JP4565044B2 - 撮像装置および撮像システム - Google Patents
撮像装置および撮像システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP4565044B2 JP4565044B2 JP2009147376A JP2009147376A JP4565044B2 JP 4565044 B2 JP4565044 B2 JP 4565044B2 JP 2009147376 A JP2009147376 A JP 2009147376A JP 2009147376 A JP2009147376 A JP 2009147376A JP 4565044 B2 JP4565044 B2 JP 4565044B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- potential
- imaging device
- power supply
- imaging
- supply circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 52
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 7
- 238000005513 bias potential Methods 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 4
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- -1 CdZn Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910004611 CdZnTe Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 2
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QKEOZZYXWAIQFO-UHFFFAOYSA-M mercury(1+);iodide Chemical compound [Hg]I QKEOZZYXWAIQFO-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 10
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Chemical compound [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/617—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise for reducing electromagnetic interference, e.g. clocking noise
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
- G01T1/20184—Detector read-out circuitry, e.g. for clearing of traps, compensating for traps or compensating for direct hits
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/67—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response
- H04N25/671—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction
- H04N25/677—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction for reducing the column or line fixed pattern noise
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/745—Circuitry for generating timing or clock signals
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N5/00—Details of television systems
- H04N5/30—Transforming light or analogous information into electric information
- H04N5/32—Transforming X-rays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
- H01L27/14676—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
Description
・センサバイアス電位(Vs)
・サンプルホールド基準電位(VREF1)
・アンプリセット電位(VREF2)
・TFTオン電位(Von)
・TFTオフ電位(Voff)
このうちセンサバイアス電位(Vs)は基準電源回路4からエリアセンサに直接供給される。サンプルホールド基準電位(VREF1)は読み出し装置1のサンプルホールド回路に、アンプリセット電位(VREF2)は読み出し装置1のアンプに供給される。TFTオン電位(Von)とオフ電位(Voff)はゲート駆動装置2を介してエリアセンサに供給される。
図1は本実施形態の基準電源回路の模式的等価回路図である。なお、本実施形態の駆動タイミング等は従来例と同様のものを用いることができる。
・基準電源回路にDC/DCコンバーターなどからの電源が供給されてから、各基準電位の電圧レベルが一定に落ち着くまでの時間。
・あるいはDC/DCコンバーターなどから電源が供給されてから、画像取得可能になるまでの時間。
・画像取得の間隔、すなわちフレームレート(特に図示しない制御回路などで、センサバイアス電位Vsなどの電位を変化させる場合)あるいはLPFのカットオフ周波数がSMPL信号の周期で決まるサンプリング周波数よりも低い周波数であることが望ましい。具体的には、LPFのカットオフ周波数は、フレームレートの3〜10倍に設定すると、ラインノイズに対して有効である。静止画撮影(例えば、2frames/sec程度)の場合には、fc(カットオフ周波数)=6〜20Hz、が好適である。また、動画などフレーム数が大きくなった場合、例えば、30frames/sec、の場合には、fc=90〜300Hzが好適である。
図2は本実施形態の基準電源回路の模式的回路図である。なお、本実施形態の等価回路図および駆動タイミング等は従来例と同様である。
