의 단면도.

도 6은 종래의 유기 EL 소자의 단면도.

〈발명을 실시하기 위한 최량의 형태〉

도 1에, 제1 실시예에 따른 유기 EL 소자의 단면도를 도시하며, 도 2에 1 화소의 평면도를 도시한다.

도 2에 도시한 바와 같이, 기판 상에, 행 방향으로 연장하는 복수의 게이트선(2) 및 열 방향으로 연장하는 복수의 신호선(16)이 배치되어 있다. 게이트선(2)과 신호선(16)은, 그 교차 부분에서 절연막에 의해 서로 절연되어 있다.

게이트선(2)과 신호선(16)의 교차 부분 각각에 TFT(10)가 배치되어 있다. TFT(10)는, 소스 및 드레인으로 되는 제1 영역 R1 및 제2 영역 R2와, 게이트 전극 G를 포함하여 구성된다. 게이트 전극 G는, 대응하는 게이트선(2)에 접속되어 있다. 제2 영역 R2는 대응하는 신호선(16)에 접속되어 있다.

서로 인접하는 2개의 게이트선(2) 및 서로 인접하는 2개의 신호선(16)으로 둘러싸인 영역에, 화소 전극(25)이 배치되어 있다. 화소 전극(25)은, 대응하는 TFT(10)의 제1 영역 R1에 접속되어 있다. 피복막(26)이, 화소 전극(25)의 외주에 중첩되도록 배치되며, 화소 전극(25)의 모서리, 및 화소 전극(25)의 외주보다도 외측의 임의의 폭의 영역을 피복하고 있다. 또한, 피복막(26)은, 기판의 법선 방향으로 평행한 시선으로 보았을 때, TFT(10)와 중첩되는 영역을 피복하고 있다. 화소 전극(25)의 모서리 이외의 내부 영역은 피복막(26)으로 피복되어 있지 않다.

도 1에, 도 2의 일점 쇄선 A1-A1에서의 단면도를 도시한다. 주면 위에 산화 실리콘막이 형성된 투명 기판(1)의 산화 실리콘막 상에, TFT(10)가 형성되어 있다. TFT(10)는, 기판(1)의 표면 상에 형성된 다결정 실리콘막(11), 그 위에 형성된 산화 실리콘으로 이루어지는 게이트 절연막 I, 그 위에 형성된 AlNd 합금으로 이루어지는 게이트 전극 G를 포함하여 구성된다. 다결정 실리콘막(11) 중 게이트 전극 G의 하방의 영역에 채널 영역 C가 획정되며, 그 양측에 소스 및 드레인으로 되는 n형의 제1 영역 R1 및 제2 영역 R2가 획정되어 있다. 다결정 실리콘막(11)의 두께는 20∼100㎚, 게이트 절연막 I의 두께는 100∼150㎚, 게이트 전극 G의 두께는 300∼400㎚이다.

TFT(10)를 피복하도록, 기판(1) 위에, 산화 실리콘 또는 산화 실리콘과 질화 실리콘의 적층으로 이루어지는 두께 300∼500㎚의 절연막(17)이 형성되어 있다. TFT(10)의 제1 영역 R1 및 제2 영역 R2에 대응하는 위치에, 절연막(17)을 관통하는 개구가 형성되어 있다. 절연막(17) 위에, 몰리브덴(Mo) 또는 티탄(Ti)/알루미늄(Al)/몰리브덴(Mo)의 적층으로 이루어지는 신호선(16)이 형성되어 있다. 신호선(16)은, 절연막(17)에 형성된 개구 내를 경유하여 TFT(10)의 제2 영역 R2에 접속되어 있다.

TFT(10)의 제1 영역 R1에 대응하는 절연막(17)의 표면 상에, 몰리브덴(Mo) 또는 티탄(Ti)/알루미늄(Al)/몰리브덴(Mo)의 적층으로 이루어지는 중간 접속 부재(15)가 형성되어 있다. 중간 접속 부재(15)는, 절연막(17)에 형성된 개구 내를 경유하여 제1 영역 R1에 접속되어 있다.

신호선(16), 중간 접속 부재(15)를 피복하도록, 절연막(17) 위에 층간 절연막(20)이 형성되어 있다. 층간 절연막(20)은 감광성 수지(예를 들면, 아크릴 수지)로 형성되어 있으며, 그 두께는 3.0㎛이다. 또한, 층간 절연막(20)의 표면은 평탄화되어 있다.

층간 절연막(20)에, 중간 접속 부재(15)의 상면을 노출시키는 개구가 형성되어 있다. 층간 절연막(20)의 표면 상에 ITO로 이루어지는 화소 전극(25)이 형성되어 있다. 화소 전극(25)은, 층간 절연막(20)에 형성된 개구 내를 경유하여 중간 접속 부재(15)에 접속되어 있다. 이것에 의해, 화소 전극(25)은, 중간 접속 부재(15)를 통해 TFT(10)의 제1 영역 R1에 전기적으로 접속된다.

