JP2019032456A - 押圧センサを備える表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】製造工程が簡単な押圧センサを備える表示装置を提供することを目的の一つとする。【解決手段】表示装置であって、可撓性基板と、ＴＦＴと、ＴＦＴのチャネルと可撓性基板との間に配置される第１の電極と、ＴＦＴと第１の電極との間に配置される少なくとも一つの無機絶縁膜と、第１の電極に対してＴＦＴが配置される側とは反対側に配置される第２の電極と、を有し、前記有機絶縁膜は、可撓性基板と第２の電極との間に配置される。【選択図】図１

Description

本発明は、押圧センサを備える表示装置に関する。

表示パネルと入力装置とが一体に設けられた表示装置が知られている。表示パネルは、例えば、液晶パネルである。入力装置は、例えば、タッチセンサや、押押圧を検出可能な押圧センサである。表示装置に、タッチセンサや、押押圧を検出可能な押圧センサを付加することで、表示装置の多機能化を実現することができる。また、近年、表示パネルとして、有機エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示パネル（以下、ＥＬ表示パネルと記す）が、普及し始めている。ＥＬ表示パネルは、表示パネルの軽量化や、低消費電力化を実現することができる。

例えば、特許文献１には、表示装置と入力装置とが一体に設けられた情報入力装置において、押圧センサの配置を簡単にすることで、装置の製造工程を簡素化することが開示されている。

特開２０１７−１０１０６号公報

表示装置に押押圧を検出するという機能を付加することで、表示装置を多機能化することができる。一方で、表示装置の多機能化は、表示装置の製造工程を複雑にするため、製造コストが増加してしまう。したがって、表示装置において、多機能化をすることと、表示装置の多機能化をする上で、製造工程の簡略化は課題である。

このような課題に鑑み、本発明の一実施形態は、製造工程が簡単な押圧センサを備える表示装置を提供することを目的の一つとする。

表示装置であって、可撓性基板と、ＴＦＴと、ＴＦＴのチャネルと可撓性基板との間に配置される第１の電極と、ＴＦＴと第１の電極との間に配置される少なくとも一つの無機絶縁膜と、第１の電極に対してＴＦＴが配置される側とは反対側に配置される第２の電極と、を有する。

本発明の一実施形態に係る表示装置を示す模式的な斜視図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置を示す模式的な平面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置が有する画素の回路図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置が有する画素の模式的なレイアウト図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の模式的な断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置を押したときの一例を示す模式的な断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置のタイミングチャートである。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造工程の一例を示す模式的な断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造工程の一例を示す模式的な断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造工程の一例を示す模式的な断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造工程の一例を示す模式的な断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の模式的な断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の模式的な平面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の模式的な断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の模式的な平面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の模式的な断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の模式的な平面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の模式的な断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置のタイミングチャートである。

以下、本発明の実施形態を、図面等を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。さらに、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号（又は数字の後にａ、ｂなどを付した符号）を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。なお、各要素に対する「第１」、「第２」と付記された文字は、各要素を区別するために用いられる便宜的な標識であり、特段の説明がない限りそれ以上の意味を有さない。

本明細書において、ある部材又は領域が他の部材又は領域の「上に（又は下に）」あるとする場合、特段の限定がない限りこれは他の部材又は領域の直上（又は直下）にある場合のみでなく他の部材又は領域の上方（又は下方）にある場合を含み、すなわち、他の部材又は領域の上方（又は下方）において間に別の構成要素が含まれている場合も含む。なお、以下の説明では、特に断りのない限り、断面視においては、第１基板に対して第２基板が配置される側を「上」又は「上方」といい、その逆を「下」又は「下方」として説明する。

本明細書において説明される第１基板は、少なくとも平面状の一主面を有し、この一主面上に絶縁層、半導体層及び導電層の各層、あるいはトランジスタ及び発光素子等の各素子が設けられる。以下の説明では、断面視において、第１基板の一主面を基準とし、第１基板に対して「上」、「上層」、「上方」又は「上面」として説明する場合には、特に断りのない限り、第１基板の一主面を基準にして述べるものとする。

（第１実施形態）
本実施形態では、本発明の一実施形態に係る押圧センサを備える表示装置の構成を説明する。本発明の一実施形態に係る押圧センサを備える表示装置はＥＬ表示パネルである例を示す。

図１は、本発明の一実施形態に係る表示装置の模式的な斜視図である。

表示装置６００は、少なくとも、第１の導電膜を有する層５０１、可撓性基板５０２、有機絶縁膜５０３、及び第２の導電層５０５を有する。第１の導電膜を有する層５０１は、第１の無機絶縁膜３４２、第１の導電膜３４４、第２の無機絶縁膜３４６、及び第３の無機絶縁膜３４８より構成されている。可撓性基板５０２の上面に、第１の導電膜を有する層５０１が配置される。可撓性基板５０２の上面とは反対側の面（下面）に、有機絶縁膜５０３と、第２の導電層５０５とが配置される。第１の導電膜を有する層５０１、可撓性基板５０２、有機絶縁膜５０３、及び第２の導電層５０５により、押圧センサが構成される。なお、第１の導電膜３４４は、図１においては第１の無機絶縁膜３４２と第２の無機絶縁膜３４６との間に設けられているが、第２の無機絶縁膜３４６と第３の無機絶縁膜３４８との間に設けられていても良い。

第１の導電膜を有する層５０１の上面には、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ、Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）アレイ層３０が配置される。ＴＦＴアレイ層３０は、表示領域５０４、画像信号線駆動回路５０６、走査信号線駆動回路５０８及び５１０、端子電極５１４、周辺領域５１６有する。表示領域５０４は、表示装置６００に画像を表示するための画素１２０を有する。画素１２０は、ＴＦＴを有し、ＴＦＴを駆動することで、表示装置６００に画像を表示することができる。

表示装置６００は、例えば、指によって表面に押圧をかけられることで、有機絶縁膜５０３が圧縮される。指によって押圧をかけられた領域の有機絶縁膜５０３が圧縮されることによって、指によって押圧をかけられた領域の第１の導電膜を有する層５０１と、第２の導電層５０５との距離が短くなり、第１の導電膜と第２の導電層５０５との間の容量値が増加する。指によって押圧をかけられる前と、指によって押圧をかけられた後との、第１の導電膜３４４と第２の導電層５０５との間の容量を充放電したときの電流の変化を検出することで、第１の導電膜を有する層５０１と第２の導電層５０５との容量値の変化を算出する。第１の導電膜を有する層５０１は、複数の第１の導電膜３４４を有する（図２に図示）。なお、有機絶縁膜５０３は可撓性基板５０２と第１の導電膜を有する層５０１との間にあってもよい。