図3は上記の実施形態の撮像システムへの応用例である。本実施形態では、X線画像を撮影するX線撮像システムとし、上記の実施形態は、X線撮像装置6040として利用されている。X線発生源としてのX線チューブ6050で発生したX線6060は患者あるいは被検体6061の胸部などの観察部分6062を透過し、X線撮像装置6040に入射する。この入射したX線には被検体6061の内部の情報が含まれている。X線の入射に対応してX線撮像装置6040は電気的情報を得る。この情報はデジタルに変換され、画像処理手段としてのイメージプロセッサ6070により画像処理され制御室(コントロールルーム)にある表示手段としてのディスプレイ6080で観察可能となる。
2 ゲート駆動回路
4 基準電源回路
101 DC/DC出力電源
102 3端子レギュレータ
103 低域通過フィルタ回路(LPF回路)
Claims (16)
- 基板上にセンサ素子が2次元に配されたエリアセンサと、リセット動作可能なアンプを有して前記センサ素子からの信号を出力する読み出し装置と、前記センサ素子及び前記読み出し装置の少なくとも一方に基準電位を供給する電源回路と、を有し、前記基準電位は、前記センサ素子にバイアス電圧を印加するためのバイアス電位及び前記アンプのリセット電位の少なくとも一方を含み、前記センサ素子及び前記読み出し装置の少なくとも一方と前記電源回路との間に設けられた低域通過フィルタを透過して前記電源回路から供給されることを特徴とする撮像装置。
- 請求項1に記載の撮像装置において、前記電源回路は、前記基準電位をレギュレートするレギュレータを有する撮像装置。
- 請求項1又は2に記載の撮像装置において、前記低域通過フィルタのカットオフ周波数は、前記基準電位の変動によって生じるラインノイズのノイズ実効値が、前記エリアセンサで発生するランダムノイズのノイズ実効値の1/10以下となるように決定される撮像装置。
- 請求項1又は2に記載の撮像装置において、前記低域通過フィルタのカットオフ周波数は、前記基準電位に要求される応答時間に応じて決定される撮像装置。
- 請求項1又は2に記載の撮像装置において、前記低域通過フィルタのカットオフ周波数は、前記エリアセンサに接続され前記読み出し装置に含まれるサンプルホールド回路のサンプリング周波数より低い撮像装置。
- 請求項4に記載の撮像装置において、前記低域通過フィルタのカットオフ周波数は、前記撮像装置のフレームレートの3〜10倍である撮像装置。
- 請求項1に記載の撮像装置において、前記低域通過フィルタの出力側には、アンプが設けられ、前記アンプのノイズ密度は、3.3nV/√Hz以下であることを特徴とする撮像装置。
- 請求項1に記載の撮像装置において、前記エリアセンサは、前記センサ素子である光電変換素子とスイッチ素子であるTFTとからなる画素を二次元に配列しており、前記光電変換素子と前記TFTのドレイン電極、前記TFTのゲート電極と共通ゲートライン、前記TFTのソース電極と共通データラインがそれぞれ接続され、さらに前記共通データラインが前記読み出し装置に、前記共通ゲートラインが駆動装置に接続され、マトリクス動作を行う撮像装置。
- 請求項8に記載の撮像装置において、前記駆動装置には、前記電源回路からTFTのオン電位とTFTのオフ電位が供給されており、前記オン電位及び前記オフ電位は、前記電源回路と前記駆動装置との間に設けられた低域通過フィルタを透過して前記電源回路から供給される撮像装置。
- 請求項8に記載の撮像装置において、前記光電変換素子およびTFTはアモルファスシリコンまたはポリシリコンを材料としている撮像装置。
- 請求項8に記載の撮像装置において、前記光電変換素子はフォトダイオードあるいはMIS型センサである撮像装置。
- 請求項8に記載の撮像装置において、前記エリアセンサはさらに蛍光体を有するX線エリアセンサである撮像装置。
- 請求項8に記載の撮像装置において、前記エリアセンサの光電変換素子は半導体層に入射したX線を直接電荷に変換して読み出し、前記光電変換素子は半導体層の材料としてガリウム砒素、ガリウムリン、ヨウ化鉛、ヨウ化水銀、アモルファスセレン、CdZn、CdZnTeを材料としている撮像装置。
- 請求項1に記載の撮像装置において、前記基板は絶縁性基板であり、前記電源回路および低域通過フィルタは結晶基板上に形成されてなる撮像装置。
- 請求項1に記載の撮像装置と、該撮像装置からの信号を画像として処理する画像処理手段と、該画像処理手段からの信号を記録する記録手段と、該画像処理手段からの信号を表示するための表示手段と、前記画像処理からの信号を伝送するための伝送手段と、を有することを特徴とする撮像システム。
- 請求項15に記載の撮像システムにおいて、更に放射線を前記センサ素子の感度領域の波長に変換するための波長変換体を有する撮像システム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009147376A JP4565044B2 (ja) | 2001-07-30 | 2009-06-22 | 撮像装置および撮像システム |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001230402 | 2001-07-30 | ||
JP2009147376A JP4565044B2 (ja) | 2001-07-30 | 2009-06-22 | 撮像装置および撮像システム |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002221421A Division JP4564702B2 (ja) | 2001-07-30 | 2002-07-30 | 撮像装置および撮像システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009219153A JP2009219153A (ja) | 2009-09-24 |
JP4565044B2 true JP4565044B2 (ja) | 2010-10-20 |
Family
ID=32948295
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009147376A Expired - Lifetime JP4565044B2 (ja) | 2001-07-30 | 2009-06-22 | 撮像装置および撮像システム |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (5) | US6952015B2 (ja) |
JP (1) | JP4565044B2 (ja) |
