JP4527337B2 - レチクルを保護するための取り外し可能なカバー - Google Patents
レチクルを保護するための取り外し可能なカバー Download PDFInfo
- Publication number
- JP4527337B2 JP4527337B2 JP2001530646A JP2001530646A JP4527337B2 JP 4527337 B2 JP4527337 B2 JP 4527337B2 JP 2001530646 A JP2001530646 A JP 2001530646A JP 2001530646 A JP2001530646 A JP 2001530646A JP 4527337 B2 JP4527337 B2 JP 4527337B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reticle
- removable cover
- fastener
- removable
- bistable
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 33
- 239000012636 effector Substances 0.000 claims description 22
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 17
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 description 33
- 230000008569 process Effects 0.000 description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 description 18
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 11
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 7
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 7
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 7
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 2
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 2
- 241000217377 Amblema plicata Species 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000013039 cover film Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
- G03F1/64—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof characterised by the frames, e.g. structure or material, including bonding means therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/6735—Closed carriers
- H01L21/67359—Closed carriers specially adapted for containing masks, reticles or pellicles
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/66—Containers specially adapted for masks, mask blanks or pellicles; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
- G03F7/70741—Handling masks outside exposure position, e.g. reticle libraries
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70983—Optical system protection, e.g. pellicles or removable covers for protection of mask
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/6735—Closed carriers
- H01L21/67369—Closed carriers characterised by shock absorbing elements, e.g. retainers or cushions
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Library & Information Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
(発明の背景)
(発明の分野)
本発明は、概して、リソグラフィに関し、より詳細には、ペリクルを使用せずにリソグラフィに用いるレチクルを保護することに関する。
【0002】
(関連技術)
リソグラフィは、基板の表面上にフィーチャを生成するために使用されるプロセスである。このような基板は、フラットパネルディスプレイ、回路基板、種々の集積回路などの製造に使用される基板を含み得る。例えば、半導体ウェハを基板として使用して、集積回路を製造し得る。
【0003】
リソグラフィの間、レチクルは、基板上に所望のパターンを転写するために使用される。レチクルは、例えば、可視光線の場合のガラスなどの使用されるリソグラフィの波長に対する透明材料から形成される。レチクルは、自身の上に印刷されたイメージを有する。レチクルの大きさは、レチクルが使用される特定のシステムに関して選択される。例えば、縦6インチ横6インチで、厚さが4分の1インチのレチクルが使用され得る。リソグラフィの間、ウェハ段上に配置されたウェハは、レチクル上に印刷されたイメージに対応するウェハの表面上に投影されたイメージに露光される。
【0004】
投影されたイメージは、例えば、ウェハの表面上に配置されるフォトレジストなどの層の特性を変化させる。これらの変化は、露光中にウェハ上に投影されるフィーチャに対応する。露光に次いで、層がエッチングされ、これにより、パターニングされた層が生成され得る。パターンは、露光中にウェハ上に投影されたフィーチャに対応する。このパターニングされた層は、次いで、伝導層、半導体層、または絶縁層などのウェハ内において下の構造層の露光された部分を取り外すために使用される。その後、このプロセスは、所望のフィーチャがウェハの表面上に形成されるまで、他の工程と共に繰り返される。
【0005】
上記の説明から明らかであるように、リソグラフィを通じて生成されるフィーチャの正確な位置および大きさは、ウェハ上に投影されるイメージの精度および正確さに直接関係する。
【0006】
リソグラフィでは100nm以下という精密性が求められるため、リソグラフィツールだけでなくレチクルにも厳密さが要求される。浮遊粒子およびダストがレチクル上に固着すると、ウェハに欠陥が生じ得る。レチクル面に生じるイメージの歪みまたは変形が小さくても、それは、臨界距離を損ない、予定していた誤りを上回り得る。従来の解決策は、永久固定された透明材料の薄片をレチクル用のペリクルとして使用することである。このペリクルは、リソグラフィプロセスの全ての段階の間、所定の位置に設けられる。ペリクルは、ウェハ上に投影されるイメージの正確さを改善する点において二重の役割を有する。第1に、ペリクルは、粒子汚染との直接的な接触からレチクルを保護する役割を果たす。レチクル上に固着する粒子は、イメージ歪曲を生成し得るため、取り外される必要がある。レチクルから粒子を取り外すと、レチクルとの直接的な接触が発生する可能性があるため、レチクルに損傷が生じ得る。ペリクルが使用される場合、粒子は、レチクルでなくペリクルに固着する。従って、ペリクルを清浄にする必要がある。レチクルでなくペリクルを清浄にする場合、レチクルの完全性が損なわれる危険性は少なくなる。なぜならば、レチクルは、清浄される間、ペリクル自身によって保護されるからである。
【0007】
ペリクルが果たす第2の役割は、ペリクルの隔離に関する。露光の間、焦点面は、レチクル上に印刷されたイメージの位置に対応する。ペリクルを設けることにより、システム内の任意の粒子は、レチクルでなくペリクル上に固着する。ペリクルの厚さ(よって、ペリクルの表面とレチクルのパターニング面との間の距離)によって、これらの粒子は焦点面内に存在しない。ペリクルが粒子を焦点面から持ち上げる(lift out)ため、基板上に投影されるイメージがこれらの粒子を含む可能性は極度に減少される。
【0008】
上記で説明された解決策は、多くの従来のリソグラフィの処理技術において十分に機能する。透過性のペリクルおよびレチクルを製造するための材料が利用可能であるため、このようなシステムは、例えば、レチクルとペリクルとの両方に光を通過させる必要のあるシステムにおいて用いると便利である。
【0009】
しかし、ペリクルを用いたアプローチは、極紫外線(EUV)用途には適していない。現在、EUVに対して十分に透過性を有し、かつ、ペリクルを作製するために用いられ得る材料は見つかっていない。EUVによるリソグラフィの場合、EUVは、レチクルを通過しないが、レチクルのイメージを投影される側から反射する。この技術は、反射リソグラフィ(reflective lithography)として公知である。ペリクルが反射リソグラフィプロセスにおいて使用される場合、EUVは、ペリクルを必ず2回通過する(すなわち、レチクルに向かう際に一回およびレチクルから反射する際にもう一回)。そのため、ペリクルと関連付けられる任意の量の光の損失は、EUV処理技術の場合、事実上2倍になる。