図２は、本発明の一実施形態に係る表示装置６００の模式的な平面図である。図１で説明した内容は省略する。画素１２０は、表示領域５０４に配置されている。画素１２０は、半導体層３１２を有する。第１の導電膜３４４は半導体層３１２に重なり、半導体層３１２の下面に配置される。

表示領域５０４の外には、画素１２０の駆動を制御するための走査信号線駆動回路５１０（５０８は省略）及び画像信号線駆動回路５０６が設けられる。図２においては、画像信号線駆動回路５０６はＩＣチップを用いた例を示す。ここでは、走査信号線駆動回路５１０及び画像信号線駆動回路５０６は第１の導電膜を有する層５０１の上に設けられる例を示すが、この例に限定されない。例えば、可撓性基板５０２とは異なる基板（半導体基板など）の上に形成された駆動回路を、可撓性基板５０２やフレキシブルプリント回路（ＦＰＣ、Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）基板などのコネクタ５１２の上に設け、これらの駆動回路によって各画素１２０を制御してもよい。また、走査信号線駆動回路５１０及び画像信号線駆動回路５０６が有する回路の一部または全部を可撓性基板５０２とは異なる基板の上に形成し、可撓性基板５０２やコネクタ５１２の上に設ける構成としてもよい。また、画像信号線駆動回路５０６に含まれる駆動回路あるいは駆動回路の一部が、可撓性基板５０２の上に直接形成されてもよい。なお、ここでは図示していないが、可撓性基板５０２の上には、画素１２０内に設けられる発光素子などの表示素子、およびそれらを制御するための各種半導体素子が形成される。

また、表示装置６００は、第１の配線２０６、コンタクトホール２０８、第１の端子配線２１０、第１の端子２１２、第２の配線２１６、コンタクトホール２１８、第２の端子配線２２０、第２の端子２２２なども有する。これらも、走査信号線駆動回路５１０と同様に、第１の導電膜を有する層５０１の上に設けられる。

第１の導電膜３４４は、表示領域５０４の外から延びる第１の配線２０６と電気的に接続される。第１の配線２０６は表示領域５０４の外を延伸し、コンタクトホール２０８を介して第１の端子配線２１０と電気的に接続される。第１の端子配線２１０は表示装置１００の端部付近で露出され、第１の端子２１２を形成する。第１の端子２１２はコネクタ５１２と接続される。

図２においては、理解の促進のため、一部の第１の導電膜３４４は第１の配線２０６に電気的に接続されていない例を示している。実際は、一つの第１の導電膜３４４に、一つの第１の配線２０６が電気的に接続される。一つの第１の導電膜３４４に、一つの第１の配線２０６が電気的に接続されることで、第１の導電膜３４４の各々に、独立に電圧を印加することができる。なお、第１の導電膜３４４の各々に、独立に信号を供給してもよい。また、第１の導電膜３４４の各々に、異なる電圧、又は異なる信号を供給してもよい。第１の導電膜３４４の各々に独立に電圧、又は信号を印加することで、第１の導電膜３４４の各々と第２の導電層５０５との間の容量を検出することができるため、表示装置６００が押圧された位置を特定することができる。すなわち、押圧センサにより、表示装置６００が押圧された位置を特定することができる。また、第１の導電膜３４４の各々に、独立に電圧、又は信号を印加することで、第１の導電膜３４４の上に配置されているＴＦＴの特性を安定させることができる。例えば、各々のＴＦＴの閾値を制御することで、ＴＦＴに流れる電流を揃えることができる。ＴＦＴに流れる電流を揃えることで、表示装置に表示された画像にムラが無く、鮮明な画像を表示可能な表示装置を提供することができる。

さらに、画素１２０への信号の供給は、外部回路（図示せず）から第１の端子２１２、走査信号線駆動回路５１０及び画像信号線駆動回路５０６を経由して、行われる。第１の端子２１２は、表示装置１００の一つの辺に並ぶように形成することができる。このため、単一のコネクタ５１２を用いて、表示領域５０４、及び第１の導電膜３４４の各々に、独立して、電圧や信号を供給することができる。

画素１２０の配列は、ストライプ配列である例を示している。画素１２０のそれぞれは、例えば、三つの副画素１３０、副画素１３２、副画素１３４（図５で後述）に対応していてもよい。三つの副画素で一つの画素１０２（図５で後述）が形成されてもよい。各副画素には発光素子などの表示素子が一つ備えられる。副画素が対応する色は発光素子、あるいは副画素上に設けられるカラーフィルタの特性によって決定される。本明細書及び請求項では、画素１２０は、それぞれ一つの発光素子を有し、かつ、少なくとも一つは異なる色を与える副画素を複数備え、表示領域５０４で再現される画像の一部を構成する最小単位である。表示領域５０４が有する副画素はいずれかの画素に含まれる。

また、ストライプ配列では、三つの副画素１３０、副画素１３２、副画素１３４が互いに異なる色を与えるように構成することができ、例えば、副画素１３０、副画素１３２、副画素１３４にそれぞれ、赤色、緑色、青色の三原色を発する発光層を備えることができる。そして、三つの副画素のそれぞれに任意の電圧あるいは電流を供給することで、フルカラーの表示装置を提供することができる。

図３に、本発明の一実施形態に係る表示装置が有する画素１２０の画素回路４３０の回路図を示す。なお、以下で説明する画素回路４３０の回路構成は一例であって、これに限定されるものではない。

複数の画素回路４３０の各々は、少なくとも駆動トランジスタ４３４、選択トランジスタ４３２、発光素子４３６及び保持容量４３８を含む。

駆動トランジスタ４３４は、発光素子４３６に接続され、発光素子４３６の発光輝度を制御するトランジスタである。駆動トランジスタ４３４は、ゲート−ソース間電圧によってドレイン電流が制御される。駆動トランジスタ４３４は、ゲートが選択トランジスタ４３２のドレインに接続され、ソースが駆動電源線４２８に接続され、ドレインが発光素子４３６の陽極に接続されている。

選択トランジスタ４３２は、オンオフ動作により、画像信号線４０９と駆動トランジスタ４３４のゲートとの導通状態を制御するトランジスタである。選択トランジスタ４３２は、ゲートが走査信号線４１０に接続され、ソースが画像信号線４０９に接続され、ドレインが駆動トランジスタ４３４のゲートに接続されている。