Families Citing this family (56)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6952015B2 (en) * | 2001-07-30 | 2005-10-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pick-up apparatus and image pick-up system |
ATE300665T1 (de) * | 2002-02-06 | 2005-08-15 | Ina Schaeffler Kg | Schaltelement für einen ventiltrieb einer brennkraftmaschine |
JP2004138958A (ja) * | 2002-10-21 | 2004-05-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
FR2848676B1 (fr) * | 2002-12-16 | 2005-12-16 | Commissariat Energie Atomique | Dispositifs pour corriger le signal issu d'un detecteur |
JP2005039380A (ja) * | 2003-07-16 | 2005-02-10 | Seiko Instruments Inc | イメージセンサーic |
US7349019B2 (en) * | 2003-07-30 | 2008-03-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid-state imaging device, camera, power supply device and method thereof |
JP2005175418A (ja) * | 2003-11-19 | 2005-06-30 | Canon Inc | 光電変換装置 |
KR100562406B1 (ko) * | 2004-02-19 | 2006-03-17 | 삼성테크윈 주식회사 | 디지털 카메라의 초점 조절 방법 |
JP4441294B2 (ja) * | 2004-03-12 | 2010-03-31 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置及びその制御方法 |
JP4469638B2 (ja) * | 2004-03-12 | 2010-05-26 | キヤノン株式会社 | 読み出し装置及び画像撮影装置 |
JP2005287773A (ja) | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Canon Inc | 画像撮影装置及び画像撮影システム |
US7403594B2 (en) * | 2004-03-31 | 2008-07-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation imaging apparatus and control method therefor |
JP5058517B2 (ja) | 2005-06-14 | 2012-10-24 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置及びその制御方法並びに放射線撮像システム |
JP4965931B2 (ja) * | 2005-08-17 | 2012-07-04 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置、放射線撮像システム、その制御方法、及び制御プログラム |
JP4750512B2 (ja) * | 2005-09-01 | 2011-08-17 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置、その制御方法及び放射線撮像システム |
JP5317388B2 (ja) * | 2005-09-30 | 2013-10-16 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置、放射線撮像システム及びプログラム |
JP2007104219A (ja) * | 2005-10-03 | 2007-04-19 | Canon Inc | 放射線撮影装置及びその制御方法、放射線撮影システム |
JP4834518B2 (ja) * | 2005-11-29 | 2011-12-14 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置、その制御方法、及びそれを実行させるためのプログラムを記録した記録媒体 |
JP2007151761A (ja) * | 2005-12-02 | 2007-06-21 | Canon Inc | 放射線撮像装置、システム及び方法、並びにプログラム |
JP4989197B2 (ja) * | 2005-12-13 | 2012-08-01 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置、放射線撮像システム、及び補正方法 |
JP4891096B2 (ja) * | 2006-01-30 | 2012-03-07 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置 |
JP5043448B2 (ja) * | 2006-03-10 | 2012-10-10 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置及び放射線撮像システム |
JP4850730B2 (ja) | 2006-03-16 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、その処理方法及びプログラム |
JP4868926B2 (ja) * | 2006-04-21 | 2012-02-01 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置 |
JP4847202B2 (ja) | 2006-04-27 | 2011-12-28 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び放射線撮像システム |
JP4989120B2 (ja) * | 2006-06-16 | 2012-08-01 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像システム及びその駆動方法 |
JP5159161B2 (ja) * | 2006-06-26 | 2013-03-06 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置、放射線撮像システム及びその制御方法 |