【0010】
(発明の要旨)
業界において開示されているペリクル材料のうち、EUVに対して十分に透過的であり、かつ、EUVの反射リソグラフィが行われる真空環境に適合するものは存在していない。従って、本発明は、リソグラフィによる処理の間にレチクルを保護するための取り外し可能なカバーに関する。
【0011】
本発明の取り外し可能なカバーは、摩擦を最小化し、これにより、粒子の生成量を低減する。本発明の取り外し可能なカバーは、ほとんどの処理工程および運搬工程の間、レチクルにしっかりと取り付けることが可能であり、露光工程の際に簡単に取り外される。さらに、本発明の取り外し可能なカバーは、簡単なエンドエフェクタによって保持され、このエンドエフェクタによってシェルフ(shelf)とレチクルの取付け部との間を運搬されるように設計される。本発明の取り外し可能なカバーは、レチクルの取付け部に適合可能であるため、取り外し可能なカバーが所定の位置にある状態でレチクルを取り付けることが可能である。従って、本発明の取り外し可能なカバーは、従来のペリクルの利点をほとんど達成、なおかつ、EUVリソグラフィと適合可能である。
【0012】
本発明の好適な実施形態において、リソグラフィシステムにおいて使用されるレチクルを保護するための取り外し可能なカバーは、フレームとフレームによって保持される薄膜とを含む。この薄膜は、検査波長(inspection wavelength)に対して透過的であるため、取り外し可能なカバーが所定の位置にある状態でレチクルを検査することができる。この取り外し可能なカバーは、取り外し可能なカバーが所定の位置にある場合にレチクルを保護し、リソグラフィによる露光の際は取り外し可能である。カバーを取り外し可能であるため、リソグラフィプロセスにおいて使用される露光波長に対して少なくとも部分的に不透明な材料から薄膜を形成することが可能である。取り外し可能なカバーは、レチクルファスナを少なくとも1つさらに含み得る。これらのレチクルファスナは、取り外し可能なカバーが所定の位置にある場合、レチクルに力を加え、これにより、取り外し可能なカバーがレチクルに対して移動することを防止する。
【0013】
レチクルファスナは、回転によって作動する1つ以上の双安定ファスナであり得る。これらの双安定ファスナは、双安定ファスナが締結位置にある場合、双安定ファスナから離れる方向にレチクルを偏向させる役割を果たす。
【0014】
さらに、好適な実施形態の取り外し可能なカバーは、取り外し可能なカバーが所定の位置にある場合、取り外し可能なカバーとレチクルとの間のガスフローを可能にするフィルタを含む。
【0015】
好適な実施形態の取り外し可能なカバーのフレームは、複数のリッジ(ridge)を含む。リッジは、取り外し可能なカバーが所定の位置にある場合、レチクルに接触する役割を果たす。取り外し可能なカバーが所定の位置にあり、双安定ファスナが締結されている場合、双安定ファスナは、複数のリッジのうち少なくとも2つの方向にレチクルを偏向させる。
【0016】
好適な実施形態の取り外し可能なカバーは、位置ロケータをさらに含む。これらの位置ロケータは、取り外し可能なカバーが所定の位置にある場合、レチクルと向き合う面とは反対側の取り外し可能なカバーの面に配置される。これらの位置ロケータは、隆起部および爪部からなる群から選択され得る。さらに、好適な実施形態において、位置ロケータは、取り外し可能なカバーがシェルフの上に配置される場合、位置ロケータの第1のセットとシェルフとの間の接触と、位置ロケータの第2のセットとエンドエフェクタとの間の接触とを可能にするように構成される。
【0017】
本発明の好適な実施形態による取り外し可能なカバーのフレームは、複数のフランジをさらに含む。これらのフランジは、フレーム内の開口部に対応する平面に対して垂直方向に延びるため、取り外し可能なカバーが所定の位置にある場合、レチクルは、複数のフランジによって側面の端において部分的に固定される。これらの複数のフランジは、フレームと一体形成され得る。開口部は、検査波長に対して透過性の薄膜によって覆われる。少なくとも1つの双安定ファスナは、第1の複数のフランジ内に配置され得る。取り外し可能なカバーは、さらに、第1のフランジに隣接するフレーム上に配置される第1のリッジと、第1のフランジの反対にある第2の複数のフランジに隣接するフレーム上に配置される第2および第3のリッジとを含む。第2および第3のリッジは、第2のフランジの内側へと延びるため、取り外し可能なカバーが所定の位置にあり、双安定ファスナが締結されている場合、レチクルは、第2のフランジの内側にある第2および第3のリッジに向かって偏向される。
【0018】
レチクルと、レチクルが使用されていない場合にレチクルを保護する取り外し可能なカバーと、レチクルおよび取り外し可能なカバーを保持するシェルフと、取付け部と、取り外し可能なカバーが所定の位置にある場合のレチクルをシェルフから取付け部に運搬するエンドエフェクタとを含むリソグラフィシステムも開示される。
【0019】
リソグラフィを実行する方法も開示され、この方法は、以下の工程を含む:(a)取り外し可能なカバーによって覆われるレチクルを取付け部の上に配置する工程、(b)取り外し可能なカバーをレチクルから取り外す工程、(c)リソグラフィの露光を実行する工程、および(d)レチクルの上に取り外し可能なカバーを戻す工程。好適な実施形態において、この方法は、工程(a)の前に、取り外し可能なカバーによって覆われたレチクルをシェルフから取付け部へと運搬する工程をさらに含む。好適な方法は、工程(d)の後に、取り外し可能なカバーによって覆われたレチクルをシェルフに戻す工程をさらに含む。取り外し可能なカバーが所定の位置にある間にレチクルを検査する工程が実行され得る。なぜならば、取り外し可能なカバーの薄膜が検査波長に対して透過的であるからである。さらに、開示される方法は、取り外し可能なカバー上の少なくとも1つの双安定ファスナを締結解除することによって、露光の前に取り外し可能なカバーからレチクルを解放する工程と、取り外し可能なカバー上の少なくとも1つの双安定ファスナを締結することによって、露光後に取り外し可能なカバーにレチクルを固定する工程とを含み得る。
【0020】
添付の図面を参照しながら、本発明について説明する。図中、同様の参照番号は、同一または機能的に同様の要素を示す。さらに、参照番号の最も左にある数字は、参照番号が最初に現れた図面を識別する。
【0021】
(好適な実施形態の詳細な説明)
従来のリソグラフィでは、パターニングされたレチクルの領域を粒子汚染から保護する際、ペリクルに依存してきた。現状では、超紫外線(EUV)の光に対して透過性のペリクル材料はないため、ペリクルを用いたアプローチは不可能となっている。別のアプローチとして、露光および清浄のために取り外されるレチクルカバーが提示される。
【0022】
リソグラフィシステムは清浄な環境で動作するが、処理中に粒子が生成される。これらの粒子は、レチクルを汚染し得る。レチクルを定期的に清浄して、レチクルの粒子レベルを許容可能な閾値以下に維持する。従って、リソグラフィのシステムにおける粒子生成の原因を考慮に入れる必要がある。粒子が生成されなければ清浄なシステムにおける粒子は、典型的には、摩擦によって生成される。従来のシステムでは、粒子は、レチクルを1つの場所から別の場所に移動する際に生成される。従来のシステムでは、運搬中にレチクルが摺動することが可能であるため、運搬中に摺動する任意のレチクルによって別の粒子が生成され得る。最後に、従来システムにおける振動も、摩擦および関連の粒子生成を引き起こす。本発明において、取り外し可能なカバー上に位置ロケータおよびリッジを設けて、移動およびレチクル摺動による摩擦を無くす。しかし、カバーの取り付けおよび取り外しを行うと、摩擦が生成され得る。同様に、従来システムの場合と同じく、振動も粒子形成の一因となる。従って、本発明を実施する際に、粒子生成の原因のこれらの相違点を考慮するべきである。
【0023】
粒子生成に加えて、粒子固着もまた、リソグラフィシステムを設計する際の問題点である。本発明において取り外し可能なカバーを使用すると、露光工程の間を除いて、レチクル上に粒子が固着する可能性が常に無くなる。本発明者らは、露光の間以外の時に粒子の固着が著しく生じることを発見したため、取り外し可能なカバーを使用すると、露光工程の間にカバーを取り外しても、レチクルを粒子の固着から有意に保護する。
【0024】
最後に、粒子移動も考慮に入れる必要がある。粒子移動は、高速運動および急速な圧力変化によって引き起こされる乱れ(turbulence)の間に生じる。EUVシステムにおいて、多くの移動は、高真空環境において生じる。従って、例えば、ライブラリシェルフ(library shelf)から投影の取付け部への移動において発生する乱れは最小である。しかし、EUVシステムは圧力変化を伴うため、乱れのこの原因を考慮に入れる必要がある。本発明における粒子移動の別の原因は、取り外し可能なカバーを使用することにより生じる。カバーによって粒子が放出され得るため、粒子移動のこの原因は、本発明の取り外し可能なカバーを実行する際に考慮されるべきである。
【0025】
本発明による取り外し可能なカバーの構造を参照すると、図1Aは、取り外し可能なカバー100の好適な実施形態を示す。取り外し可能なカバーは、フレーム110を含む。フレーム110は、点検窓に対応する開口部121を含む。フレームに使用される材料は、いくつかのことを考慮に入れて選択されるべきである。材料は、リソグラフィシステムにおいて使用される標準清浄剤に適合するべきである。材料は、アミン類のガス発生、またはリソグラフィのプロセスに他の有害な所望でない物質を生成するべきでない。材料は、さらに、機械的崩壊に抵抗力があるべきである。取り外し可能なカバーがEUVリソグラフィの高真空環境において使用されるため、これらの材料の特性は、高真空環境において有効であるべきである。使用され得る可能な材料の例は、繊維強化成形ポリマー、アルミニウムまたはチタンなどのDerlin(登録商標)またはPTFE(Teflon(登録商標))によってコーティングされた金属を含む。他の材料も、本発明から逸脱することなく使用され得る。そのような材料は、この開示を読むと、当業者によって選択され得る。