発光素子４３６は、陽極が駆動トランジスタ４３４のドレインに接続され、陰極が基準電源線４２６に接続されている。すなわち、駆動電源線４２８と基準電源線４２６との間には、駆動トランジスタ４３４と発光素子４３６が直列に接続されており、駆動トランジスタ４３４によって、駆動電源線４２８から発光素子４３６を通じて基準電源線４２６に流れる電流値が制御される。

保持容量４３８は、駆動トランジスタ４３４のゲート−ドレイン間に接続される。保持容量４３８は、駆動トランジスタ４３４のゲート−ドレイン間電圧を保持する。

ここで、基準電源線４２６は、複数の画素１２０に共通して設けられている。基準電源線には、複数の端子電極２１２から定電位が与えられる。

図４に、２行×３列の画素１２０を示す。図４には、画素１２０を構成する信号線及び半導体層を示しており、絶縁膜については図示を省略している。

図４において、表示領域５０４の一方向（ｘ方向）に対して、走査信号線４１０、及び駆動電源線４２８−２が配置されている。表示領域５０４の一方向と交差する方向（ｙ方向）に、映像信号線４０９、及び駆動電源線４２８−１が配置されている。また、走査信号線４１０、及び駆動電源線４２８−２と重なるように、半導体層１４１及び半導体膜１４２が設けられている。半導体層１４１と走査信号線４１０とが重なる領域１４１ａは、選択トランジスタ４３２（図４に示す）のチャネル領域として機能する。半導体層１４２とゲート電極１４６とが重なる領域１４２ａは、駆動トランジスタ４３４（図４に示す）のチャネル領域として機能する。

半導体層１４１のソース領域またはドレイン領域の一方は、映像信号線４０９と接続されている。半導体層１４１のソース領域又はドレイン領域の他方は、ソース電極またはドレイン電極１４８−１が接続されている。また、半導体層１４２のソース領域又はドレイン領域の一方は、駆動電源線４２８−２が接続されている。半導体層１４２のソース領域又はドレイン領域の他方は、ソース電極またはドレイン電極１４８−２が接続されている。また、半導体層１４１は、ソース電極またはドレイン電極１４８−１を介して、ゲート電極１４６と接続されている。

図５は、本発明の一実施形態に係る表示装置の模式的な断面図である。

可撓性基板５０２の下側に有機絶縁膜５０３が配置されている。有機絶縁膜５０３の下に第２の導電層５０５が配置されている。図５は、第２の導電層５０５が表示装置の下側の一部に配置されている例を示しているが、この構成に限定されない。第２の導電層５０５は少なくとも表示領域５０４に重なるように配置されていればよい。また、表示装置の下側の全面に配置されていてもよい。

可撓性基板５０２の上側には、第１の導電膜を有する層５０１が配置されている。第１の導電膜を有する層５０１は、第１の無機絶縁膜３４２、第１の導電膜３４４、第２の無機絶縁膜３４６、及び第３の無機絶縁膜３４８より構成されている。第１の無機絶縁膜３４２、第２の無機絶縁膜３４６、及び第３の無機絶縁膜３４８は、表示装置６００の下地膜である。

下地膜１０６の上側には、トランジスタ１４０が設けられる。トランジスタ１４０は半導体膜１４２、ゲート絶縁膜１４４、ゲート電極１４６、ソース電極またはドレイン電極１４８などを含む。ゲート電極１４６はゲート絶縁膜１４４を介して半導体膜１４２と重なっており、ゲート電極１４６と重なる領域が半導体膜１４２のチャネル領域１４２ａである。半導体膜１４２はチャネル領域１４２ａを挟むようにソース及びドレイン領域１４２ｂを有してもよい。ゲート電極１４６上には層間膜１０８を設けることができ、層間膜１０８とゲート絶縁膜１４４に設けられる開口において、ソース電極またはドレイン電極１４８はソース及びドレイン領域１４２ｂと接続される。

層間膜１０８上には、第１の端子配線２１０が設けられる。第１の端子配線２１０はソース電極またはドレイン電極１４８と同一の層内に存在することができる。図示していないが、第１の端子配線２１０はゲート電極１４６と同一の層内に存在するよう構成してもよい。

ソース電極またはドレイン電極１４８は、層間膜１０８、ゲート絶縁膜１４４、及び第１の無機絶縁膜に設けられる開口において第１の導電膜３４４と接続される。なお、第１の導電膜３４４は、ゲート絶縁膜１４４、及び第１の無機絶縁膜に設けられる開口を設けて、ゲート電極１４６に接続されるようになっていてもよい。

図５では、トランジスタ１４０はトップゲート型のトランジスタとして図示されている。しかし、トランジスタ１４０の構造に制限はなく、ボトムゲート型トランジスタ、ゲート電極１４６を複数有するマルチゲート型トランジスタ、半導体膜１４２の上下を二つのゲート電極１４６で挟持する構造を有するデュアルゲート型トランジスタであってもよい。また、図５では、一つの画素１０２が副画素１３０、副画素１３２、副画素１３４の３つの副画素を有する例を示している。また、図５では、各副画素１３０、各副画素１３２、各副画素１３４のそれぞれには、一つのトランジスタ１４０が設けられる例が示されている。各副画素１３０、各副画素１３２、各副画素１３４は複数のトランジスタや容量素子などの半導体素子をさらに有してもよい。

トランジスタ１４０上には、平坦化膜１１４が備えられる。平坦化膜１１４はトランジスタ１４０やその他の半導体素子に起因する凹凸を吸収して平坦な表面を与える機能を有する。平坦化膜１１４としては、膜表面の平坦性に優れるアクリル、ポリイミド等から選ばれた有機化合物材料を用いることができる。

平坦化膜１１４上には無機絶縁膜１５０を形成してもよい。無機絶縁膜１５０はトランジスタ１４０などの半導体素子を保護する機能を有するとともに、後述する発光素子１６０の第１の電極１６２と、無機絶縁膜１５０の下層に、第１の電極１６２とで無機絶縁膜１５０を挟むように形成される電極（図示せず）との間で容量を形成するようにしてもよい。

平坦化膜１１４、及び無機絶縁膜１５０には複数の開口が設けられる。そのうちの一つはコンタクトホール１５２であり、後述する発光素子１６０の第１の電極１６２とソース電極またはドレイン電極１４８の電気的接続に用いられる。開口の一つはコンタクトホール２０８であり、第１の配線２０６と第１の端子配線２１０の電気的接続に用いられる。他の一つは開口１５４であり、第１の端子配線２１０の一部を露出するように設けられる。開口１５４で露出した第１の端子配線２１０は、例えば異方性導電膜２５２などによりコネクタ５１２と接続される。

平坦化膜１１４、及び無機絶縁膜１５０上に発光素子１６０が形成される。発光素子１６０は、第１の電極（画素電極）１６２、機能層１６４、第２の電極（対向電極）１６６によって構成される。より具体的には、第１の電極１６２は、コンタクトホール１５２を覆い、ソース電極またはドレイン電極１４８と電気的に接続されるように設けられる。これにより、トランジスタ１４０を介して電流が発光素子１６０へ供給される。第１の電極１６２の端部を覆うように隔壁１６８が設けられる。隔壁１６８は第１の電極１６２の端部を覆うことで、その上に設けられる機能層１６４や第２の電極１６６の断線を防ぐことができる。機能層１６４は第１の電極１６２と隔壁１６８を覆うように設けられ、その上に第２の電極１６６が形成される。第１の電極１６２と第２の電極１６６からキャリアが機能層１６４へ注入され、キャリアの再結合が機能層１６４内で生じる。これにより、機能層１６４内の発光性分子が励起状態となり、これが基底状態へ緩和するプロセスを経て発光が得られる。したがって、第１の電極１６２と機能層１６４が接する領域が各副画素１３０、各副画素１３２、各副画素１３４における発光領域となる。

機能層１６４の構成は適宜選択することができ、例えばキャリア注入層、キャリア輸送層、発光層、キャリア阻止層、励起子阻止層などを組み合わせて構成することができる。図５では、機能層１６４が三つの層１７０、１７６、１７４を有する例が示されている。この場合、例えば層１７０はキャリア（ホール）注入及び輸送層、層１７６は発光層、層１７４はキャリア（電子）注入及び輸送層とすることができる。発光層である層１７６は、副画素１３０、各副画素１３２、各副画素１３４で異なる材料を含むように構成することができる。この場合、他の層１７０や層１７４は副画素１３０、各副画素１３２、各副画素１３４で共有されるよう、副画素１３０、各副画素１３２、各副画素１３４、及び隔壁１６８上にわたって形成すればよい。層１７６で用いる材料を適宜選択することで、副画素１３０、各副画素１３２、各副画素１３４で異なる発光色を得ることができる。あるいは、層１７４の構造を副画素１３０、各副画素１３２、各副画素１３４間で同一としてもよい。この場合、層１７４も副画素１３０、各副画素１３２、各副画素１３４で共有されるよう、副画素１３０、各副画素１３２、各副画素１３４、及び隔壁１６８上にわたって形成すればよい。このような構成では各副画素１３０、各副画素１３２、各副画素１３４の層１７６から同一の発光色が出力されるため、例えば層１７６を白色発光可能な構成とし、カラーフィルタを用いて種々の色（例えば、赤色、緑色、青色）をそれぞれ副画素１３０、各副画素１３２、各副画素１３４から取り出してもよい。

なお、表示装置６００はさらに、コンタクトホール２０８と開口１５４を覆い、第１の端子配線２１０と接する接続電極２３４、２３６を有してもよい。これらの接続電極２３４、２３６は、第１の電極１６２と同一層内に存在することができる。接続電極２３４、２３６を形成することで、表示装置６００の製造工程における第１の端子配線２１０に対するダメージを低減することが可能となり、コンタクト抵抗の低い電気的接続が実現できる。

発光素子１６０上には、封止膜（パッシベーション膜）１８０が設けられる。封止膜１８０は、外部から発光素子１６０やトランジスタ１４０に不純物（水、酸素など）が侵入することを防ぐ機能を有する。図５に示すように、封止膜１８０は三つの層１８２、１８４、１８６を含むことができる。層（第１の無機膜）１８２と層（第２の無機膜）１８６では、無機化合物を含む無機膜を用いることができる。一方、第１の無機膜１８２と第２の無機膜１８６の間の層１８４では、アクリル、ポリイミド等から選ばれた有機化合物を含む膜（有機膜）１８４を用いることができる。有機膜１８４は、発光素子１６０や隔壁１６８に起因する凹凸を吸収して平坦な面を与えるように形成することができる。このため、有機膜１８４の厚さを比較的大きくすることができる。

なお、第１の無機膜１８２と第２の無機膜１８６は少なくとも表示領域５０４を覆うように形成することが好ましい。かつ、第１の無機膜１８２と第２の無機膜１８６はコンタクトホール２０８や開口１５４と重ならないように形成することが好ましい。これにより、第１の端子配線２１０とコネクタ５１２や第１の配線２０６との間でコンタクト抵抗の低い電気的接続が可能となる。さらに、表示領域５０４の周囲で、第１の無機膜１８２と第２の無機膜１８６が直接接することが好ましい（円１８８で囲った領域参照）。これにより、第１の無機膜１８２や第２の無機膜１８６と比較して親水性の高い有機膜１８４を第１の無機膜１８２と第２の無機膜１８６によって封止することができるため、外部からの不純物の侵入、ならびに表示領域５０４内での不純物の拡散をより効果的に防ぐことができる。

第２の無機膜１８６の上には、カバーフィルム２６８が配置される。第１の端子配線２１０が、層間膜１０８、ゲート絶縁膜１４４、第１の無機絶縁膜３４２、第２の無機絶縁膜３４６、及び第３の無機絶縁膜３４８を開口する領域と、可撓性基板５０２とに接するように配置されている領域が、表示装置６００が折り曲げることができる領域である。カバーフィルム２６８は、当該折り曲げることができる領域までの表示装置６００の表面を保護する。また、第２の導電層５０５の下には、カバーフィルム２６９が配置される。カバーフィルム２６９は、第２の導電層５０５が損傷することを保護するとともに、表示装置６００の裏面も保護する。なお、カバーフィルム２６８及びカバーフィルム２６９はなくてもよいし、カバーフィルム２６８自体が折り曲げに対して十分に柔軟性がある材質であれば、折り曲げることができる領域まで延在しても良い。

図６は、本発明の一実施形態に係る表示装置を押したときの一例を示す模式的な断面図である。図２に示すＡ１とＡ２の間の断面図である。なお、第１の導電膜を有する層５０１よりも上の層は省略している。

第１の導電膜を有する層５０１は、第１の無機絶縁膜３４２、第１の導電膜３４４、第２の無機絶縁膜３４６、及び第３の無機絶縁膜３４８より構成されている。

表示装置を押したとき、第１の無機絶縁膜３４２、第１の導電膜３４４、第２の無機絶縁膜３４６、及び第３の無機絶縁膜３４８は、膜厚がほとんど変化がない。一方、有機絶縁膜５０３は、圧縮される。有機絶縁膜５０３は、第１の無機絶縁膜３４２、第１の導電膜３４４、第２の無機絶縁膜３４６、及び第３の無機絶縁膜３４８よりも圧縮されやすい。すなわち、有機絶縁膜５０３は、第１の無機絶縁膜３４２、第１の導電膜３４４、第２の無機絶縁膜３４６、及び第３の無機絶縁膜３４８よりも弾性率が大きい。

有機絶縁膜５０３、第１の無機絶縁膜３４２、第１の導電膜３４４、第２の無機絶縁膜３４６、及び第３の無機絶縁膜３４８などの各材料の圧縮され易さは、例えば、各材料のヤング率により判断することができる。すなわち、有機絶縁膜５０３は、第１の無機絶縁膜３４２、第１の導電膜３４４、第２の無機絶縁膜３４６、及び第３の無機絶縁膜３４８よりもヤング率が大きい。

ヤング率は、例えば、静的に求める方法、自由共振法などがある。静的に求める方法は、評価対象物の試験片に引張あるいは圧縮、曲げ、ねじりなどの静的荷重を加え、応力とひずみを測定し弾性率を求める方法である。自由共振法は、評価対象物の試料に自由振動あるいは強制振動を起こさせてその固有振動を測定し弾性率を求める方法である。

ヤング率を算出する数式は、例えば、数式１がある。数式１において、Ｅはヤング率、Ｌ、ｂ、ｄ及びｇは、それぞれ試料片の長さ（ｍ）、幅（ｍ）、厚さ（ｍ）及び質量（ｇ）、λは共振周波数（Ｈｚ）である。

図７は、本発明の一実施形態に係る表示装置のタイミングチャートである。

図７の横軸は時間である。横軸に示した１Ｈは一画面分のデータを画素１２０のそれぞれに書き込み、画像を表示する時間と、指が表示装置を押圧したときに、容量を検出する時間を有する。例えば、１Ｈは１／６０秒である。画像を書き込んで表示している期間（Ｐｅｍｉ）は、容量検出は行わない期間（Ｐｎｔｏｕｃｈ）である。画像を書き込んでおらず、表示もしていない期間（Ｐｎｅｍｉ）は、容量検出を行う期間（Ｐｔｏｕｃｈ）である。

Ｐｎｔｏｕｃｈでは、第１の導電膜３４４に印可される電圧はＶ０である。図２に示した第１の導電膜３４４に印可する電圧がＶ０である。図２を参照すれば、Ｖ０は、外部回路（図示せず）から第１の端子２１２を経由して、第１の導電膜３４４に与えられる。Ｖ０は例えば０Ｖである。なお、Ｖ０は０Ｖである例を示したが、０Ｖに限定されない。例えば、印加される電圧は０Ｖ以外の定電圧でもよいし、Ｖ０は時間により変化してもよい。また、第１の導電膜３４４には、時間により変化する信号であってもよい。

Ｐｔｏｕｃｈでは、第１の導電膜３４４に印可される電圧はＶ１である。Ｖ１はＶ０よりも大きな値である。図示は省略するが、第２の導電層５０５に印可される電圧は、全ての期間において定電圧であることが望ましい。定電圧とは、例えば、０ＶやＧＮＤ電位である。

本発明の一実施形態に係る表示装置６００は、図７に示すようなタイミングチャートを用いることで、押圧センサが、複数の第１の導電膜３４４の各々と第２の導電層５０５との容量値の変化を検出することができる。そして、指によって押圧された領域を特定することができる。

図８から図１１を用いて、本発明の一実施形態に係る押圧センサを有する表示装置の製造工程の例を説明する。なお、図１乃至図７と同様の構成に関しては説明を省略することがある。

図８は、本発明の一実施形態に係る押圧センサを有する表示装置の製造工程は、ＥＬ表示パネルを有する表示装置の例を示す。一般的なＥＬ表示パネルの製造工程は、公知の技術であるから、説明は省略する。

なお、本発明の一実施形態に係る押圧センサを有する表示装置は、一般的なＥＬ表示パネルと比較して、下地膜が、第１の無機絶縁膜３４２、第２の無機絶縁膜３４６、及び第３の無機絶縁膜３４８から構成され、第１の無機絶縁膜３４２と、第２の無機絶縁膜３４６との間に、第１の導電膜３４４が配置される点が異なる。すなわち、本発明の一実施形態に係る押圧センサを有する表示装置は、第１の導電膜を有する層５０１を有する点が、一般的なＥＬ表示パネルと異なる。

第１の無機絶縁膜３４２、第２の無機絶縁膜３４６、及び第３の無機絶縁膜３４８は、一般的な表示装置を製造する装置を用いて形成することが可能である。例えば、第１の無機絶縁膜３４２、第２の無機絶縁膜３４６、及び第３の無機絶縁膜３４８は、窒化ケイ素や酸化ケイ素、窒化酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素などの無機絶縁体を含むことができる。また、製造は、化学気相成長法（ＣＶＤ法）やスパッタリング法などを適用して単層、あるいは積層構造を有するように形成することができる。

また、第１の導電膜３４４も、一般的な表示装置を製造する装置を用いて形成することが可能である。例えば、第１の導電膜３４４は、チタンやアルミニウム、銅、モリブデン、タングステン、タンタルなどの金属やその合金などを用い、単層、あるいは積層構造を有するように形成することができる。また、製造は、スパッタリング法やＣＶＤ法を用いて形成することができる。

図８に示すように、第１の支持基板２７２に支持された可撓性基板５０２上に、第２の無機膜１８６まで形成する。仮に、可撓性基材と呼ぶ。

次に、図９に示すように、有機絶縁膜２７０を第２の無機膜１８６の上に塗布する。有機絶縁膜２７０の上に、第２の支持基板２７４を配置し、可撓性基材を支持する。さらに、第１の支持基板２７２を剥離する。

次に、図１０に示すように、可撓性基板５０２の下側に、有機絶縁膜５０３を形成する。有機絶縁膜５０３は、可撓性基板５０２、第１の無機絶縁膜３４２、第２の無機絶縁膜３４６、及び第３の無機絶縁膜３４８よりも、弾性を有する材料であることが好ましい。例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）等からなることが好ましい。有機絶縁膜５０３は、印刷法やインクジェット法、スピンコート法、ディップコーティング法などの湿式成膜法などを適用して形成することができる。

続いて、有機絶縁膜５０３の下側に、第２の導電膜５０５を形成する。第２の導電膜５０５は、第１の導電膜３４４と同様の材料、同様の方法を用い形成することができる。なお、表示装置６００が、例えば、透過型の表示装置のとき、第２の導電膜５０５はＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などの透明性導電材料を用いることができる。

次に、図１１に示すように、第２の支持基板２７４を剥離する。続いて、有機絶縁膜２７０を剥す。最後に、カバーフィルム２６８、及びカバーフィルム２６９を配置することで、本発明の一実施形態に係る押圧センサを備える表示装置を製造することができる。

図１２は、本発明の一実施形態に係る押圧センサを有する表示装置の模式的な断面図である。表示装置６００が筐体の金属部材２１７で挟持する構成となっている。表示装置６００が筐体の金属部材２１７で挟持する構成となっている点以外は、図１から図１１を用いて説明した内容と同様であるから、説明は省略する。表示装置６００は、カバーフィルム２６８の上にさらに基板１０５を配置してもよい。基板１０５を用いることで、表示装置６００を支持し、表示装置６００は衝撃により破損することを防ぐことができる。筐体の金属部材２１７によって、第２の導電層５０５は筐体の金属部材２１７を電気的に接続される。一般的に、筐体の金属部材２１７はＧＮＤに接続されているため、第２の導電層５０５はＧＮＤが供給されることができる。

本発明の一実施形態に係る表示装置は、以上のような構成により、第２の導電層５０５に定電圧を供給することができる。

また、本発明の一実施形態に係る表示装置は、上述のような製造工程を経ることで、公知の表示装置の構成から、第１の導電層、絶縁膜及び第２の導電層を追加することで、比較的容易に押圧センサを有する表示装置を提供することができる。また、特別な製造装置を使用することなく、公知の表示装置を用いて、押圧センサを有する表示装置を製造することができるため、製造コストを抑えて、多機能化した表示装置を提供することができる。

本発明の一実施形態に係る表示装置は、以上のような構成を有することで、表示装置を押圧したときの容量を検出することができる。また、容量を検出することで、表示装置を押圧した領域を特定することができる。すなわち、表示装置が有する押圧センサにより、表示装置を押圧した領域を特定することができる。さらに、公知の表示装置の構成から、第１の導電層、絶縁膜及び第２の導電層を追加することで、比較的容易に押圧センサを有する表示装置を提供することができる。

（第２実施形態）
本実施形態では、本発明の一実施形態に係る押圧センサを有する表示装置の他の例を説明する。なお、第１実施形態と同様の構成に関しては説明を省略することがある。

図１３は、本発明の一実施形態に係る押圧センサを有する表示装置の模式的な平面図である。図１３は図２と比較して、第１の導電膜３４４が複数の画素と重なるように配置されている。図１３は図２と比較して、第１の導電膜３４４が複数の画素と重なるように配置されている以外は、同じ構成であるから、説明は省略する。なお、第１の導電膜３４４が重なる複数の画素は、例えば、同じ色に対応する画素であってもよいし、異なる色に対応する画素であってもよい。第１の導電膜３４４は、表示領域５０４の外から延びる第２の配線２１６と電気的に接続される。第２の配線２１６は表示領域５０４の外を延伸し、コンタクトホール２１８を介して第１の端子配線２２０と電気的に接続される。第２の端子配線２２０は表示装置１００の端部付近で露出され、第２の端子２２２を形成する。第１の端子２２２はコネクタ５１２と接続される。したがって、第１の導電膜３４４に印可される電圧又は信号が外部回路から第２の端子２２２を経由して第１の導電膜３４４に与えられる。なお、第２の配線２１６は第１の配線２０６であってもよい。コンタクトホール２１８はコンタクトホール２０８であってもよい。第２の端子配線２２０は第１の端子配線２１０であってもよい。第２の端子２２２は第１の端子配線２１０であってもよい。第２の端子２２２は第１の端子２１２であってもよい。表示装置に押圧を与える指先、あるいはスタイラスペンのようなポインティングデバイスの先端は、個々の画素のサイズに比べて遥かに大きいため、図１３に示すように、第１の導電膜３４４が複数の画素と重なるように配置されても、押圧が印加された座標を検出するには十分である。

図１４は、本発明の一実施形態に係る押圧センサを有する表示装置の模式的な断面図である。図１４は、図１３の断面を模式的に示した図である。図１４は図６と比較して、第１の導電膜３４４が複数の画素と重なるように配置されている。ここでは、第１の導電膜３４４が副画素１３４、副画素１３２、副画素１３０の３つの副画素と重なる例を示している。図９は図６と比較して、第１の導電膜３４４が複数の画素と重なるように配置されている以外は、同じ構成であるから、説明は省略する。

なお、図１４においては、第１の導電膜３４４が、ソース電極またはドレイン電極１４８を用いた配線と３箇所でと電気的に接続される例を示している。第１の導電膜３４４と、ソース電極またはドレイン電極１４８を用いた配線との電気的な接続は、図１４の例に限定されない。例えば、第１の導電膜３４４と、ソース電極またはドレイン電極１４８を用いた配線との電気的な接続は、１箇所であってもよいし、４箇所以上であってもよい。第１の導電膜３４４と、ソース電極またはドレイン電極１４８を用いた配線との電気的な接続が、複数あることによって、第１の導電膜３４４と、ソース電極またはドレイン電極１４８を用いた配線との抵抗を小さくすることができるため、第１の導電層３４４に共有される信号を均一にすることができる。一方、第１の導電膜３４４と、ソース電極またはドレイン電極１４８を用いた配線との電気的な接続が、少ないことによって、開口する穴の数を少なくすることができるため、製造が比較的容易になる。第１の導電膜３４４と、ソース電極またはドレイン電極１４８を用いた配線との電気的な接続は、本発明の発明を逸脱しない範囲において、適宜検討して決めればよい。

本発明の一実施形態に係る押圧センサを有する表示装置は、第１の導電膜が複数の画素と重なるように配置することで、指で表示装置を押圧したとき、より大きな面積で容量値を検出することができる。すなわち、ノイズの影響を受けにくく、押圧センサの検出感度が高い表示装置を提供することができる。

（第３実施形態）
本実施形態では、本発明の一実施形態に係る押圧センサを有する表示装置の第２の導電層への電気的な接続の例を説明する。なお、第１実施形態乃至第２実施形態と同様の構成に関しては説明を省略することがある。

図１５は、本発明の一実施形態に係る押圧センサを有する表示装置の模式的な平面図である。図１５は図２と比較して、第２の導電層５０５との電気的な接続を追加している点以外は同じ構成であるから、同じ構成の説明は省略する。

接続端子２１３は、第１の端子２１２に電気的に接続されている第１の端子配線２１０に電気的に接続されている。例えば、ソース電極またはドレイン電極１４８が形成される層と同じ層で形成することができる。

導電性部材２１５は、接続端子２１３と電気的に接続される。導電性部材は、例えば、導電性フィルム、導電性ペーストなどを適用することができる。

図１６は、本発明の一実施形態に係る押圧センサを有する表示装置の模式的な断面図である。図１５に示すＢ１とＢ２の間の断面図である。導電性部材２１５は、表示装置６００の端部の端面及び第２の導電層５０５に電気的に接続される。第２の導電層５０５は、第１の端子２１２に電気的に接続することができる。よって、第２の導電層５０５は、第１の端子２１２から定電圧を供給されることができる。定電圧とは、例えば、０ＶやＧＮＤ電位である。

本発明の一実施形態に係る表示装置は、以上のような構成により、第２の導電層５０５に定電圧を供給することができる。したがって、本発明の一実施形態に係る表示装置は、表示装置を押圧したときの容量を安定して検出することができる。また、容量を検出することで、表示装置を押圧した領域を特定することができる。すなわち、表示装置が有する押圧センサにより、表示装置を押圧した領域を特定することができる。

（第４実施形態）
本実施形態では、本発明の一実施形態に係る押圧センサを有する表示装置において、オンセル型のタッチセンサを備える例を説明する。なお、第１実施形態乃至第３実施形態と同様の構成に関しては説明を省略することがある。

図１７（Ａ）及び図１７（Ｂ）は、本発明の一実施形態に係る押圧センサを有する表示装置６００において、オンセル型のタッチセンサを備えるときの模式的な平面図である。図１７（Ａ）において、第１のタッチ電極２９４と第２のタッチ電極２９２の領域を拡大したものが図１７（Ｂ）である。図１７（Ａ）及び図１７（Ｂ）は図２と比較して、第１のタッチ電極２９４、及び第２のタッチ電極２９２を追加している点以外は同じ構成であるから、同じ構成の説明は省略する。なお、図１７（Ａ）及び図１７（Ｂ）は図２と比較して、画素１２０、半導体層３１２、第１の導電膜３４４、走査信号線駆動回路５０８、走査信号線駆動回路５０８及び周辺領域５１６を省略している。

本発明の一実施形態に係る表示装置に備えられるタッチセンサは、投影型静電容量方式のタッチセンサを適用した例を示している。投影型静電容量方式は、自己容量方式及び相互容量方式に大別される。

自己容量方式は、人の指などの検出対象が第１のタッチ電極２９４と第２のタッチ電極２９２を介して表示領域５０４に触れる、または接近することで第１のタッチ電極２９４または第２のタッチ電極２９２における寄生容量に加え、当該検出対象と第１のタッチ電極２９４または第２のタッチ電極２９２との間に生ずる容量が上乗せされる。第１のタッチ電極２９４と第２のタッチ電極２９２とが重なっている領域が、容量を形成している。容量の変化を読み取ることで触れる、または接近する場所を検出することができる。

相互容量方式は、第１のタッチ電極２９４と第２のタッチ電極２９２のいずれか一方は送信電極（Ｔｘ）、他方は受信電極（Ｒｘ）とも呼ばれる。人の指などの検出対象が第１のタッチ電極２９４と第２のタッチ電極２９２を介して表示領域５０４に触れる、または接近することで第１のタッチ電極２９４と第２のタッチ電極２９２とが形成する容量が変化する。この変化を読み取ることで、触れる、または接近する場所を検出することができる。

第１のタッチ電極２９４の形状、及び第２のタッチ電極の形状は、略四角形の形状が連なっている例を示している。略四角形の形状が連なっている形状とすることで、電極の面積を大きくすることができるため、電極の抵抗値を低減することができる。そして、表示装置６００に触れる、または接近したときの、タッチ検出の感度を向上させることができる。

第２のタッチ電極２９２は、表示領域５０４の外から延びる第２の配線２１６と電気的に接続される配線としても使用することができる。第２の配線２１６は表示領域５０４の外を延伸し、コンタクトホール２１８を介して第２の端子配線２２０と電気的に接続される。第２の端子配線２２０は表示装置６００の端部付近で露出されて第２の端子２２２を形成する。第２の端子２２２はコネクタ５１２と接続され、第２のタッチ電極２９２に印可される電圧が外部回路から第２の端子２２２を経由して第２のタッチ電極２９２に与えられる。なお、第２の配線２１６は第１の配線２０６であってもよい。コンタクトホール２１８はコンタクトホール２０８であってもよい。第２の端子配線２２０は第１の端子配線２１０であってもよい。第２の端子２２２は第１の端子配線２１０であってもよい。第２の端子２２２は第１の端子２１２であってもよい。

図１８は、図１７に示した本発明の一実施形態の模式的な断面図である。図１８は図６と比較して、タッチ電極層間膜２９０、第１のタッチ電極２９４、及び第２のタッチ電極２９２を追加している点以外は同じ構成であるから、同じ構成の説明は省略する。

第２のタッチ電極２９２は配線としても利用することができ、第１の端子配線２１０と電気的に接続される。配線として利用される第２のタッチ電極２９２はタッチ電極層間膜２９０の開口部を介して第１のタッチ電極２９４と電気的に接続される。タッチ電極層間膜２９０は、第１のタッチ電極２９４と第２のタッチ電極２９２とを絶縁し、表示装置６００に触れる、または接近したときの、タッチ検出を可能としている。

本発明の一実施形態に係る表示装置は、以上のような構成により、オンセル型のタッチセンサを備えることができる。したがって、本発明の一実施形態に係る表示装置は、表示装置が有する押圧センサにより、押圧したことを検出し、タッチセンサにより、表示装置を押圧した位置を特定することができる。

（第５実施形態）
本実施形態では、本発明の一実施形態に係る押圧センサを有する表示装置において、押圧を検出するときのタイミングチャートの例を説明する。なお、第１実施形態乃至第５の実施形態と同様の構成に関しては説明を省略することがある。