JP5038031B2 (ja) * | 2006-07-11 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | 放射線撮影装置、その駆動方法及び放射線撮影システム |
JP2008042478A (ja) * | 2006-08-04 | 2008-02-21 | Canon Inc | 撮像装置、放射線撮像装置、及びその駆動方法 |
JP5300216B2 (ja) * | 2006-08-29 | 2013-09-25 | キヤノン株式会社 | 電子カセッテ型放射線検出装置 |
JP4986771B2 (ja) * | 2006-08-31 | 2012-07-25 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、その駆動方法及び放射線撮像システム |
JP2008212644A (ja) * | 2007-02-06 | 2008-09-18 | Canon Inc | 放射線撮像装置及びその駆動方法、並びに放射線撮像システム |
US7869568B2 (en) * | 2007-03-13 | 2011-01-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation imaging apparatus, and method and program for controlling radiation imaging apparatus |
FR2921756B1 (fr) * | 2007-09-27 | 2009-12-25 | Commissariat Energie Atomique | Matrice de pixels dotes de regulateurs de tension. |
FR2921788B1 (fr) * | 2007-10-01 | 2015-01-02 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif microelectronique a matrice de pixels dote de moyens generateurs de compensation de chute ohmique sur des almentations |
JP5538684B2 (ja) * | 2008-03-13 | 2014-07-02 | キヤノン株式会社 | 画像処理装置、画像処理方法、プログラム、及び記憶媒体 |
JP5274098B2 (ja) * | 2008-04-30 | 2013-08-28 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、放射線撮像システム、その制御方法及びプログラム |
CN103109525B (zh) * | 2008-10-08 | 2016-04-06 | 法国原子能委员会 | 一种矩阵微电子装置 |
US9903848B2 (en) | 2008-12-30 | 2018-02-27 | Sikorsky Aircraft Corporation | Non-destructive inspection method with objective evaluation |
JP5361628B2 (ja) * | 2009-09-15 | 2013-12-04 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像システム、それらの制御方法及びそのプログラム |
CN102640017B (zh) * | 2009-12-01 | 2015-02-11 | 佳能株式会社 | 成像装置、成像系统和控制该装置的方法 |
JP5751766B2 (ja) | 2010-07-07 | 2015-07-22 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置および撮像システム |
JP5656484B2 (ja) * | 2010-07-07 | 2015-01-21 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置および撮像システム |
TWI455297B (zh) * | 2011-07-25 | 2014-10-01 | Innolux Corp | X光影像感測元件及x光影像感測模組 |
JP2013062611A (ja) * | 2011-09-12 | 2013-04-04 | Sony Corp | 固体撮像素子およびカメラシステム |
JP5676405B2 (ja) * | 2011-09-27 | 2015-02-25 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像撮影装置、放射線画像撮影システム、プログラムおよび放射線画像撮影方法 |
JP5986524B2 (ja) | 2013-02-28 | 2016-09-06 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置および放射線撮像システム |
JP5934128B2 (ja) | 2013-02-28 | 2016-06-15 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置及び放射線撮像システム |
JP6016673B2 (ja) | 2013-02-28 | 2016-10-26 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置および放射線撮像システム |
JP6355387B2 (ja) | 2014-03-31 | 2018-07-11 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像システム |
US9526468B2 (en) * | 2014-09-09 | 2016-12-27 | General Electric Company | Multiple frame acquisition for exposure control in X-ray medical imagers |
JP6525579B2 (ja) | 2014-12-22 | 2019-06-05 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置及び放射線撮像システム |
JP6587517B2 (ja) | 2015-11-13 | 2019-10-09 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像システム |
DE102017102833A1 (de) * | 2017-01-18 | 2018-07-19 | Heimann Sensor Gmbh | Hochauflösendes Thermopile Infrarot Sensorarray |
CN112068178B (zh) * | 2019-06-10 | 2023-08-29 | 睿生光电股份有限公司 | 放射线感测装置 |
US10833666B1 (en) * | 2019-09-17 | 2020-11-10 | Dialog Semiconductor (Uk) Limited | PWM controlled analog signal |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04111687A (ja) * | 1990-08-31 | 1992-04-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体電子撮像素子の駆動用ic |
JPH08219874A (ja) * | 1995-02-14 | 1996-08-30 | Hamamatsu Photonics Kk | 固体撮像装置 |
JPH0951633A (ja) * | 1995-08-07 | 1997-02-18 | Fujitsu General Ltd | Pdpシステム電源 |
JPH10304134A (ja) * | 1997-04-28 | 1998-11-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 画像読取装置 |
JPH11150255A (ja) * | 1997-11-19 | 1999-06-02 | Canon Inc | 光電変換装置 |
JPH11331883A (ja) * | 1998-02-28 | 1999-11-30 | Hyundai Electronics Ind Co Ltd | 自己診断ロジックを持つcmosイメ―ジセンサ及びその診断方法 |
JP2000111649A (ja) * | 1998-10-02 | 2000-04-21 | Toshiba Corp | 放射線検出システム |
JP2000244818A (ja) * | 1999-02-24 | 2000-09-08 | Sharp Corp | 増幅型固体撮像装置 |
JP2001074552A (ja) * | 1999-09-02 | 2001-03-23 | Canon Inc | 光電変換装置及びその駆動方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3602802A (en) * | 1970-07-29 | 1971-08-31 | Philips Broadcast Equip | Remote voltage regulated power supply |
DE2951879A1 (de) * | 1978-12-22 | 1980-07-31 | Nippon Kogaku Kk | Photoekektrischer umformer mit einer photoelektrischen elementanordnung des ladungsspeichertyps |
US4811086A (en) * | 1985-02-12 | 1989-03-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensing apparatus |
US5555021A (en) * | 1993-12-14 | 1996-09-10 | Watec America Corporation | Compact television camera with switching noise prevention |
JPH08272461A (ja) * | 1995-03-30 | 1996-10-18 | Seiko Instr Inc | ボルテージ・レギュレータ |
JP3847889B2 (ja) | 1997-04-08 | 2006-11-22 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
JPH11219874A (ja) | 1998-02-04 | 1999-08-10 | Hitachi Ltd | 半導体製造方法および装置 |
JP2001251557A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-09-14 | Canon Inc | エリアセンサ、該エリアセンサを有する画像入力装置および該エリアセンサの駆動方法 |
US6952015B2 (en) * | 2001-07-30 | 2005-10-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pick-up apparatus and image pick-up system |
JP4132850B2 (ja) * | 2002-02-06 | 2008-08-13 | 富士通株式会社 | Cmosイメージセンサおよびその制御方法 |
US6772011B2 (en) * | 2002-08-20 | 2004-08-03 | Thoratec Corporation | Transmission of information from an implanted medical device |
-
2002
- 2002-07-26 US US10/202,910 patent/US6952015B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-05-26 US US11/137,569 patent/US7002157B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-11-04 US US11/266,297 patent/US7138639B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2006
- 2006-10-13 US US11/549,468 patent/US7705911B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-06-22 JP JP2009147376A patent/JP4565044B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2009-10-23 US US12/605,154 patent/US8218070B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04111687A (ja) * | 1990-08-31 | 1992-04-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体電子撮像素子の駆動用ic |