【0026】
フレーム110は、フィルタ111をさらに含む。このフィルタは、粒子がレチクルへと通過することを防止する一方で、ガスフローがフレーム110を通ることを可能にする。従って、カバーは、ポンプおよびガス抜きのサイクルの間、ガス抜きをすることが可能である。
【0027】
フレーム110は、さらに、フランジ112および113を含む。これらのフランジは、図示のように、フレームと一体形成され得る。図示されるように、フランジ112および113は、フレームによって規定される窓に対して垂直方向に延びる。これらのフランジは、取り外し可能なカバーがレチクル上の所定の位置にある場合、レチクルの側面の端を部分的に取り囲む役割を果たす。この関係は、例えば、図1Bに示され、下記でより詳細に説明される。
【0028】
フレーム110は、さらに、リッジ114、115、および116を含む。図1に示されるように、第1のリッジ114は、第1のフランジ112に隣接するフレーム上に形成される。この第1のリッジ114は、取り外し可能なカバーがレチクル上の所定の位置にある場合、レチクルに対する第1の静止点(resting point)として使用される。第2および第3のリッジ115および116は、第2のフランジ113に隣接するフレーム上に形成される。第2および第3のリッジは、取り外し可能なカバーがレチクル上の所定の位置にある場合、レチクルに対する第2および第3の静止点として使用される。当業者は、この開示を読むと、本発明から逸脱することなくより多くのまたはより少ないリッジが提供され得ることを理解するが、好適な実施形態は、3つのリッジを含む。なぜならば、取り外し可能なカバー上のレチクルを安定化するために、この数字が理想的であるからである。さらに、リッジ114、115、および116は、取り外し可能なカバーとレチクルとの間の接触を最小限にすることによって粒子を生成する摩擦を最小限にするために提供されるが、リッジのない取り外し可能なカバーも、この開示を読むと関連技術の当業者に明らかになるように本発明の範囲内である。最後に、リッジ114、115、および116は、フレーム110とレチクルとの間にギャップを生成するが、リッジの高さを十分に小さくすることにより、フィルタ111を通るガスの伝導性を、リッジ114、115、および116によって生成されたギャップを通るガスの伝導性より高くすることが可能である。
【0029】
図1Aにおいてさらに分かるように、第2および第3のリッジ115および116は、第2のフランジ113の内部を通って延びる。これらの第2および第3のリッジは、下記でより全面的に説明するように、第1および第2のファスナ117および118と関連して動作して、取り外し可能なカバーをレチクルに固定する。
【0030】
フレーム110は、第1のフランジ112内に配置される第1および第2のファスナ117および118をさらに含む。これらの第1および第2のファスナは、好適に、双安定ファスナ(bi−stable fastener)である。本明細書中で使用するように、「双安定」という用語は、2つの安定した状態(締結および締結解除)を有するファスナを規定することを意図する。ファスナは、ファスナに別の制御または力が加えられなければ、いずれかの状態に保持される。このようなファスナは、例えば、回転によって作動するファスナとして形成され得、回転によって作動するファスナはそれぞれ、締結または締結解除のいずれかの状態にファスナを保持する役割を果たす双安定ばねを含む。このような構成は、例えば、図2に示され、下記でより全体的に説明される。ファスナ117および118は、締結されている場合、第2および第3のリッジ115および116に向かってレチクルを偏向させる。従って、好適な実施形態において、取り外し可能なカバーがレチクル上の所定の位置にある場合、レチクルは、取り外し可能なカバーと7つの点で接触し、この7つの点は、レチクルに面する取り外し可能なカバーの表面上の第1、第2および第3のリッジ114、115および116、第2のフランジ113の内側に延びる第2および第3のリッジ115および116、ならびに第1および第2のファスナ117および118である。これは、取り外し可能なカバーに面するパターニングされた面を有するレチクル120上の所定の位置にある取り外し可能なカバー100を示す図1Bに示される。この様態で、レチクルを取り外し可能なカバーにしっかりと固定することによって、カバーに関連するレチクルの移動を無くす。同時に、レチクルとカバーとの間の接触が最小化される。レチクル120を反射リソグラフィシステムにおいて使用するため、カバーと反対側のレチクル上に固着する任意の粒子は、反射されたイメージが劣化する一因とならない。当業者は、この開示を読むと、本発明から逸脱することなくファスナ、リッジ、またはその両方が省かれ得ることを理解するが、これらの要素は、粒子生成を最小化するために好適な実施形態に含まれる。
【0031】
上記のように、図2は、本発明において使用される双安定ファスナ230および240の例の詳細を示す。双安定ファスナ230は、第1のフランジ112内に提供され、ファスナドライバ210上の対応する第1のピン211に対する第1の結合点232を含む。フランジ112は、ファスナドライバ210上の対応する第2のピン212に対する第2の結合点231を含む。双安定ファスナ230は、また、締結点233および双安定ばね234を含む。動作中、ピン211および212がそれぞれ、結合点232および231と結合する一方で、ファスナドライバ210は回転する。この回転によって、結合点232は、結合点231に関連して移動する。カバーの内側に向かう方向に結合点232を移動させると、双安定ばね234が締結位置に移動し、従って、締結点233がレチクルに一定の圧力を加える。この圧力は、ファスナが締結位置にある間、保持され、従って、フレームの反対側に配置されるリッジ(図2に示さず)に対してレチクルを偏向させる。締結解除は、ピン211および212が結合点232および231と結合している一方で、ファスナドライバを単に反対方向に回転することにより実行される。双安定ファスナ240は、ファスナ230と同じ様態で機能する。別のドライバ220が制御ファスナ240に提供され得る。特定の種類のファスナについて説明したが、異なる種類のファスナも、この開示を読むと本発明の範囲から逸脱することなく使用され得る。同様に、使用されるファスナの数およびそれらの配置は、この開示を読むと本発明から逸脱することなく図示の例から変化され得る。例えば、単一の電磁気で回転するファスナも使用され得る。
【0032】
図1Aを再び参照すると、取り外し可能なカバー100は、さらに、フレーム110内の開口部121を覆う薄膜119を含む。この薄膜は、点検窓に相当する。好適な実施形態において、薄膜119は、検査波長に対して透過的である。「検査波長」という用語は、レチクルの検査および識別のために使用される光の波長を含むことを意図する。EUV用途において、この波長は、露光の際に使用する波長と異なる。薄膜119は、従って、検査波長に対する透明材料から形成される。従って、取り外し可能なカバーが所定の位置にあるのに、レチクルを検査および識別し得る。好適には、薄膜に使用される材料は、真空環境に適合し、検査波長における透過的劣化に対して抵抗力がある。同様に、材料は、リソグラフィのシステムに使用される標準清浄剤に適合するべきである。従って、薄膜の材料は、この開示を読むと当業者が理解するように、従来のペリクルを製造するために使用する種類の材料であり得る。例えば、ペリクルと同様の特性を有するポリマーシート、またはガラスさえも使用され得る。薄膜に使用される特定の材料を選択することは、この開示を読むと関連技術の当業者に明らかになる。
【0033】
点検窓の大きさを選択して、レチクルの所望の領域の検査および識別を可能にし得る。図3Aは、本発明の取り外し可能なカバーと関連して使用され得るレチクル300の図である。レチクル300は、印刷可能な領域310を含む。領域311は、機械可読IDを含む。領域312は、レチクルのタイトルを含む。領域313は、英数字のIDを含む。領域311、312、および313は全て、領域314内にあり、領域314は、この例示的なレチクルにおけるID配置領域である。領域315は、取り付けおよび大枠のアライメントの基準として利用可能である。領域316はリソグラフィに使用するために確保してあり、領域317は取付基準領域である。図3Bは、図3Aのレチクルに寸法を追加した図である。図3Bの寸法の単位は、ミリメートルである。図3Aおよび図3Bにおいて説明され示されるレチクルは、本発明において使用され得るレチクルの例である。他のレチクルも、この開示を読むと関連技術の当業者に明らかになるように、本発明の意図から逸脱することなく使用され得る。
【0034】
好適な実施形態において、レチクルおよび取り外し可能なカバーの寸法が選択されることによって、レチクルは、取り外し可能なカバーの2つの向かい合う面を越えて延びる。この構成は、下記で説明するように、取り外し可能なカバーが所定の位置にある状態で、レチクル取付け部にレチクルを簡単に取り付ける。
【0035】
図4は、レチクル120上の所定の位置にある好適な実施形態の取り外し可能なカバー100の底面図である。図示のように、取り外し可能なカバー100は、取り外し可能なカバーが所定の位置にある場合、レチクル120に対する面とは反対側の取り外し可能なカバー100の面上に位置ロケータ401〜406を含む。これらの位置ロケータは、下記で説明するように、エンドエフェクタおよびシェルフの上に配置される他の位置ロケータと共に使用される。位置ロケータを爪部または隆起部として示してきたが、他の種類の位置ロケータも、この開示を読むと関連技術の当業者に明らかになるように、本発明から逸脱することなく使用され得る。
【0036】
好適な実施形態において、位置ロケータ401、403、および405は、シェルフと関連して使用される位置ロケータの第1のセットを構成し、位置ロケータ402、404、および406は、エンドエフェクタと関連して使用される位置ロケータの第2のセットに対応する。位置ロケータのこれらの2つのセットは、例示的な目的のために少しばかり大きさの異なるように示されるが、全ての位置ロケータは、この開示を読むと当業者が理解するように本発明の意図から逸脱することなく同じ大きさであり得る。同様に、位置ロケータの特定の数および構成が好適な実施形態と関連して示されてきた。そのため、位置ロケータの数および位置は、この開示を読むと関連技術の当業者に明らかになるように、本発明から逸脱することなく変更され得る。
【0037】
図5は、取外し可能なカバー100およびレチクル120がシェルフ510上に配置された様子を示す底面図である。このシェルフ510は、位置ロケータ(図からは見えず)を含む。これらの位置ロケータは、取外し可能なカバー100上の第1の位置ロケータ401、403、405のセットと係合する(これについては、上記にて図4と関連して説明した)。図5はまた、エンドエフェクター520も示す。エンドエフェクター520も、位置ロケータ(図からは見えず)を含み、これらの位置ロケータは、取外し可能なカバー100上の第2の位置ロケータ402、404、406と係合する(これについては、上記にて図4と関連して説明した)。シェルフ510は、1つのライブラリ(図示せず)内の多くのシェルフの1つであり、これらのシェルフはそれぞれ、取外し可能なカバーおよびレチクルを含む。シェルフのライブラリは、1つのリソグラフィツール(図示せず)内にある。エンドエフェクター520はロボット(図示せず)に接続され、取外し可能なカバーおよびレチクルをシェルフに対して送受する際に用いられる。この好適な実施形態において、取外し可能なカバー100は3つで1組の位置ロケータ401〜406を2組含むため、レチクル120に取り付けられた取外し可能なカバー100は、これらの位置ロケータ組のうちいずれかの組において支持されている場合、安定な状態である。エンドエフェクター520およびシェルフ510の形状は、取外し可能なカバー100およびレチクル120がシェルフ510上に静止され、かつ、位置ロケータのうちシェルフ510によって被覆されていない部分にエンドエフェクター520がアクセスすることができることを可能にする形状である。そのため、エンドエフェクター520は、取外し可能なカバー100の付いたレチクル120が全体のプロセスを通じて3点において支持されている間、シェルフ510の下側を移動して、取外し可能なカバー100およびレチクルをシェルフ510から持ち上げることができる。このようにすることで、構造内の移動部分が使用される際に生じる摩擦の量が最低限になり、その結果、粒子が生成される可能性が低減する。
【0038】
図6は、図5の構造を上から見たときの斜視図を示し、エンドエフェクター520はレチクル120および取外し可能なカバー100をシェルフ510から離れた位置で保持している。この図において、位置ロケータ511〜513は、シェルフ上において可視状態にある。図中では位置ロケータを隆起部として図示しているが、取外し可能なカバー上にて用いられる対応する位置ロケータと係合可能なものであれば、爪部または他の位置ロケータを用いることも可能である。
【0039】
図7は、シェルフ510上に配置された取外し可能なカバー100を示し、エンドエフェクター520はシェルフの下側にある。例示目的のため、図7において、レチクル120が取外し可能なカバーの上側にある様子が図示されている。この図において、位置ロケータ521〜523は、エンドエフェクター520上にて可視状態にある。図中では位置ロケータを隆起部として図示しているが、取外し可能なカバー上にて用いられる対応する位置ロケータと係合可能なものであれば、爪部または他の位置ロケータを用いることも可能である。
【0040】
図8は、光学送信センサ810、820を2つ用いた様子を示す。光学送信センサ810、820は、支持部830、831に取り付けられる。812および822は、センサ810、820と共に用いられる光の放射を示した。取外し可能なカバー100およびレチクル120は光812、822を部分的に遮るため、光学センサ810、820は、取外し可能なカバー100およびレチクル120のロケーションを判定することができる。これらのセンサは、取外し可能なカバーを除去してレチクルに取り付ける場所であるステーションにおいて用いられる。これらの光学センサを用いると、取外し可能なカバーをレチクルの中央部上に確実に配置することが可能となる。用いられる特定の光学センサは、当業者に公知の種類のものである。あるいは、他の種類のセンサを用いて、位置情報を収集してもよい。他の種類のセンサを選択する方法については、関連分野の当業者が本開示を読めば明らかである。例えば、光学センサ810および820の代わりに静電容量計を用いることが可能である。さらには、図8では2つのセンサを図示しているが、関連分野の当業者にとって本開示を読めば明らかなように、実際利用されるセンサの数は2つではない場合もあり得る。同様に、センサのロケーションおよび方向付けも、本発明の範囲から逸脱することなく変更が可能である。従って、関連分野の当業者にとって、本開示を読めば、様々なロケーションおよび方向付けが明らかである。
【0041】
図9は、レチクルが取付け部910中に取り付けられる際に、取外し可能なカバー100をレチクル120上に配置した様子を示す。分かりやすくするため、図9中では取付け部の一部のみを図示している。上述したように、取外し可能なカバーおよびレチクルの寸法は、レチクルがカバーを所定位置に配した取付け部上に取り付けられるように、選択される。カバーを所定位置に配した状態での取付けを可能にする上記の条件を満たす一構成を図示しているが、関連分野の当業者にとって、本開示を読めば、他の構成および寸法は明らかである。エンドエフェクター(図示せず)を用いて、取外し可能なカバーを取付け部に挿入する。この挿入は、図を覗き込んだときの方向において行われる。取外し可能なカバーの幅は取付け部よりも幅狭であるため、取外し可能なカバーは、取付け部の対向する部分911、912の間を通過することができる。レチクルは、取付け部に配置された後、図中では図示されていないエレメントによって保持される。この時点において、ファスナ117、118を締結解除して、取外し可能なカバーをレチクルから取り外すことができるようになる。あるいは、取付け部の近隣にありかつ取付け部と別個になっている締結/締結解除ステーション(図示せず)において、ファスナ117、118を締結解除することも可能である。締結/締結解除ステーションにおいてファスナ117、118が締結解除された後、カバーが重力によって所定位置にある状態で、レチクルを取付け部に移動させることができる。レチクルを取り付けた後、既に締結解除されたカバーを取り外しことができる。取外し可能なカバーを取り出した後、リソグラフィによる露光を行うことが可能になる。
【0042】
EUVプロセスの間、レチクルのパターニング側は、図9に示すように下側を向く。露光の間、EUVは、レチクルに向かって上方を向く。次いで、レチクルパターンに対応するイメージを、基板上に再度投影させる。この露光プロセスが終了した後は、取外し可能なカバーを取り換えることが可能となる。以下、このプロセスについて図10に関連して説明する。
【0043】
図10Aは、本発明による第1の方法における工程を示すプロセスフロー図である。第1の工程1010において、カバーが付けられたレチクルをライブラリシェルフから取付け部に移動させる。次の工程1020において、カバーが付けられたレチクルを取付け部上に配置する。工程1020の後、工程1030において、取外し可能なカバー中に取り付けられたレチクルファスナを締結解除する。その後、工程1040において、このカバーをレチクルから外す。レチクルからカバーを外した後、工程1050において露光を行うことが可能となる。露光後、工程1060において、取外し可能なカバーをレチクル上の元の場所に配置する。取外し可能なカバーを所定位置に配置した後、工程1070において、レチクルファスナを締結する。最後に、最終工程1080において、カバーが付けられたレチクルをシェルフに戻す。このようにして、レチクルの移動を伴う工程を行うたびに、取外し可能なカバーをレチクル上の所定位置に配置する。これにより、粒子がレチクル上に固着する可能性が低くなり、必要なレチクル洗浄の合間の時間が増加する。
【0044】
図10Bは、本発明による第2の方法における工程を示すプロセスフロー図である。第1の工程1001において、カバーが付けられたレチクルを、ライブラリシェルフから締結/締結解除ステーションへと移動させる。次の工程1002において、締結/締結解除ステーションにカバーが付けられたレチクルが配置されている間、取外し可能なカバー中に配置されているレチクルファスナを締結解除する。次の工程1003において、カバーが付けられたレチクルを、締結/締結解除ステーションから取付け部へと移動させる。工程1003の間、カバーは重力によって所定位置に保持されている。ファスナは工程1003よりも前の時点において締結解除されているため、この工程においてカバーが付けられたレチクルを移動させる速度は、ファスナが締結されている場合の移動工程の移動速度よりも低速であるはずである。このように速度が低速であると、当業者にとって本開示を読めば明らかなように、取外し可能なカバーがレチクルに対して動く量が最低限になる。次の工程1020において、カバーが付けられたレチクルを取付け部上に配置する。その後、工程1040において、カバーをレチクルから外す。レチクルからカバーを外した後、工程1050において露光を行うことが可能になる。露光後、工程1060において、取外し可能なカバーをレチクル上の元の場所に配置する。次の工程1090において、カバーが付けられたレチクルを締結/締結解除ステーションに再度移動させる。工程1003に関連して上記にて説明したように、工程1090の間の移動速度は、ファスナが締結されてい場合の移動速度よりも低速である。カバーが付けられたレチクルを締結/締結解除ステーションに移動させた後、工程1091において、レチクルファスナを締結する。最後に、最終工程1092において、カバーが付けられたレチクルをライブラリシェルフに戻す。このようにして、このようにして、レチクルの移動を伴う工程を行うたびに、取外し可能なカバーをレチクル上の所定位置に配置する。これにより、粒子がレチクル上に固着する可能性が低くなり、必要なレチクル洗浄の合間の時間が増加する。さらには、取付け部の近隣にありかつ取付け部と別個になっている締結/締結解除ステーションにおいて締結および締結解除を行うことにより、取付け部における構造上の混雑を最小に留めることが可能となる。
【0045】
図11は、EUVプロセスの高真空システムにおいて用いられるレチクルの汚染/洗浄サイクルを示すグラフである。図11は、単に相対的な汚染レベルを示すものであるため、任意の特定の縮尺に従って図示されているわけではない。サイクルはポイント1130から開始し、この時点においてレチクルは清浄である。このグラフから明らかなように、検査、移動、圧力変化および格納の全ての段階において、粒子がレチクルに汚染する可能性がある。検査から格納への経路に沿った下側の線は、カバーが付けられたレチクルへの汚染レベルを示し、同じ経路に沿った上側の線は、カバーが付けられていないレチクルへの汚染レベルを示す。取外し可能なカバーが配置されると、レチクルへの汚染レベルは大幅に低減している。本発明の取外し可能なカバーは、検査波長に対して透過性であるため、検査中も所定位置に置いておくことが可能である。また、本発明の取外し可能なカバーは、単純な構造のエンドエフェクターによって容易に取り扱えるように設計されているため、移動および格納の間も所定位置に置いておくことが可能である。その上、本発明の取外し可能なカバーは、レチクルの取付け部と適合性を持つように設計されているため、レチクルが取り付けられている最中にも、所定位置に置いておくことが可能である。リソグラフィが用いられている間、カバーが取り外された時点において、いずれの場合においても汚染速度は同じになっている。しかし、汚染が許容可能なレベルにある時間の長さは、先行のカバーが付けられていないレチクル1160の場合の方が、先行のカバーが付けられたレチクル1150の場合よりも著しく短くなっている。汚染が許容不可能なレベル1170に達した後は、レチクルは使用不可能となり、その後洗浄対象として返却される。本発明の取外し可能なカバーを用いると、取外し可能なカバーが無い構造と比較して、レチクルを用いることが可能な時間の長さを大幅に改善することが可能であることを本発明者らは発見した。この発見は、ペリクルの利用が実現不可能なEUV技術にとって重要である。
【0046】
(結論)
上記にて本発明の様々な実施形態について説明してきたが、これらの実施形態を提示してきたのはひとえに例示目的のためであって、限定目的のためではないことが理解されるべきである。また、当業者であれば、これらの実施形態の形式および詳細点に対しては、本明細書中の特許請求の範囲に定義されている本発明の趣旨および範囲から逸脱することなく、様々な変更を為すことが可能であることも理解する。従って、本発明の範囲は、上記の例示的実施形態のいずれによっても限定されるべきではなく、本明細書中の特許請求の範囲およびその均等物のみによって定義されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図1A】 図1Aは、本発明の取り外し可能なカバーの俯瞰図である。
【図1B】 図1Bは、レチクル上の所定の位置にある本発明の取り外し可能なカバーの俯瞰図である。
【図2】 図2は、本発明による双安定ファスナおよび関連のドライバの詳細を示す。
【図3A】 図3Aは、本発明の取り外し可能なカバーと共に使用されるレチクルの図である。
【図3B】 図3Bは、本発明の取り外し可能なカバーと共に使用されるレチクルの図である。
【図4】 図4は、レチクル上の所定の位置にある本発明の取り外し可能なカバーの底面図である。
【図5】 図5は、レチクル上の所定の位置にあり、シェルフによって保持される本発明の取り外し可能なカバーの底面図であり、エンドエフェクタも示される。
【図6】 図6は、エンドエフェクタによってシェルフと反対方向(または、シェルフの方向)に移動するレチクル上の所定の位置にある本発明の取り外し可能なカバーを示す。
【図7】 図7は、本発明の取り外し可能なカバーと、本発明によるレチクル、シェルフ、およびエンドエフェクタとの間の関係を示す底面図である。
【図8】 図8は、本発明によるエンドエフェクタ、取り外し可能なカバー、およびレチクルと共に光透過センサを示す図である。
【図9】 図9は、取付け部の端部の図であり、本発明による取り外し可能なカバーおよびレチクルと共に示す図である。
【図10A】 図10Aは、本発明による第1の方法のプロセスのフロー図である。
【図10B】 図10Bは、本発明による第2の方法のプロセスのフロー図である。
【図11】 図11は、EUVプロセスの高真空システム内で使用されるレチクルの汚染/清浄サイクルを描くグラフ図である。
Claims (12)
- リソグラフィシステム中のレチクルを保護する取外し可能カバーであって、
フレームと、
前記フレームによって支持される薄膜と、
を備え、
前記薄膜は、前記取外し可能カバーが所定位置にある状態で前記レチクルを検査することが可能となるように検査波長に対して透過性であり、
前記取外し可能カバーは、前記取外し可能カバーが所定位置にある場合に前記レチクルを保護し、リソグラフィによる露光を行うために取外し可能であり、
前記取外し可能カバーはさらに、前記取外し可能カバーが所定位置にある場合にレチクルを保護することが可能となるようにレチクルを偏向させるレチクルファスナを少なくとも1つ備える、
取外し可能カバー。 - 前記取外し可能カバーは、前記リソグラフィシステムにおけるレチクルライブラリシェルフとレチクル取付け部との間のレチクルの移動の間、前記レチクルを保護し、前記レチクル取付け部に前記レチクルがある間であってリソグラフィによる露光の際に、取り外される、請求項1に記載の取外し可能カバー。
- 前記少なくとも1つのレチクルファスナは、前記取外し可能ペリクルが所定位置にある場合、前記レチクルに力を加えて、これにより、前記取外し可能ペリクルが前記レチクルに対して動かないようにする、請求項1または2に記載の取外し可能カバー。
- 前記少なくとも1つのレチクルファスナは、双安定ファスナを備える、請求項1ないし3のいずれかに記載の取外し可能カバー。
- 前記少なくとも1つのレチクルファスナは、複数の双安定ファスナを備え、該複数の双安定ファスナは、自身が締結位置にある場合、自身から離れた方向に前記レチクルを偏向させ、回転によって作動するようになっている、請求項4に記載の取外し可能カバー。
- 前記フレームはフィルタをさらに備え、該フィルタは、前記取外し可能カバーが所定位置にある場合、前記取外し可能カバーと前記レチクルとの間にガスフローを流すことを可能にする、請求項1ないし5のいずれかに記載の取外し可能カバー。
- 前記フレームは複数のリッジをさらに備え、前記取外し可能カバーが所定位置にある場合、該リッジは前記レチクルと接触する、請求項1ないし6のいずれかに記載の取外し可能カバー。
- 前記少なくとも1つのレチクルファスナは、少なくとも1つの双安定ファスナを備え、前記取外し可能カバーが所定位置にあり、かつ、該少なくとも1つの双安定ファスナが締結位置にある場合、該少なくとも1つの双安定ファスナは、前記複数のリッジのうち少なくとも2つに対して前記レチクルを偏向させる、請求項7に記載の取外し可能カバー。
- 位置ロケータをさらに備え、該位置ロケータは、前記取外し可能カバーが所定位置にある場合、前記レチクルとの対面部と反対側の前記取外し可能カバー側に配置される、請求項1ないし8のいずれかに記載の取外し可能カバー。
- 前記位置ロケータは、隆起部および爪部からなる群から選択される、請求項9に記載の取外し可能カバー。
- 前記位置ロケータは、前記取外し可能カバーがシェルフ上に配置されている間、前記位置ロケータの第1のセットと前記シェルフとの間と、前記位置ロケータの第2のセットとエンドエフェクターとの間との接触を可能にするように構成される、請求項9に記載の取外し可能カバー。
- 前記薄膜は、前記リソグラフィシステムにおいて用いられる露光波長に対して少なくとも部分的に不透明である、請求項1ないし11のいずれかに記載の取外し可能カバー。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US15814299P | 1999-10-08 | 1999-10-08 | |
US60/158,142 | 1999-10-08 | ||
US09/473,710 US6239863B1 (en) | 1999-10-08 | 1999-12-29 | Removable cover for protecting a reticle, system including and method of using the same |
US09/473,710 | 1999-12-29 | ||
PCT/US2000/041056 WO2001027695A2 (en) | 1999-10-08 | 2000-10-04 | Removable cover for protecting a reticle, system including and method of using the same |
Related Child Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009025411A Division JP2009104187A (ja) | 1999-10-08 | 2009-02-05 | レチクルを保護するための取り外し可能なカバー、そのカバーを含むシステム、およびそのカバーを使用する方法 |
JP2009025410A Division JP4768035B2 (ja) | 1999-10-08 | 2009-02-05 | レチクルを保護するための取外し可能なカバー |
JP2009025412A Division JP4690471B2 (ja) | 1999-10-08 | 2009-02-05 | レチクルを保護するための取り外し可能なカバーを使用する方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003511868A JP2003511868A (ja) | 2003-03-25 |
JP4527337B2 true JP4527337B2 (ja) | 2010-08-18 |
Family
ID=26854779
Family Applications (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001530646A Expired - Fee Related JP4527337B2 (ja) | 1999-10-08 | 2000-10-04 | レチクルを保護するための取り外し可能なカバー |
JP2009025411A Ceased JP2009104187A (ja) | 1999-10-08 | 2009-02-05 | レチクルを保護するための取り外し可能なカバー、そのカバーを含むシステム、およびそのカバーを使用する方法 |
JP2009025410A Expired - Fee Related JP4768035B2 (ja) | 1999-10-08 | 2009-02-05 | レチクルを保護するための取外し可能なカバー |
JP2009025412A Expired - Fee Related JP4690471B2 (ja) | 1999-10-08 | 2009-02-05 | レチクルを保護するための取り外し可能なカバーを使用する方法 |
JP2011087939A Expired - Fee Related JP4940364B2 (ja) | 1999-10-08 | 2011-04-12 | リソグラフィシステム |
Family Applications After (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009025411A Ceased JP2009104187A (ja) | 1999-10-08 | 2009-02-05 | レチクルを保護するための取り外し可能なカバー、そのカバーを含むシステム、およびそのカバーを使用する方法 |
JP2009025410A Expired - Fee Related JP4768035B2 (ja) | 1999-10-08 | 2009-02-05 | レチクルを保護するための取外し可能なカバー |
JP2009025412A Expired - Fee Related JP4690471B2 (ja) | 1999-10-08 | 2009-02-05 | レチクルを保護するための取り外し可能なカバーを使用する方法 |
JP2011087939A Expired - Fee Related JP4940364B2 (ja) | 1999-10-08 | 2011-04-12 | リソグラフィシステム |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6239863B1 (ja) |
EP (1) | EP1226471A2 (ja) |
JP (5) | JP4527337B2 (ja) |
KR (1) | KR100756083B1 (ja) |
AU (1) | AU1630001A (ja) |
WO (1) | WO2001027695A2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109752920A (zh) * | 2017-11-07 | 2019-05-14 | 格芯公司 | Euv掩模流动中的薄膜置换 |
Families Citing this family (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE60219844T2 (de) * | 2001-03-01 | 2008-01-17 | Asml Netherlands B.V. | Verfahren zur Übernahme einer lithographischen Maske |
US6736386B1 (en) | 2001-04-10 | 2004-05-18 | Dupont Photomasks, Inc. | Covered photomask holder and method of using the same |
US6734445B2 (en) * | 2001-04-23 | 2004-05-11 | Intel Corporation | Mechanized retractable pellicles and methods of use |
US6619903B2 (en) | 2001-08-10 | 2003-09-16 | Glenn M. Friedman | System and method for reticle protection and transport |
CN101650528B (zh) * | 2002-02-22 | 2012-09-26 | Asml控股股份有限公司 | 使用两件式盖子保护模版的系统和方法 |
US6906783B2 (en) * | 2002-02-22 | 2005-06-14 | Asml Holding N.V. | System for using a two part cover for protecting a reticle |
US6826451B2 (en) * | 2002-07-29 | 2004-11-30 | Asml Holding N.V. | Lithography tool having a vacuum reticle library coupled to a vacuum chamber |
SG102718A1 (en) * | 2002-07-29 | 2004-03-26 | Asml Holding Nv | Lithography tool having a vacuum reticle library coupled to a vacuum chamber |
DE10246788B4 (de) * | 2002-10-08 | 2007-08-30 | Infineon Technologies Ag | Schutzvorrichtung für Reflexionsmasken und Verfahren zur Verwendung einer geschützten Reflexionsmaske |
TWI286674B (en) * | 2002-12-27 | 2007-09-11 | Asml Netherlands Bv | Container for a mask, method of transferring lithographic masks therein and method of scanning a mask in a container |
EP1434094A1 (en) * | 2002-12-27 | 2004-06-30 | ASML Netherlands B.V. | Container for a mask |
US6912043B2 (en) * | 2003-01-09 | 2005-06-28 | Asml Holding, N.V. | Removable reticle window and support frame using magnetic force |
US6984474B2 (en) * | 2003-07-29 | 2006-01-10 | Asml Holding N.V. | Reticle barrier system for extreme ultra-violet lithography |
US20070211232A1 (en) * | 2003-11-10 | 2007-09-13 | Phillips Alton H | Thermophoretic Techniques for Protecting Reticles from Contaminants |
US6862817B1 (en) * | 2003-11-12 | 2005-03-08 | Asml Holding N.V. | Method and apparatus for kinematic registration of a reticle |
US7136151B2 (en) * | 2004-07-29 | 2006-11-14 | Asml Holding N.V. | Reticle gripper barrier system for lithography use |
US7477358B2 (en) * | 2004-09-28 | 2009-01-13 | Nikon Corporation | EUV reticle handling system and method |
US7551265B2 (en) * | 2004-10-01 | 2009-06-23 | Nikon Corporation | Contact material and system for ultra-clean applications |
JP2006128188A (ja) * | 2004-10-26 | 2006-05-18 | Nikon Corp | 基板搬送装置、基板搬送方法および露光装置 |
JP4710308B2 (ja) * | 2004-10-29 | 2011-06-29 | 株式会社ニコン | レチクル搬送装置、露光装置、及びレチクルの搬送方法 |
US7428958B2 (en) * | 2004-11-15 | 2008-09-30 | Nikon Corporation | Substrate conveyor apparatus, substrate conveyance method and exposure apparatus |
TWI447840B (zh) * | 2004-11-15 | 2014-08-01 | 尼康股份有限公司 | 基板搬運裝置、基板搬運方法以及曝光裝置 |
US7607543B2 (en) * | 2005-02-27 | 2009-10-27 | Entegris, Inc. | Reticle pod with isolation system |
JP2006245257A (ja) * | 2005-03-03 | 2006-09-14 | Canon Inc | 処理装置、当該処理装置を有する露光装置、保護機構 |