화소 전극(25)의 외주를 따라 배치된 피복막(26)이, 화소 전극(25)의 모서리를 피복함과 함께, 층간 절연막(20)의 표면 중 TFT(10)의 상방의 영역을 피복한다. 피복막(26)은, 감광성 레지스트 재료, 예를 들면 노볼락계 레지스트 재료로 형성된다. 화소 전극(25)의 표면 중 피복막(26)으로 피복되어 있지 않은 영역 위에, 유기 발광층(30)이 형성되어 있다. 유기 발광층(30)은, 예를 들면 화소 전극(25)측으로부터 순서대로, 정공 주입층(30A), 정공 수송층(30B), 발광층(30C), 및 전자 수송층(30D)이 이 순서대로 적층된 4층 구조를 갖는다. 유기 발광층(30)의 모서리는, 피복막(26)의 상면의 일부까지 연장되어 있다.

유기 발광층(30) 및 피복막(26)을 상부 전극(35)이 피복한다. 상부 전극(35)은 알루미늄으로 형성되어 있으며, 그 두께는 100∼200㎚이다. 화소 전극(25)이 양극, 상부 전극(35)이 음극으로 되도록 양쪽에 전압이 인가된다. 피복막(26)은, 화소 전극(25)과 상부 전극(35)의 단락을 방지한다. 유기 발광층(30)에 전류가 주입되어, 발광이 생긴다. 이 광은 기판(1)을 통해 외부로 방사된다.

다음으로, 도 3A 및 도 3B를 참조하여, 상기 제1 실시예에 따른 유기 EL 소자의 제조 방법에 대하여 설명한다.

도 3A에 도시한 바와 같이, 예를 들면 코닝#1737 등의 글래스 기판의 표면 상에, 플라즈마 여기 화학 기상 성장(PECVD)에 의해 두께 50㎚의 질화 실리콘막을 퇴적시킴으로써 기판(1)을 제작한다. 또한, 질화 실리콘막 상에, 산화 실리콘막을 PECVD에 의해, 약 150∼300㎚의 두께로 퇴적시킨다. 그 위에, 비정질 실리콘막을 PECVD에 의해 퇴적시킨다.

질소 분위기 속에서, 450℃의 온도에서 1 시간 동안 열 처리를 행하여, 비정질 실리콘막 내의 수소를 제거한다. 파장 308㎚의 엑시머 레이저를 조사함으로써, 비정질 실리콘막을 다결정화한다. 조사하는 엑시머 레이저의 펄스 에너지 밀도는 300∼400mJ/㎠이다. 레이저 조사에 의해, 다결정 실리콘막(11)이 얻어진다. 다결정 실리콘막(11)을 반응성 이온 에칭에 의해 부분적으로 에칭하여, TFT가 배치되는 부분에 다결정 실리콘막(11)을 남긴다.

다결정 실리콘막(11)을 피복하도록, PECVD에 의해 두께 100∼150㎚의 산화 실리콘막을 형성한다. 이 산화 실리콘막 위에, 두께 300∼400㎚의 AlNd 합금막을 스퍼터링에 의해 형성한다.

AlNd 합금막의 표면을 레지스트 패턴으로 피복하고, AlNd 합금막을 웨트 에칭한다. 레지스트 패턴을 남긴 채, AlNd 합금막 아래의 산화 실리콘막을 CHF₃을 이용하여 드라이 에칭한다. 또한, 레지스트 패턴을 남긴 채로, AlNd 합금막을 가로방향으로 에칭하여, AlNd 합금막을 축소화한다. 이것에 의해, 산화 실리콘으로 이루어지는 게이트 절연막 I 및 AlNd 합금으로 이루어지는 게이트 전극 G가 형성된다. AlNd 합금막의 사이드 에칭 후, 레지스트 패턴을 제거한다.

플라즈마 도핑 장치를 이용하여, 1∼5%의 PH₃ 희석 가스 중에서 P⁺ 이온의 도핑을 행한다. 그 때, 제1회째의 도핑을, 가속 에너지 10keV, 도우즈량 5×10¹⁴∼1×10¹⁵㎝^-2의 조건에서 행하고, 제2회째의 도핑을, 가속 에너지 70keV, 도우즈량 5×10¹²∼5×10¹³㎝^-2의 조건에서 행한다. 이것에 의해, 저농도 드레인 구조(LDD 구조)의 n채널 TFT가 형성된다.

TFT(10)를 피복하도록, 기판(1) 위에, 두께 50㎚의 산화 실리콘층과 두께 350㎚의 질화 실리콘층의 적층으로 이루어지는 절연막(17)을 PECVD에 의해 형성한다. 절연막(17)의 소요 부분에 개구를 형성한다. 두께 30㎚의 티탄층과 두께 300㎚의 알루미늄층과 두께 50㎚의 몰리브덴층이 적층된 막을 퇴적시켜서 패터닝함으로써, 중간 접속 부재(15) 및 신호선(16)을 형성한다. 중간 접속 부재(15) 및 신호선(16)을 피복하도록, 감광성 수지(예를 들면, 아크릴 수지)로 이루어지는 층간 절연막(20)을 스핀 코트법에 의해 형성한다. 층간 절연막(20)에, 중간 접속 부재(15)의 상면을 노출시키는 개구를 형성한다.

ITO막을 스퍼터링에 의해 퇴적시켜서, 패터닝함으로써, 화소 전극(25)을 형성한다. 화소 전극(25)은, 층간 절연막(20)에 형성한 개구 내를 경유하여 중간 접속 부재(15)에 접속된다.

도 3B에 도시한 바와 같이, 감광성 레지스트 재료를 도포하고, 노광, 현상을 행함으로써, 피복막(26)을 형성한다. 기판(1)의 법선에 평행한 시선으로 보았을 때, 피복막(26)은 화소 전극(25)의 외주와 중첩됨과 함께, TFT(10)와 중첩된다.

기판을 오존 분위기 속에 배치하고, 화소 전극(25)이 형성되어 있는 면에, 저압 수은 램프를 이용하여 자외선을 조사한다. 조사되는 자외선의 주된 파장은 254㎚이다. 기판 표면에서의 자외선 강도는 약 6.7㎽/㎠이고, 조사 시간은 20분이다.

도 1에 도시한 바와 같이, 화소 전극(25) 위에, 섀도우 마스크를 이용한 진공 증착에 의해, 정공 주입층(30A), 정공 수송층(30B), 발광층(30C), 및 전자 수송층(30D)으로 이루어지는 유기 발광층(30)을 형성한다. 또한, 진공 증착에 의해 알루미늄으로 이루어지는 상부 전극(35)을 형성한다.

유기 발광층(30)을 퇴적하기 전에, ITO로 이루어지는 화소 전극(25)의 표면을 오존 분위기에 노출시켜 자외선 조사를 행함으로써, 유기 발광층(30)의 특성을 향상시킬 수 있다. 덧붙여서, 화소 전극(25)을 인듐을 포함하는 투명 도전성 재료로 형성하는 경우에도, 마찬가지의 효과가 기대된다.

상기 제1 실시예에서는, 도 3B에 도시한 자외선 조사 시에, 피복막(26)이 자외선을 차광하기 때문에, TFT(10)에 도달하는 자외선의 강도가 약해진다. 이 때문에, 자외선 조사에 의한 TFT(10)의 특성 열화를 방지할 수 있다. 덧붙여서, 피복막(26)이, 적어도 TFT(10)의 채널 영역 C와 중첩되도록 배치하면, TFT(10)의 특성 열화를 방지할 수 있다.

도 4A에, TFT(10)의 게이트 전압과 소스 드레인 간 전류 간의 관계를 나타낸다. 횡축은 게이트 전압을 단위 「V」로 나타내며, 종축은 소스 드레인 간 전류를 단위 「A」로 나타낸다. 도면 중의 검정색 동그라미는 자외선 조사 전의 특성을 나타며, 흰색 동그라미는 자외선 조사 후의 특성을 나타낸다. 비교를 위해, 도 4B에, 피복막(26)으로 차광하지 않고 자외선 조사를 행한 경우의 TFT의 특성을 나타낸다. 도면 중의 검정색 동그라미는 자외선 조사 전의 특성을 나타내며, 흰색 동그라미는 자외선 조사 후의 특성을 나타낸다.

피복막으로 TFT를 차광하지 않은 경우에는, 도 4B에 도시한 바와 같이, 자외선 조사에 의해 임계값이 변동됨과 함께, 온 전류가 저하되어 있는 것을 알 수 있다. 이것에 대하여, 제1 실시예와 같이, 피복막(26)으로, TFT(10)에 입사되는 자외선을 차광한 경우에는, 임계값의 변동이나 온 전류의 저하는 보이지 않는다.

TFT(10) 특성의 열화 방지의 충분한 효과를 얻기 위해, 피복막(26)의 자외선 투과율을 30% 이하로 하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 자외선 광원으로서 저압 수은 램프를 사용하는 경우에는, 파장 254㎚에서의 피복막(26)의 투과율을 30% 이하로 하는 것이 바람직하다.

상기 제1 실시예에서는, 오존 분위기 속에서 자외선 조사를 행하였지만, 오존 이외의 산화성 분위기 속에서 자외선 조사를 행하여도 된다.