JPH08219874A (ja) * | 1995-02-14 | 1996-08-30 | Hamamatsu Photonics Kk | 固体撮像装置 |
JPH0951633A (ja) * | 1995-08-07 | 1997-02-18 | Fujitsu General Ltd | Pdpシステム電源 |
JPH10304134A (ja) * | 1997-04-28 | 1998-11-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 画像読取装置 |
JPH11150255A (ja) * | 1997-11-19 | 1999-06-02 | Canon Inc | 光電変換装置 |
JPH11331883A (ja) * | 1998-02-28 | 1999-11-30 | Hyundai Electronics Ind Co Ltd | 自己診断ロジックを持つcmosイメ―ジセンサ及びその診断方法 |
JP2000111649A (ja) * | 1998-10-02 | 2000-04-21 | Toshiba Corp | 放射線検出システム |
JP2000244818A (ja) * | 1999-02-24 | 2000-09-08 | Sharp Corp | 増幅型固体撮像装置 |
JP2001074552A (ja) * | 1999-09-02 | 2001-03-23 | Canon Inc | 光電変換装置及びその駆動方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009219153A (ja) | 2009-09-24 |
US7002157B2 (en) | 2006-02-21 |
US8218070B2 (en) | 2012-07-10 |
US20050218333A1 (en) | 2005-10-06 |
US20110221935A1 (en) | 2011-09-15 |
US7138639B2 (en) | 2006-11-21 |
US7705911B2 (en) | 2010-04-27 |
US6952015B2 (en) | 2005-10-04 |
US20070069144A1 (en) | 2007-03-29 |
US20060054834A1 (en) | 2006-03-16 |
US20040178349A1 (en) | 2004-09-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4565044B2 (ja) | 撮像装置および撮像システム | |
JP5986524B2 (ja) | 放射線撮像装置および放射線撮像システム | |
JP4724313B2 (ja) | 撮像装置、放射線撮像装置及びそれを用いた放射線撮像システム | |
JP3984808B2 (ja) | 信号処理装置及びそれを用いた撮像装置並びに放射線撮像システム | |
JP3984814B2 (ja) | 撮像素子、その撮像素子を用いた放射線撮像装置及びそれを用いた放射線撮像システム | |
RU2479068C2 (ru) | Твердотельное устройство формирования изображений и система формирования изображений | |
US20090272909A1 (en) | Imaging apparatus, radiation imaging system, controlling method of imaging apparatus, and recording medium recording control program of imaging apparatus | |
JP2007075598A (ja) | 放射線撮像装置、放射線撮像システム、その制御方法、及び制御プログラム | |
JP2007068014A (ja) | 放射線撮像装置、その制御方法及び放射線撮像システム | |
JP2008036405A (ja) | 放射線撮影装置、その駆動方法及び放射線撮影システム | |
US7659518B2 (en) | Light or radiation image pickup apparatus | |
JP2004179682A (ja) | 放射線撮像装置 | |
US8446495B2 (en) | Image pickup apparatus and image pickup system | |
JP2008141705A (ja) | 放射線撮像装置及び放射線撮像システム | |
JP4564702B2 (ja) | 撮像装置および撮像システム | |
JP5028545B2 (ja) | 撮像装置、放射線撮像装置及びそれを用いた放射線撮像システム | |
JP2004080749A (ja) | 放射線撮像装置及び放射線撮像方法 | |
JP4724311B2 (ja) | 放射線検出装置及びそれを用いた撮像システム | |
JP4921581B2 (ja) | 撮像装置、放射線撮像装置及びそれを用いた放射線撮像システム | |
JP4411295B2 (ja) | 信号処理装置及びそれを用いた撮像装置並びに放射線撮像システム | |
JP2002051264A (ja) | 相関2重サンプリング回路 | |
JP4546560B2 (ja) | 放射線撮像装置、その駆動方法及び放射線撮像システム | |
JP2005318242A (ja) | 撮像装置 | |
JP2006043293A (ja) | 放射線撮像装置及びその制御方法 | |
JP2007050052A (ja) | 放射線撮像装置及びその制御方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100727 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100802 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130806 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4565044 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |