JP4648111B2 - 低電源電圧フラッシュメモリ装置の感知回路 - Google Patents
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望ましくは、前記第1負荷素子は、前記第1反転回路の出力端にソースが連結され、前記メインセルアレイのビットラインにドレイン及びゲートが共通連結されるPMOSトランジスタで構成される。
望ましくは、前記第2負荷素子は、前記第2反転回路の出力端にソースが連結され、前記基準セルアレイのビットラインにドレイン及びゲートが共通連結されるPMOSトランジスタで構成される。
以下、添付した図面を参照して本発明の望ましい実施形態を説明することによって、本発明を詳細に説明する。各図面に付された同一参照符号は同一部材を示す。
図1を参照すると、本発明の第1実施形態による感知回路15は、メインセルアレイ11と基準セルアレイ13とに連結され、メインセルアレイ11のデータラインDLの電圧レベルと基準セルアレイ13のデータラインRDLの電圧レベルとを比較することによって、メインセルアレイ11内の所定のメモリセルMCに保存されたデータを感知する。
特に、本発明の第1実施形態による感知回路15は、第1負荷素子P1、第1反転回路IV1、第2負荷素子P2、第2反転回路IV2、及び感知増幅器SAを備える。
前記第1実施形態による感知回路15の動作をさらに詳細に説明すれば次の通りである。読出動作が始まれば、カラム選択信号COL1、COL2のうち、何れか1つがイネーブルされ、これによりビットラインBL1、BL2のうち、何れか1つがデータラインDLに連結される。またワードラインWLがイネーブルされる。したがって、データラインDLの電圧レベルは、データラインDLに連結されるビットラインの電圧レベルと同一になる。
第2反転回路IV2と第2負荷素子P2も各々第1反転回路IV1と第1負荷素子P1と同一に動作し、よって基準セルアレイ13のデータラインRDLの電圧レベルもそれ以上所定のレベル以上には上昇しない。
その結果、低い電源電圧でも感知増幅器SAがメモリセルMCに流れる電流を迅速に感知して、読出速度が向上し、またメモリセルMCに対するストレスも減少する。図2は、図1のフラッシュメモリ装置の読出タイミング図を示している。
図3を参照すると、本発明の第2実施形態による感知回路35はメインセルアレイ11と基準セルアレイ13とに連結され、メインセルアレイ11のデータラインDLに流れる電流と基準セルアレイ13のデータラインRDLに流れる電流とを比較して、メインセルアレイ11内の所定のメモリセルMCに保存されたデータを感知する。
特に本発明の第2実施形態による感知回路35は、感知増幅器SA、第1電流ミラーCM1、第2電流ミラーCM2、第3電流ミラーCM3、第1反転回路IV3、及び第2反転回路IV4を備える。
感知増幅器SAは、電流感知増幅器の形態であり、1ステージ以上の単一入力増幅器を含んで構成される。
その結果、低い電源電圧でも感知増幅器SAがメモリセルMCに保存されたデータを迅速に感知できるようになって読出速度が向上し、またメモリセルMCに対するストレスも減少する。
13 基準セルアレイ
15 感知回路
BL1、BL2 ビットライン
COL1、COL2 カラム選択信号
DL メインセルアレイのデータライン
MC メモリセル
N1 選択トランジスタ
N2 選択トランジスタ
RWL 基準ワードライン
RMC 基準メモリセル
RDL メインセルアレイのデータライン
RCOL 基準カラム選択信号
WL ワードライン
Claims (13)
- メインセルアレイのビットラインに一端が連結される第1負荷素子と、
前記メインセルアレイのビットラインに入力端が連結されて前記第1負荷素子の他端に出力端が連結される第1反転回路と、
基準セルアレイのビットラインに一端が連結される第2負荷素子と、
前記基準セルアレイのビットラインに入力端が連結されて前記第2負荷素子の他端に出力端が連結される第2反転回路と、
前記メインセルアレイのビットラインの電圧と前記基準セルアレイのビットラインの電圧とを比較し、その結果による出力信号を発生させる感知増幅器と、を備えることを特徴とするフラッシュメモリ装置の感知回路。 - 前記第1負荷素子は、
前記第1反転回路の出力端にソースが連結され、前記メインセルアレイのビットラインにドレイン及びゲートが共通連結されるPMOSトランジスタを備えることを特徴とする請求項1に記載のフラッシュメモリ装置の感知回路。 - 前記第1負荷素子は、
前記第1反転回路の出力端にドレイン及びゲートが共通連結され、前記メインセルアレイのビットラインにソースが連結されるNMOSトランジスタを備えることを特徴とする請求項1に記載のフラッシュメモリ装置の感知回路。 - 前記第1負荷素子は、
前記第1反転回路の出力端にドレインが連結され、ゲートに一定の電圧が印加されて前記メインセルアレイのビットラインにソースが連結されるNMOSトランジスタを備えることを特徴とする請求項1に記載のフラッシュメモリ装置の感知回路。 - 前記第2負荷素子は、
前記第2反転回路の出力端にソースが連結され、前記基準セルアレイのビットラインにドレイン及びゲートが共通連結されるPMOSトランジスタを備えることを特徴とする請求項1に記載のフラッシュメモリ装置の感知回路。 - 前記第2負荷素子は、
前記第2反転回路の出力端にドレイン及びゲートが共通連結され、前記基準セルアレイのビットラインにソースが連結されるNMOSトランジスタを備えることを特徴とする請求項1に記載のフラッシュメモリ装置の感知回路。 - 前記第2負荷素子は、
前記第2反転回路の出力端にドレインが連結され、ゲートに一定の電圧が印加されて前記基準セルアレイのビットラインにソースが連結されるNMOSトランジスタを備えることを特徴とする請求項1に記載のフラッシュメモリ装置の感知回路。 - 前記感知増幅器は、1ステージ以上の演算増幅器を含むことを特徴とする請求項1に記載のフラッシュメモリ装置の感知回路。
- 入力端を介して流れる電流を感知し、その結果による出力信号を発生させる感知増幅器と、
メインセルアレイのビットラインと前記感知増幅器の入力端とに連結され、前記メインセルアレイのビットラインに流れる電流を前記感知増幅器の入力端にミラーリングする第1電流ミラーと、
前記メインセルアレイのビットラインに入力端が連結され、前記第1電流ミラーの電源供給端に出力端が連結される第1反転回路と、
基準セルアレイのビットラインに連結され、前記基準セルアレイのビットラインに流れる電流をミラーリングする第2電流ミラーと、
前記基準セルアレイのビットラインに入力端が連結され、前記第2電流ミラーの電源供給端に出力端が連結される第2反転回路と、
前記第2電流ミラーによりミラーリングされた電流を再び前記感知増幅器の入力端にミラーリングする第3電流ミラーと、を備えることを特徴とするフラッシュメモリ装置の感知回路。 - 前記第1電流ミラーは、
前記第1反転回路の出力端にソースが連結され、前記メインセルアレイのビットラインにドレイン及びゲートが共通連結される第1PMOSトランジスタと、
前記第1反転回路の出力端にソースが連結され、前記第1PMOSトランジスタのゲートにゲートが連結され、前記感知増幅器の入力端にドレインが連結される第2PMOSトランジスタと、を備えることを特徴とする請求項9に記載のフラッシュメモリ装置の感知回路。 - 前記第2電流ミラーは、
前記第2反転回路の出力端にソースが連結され、前記基準セルアレイのビットラインにドレイン及びゲートが共通連結される第1PMOSトランジスタと、
前記第2反転回路の出力端にソースが連結され、前記第1PMOSトランジスタのゲートにゲートが連結され、第3電流ミラーにドレインが連結される第2PMOSトランジスタと、を備えることを特徴とする請求項9に記載のフラッシュメモリ装置の感知回路。 - 前記第3電流ミラーは、
前記第2電流ミラーにドレインとゲートとが共通連結され、基準電圧にソースが連結される第1NMOSトランジスタと、
前記感知増幅器の入力端にドレインが連結され、前記第1NMOSトランジスタのゲートにゲートが連結され、前記基準電圧にソースが連結される第2NMOSトランジスタと、を備えることを特徴とする請求項9に記載のフラッシュメモリ装置の感知回路。 - 前記感知増幅器は、1ステージ以上の単一入力増幅器を含むことを特徴とする請求項9に記載のフラッシュメモリ装置の感知回路。
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