US7808616B2 (en) * | 2005-12-28 | 2010-10-05 | Nikon Corporation | Reticle transport apparatus, exposure apparatus, reticle transport method, and reticle processing method |
TWI417649B (zh) | 2005-12-28 | 2013-12-01 | 尼康股份有限公司 | 十字標記運送裝置、曝光裝置、十字標記運送方法以及十字標記的處理方法 |
US7773198B2 (en) * | 2006-03-28 | 2010-08-10 | Nikon Corporation | Filtered device container assembly with shield for a reticle |
WO2008007521A1 (fr) * | 2006-07-11 | 2008-01-17 | Nikon Corporation | Élément de support de réticule, étage de réticule, appareil d'exposition, procédé d'exposition par projection et procédé de fabrication de dispositif |
US20080128303A1 (en) * | 2006-12-05 | 2008-06-05 | Nikon Corporation | Device container assembly with adjustable retainers for a reticle |
US8207504B2 (en) * | 2009-11-19 | 2012-06-26 | Applied Materials Israel, Ltd. | Inspection of EUV masks by a DUV mask inspection tool |
USD631478S1 (en) | 2010-01-11 | 2011-01-25 | Datalogic Scanning, Inc. | Weigh platter or cover for a data reader |
US9851643B2 (en) | 2012-03-27 | 2017-12-26 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus and methods for reticle handling in an EUV reticle inspection tool |
KR102242562B1 (ko) * | 2014-09-04 | 2021-04-20 | 삼성전자주식회사 | 극자외선(euv) 마스크 보호장치 및 그 보호장치를 포함한 euv 노광 장치 |
CN107209451B (zh) | 2015-02-03 | 2021-09-10 | Asml荷兰有限公司 | 掩模组件和相关联的方法 |
USD761261S1 (en) * | 2015-06-09 | 2016-07-12 | Teco Image Systems Co., Ltd | Handheld scanner |
EP3391140A1 (en) * | 2015-12-14 | 2018-10-24 | ASML Netherlands B.V. | A membrane assembly |
CN115202162A (zh) | 2015-12-14 | 2022-10-18 | Asml荷兰有限公司 | 用于制造隔膜组件的方法 |
KR20240058938A (ko) * | 2020-04-23 | 2024-05-07 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | Euv 리소그래피용 펠리클 프레임 |
US12087605B2 (en) * | 2020-09-30 | 2024-09-10 | Gudeng Precision Industrial Co., Ltd. | Reticle pod with antistatic capability |
CN114735625B (zh) * | 2022-04-13 | 2024-04-05 | 浙江大学杭州国际科创中心 | 一种非晶碳膜加工用惰性物质植入设备 |
Family Cites Families (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4369475A (en) * | 1979-01-26 | 1983-01-18 | Priam | Enclosed disc drive with improved air flow |
US4250388A (en) * | 1979-08-16 | 1981-02-10 | General Electric Company | Device for interfacing an x-ray image intensifier and spot film device |
US4412739A (en) * | 1981-01-13 | 1983-11-01 | Ppg Industries, Inc. | Hinged glass photomask assembly |
US4443098A (en) * | 1982-12-21 | 1984-04-17 | General Signal Corporation | Pellicle mounting fixture |
US4549843A (en) * | 1983-03-15 | 1985-10-29 | Micronix Partners | Mask loading apparatus, method and cassette |
JPS6083032A (ja) * | 1983-10-13 | 1985-05-11 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 光透過性に優れたフオトマスク用防塵カバ− |
US4833051A (en) | 1984-08-20 | 1989-05-23 | Nippon Kogaku K.K. | Protective device for photographic masks |
JPS61245163A (ja) * | 1985-04-23 | 1986-10-31 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | マスク保護装置 |
JPS6197924A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-16 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 保護カバ− |
US4770590A (en) | 1986-05-16 | 1988-09-13 | Silicon Valley Group, Inc. | Method and apparatus for transferring wafers between cassettes and a boat |
US4719705A (en) | 1986-06-24 | 1988-01-19 | The Perkin-Elmer Corporation | Reticle transporter |
US4760429A (en) | 1986-11-05 | 1988-07-26 | The Perkin-Elmer Corporation | High speed reticle change system |
US4778332A (en) | 1987-02-09 | 1988-10-18 | The Perkin-Elmer Corporation | Wafer flip apparatus |
US4973217A (en) | 1987-02-09 | 1990-11-27 | Svg Lithography Systems, Inc. | Wafer handling system |
US4986007A (en) | 1987-03-25 | 1991-01-22 | Svg Lithography Systems, Inc. | Reticle frame assembly |
JPH0675188B2 (ja) * | 1988-02-29 | 1994-09-21 | キヤノン株式会社 | ペリクル着脱機構 |
JPH0223606A (ja) * | 1988-07-12 | 1990-01-25 | Fujitsu Ltd | レチクル移動交換機 |
JPH0493947A (ja) * | 1990-08-07 | 1992-03-26 | Seiko Epson Corp | フォトマスク収納ケース及びフォトマスク検査方法 |
JP3037745B2 (ja) * | 1990-11-29 | 2000-05-08 | 三井化学株式会社 | ペリクル構造体 |
US5422704A (en) * | 1992-07-13 | 1995-06-06 | Intel Corporation | Pellicle frame |
US5344677A (en) * | 1992-08-27 | 1994-09-06 | Hong Gilbert H | Photochemically stable deep ultraviolet pellicles for excimer lasers |
US5453816A (en) * | 1994-09-22 | 1995-09-26 | Micro Lithography, Inc. | Protective mask for pellicle |
JPH0934102A (ja) * | 1995-07-25 | 1997-02-07 | Nikon Corp | ペリクル枠 |
JPH0968792A (ja) * | 1995-08-31 | 1997-03-11 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フィルター付ペリクル |