도 5에, 제2 실시예에 따른 유기 EL 소자의 단면도를 나타낸다. 제1 실시예에서는, 도 1에 도시한 바와 같이, 화소 전극(25)의 모서리를 피복하는 피복막(26)을 TFT(10)의 상방의 영역까지 넓히고, 피복막(26)의 일부를 차광막으로서 이용하였다. 제2 실시예에서는, 피복막(26)은, 화소 전극(25)의 모서리를 피복할 뿐, TFT(10)의 상방까지는 넓혀져 있지 않다. 그 대신, TFT(10) 상방의 영역이, 금속제, 예를 들면 알루미늄의 차광막(36)으로 피복되어 있다. 차광막(36)은, 예를 들면 리프트 오프법 등에 의해 형성할 수 있다.

제2 실시예에서는, 제1 실시예에 비해 차광막(36)의 형성 공정이 새롭게 필요하게 되지만, 자외선을 보다 차광하기 쉬운 금속으로 차광막(36)을 형성함으로써, 자외선의 투과율을 보다 적게 할 수 있다.

이상 실시예를 따라 본 발명을 설명하였지만, 본 발명은 이들에 제한되는 것은 아니다. 예를 들면, 여러가지의 변경, 개량, 조합 등이 가능함은 당업자에게 자명할 것이다.

Claims

기판 상에 형성되며, 소스 및 드레인으로 되는 제1 영역 및 제2 영역, 상기 제1 영역과 제2 영역 사이의 채널 영역, 및 게이트 전극을 갖는 박막 트랜지스터와,

상기 박막 트랜지스터를 피복하도록, 상기 기판 위에 배치된 층간 절연막과,

상기 층간 절연막 위에 배치되며, 상기 층간 절연막에 형성된 비아 홀 내를 경유하여 상기 박막 트랜지스터의 제1 영역에 전기적으로 접속된 화소 전극과,

상기 화소 전극의 모서리를 피복하고, 내부 영역은 피복하지 않은 피복막과,

상기 층간 절연막의 표면 중, 상기 박막 트랜지스터의 채널 영역과 중첩되는 영역을 피복하여, 자외선을 차광하는 차광막과,

상기 화소 전극 상에 배치된 유기 발광 재료를 포함하는 유기 발광층과,

상기 유기 발광층 위에 배치된 상부 전극

을 갖는 유기 EL 소자.
제1항에 있어서,

상기 피복막과 상기 차광막이 동일한 재료로 이루어지는 1개의 층으로 구성되어 있는 유기 EL 소자.
제2항에 있어서,

상기 피복막 및 상기 차광막이 감광성 레지스트 재료로 형성되어 있는 유기 EL 소자.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 화소 전극이, 인듐을 포함하는 투명 도전성 재료로 형성되어 있는 유기 EL 소자.
기판의 주면 위에, 소스 및 드레인으로 되는 제1 영역 및 제2 영역, 상기 제1 영역과 제2 영역 사이의 채널 영역, 및 게이트 전극을 갖는 박막 트랜지스터를 형성하는 공정과,

상기 박막 트랜지스터를 피복하도록, 상기 기판 위에 층간 절연막을 형성하는 공정과,

상기 층간 절연막 위에, 상기 박막 트랜지스터의 제1 영역에 전기적으로 접속된 화소 전극을 형성하는 공정과,

상기 화소 전극의 모서리를 피복하고, 내부 영역은 노출시키며, 또한 상기 층간 절연막의 표면 중 상기 박막 트랜지스터의 채널 영역과 중첩되는 영역을 피복하는 피복막을 형성하는 공정과,

상기 화소 전극의 표면을 산화성 분위기에 노출시키면서, 상기 기판의 주면측으로부터 해당 기판에 자외선을 조사하는 공정과,

상기 화소 전극 상에, 유기 발광 재료를 포함하는 유기 발광층을 형성하는 공정과,

상기 유기 발광층 위에, 상부 전극을 형성하는 공정

을 포함하는 유기 EL 소자의 제조 방법.
제5항에 있어서,

상기 피복막을 통과하는 상기 자외선의 투과율이 30% 이하인 유기 EL 소자의 제조 방법.
제5항 또는 제6항에 있어서,

상기 피복막을 형성하는 공정이,

상기 층간 절연막의 표면에 감광성 레지스트를 도포하여 레지스트막을 형성하는 공정과,

상기 레지스트막을 부분적으로 노광하고, 현상함으로써, 남아있는 레지스트막으로 이루어지는 상기 피복막을 형성하는 공정

을 포함하는 유기 EL 소자의 제조 방법.
제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 화소 전극이, 인듐을 포함하는 투명 도전성 재료로 형성되어 있는 유기 EL 소자의 제조 방법.