図１９は、本発明の一実施形態に係る表示装置のタイミングチャートの例である。図１９は、図７に示したタイミングチャートと比較して、一画面分のデータ２回に分けて画素１２０のそれぞれに書き込む点以外は同じ構成であるから、同じ構成の説明は省略する。

図１９の横軸は時間である。横軸に示した１Ｈは、一画面分のデータの半分を画素１２０のそれぞれに書き込み、画像を表示する時間と、指が表示装置を押圧したときに、容量を検出する時間と、一画面分のデータのもう半分を画素１２０のそれぞれに書き込み、画像を表示する時間と、指が表示装置を押圧したときに、容量を検出する時間と、を有する。例えば、１Ｈは１／６０秒であるとき、一画面分のデータの半分を１／１２０秒で書き込み、押圧された容量を検出し、一画面分のデータのもう半分を残りの１／１２０秒で書き込み、押圧された容量を検出する。１Ｈの期間において、押圧した時の容量の検出を２回行うことができるため、押圧した領域の特定の精度を向上させることができる。

なお、本実施形態は本発明に記載のほかの実施形態と自由に組み合わせてもよい。

本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態の表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

本明細書においては、開示例として主に表示装置を例示したが、他の適用例として、その他の自発光型表示装置、液晶表示装置、あるいは電気泳動素子などを有する電子ペーパ型表示装置など、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能である。

上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

３０・・・ＴＦＴアレイ層、１０５・・・基板、１０８・・・層間膜、１１４・・・平坦化膜、１０２、１２０・・・画素、１３０・・・第１の副画素、１３２・・・第２の副画素、１３４・・・第３の副画素、１４０・・・トランジスタ、１４１、１４２・・・半導体膜、１４１ａ、１４２ａ・・・チャネル領域、１４２ｂ・・・ソース領域またはドレイン領域、１４４・・・ゲート絶縁膜、１４６・・・ゲート電極、１４８−１、１４８−２・・・ソース電極またはドレイン電極、１５０・・・無機絶縁膜、１５２・・・コンタクトホール、１５４・・・開口、１６０・・・発光素子、１６２・・・第１の電極、１６４・・・機能層、１６６・・・第２の電極層、１６８・・・隔壁、１７０・・・層、ホール輸送層、１７４・・・層、電子輸送層、１７６・・・層、発光層、１７６Ｒ・・・赤色に対応する発光層、１７６Ｇ・・・緑色に対応する発光層、１７６Ｂ・・・青色に対応する発光層、１８０・・・封止膜、１８２・・・第１の無機膜、１８４・・・有機膜、１８６・・・第２の無機膜、２０６・・・第１の配線、２０８・・・コンタクトホール、２１０・・・第１の端子配線、２１２・・・第１の端子、２１３・・・接続端子、２１５・・・導電性部材、２１６・・・第２の配線、２１７・・・筐体の金属部材、２１８・・・コンタクトホール、２２０・・・第２の端子配線、２２２・・・第２の端子、２６８、２６９・・・カバーフィルム、２７０・・・有機絶縁膜、２７２・・・第１の支持基板、２７４・・・第２の支持基板、２９０・・・タッチ電極層間膜、２９２・・・第２のタッチ電極、２９４・・・第１のタッチ電極、３１２・・・半導体層、３４２・・・第１の無機絶縁膜、３４４・・・第１の導電膜、３４６・・・第２の無機絶縁膜、３４８・・・第３の無機絶縁膜、４０９・・・映像信号線、４１０・・・走査信号線、４２６・・・基準電位線、４２８、４２８−１、４２８−２・・・駆動電源線、４３０・・・画素回路、４３２・・選択トランジスタ、４３４・・・駆動トランジスタ、４３６・・・発光素子、４３８・・・保持容量、５０１・・・第１の導電膜を有する層、５０２・・・可撓性基板、５０３・・・有機絶縁膜、５０４・・・表示領域、５０５・・・第２の導電層、５０６・・・映像信号線駆動回路、５０８、５１０・・・走査信号線駆動回路、５１２・・・コネクタ、５１４・・・端子電極、５１６・・・周辺領域

Claims (14)

1. 可撓性基板と、
   ＴＦＴと、
   前記ＴＦＴのチャネルと前記可撓性基板との間に配置される第１の電極と、
   前記ＴＦＴと、前記第１の電極との間に配置される少なくとも一つの無機絶縁膜と、
   前記第１の電極に対して前記ＴＦＴが配置される側とは反対側に配置される第２の電極と、
   前記第１の電極と前記第２の電極との間に配置される有機絶縁膜と、
   を有する表示装置。
2. 前記有機絶縁膜は、前記可撓性基板と前記第２の電極との間に配置される、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記有機絶縁膜は、前記可撓性基板よりも弾性率が大きく、前記第２の電極よりも弾性率が大きい、請求項１に記載の表示装置。
4. 前記ＴＦＴによって駆動される画素が配置された表示領域を有する請求項１に記載の表示装置。
5. 前記表示領域に画像が表示されている期間と、それ以外の期間とでは、前記第１の電極に入力される信号のパターンが異なる請求項４に記載の表示装置。
6. 前記第１の電極は、互いに離間した少なくとも２つ以上の領域に分割されている請求項１に記載の表示装置。
7. 前記少なくとも２つ以上の領域は、第１の領域と第２の領域とを有し、複数の前記ＴＦＴは第１のＴＦＴと第２のＴＦＴとを有し、前記第１の領域は前記第１のＴＦＴを制御し、前記第２の領域は前記第２のＴＦＴを制御する請求項６に記載の表示装置。
8. 前記第１のＴＦＴによって駆動される画素と、前記第２のＴＦＴによって駆動される画素とは、同じ色に対応する画素である請求項７に記載の表示装置。
9. 前記第１のＴＦＴによって駆動される画素と、前記第２のＴＦＴによって駆動さる画素とは、異なる色に対応する画素である請求項７に記載の表示装置。
10. 前記少なくとも２つ以上の領域は、第１の領域と第２の領域とを有し、前記第１の領域は第１の端子から信号が入力され、前記第２の領域は第２の端子から信号が入力される請求項６に記載の表示装置。
11. 前記第１の領域に入力される信号と、前記第２の領域に入力される信号とは異なる信号である請求項１０に記載の表示装置。
12. 前記第２の電極は、少なくとも前記表示領域に重なるように配置されている請求項４に記載の表示装置。
13. 前記第２の電極は、表示装置の筐体と電気的に接続される請求項１に記載の表示装置。
14. 前記第２の電極は、導電性部材を介して、第１の端子と電気的に接続される請求項１に記載の表示装置。

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