US5733024A (en) | 1995-09-13 | 1998-03-31 | Silicon Valley Group, Inc. | Modular system |
US5700046A (en) | 1995-09-13 | 1997-12-23 | Silicon Valley Group, Inc. | Wafer gripper |
US5727685A (en) | 1995-10-19 | 1998-03-17 | Svg Lithography Systems, Inc. | Reticle container with corner holding |
JPH09320935A (ja) * | 1996-05-28 | 1997-12-12 | Canon Inc | X線マスク、該x線マスクを用いたx線露光装置、前記x線マスクを用いた半導体デバイスの製造方法、及び前記x線マスクを用いて製造した半導体デバイス |
JPH11153855A (ja) * | 1997-08-29 | 1999-06-08 | Nikon Corp | マスクケース、搬送装置及び搬送方法 |
US5928817A (en) * | 1997-12-22 | 1999-07-27 | Intel Corporation | Method of protecting an EUV mask from damage and contamination |
JPH11295880A (ja) * | 1998-04-07 | 1999-10-29 | Seiko Epson Corp | ペリクルフレーム |
-
1999
- 1999-12-29 US US09/473,710 patent/US6239863B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-10-04 EP EP00978890A patent/EP1226471A2/en not_active Withdrawn
- 2000-10-04 WO PCT/US2000/041056 patent/WO2001027695A2/en active Application Filing
- 2000-10-04 AU AU16300/01A patent/AU1630001A/en not_active Abandoned
- 2000-10-04 KR KR1020027004501A patent/KR100756083B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-10-04 JP JP2001530646A patent/JP4527337B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-02-05 JP JP2009025411A patent/JP2009104187A/ja not_active Ceased
- 2009-02-05 JP JP2009025410A patent/JP4768035B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-02-05 JP JP2009025412A patent/JP4690471B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-04-12 JP JP2011087939A patent/JP4940364B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109752920A (zh) * | 2017-11-07 | 2019-05-14 | 格芯公司 | Euv掩模流动中的薄膜置换 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4940364B2 (ja) | 2012-05-30 |
KR20020092918A (ko) | 2002-12-12 |
JP4768035B2 (ja) | 2011-09-07 |
EP1226471A2 (en) | 2002-07-31 |
WO2001027695A9 (en) | 2002-08-08 |
WO2001027695A2 (en) | 2001-04-19 |
AU1630001A (en) | 2001-04-23 |
JP2011139102A (ja) | 2011-07-14 |
JP4690471B2 (ja) | 2011-06-01 |
JP2009104186A (ja) | 2009-05-14 |
KR100756083B1 (ko) | 2007-09-05 |
JP2009104188A (ja) | 2009-05-14 |
US6239863B1 (en) | 2001-05-29 |
JP2003511868A (ja) | 2003-03-25 |
WO2001027695A3 (en) | 2002-03-14 |
JP2009104187A (ja) | 2009-05-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4527337B2 (ja) | レチクルを保護するための取り外し可能なカバー | |
US7065894B2 (en) | Apparatus for kinematic registration of a reticle | |
US6598789B1 (en) | Substrate managing system and substrate storing system | |
US20080024751A1 (en) | Reticle holding member, reticle stage, exposure apparatus, projection-exposure method and device manufacturing method | |
WO2013186929A1 (ja) | マスク保護装置、露光装置、及びデバイス製造方法 | |
EP1978545A1 (en) | Reticle carrier, exposure device, reticle carrying method, reticle processing method, device manufacturing method and reticle cover managing method | |
US6911283B1 (en) | Method and apparatus for coupling a pellicle to a photomask using a non-distorting mechanism | |
JP5772261B2 (ja) | マスクの保護装置及び搬送装置、露光装置、並びにデバイス製造方法 | |
JP4512782B2 (ja) | マスク構造体及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 | |
US20230384664A1 (en) | Photomask assembly and method of forming the same | |
CN101625528A (zh) | 掩模版夹具 | |
JP3975212B2 (ja) | レチクルバリヤシステム | |
US20010020643A1 (en) | Substrate for device manufacture | |
KR20070039910A (ko) | 마스크 블랭크 및 그 제조 방법과 전사 플레이트의제조방법 | |
JP2004296829A (ja) | ペリクル構造体の姿勢制御機構及び露光方法 | |
JP2008096652A (ja) | レチクルカバー、アウターケースおよび露光装置 | |
JPH1195411A (ja) | マスクおよび露光装置 | |
JP2008021730A (ja) | レチクル・カバー、レチクル搬送方法および投影露光方法 | |
JP2001054890A (ja) | 基板搬送装置及び基板処理装置 | |
JPH04260319A (ja) | 露光装置 | |
JP2004273705A (ja) | 露光装置 | |
KR20070001629A (ko) | 반도체 제조장치의 포드 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050722 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20061219 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20070803 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20070815 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070830 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071010 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081106 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090205 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090501 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090731 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100519 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100603 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130611 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |