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Die
vorliegende Erfindung ist auf eine Schutzvorrichtung für Reflexionsmasken
sowie auf ein Verfahren zur Verwendung einer geschützten Reflexionsmaske
gerichtet; ferner auf eine verschließbare Box und auf deren Verwendung
zur Inspektion mit DUV-Licht.
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Für die EUV-
bzw. Röntgenlithographie
von integrierten Schaltkreisen werden sogenannte Reflexionsmasken
verwendet. Bei diesem Verfahren zur Waferbelichtung strahlt die
Belichtungsquelle im Waferbelichtungsgerät unter einem festgelegten
Winkel auf die Reflexionsmaske ein. Auf der Oberfläche der Maske
befinden sich eingefräste
oder eingeätzte Strukturen,
die mittels mathematischer Verfahren berechnet worden sind und an
denen das Licht reflektiert und über
Reflexionsspiegeloptiken auf den Wafer umgeleitet wird. Die so entstandenen
Reflexionsmuster enthalten die Strukturinformationen der Maske und
belichten auf diese Weise den Wafer. Ein besonders kritischer Aspekt
beim Einsatz dieser Maskentechnik ist die Forderung nach einer absoluten Defektfreiheit
bezüglich
der Maskenstrukturen, um fehlerfrei belichtete Waferstrukturen zu
erhalten. Jedes auf der Reflexionsmaske befindliche Partikel stört die Reflexion
an dieser Stelle und führt
zu Abbildungsfehlern auf dem Wafer, was zum Ausfall derart fehlbelichteter
integrierter Schaltkreise führen
kann.
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In
herkömmlichen
Transmissions-optischen Lithographien werden die Masken durch eine
Polymermembran, ein sogenanntes Pellicle, vor einer nachträglichen
Partikelkontamination geschützt.
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Das
Pellicle ist eine dünne,
meist polymere Membran, die über
einen Rahmen gespannt eine Schutzhaut in einem Abstand von einigen
Millimetern (beispielsweise 5 bis 10 mm) von der Maskenoberfläche bildet.
Auf sie fallende Partikel bis zu einer Größe von etwa 200 μm sind bei
einer optischen Abbildung außerhalb
der Fokusebene, d.h. der Maskenoberfläche, gelegen und werden deshalb
nicht auf den Wafer abgebildet. Das Pellicle wird üblicherweise
im letzten Schritt der Herstellung einer Maske montiert und ist
zum dauerhaften Verbleib auf dieser vorgesehen, wobei es sowohl
als Transportschutz als auch im Belichtungsgerät als Schutz während des
Einsatzes dient.
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Die
Verwendung dieser Schutzmembranen ist jedoch aufgrund der besonderen
Verhältnisse
bei der EUV-Lithographie, insbesondere der hohen Energie der verwendeten
Strahlungsquellen, während der
Belichtung des Wafers nicht möglich.
Selbst eine Verwendung von Pelliclen als temporärer Schutz während des
Transports und der Lagerung schieden bisher aus, da die Entfernung
der fest mit der Reflexionsmaske verklebten Pellicle-Rahmen aufwendig ist
und zur massiven Partikelverschmutzung führt. Andere im Stand der Technik
bekannte mechanische Lösungen
zum Schutz der Reflexionsmaske führen zu
nicht akzeptablen Spannungszuständen
in der Maske und damit zu einer Verzerrung der Maskenstrukturen,
die sich in einer ungenauen Abbildung auf der Waferoberfläche und
damit verbundenen Fehlern der integrierten Schaltkreise niederschlägt. Damit war
der Einsatz von Reflexionsmasken bisher äußerst aufwendig, da diese ohne
Schutz benutzt und gelagert wurden, was mit ständigen Reinigungsschritten
einherging.
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US 5,723,860 A und
US 5,834,143 A offenbaren
einen Pellicle- Rahmen mit einer drucksensitiven, adhäsiven Schicht.
US
5,723,860 A geht nicht auf Viskositätseigenschaften der Schicht
ein. Gemäß
US 5,834,143 A kann
die Schicht aus Polybu- ten oder Polyvenylacetat-Harz bestehen.
US 6,436,586 B1 offenbart
einen Pellicle-Rahmen mit einer Rahmenhöhe zwischen 5 und 10 mm.
US 6,300,019 B1 offenbart,
dass ein Pellicle-Rahmen
durch Abziehen in Richtung senkrecht zur Oberfläche einer Maske entfernt wird.
US 5,397,665 A offenbart
eine ver- schließbare
Box mit als Halteelemente dienenden Vorsprüngen in Bodenteil und Deckel.
US 6,239,863 B1 offenbart
eine Schutzvorrichtung, die eine Reticle-Maske von einer Seite her
schützt.
JP 09-255078 A offenbart einen Behälter mit Halteelementen im
Behälterboden
zur korrekten Positionierung eines plattenförmigen Objekts. Adhäsive, viskose
Materialien sind nicht offenbart. US 2002/0009899 A1 offenbart ein
Verfahren zum Reinigen eines Objekts von Polymer-Rückständen durch
ein sauerstoffhaltiges Gasgemisch bei erhöhter Temperatur.
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Der
vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Schutz
für Reflexionsmasken
bereit zu stellen, der problemlos und spannungsfrei reponibel ist.
Diese Aufgabe wird gelöst
durch die Bereitstellung einer Schutzvorrichtung für Reflexionsmasken
gemäß dem unabhängigen Patentanspruch
1, ein Verfahren zur Verwendung einer geschützten Reflexionsmaske gemäß Patentanspruch
10 sowie eine Verwendung gemäß dem Patentan-
spruch 14 sowie durch eine verschließbare Box gemäß Anspruch
15.
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Der
Erfindung liegt die Idee zugrunde, Reflexionsmaske und Schutz mit
einem adhäsiven
bzw. viskosen Polymer miteinander zu verbinden, das in unterschiedliche
Richtungen unterschiedliche Widerstandskräfte leisten kann. Auch wenn
der Schwerpunkt der Verwendung auf dem Schutz photolithographischer Masken
liegt, versteht es sich, dass auch andere Objekte geschützt werden
können.
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Es
handelt sich hierbei um Polymere, welche Eigenschaften Nicht-Newton'scher Flüssigkeiten
aufweisen, die drucksensitiv und gelartig sind.
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Dementsprechend
ist die Erfindung zunächst gerichtet
auf eine Schutzvorrichtung für
Reflexionsmasken, die aufweist: zumindest ein Halteelement mit einer
planen ersten Kante und einem Schutzelement zum Schutz zumindest
einer Oberfläche
einer Reflexionsmaske; ein an der ersten Kante angeordnetes Polymerpolster,
das mit einem peripheren Bereich der Oberfläche in Kontakt gebracht werden kann;
wobei das Polymerpolster aus einem Polymer besteht, dessen Viskosität und/oder
Adhäsivität bei auf
die Schutzvorrichtung ausgeübten
Zugkräften
orthogonal zum peripheren Bereich des Objekts größer ist als bei auf die Schutzvorrichtung
ausgeübten Scherkräften parallel
zum peripheren Bereich.
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Bereitgestellt
wird also ein Schutzelement, dessen plane, d.h. auf einer Ebene
befindlichen Kante auf die im allgemeinen ebenfalls planen Reflexionsmaskenoberfläche aufgesetzt
werden könnte. Um
eine Verbindung der beiden Elemente miteinander herzustellen, wird
jedoch nunmehr ein Polymerpolster auf die Kante aufgebracht, das
eine Adhäsionsverbindung
zwischen Kante und damit Schutzelement und Reflexionsmaskenoberfläche herstellt.
Es versteht sich, dass diese Verbindung in einem peripheren Bereich
oder mehreren peripheren Bereichen der Reflexionsmaske erfolgen
soll, wobei unter peripheren Bereichen hierbei solche Bereiche zu
verstehen sind, die vorzugsweise außerhalb eines zu schützenden
Bereichs der Reflexionsmaske, beispielsweise der Reflexionsstrukturen
auf der Reflexionsmaske liegen und die damit nicht geschützt werden
müssen
bzw. bei denen Rückstände des
Polymerpolsters akzeptabel sind. Alternativ kann der periphere Bereich
auch so gewählt
sein, dass er beispielsweise bei bis zum Rand gehenden Strukturen noch
innerhalb der Strukturmuster der Maske liegt, wobei die Maske dann
vor dem Betrieb gereinigt wird. Der Kern der Erfindung liegt in
der Auswahl eines dem Anspruch genügenden Polymers. Dieses weist bezüglich seines
adhäsiven
bzw. viskosen Verhaltens zwei vorzugsweise zueinander orthogonale
Vorzugsrichtungen auf. Es wird im Polymerpolster so orientiert,
dass es bei Zugkräften,
die orthogonal zur Oberfläche
des Objekts bzw. den peripheren Bereichen einwirken und damit als
trennende Kräfte
angesehen werden können,
wie sie beispielsweise beim Anheben des plattenförmigen Objekts oder ähnlichem
an der Schutzvorrichtung auftreten, eine relativ größere adhäsive Wirkung
hat als bei Kräften,
die parallel zu peripheren Bereichen der Oberfläche wirken und damit ein Gleiten
der Schutzvorrichtung auf der Reflexionsmaske bewirken würden. Auf
diese Weise kann erreicht werden, dass einerseits die Reflexionsmaske
an der Schutzvorrichtung transportiert werden kann und die Schutzvorrichtung
dabei nicht einfach vom Objekt abgehoben werden kann, dass aber
andererseits vor dem Einsatz der Reflexionsmaske die Schutzvorrichtung
durch seitliches Bewegen einfach von der Reflexionsmaske getrennt
und dann entfernt werden kann. Spannungen werden abgebaut und es findet
eine Verbesserung der Lagegenauigkeit der mit der Maske erzeugten
Strukturen statt.
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Wie
bereits ausgeführt
und beispielhaft illustriert, ist die Reflexionsmaske vorzugsweise
eine Reflexionsmaske für
den Einsatz bei der EUV-Lithographie.
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Für die Erfindung
konkret geeignete Polymere oder Polymermischungen sind solche, welche
die Eigenschaften typischer PSA (pressure sensitive adhesives)-Werkstoffe
oder "release coatings" aufweisen. Für diese
Stoffklasse gilt das rheologische Dahlquist-Kriterium des Kriechverhaltens
(J) von benötigten
minimal 106 cm2/dyn
bei Gebrauchstemperatur. PSA-Werkstoffe weisen bei einer Tg von –25°C typische
G'-Module von größer 106 dyn/cm2 auf. Ihr
Abschälverhalten
(G') steigt stark
mit der Schälgeschwindigkeit.
Typische Vertreter sind etwa TESA 7475 (TM), Poly-Dimethoxysilane
oder "Eastotac" (TM)-PSAs auf Basis
niedermolekularer aliphatischer Kohlenwasserstoffharze.
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Vorzugsweise
ist die erfindungsgemäße Schutzvorrichtung
eine Schutzhaube, welche aufweist: als Halteelement einen Rahmen
mit einer seitlich umlaufenden Wandung und der planen ersten Kante
an der Wandung, und als Schutzelement eine über den Rahmen gespannte Membran,
welche den gesamten Rahmen überdeckt,
wobei der Rahmen mit seinem Polymerpolster auf den pe ripheren Bereich
des plattenförmigen
Objekts aufsetzbar ist. Diese Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung entspricht im wesentlichen dem Aufbau bisheriger Pellicle-Rahmen/Maskenanordnungen,
bei denen die Rahmen auch während
der Belichtung auf den Masken verbleiben. Der entscheidende Unterschied
liegt jedoch darin, dass Objekt bzw. Maske und Rahmen über das
spezielle Polymerpolster miteinander verbunden sind und damit vor
Verwendung der Maske in einfacher Weise trennbar sind.
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Der
Rahmen kann eine zweite zur ersten im wesentlichen parallele Kante
aufweisen, wobei die Membran an der zweiten Kante befestigt ist.
Auf diese Weise wird ein Abstand zwischen Membran und Oberfläche des
Objekts/der Maske erreicht.
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Die
Wandung des Rahmens kann eine Höhe von
5 bis 10 mm, gemessen von der Oberfläche des Objekts bis zur Membran,
aufweisen, was auf dem Gebiet lithographischer Masken im wesentlichen
den Verhältnissen
bei vorbekannten Pellicle-Rahmen entspricht.
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Als
Schutzvorrichtung kann ein herkömmliches
Pellicle dienen, wie sie etwa von der Microlithography Inc. vertrieben
werden, auf dessen Membran-abgewandter Rahmenkante das Polymerpolster aufgebracht
ist. Die optischen Eigenschaften der Polymerfolie sind hierbei unbedeutend.
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In
einer alternativen Ausführungsform
kann die Erfindung dadurch gekennzeichnet sein, dass sie eine verschließbare Box
zur Aufnahme eines plattenförmigen
Objekts, wie einer Maske, ist und einen Deckel und einen Boden aufweist,
wobei am Deckel und am Boden Vorsprünge als Halteelemente angeordnet sind,
die jeweils eine plane Kante mit daran angeordneten Po lymerpolstern
aufweisen und das plattenförmige
Objekt zwischen den Polymerpolstern der Vorsprünge gehaltert werden kann.
Auf diese Weise wird das plattenförmige Objekt sowohl an seiner
Ober- als auch an seiner Unterseite gehaltert, was einen besonders
sicheren Transport und einen guten Schutz vor Umwelteinflüssen ermöglicht.
Bei dieser Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung entfernt man sich vom Konzept des klassischen
Pellicle-Rahmens durch Bereitstellen einer optimierten Aufbewahrungsvorrichtung
für eine
photolithographische Maske.
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Die
Vorsprünge
können ähnlich wie
die Kanten der Pellicle-Rahmen
ausgeführt
sein, es ist jedoch auch möglich,
für den
jeweiligen Einsatzzweck und optimiert auf Gewicht oder Schwungmassen
der zu schützenden
plattenförmigen
Objekte, wie photolithographischer Masken, optimierte Vorsprünge bereit
zu stellen.
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Die
erfindungsgemäße Box kann
zusätzlich ein
Sicht-/Inspektionsfenster
aufweisen, um zum Beispiel eine Inspektion von Masken zu ermöglichen. Dieses
Sichtfenster weist vorzugsweise die Eigenschaft einer DUV-Durchlässigkeit
im Wellenlängenbereich
von 157–365
nm auf, mit der Folge, dass eine bei entsprechendem Licht durchgeführte Inspektion ohne
Entfernung der Maske aus der Box möglich ist.
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Vorzugsweise
ist der Deckel der Box so gestaltet, dass er durch eine Schiebebewegung
oder eine Drehbewegung abgenommen werden kann. Auf diese Weise können die
zum Trennen von Objekt und Vorsprüngen notwendigen Scherkräfte, die
der Überwindung
der Viskosität
der Polymerpolster dienen, einfach ausgeübt werden. Klappdeckel sind
hingegen weniger vorteilhaft, da sie eine orthogonale Bewegung der
Polymerpolster verursachen würden, die
höhere
Reaktionshaltekräfte
der Polster und möglicherweise
deren Zerreißen
mit den daraus folgenden Rückstandsbildungen
auf dem Objekt bewirken würden.
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Der
Grenzwert der ausübbaren
orthogonalen Zugkräfte
(also von der Objektoberfläche
weggerichteten Kräfte),
bei denen es nicht zu einer Überwindung
der Adhäsion
des Polymerpolsters kommt, sollte so groß sein, dass beim üblichen
Handhaben die Schutzvorrichtung an der Oberfäche fixiert bleibt und der
Grenzwert der ausübbaren
parallelen Scherkräfte
(also Kräfte,
die im wesentlichen parallel zu der Objektoberfläche ausgeübt werden) nicht zu einer Überwindung
der Adhäsion
des Polymerpolsters kommt, sollte so klein sein, dass ihre Überwindung durch
manuelles oder mechanisches seitliches Verschieben der Komponenten
zueinander möglich
ist.
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Die
Erfindung ist weiter auf ein Verfahren gerichtet. Alles bezüglich der
Vorrichtung Gesagte gilt auch für
das nachfolgend vorgestellte Verfahren und umgekehrt, so dass wechselseitig
Bezug genommen wird.
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Das
erfindungsgemäße Verfahren
zur Verwendung einer geschützten
photolithographischen Maske weist folgende Schritte auf:
Bereitstellen
einer Anordnung mit einer Reflexionsmaske und einer Schutzvorrichtung
mit zumindest einem Halteelement mit einer planen ersten Kante,
einem Schutzelement zum Schutz zumindest einer Oberfläche der
Reflexionsmaske, einem an der ersten Kante angeordneten Polymerpolster,
das mit einem peripheren Bereich der Oberfläche der Reflexionsmaske in
Kontakt steht, wobei das Polymerpolster aus einem Polymer besteht,
dessen Viskosität und/oder
Adhäsivität bei auf
die Schutzvorrichtung ausgeübten
Zugkräften
orthogonal zum peripheren Bereich der Reflexionsmaske größer ist
als bei auf die Schutz vorrichtung ausgeübten Scherkräften parallel
zum peripheren Bereich;
Trennen von Reflexionsmaske und Schutzvorrichtung
durch Ausüben
einer hinreichenden Scherkraft, die zu einer lateralen Relativbewegung
von Reflexionsmaske und Schutzvorrichtung zur Überwindung der Adhäsion führt;
Verwenden
der Reflexionsmaske für
einen vorgesehenen Zweck; und
nach Abschluss der Verwendung
Verbinden von Reflexionsmaske und Schutzvorrichtung durch orthogonales
Zusammenführen
von Reflexionsmaske und Schutzvorrichtung bezüglich der Oberfläche und
der Kante.
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Das
Verfahren zielt also darauf ab, beim Trennen von Schutzelement und
Reflexionsmaske eine parallel zur Oberfläche der Reflexionsmaske laufende
Bewegung bzw. Krafteinwirkung auszuüben, um die beiden Elemente
voneinander trennen zu können,
und beim Zusammenfügen
die beiden Elemente orthogonal aufeinander zu setzen, um die Adhäsivkräfte wieder
herzustellen.
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Vorzugsweise
ist die Verwendung eine Belichtung eines Wafers.
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Insbesondere
wird es bevorzugt, dass die für das
erfindungsgemäße Verfahren
verwendete Schutzvorrichtung eine erfindungsgemäße, oben offenbarte Schutzvorrichtung
ist.
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Das
erfindungsgemäße Verfahren
kann nach dem Trennen von Reflexionsmaske und plattenförmigem Objekt
den weiteren Schritt aufweisen:
Reinigen der Reflexionsmaske
von Rückständen des Polymerpolsters.
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Auf
diese Weise können
eventuell an der Reflexionsmaske zurückbleibende Rückstände des
Polymerpolsters entfernt werden und damit, insbesondere im Bereich
von Maskenstrukturen bei Masken, das Auftreten von Fehlern bei der
Belichtung von Wafern vermieden werden.
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Vorzugsweise
wird das Reinigen durch eine Bestrahlung mit einer Xenon-UV-Excimer-Lampe
unter einem O2/N2-Gasgemisch
durchgeführt,
welches sich als effektiv zur Entfernung von Polymerpolsterresten
herausgestellt hat.
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Im
Folgenden wird die Erfindung anhand konkretisierter Ausführungsbeispiele
näher erläutert werden,
wobei auf den konkreten Anwendungsfall einer lithographischen Maske
abgestellt wird und auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen
werden wird, in denen Folgendes dargestellt wird:
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1 zeigt
eine erste Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung mit einem Aufbau ähnlich einem herkömmlichen
Pellicle-Rahmen; und
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2 zeigt
eine weitere Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung, bei der die photolithographische Maske mittels
einer Box geschützt
ist.
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Die
Schutzvorrichtung gemäß der vorliegenden
Erfindung verwendet Polymerpolster aus bestimmten für diesen
Zweck geeigneten Polymeren zur Verbindung der Schutzvorrichtung
mit der photolithographischen, zu schützenden Maske. Sie können beispielsweise
auf herkömmliche
Pellicle-Rahmen aufgetragen werden, und diese Rahmen können als
temporärer
Partikelschutz verwendet werden. Durch leichte mechanische Scherkräfte lassen
sich die Haftkräfte überwinden
und das Pellicle von der Maske ohne zusätzliche Partikelerzeugung lösen. Eventuell
dabei anfallende leichte organische Rückstände im Falle eines adhäsiv-koesiven
Bindungsbruchs im Polymer nahe der Maskenoberfläche liegen in Monolagenbereichen
und lassen sich daher durch eine kurze Bestrahlung der Maske mit
einer Xe-UV-Excimer-Lampe
im O2/N2-Gasgemisch
innerhalb von Minuten entfernen.
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1 zeigt
eine erste Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung, bei der eine photolithographische Maske 1 durch
eine Schutzvorrichtung 2 an ihrer Oberseite geschützt werden
soll. Die Schutzvorrichtung 2 weist einen Rahmen 3 auf,
der beispielsweise einem üblichen
Pellicle-Rahmen entsprechen kann, sowie eine Membran 4 aus
einem Polymer oder einer Metallfolie oder ähnlichem. Ein Vorteil bei der
vorliegenden Erfindung ist die große Erweiterbarkeit des für die Membran
verwendbaren Materials, da keine Rücksicht auf die optische Durchgängigkeit
genommen werden muss, da die Membran lediglich dem Lager- und Transportschutz
vor Partikeln dient, nicht hingegen während des eigentlichen Belichtungsvorganges
auf der Maske verbleibt. Auch Metallfolien sind daher zur Verwendung
als Membran hier geeignet. Auch kann die Membran, falls gewünscht, dicker
sein, um so einen besseren mechanischen Schutz zu gewährleisten.
Erfindungsgemäß befindet
sich zwischen einer Kante 3a des Rahmens 3 und
der Maske 1 ein Polymerpolster 5 aus den zuvor
beschriebenen spezifischen Polymeren mit Vorzugsrichtungseigenschaften.
Das Polymerpolster bewirkt eine Anhaftung der Schutzvorrichtung 2 an
der Maske 1 und gewährleistet
damit deren Schutz vor Partikelablagerung.
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In
der 2 ist das Konzept der Schutzvorrichtung weiter
entwickelt bis zu einer die Maske komplett umgebenden Schutzbox.
Die Maske 1 befindet sich im Inneren der Schutzvorrich tung 2,
die eine Box 6 ist. Die Box 6 weist Seitenwände 7 einen Deckel 8 und
einen Boden 9 auf. Am Deckel 8 sind Vorsprünge 10 und
am Boden 9 sind Vorsprünge 11 angeordnet.
An den Kanten 10a. 11a der Vorsprünge sind
jeweils Polymerpolster 12 bzw. 13 angeordnet. Die
Vorsprünge 10 und 11 sind
so bemessen, dass sie zusammen mit dem Polymerpolster so weit in
die Box hinein ragen, dass sie die aufzunehmende Maske 1 zwischen
den Polymerpolstern haltern können. Auf
diese Weise lässt
sich ein Schutz sowohl gegen Einflüsse auf der Strukturseite der
Maske 1 als auch auf der anderen Oberfläche der Maske 1 erzielen. Gegebenenfalls
kann der Deckel 8 der Box 6 ein Inspektionsfenster 14 aus
einem durchsichtigen Material, beispielsweise aus Glas oder aus
einem Polymer, enthalten, um eine Inspektion der darunter befindlichen
Maske bzw. die Feststellung der Anwesenheit der Maske zu ermöglichen.
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Der
besondere Vorteil der vorliegenden Erfindung liegt in der Einführung einer
neuen preiswerten Hafttechnik für
Rahmen auf lithographischen Masken oder anderen zu schützenden
plattenförmigen
Objekten mit empfindlichen Oberflächen. Die Erfindung ist in
ihrem Einsatzzweck nicht auf Reflexionsmasken beschränkt, obwohl
sie im Hinblick auf diese entwickelt worden ist, sondern kann beispielsweise
auch für
Durchlichtmasken eingesetzt werden. Auch andere Objekte, die man
als Maske bezeichnen kann, und deren Oberfläche bei Lagerung partikelfrei bleiben
sollen, können
damit geschützt
werden. Einsatzgebiete sind beispielsweise in der optischen Industrie,
wo hochreine Oberflächen
während
Zwischenstufen der Produktherstellung Wünschenswerterweise erhalten
bleiben sollen, um das Einschließen von Staubpartikel oder ähnlichem
in beispielsweise photographischen Objektiven oder Teleskopen zu
verhindern. Weitere Einsatzgebiete liegen im Bereich der Kenntnisse
des Fachmanns auf dem Gebiet der Partikelschutztechnik. Durch die Verwendung der
genannten Polymere können
weiterhin herkömmliche
preiswerte Standardpellicle zum Schutz photolithographischer Masken
verwendet werden. Dies spart Kosten und Entwicklungszeit. Außerdem wird das
Problem der Kontakt-induzierten Partikelerzeugung durch die Verwendung
hochviskoser weicher Polymere umgangen. Ausgasungen der verwendeten
Materialien sind klar identifiziert und ihre Beseitigung mittels
Xe-Lampen unproblematisch.
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- 1
- Plattenförmiges Objekt/Maske
- 2
- Schutzvorrichtung
- 3
- Rahmen
- 3a
- Rahmenkante
- 4
- Membran
- 5
- Polymerpolster
- 6
- Box
- 7
- Seitenwandung
- 8
- Deckel
- 9
- Boden
- 10
- Deckelvorsprung
- 10a
- Kante
des Deckelvorsprungs
- 11
- Bodenvorsprung
- 11a
- Kante
des Bodenvorsprungs
- 12
- Polymerpolster
- 13
- Polymerpolster
- 14
- Sicht-Inspektionsfenster
(zur DUV-Inspektion)