JPH0934102A - ペリクル枠 - Google Patents
ペリクル枠Info
- Publication number
- JPH0934102A JPH0934102A JP18911595A JP18911595A JPH0934102A JP H0934102 A JPH0934102 A JP H0934102A JP 18911595 A JP18911595 A JP 18911595A JP 18911595 A JP18911595 A JP 18911595A JP H0934102 A JPH0934102 A JP H0934102A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pellicle frame
- photomask
- pellicle
- inspection
- compsn
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光学式の座標測定器によるフォトマスクのパ
ターンの測定を妨害しないペリクル枠を提供する。 【解決手段】 フォトマスク上にペリクル２を取付ける
ペリクル枠１は、フォトマスクの検査に用いる検査光に
対して透明な材質からなる。
ターンの測定を妨害しないペリクル枠を提供する。 【解決手段】 フォトマスク上にペリクル２を取付ける
ペリクル枠１は、フォトマスクの検査に用いる検査光に
対して透明な材質からなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスの
製造プロセスなどで使用するレチクルなどのフォトマス
ク上にペリクルを取付けるペリクル枠に関する。
製造プロセスなどで使用するレチクルなどのフォトマス
ク上にペリクルを取付けるペリクル枠に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造プロセスのうち、
所定のパターンをシリコンウエハ上に転写するプロセス
では、例えばガラス板上に所定のクロムパターンを形成
したレチクルなどのフォトマスクが原版として用いられ
る。ところが半導体デバイスの集積度が上がり転写する
パターンが微細化するにつれ、フォトマスク上に付着し
た小さなゴミが転写後のデバイスの欠陥を生じさせデバ
イス製造の歩留りを劣化させる大きな要因となってい
る。
所定のパターンをシリコンウエハ上に転写するプロセス
では、例えばガラス板上に所定のクロムパターンを形成
したレチクルなどのフォトマスクが原版として用いられ
る。ところが半導体デバイスの集積度が上がり転写する
パターンが微細化するにつれ、フォトマスク上に付着し
た小さなゴミが転写後のデバイスの欠陥を生じさせデバ
イス製造の歩留りを劣化させる大きな要因となってい
る。
【０００３】このようなゴミの転写によるデバイスの欠
陥を減らすため、フォトマスクのパターン面あるいはガ
ラス面（パターン面と反対の面）上に数ｍｍ隔ててペリ
クルと呼ばれる透明の薄い膜を配し、投影レンズの被写
界深度内にゴミが付着するのを防ぐ方策が講じられるよ
うになっている。図２に示すようにペリクル２はアルミ
ニウム製のペリクル枠１１を介してフォトマスク３に取
付けられ、上述のようにフォトマスク３の表面から数ｍ
ｍ隔てて支持される。
陥を減らすため、フォトマスクのパターン面あるいはガ
ラス面（パターン面と反対の面）上に数ｍｍ隔ててペリ
クルと呼ばれる透明の薄い膜を配し、投影レンズの被写
界深度内にゴミが付着するのを防ぐ方策が講じられるよ
うになっている。図２に示すようにペリクル２はアルミ
ニウム製のペリクル枠１１を介してフォトマスク３に取
付けられ、上述のようにフォトマスク３の表面から数ｍ
ｍ隔てて支持される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】電子ビーム露光機やホ
トリピータなどにより描画されたフォトマスクのパター
ンの座標や寸法は光学式の座標測定器で測定され、必要
な精度でパターンが形成されているか厳密に管理され
る。図３に示す代表的な光学式座標測定器では、ステー
ジ４に載置したフォトマスク３に対物レンズ５で集光し
たレーザ光６を当てながらステージ４を移動し、レーザ
光がパターンのエッジに当った際に発生する散乱光をデ
ィテクタ７で検出する。散乱光が発生した時の座標をス
テージに取付けたレーザ干渉計（不図示）で読取り、パ
ターンの各点の座標を測定する。
トリピータなどにより描画されたフォトマスクのパター
ンの座標や寸法は光学式の座標測定器で測定され、必要
な精度でパターンが形成されているか厳密に管理され
る。図３に示す代表的な光学式座標測定器では、ステー
ジ４に載置したフォトマスク３に対物レンズ５で集光し
たレーザ光６を当てながらステージ４を移動し、レーザ
光がパターンのエッジに当った際に発生する散乱光をデ
ィテクタ７で検出する。散乱光が発生した時の座標をス
テージに取付けたレーザ干渉計（不図示）で読取り、パ
ターンの各点の座標を測定する。
【０００５】しかし、ペリクル１２を取付けたフォトマ
スク３では、測定パターンがペリクル枠１１の近傍にあ
るとパターンエッジからの散乱光がペリクル枠１１でけ
られディテクタ７で検出できなくなったり、一部が検出
できても右エッジからの散乱光と左エッジからの散乱光
の光量がアンバランスになり測定精度が劣化するという
問題がある。また、ペリクル１２をペリクル枠１１に貼
る時の温度とパターン転写時の温度とが異なると、フォ
トマスク３の基板（ガラス製）とペリクル枠１１（アル
ミニウム製）の熱膨張係数の差異によりフォトマスク３
の基板に歪が生じ、転写精度が劣化するという問題もあ
る。
スク３では、測定パターンがペリクル枠１１の近傍にあ
るとパターンエッジからの散乱光がペリクル枠１１でけ
られディテクタ７で検出できなくなったり、一部が検出
できても右エッジからの散乱光と左エッジからの散乱光
の光量がアンバランスになり測定精度が劣化するという
問題がある。また、ペリクル１２をペリクル枠１１に貼
る時の温度とパターン転写時の温度とが異なると、フォ
トマスク３の基板（ガラス製）とペリクル枠１１（アル
ミニウム製）の熱膨張係数の差異によりフォトマスク３
の基板に歪が生じ、転写精度が劣化するという問題もあ
る。
【０００６】本発明の目的は、光学式の座標測定器によ
るフォトマスクのパターンの測定を妨害しないペリクル
枠を提供することにある。また、本発明の別の目的は、
フォトマスクの基板を歪ませることのないペリクル枠を
提供することにある。
るフォトマスクのパターンの測定を妨害しないペリクル
枠を提供することにある。また、本発明の別の目的は、
フォトマスクの基板を歪ませることのないペリクル枠を
提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】発明の実施の形態を示す
図１に対応づけて本発明を説明すると、請求項１に記載
の発明は、フォトマスク上にペリクル２を取付けるペリ
クル枠１の材質をフォトマスクの検査に用いる検査光に
対して透明な材質としたものである。検査光はペリクル
枠により遮られず、検査を妨害しない。ここで、透明と
は検査が可能な程度に検査光を透過することをいう。請
求項２に記載の発明は、フォトマスク上にペリクル２を
取付けるペリクル枠１の材質をフォトマスクの基板と同
等の熱膨張係数を有する材質としたものである。フォト
マスクとペリクル枠２の熱膨張係数が同じなので、転写
時の温度のいかんにかかわらずフォトマスクが歪まな
い。請求項３に記載の発明は、透明基板に所定パターン
を形成したフォトマスク上にペリクル２を取付けるペリ
クル枠１の材質を透明基板と同一の材質としたものであ
る。ペリクル枠１の材質がフォトマスクの検査に用いる
検査光に対して透明な材質なので、検査光はペリクル枠
により遮られず検査を妨害しない。また、フォトマスク
とペリクル枠２の熱膨張係数が同じなので、転写時の温
度のいかんにかかわらずフォトマスクが歪まない。ここ
で、透明とは検査が可能な程度に検査光を透過すること
をいう。
図１に対応づけて本発明を説明すると、請求項１に記載
の発明は、フォトマスク上にペリクル２を取付けるペリ
クル枠１の材質をフォトマスクの検査に用いる検査光に
対して透明な材質としたものである。検査光はペリクル
枠により遮られず、検査を妨害しない。ここで、透明と
は検査が可能な程度に検査光を透過することをいう。請
求項２に記載の発明は、フォトマスク上にペリクル２を
取付けるペリクル枠１の材質をフォトマスクの基板と同
等の熱膨張係数を有する材質としたものである。フォト
マスクとペリクル枠２の熱膨張係数が同じなので、転写
時の温度のいかんにかかわらずフォトマスクが歪まな
い。請求項３に記載の発明は、透明基板に所定パターン
を形成したフォトマスク上にペリクル２を取付けるペリ
クル枠１の材質を透明基板と同一の材質としたものであ
る。ペリクル枠１の材質がフォトマスクの検査に用いる
検査光に対して透明な材質なので、検査光はペリクル枠
により遮られず検査を妨害しない。また、フォトマスク
とペリクル枠２の熱膨張係数が同じなので、転写時の温
度のいかんにかかわらずフォトマスクが歪まない。ここ
で、透明とは検査が可能な程度に検査光を透過すること
をいう。
【０００８】なお、本発明の構成を説明する上記課題を
解決するための手段と作用の項では、本発明を分かり易
くするために発明の実施の形態の一例を示す図を用いた
が、これにより本発明が限定されるものではない。
解決するための手段と作用の項では、本発明を分かり易
くするために発明の実施の形態の一例を示す図を用いた
が、これにより本発明が限定されるものではない。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１（ａ）、（ｂ）に示すよう
に、本発明によるペリクル枠１は、例えばロの字型形状
を呈し、フォトマスク（不図示）の基板と同一組成のガ
ラス、例えば石英からなる。ペリクル枠１の上面１Ａに
はペリクル２が貼られ、下面１Ｂはフォトマスクと接着
される。上述の組成のガラスは光学式の座標測定器で使
用する検査光に対して透明であり、したがって、ペリク
ル枠１はフォトマスクのパターンの測定を妨害しない。
また、ペリクル２を取付けた状態でフォトマスク上にゴ
ミの付着がないかどうか検査する場合にも散乱光がペリ
クル枠１によりけられないので、ペリクル枠１の近傍ま
で検査することができる。さらに、ペリクル枠とフォト
マスクの基板とは同一の組成からなるので、両者の熱膨
張係数の相違に起因するフォトマスクの歪が発生しな
い。したがって、ペリクルをフォトマスクに取付けても
パターン転写時の精度の劣化が生じない。
に、本発明によるペリクル枠１は、例えばロの字型形状
を呈し、フォトマスク（不図示）の基板と同一組成のガ
ラス、例えば石英からなる。ペリクル枠１の上面１Ａに
はペリクル２が貼られ、下面１Ｂはフォトマスクと接着
される。上述の組成のガラスは光学式の座標測定器で使
用する検査光に対して透明であり、したがって、ペリク
ル枠１はフォトマスクのパターンの測定を妨害しない。
また、ペリクル２を取付けた状態でフォトマスク上にゴ
ミの付着がないかどうか検査する場合にも散乱光がペリ
クル枠１によりけられないので、ペリクル枠１の近傍ま
で検査することができる。さらに、ペリクル枠とフォト
マスクの基板とは同一の組成からなるので、両者の熱膨
張係数の相違に起因するフォトマスクの歪が発生しな
い。したがって、ペリクルをフォトマスクに取付けても
パターン転写時の精度の劣化が生じない。
【００１０】
【発明の効果】請求項１に記載の発明によれば、ペリク
ル枠を光学式検査機での検査に用いる検査光に対して透
明な材質のものとしたので、レーザ光の散乱光がペリク
ル枠でけられることがなく、ペリクル枠の近傍までパタ
ーンの精度や付着ゴミの有無を検査することができる。
請求項２に記載の発明によれば、ペリクル枠をフォトマ
スクの基板と同等の熱膨張係数を有する材質のものとし
たので、両者の熱膨張係数の相違に起因するフォトマス
クの歪が発生せず、したがって、パターン転写時の転写
精度の劣化を防止できる。請求項３に記載の発明によれ
ば、ペリクル枠をフォトマスクの透明基板と同一の材質
としたので両者の熱膨張係数の相違に起因するフォトマ
スクの歪が発生せず、パターン転写時の転写精度の劣化
を防止できる。また、ペリクル枠を検査光に対して透明
な材質のものとしたのでペリクル枠の近傍まで検査がで
きる。
ル枠を光学式検査機での検査に用いる検査光に対して透
明な材質のものとしたので、レーザ光の散乱光がペリク
ル枠でけられることがなく、ペリクル枠の近傍までパタ
ーンの精度や付着ゴミの有無を検査することができる。
請求項２に記載の発明によれば、ペリクル枠をフォトマ
スクの基板と同等の熱膨張係数を有する材質のものとし
たので、両者の熱膨張係数の相違に起因するフォトマス
クの歪が発生せず、したがって、パターン転写時の転写
精度の劣化を防止できる。請求項３に記載の発明によれ
ば、ペリクル枠をフォトマスクの透明基板と同一の材質
としたので両者の熱膨張係数の相違に起因するフォトマ
スクの歪が発生せず、パターン転写時の転写精度の劣化
を防止できる。また、ペリクル枠を検査光に対して透明
な材質のものとしたのでペリクル枠の近傍まで検査がで
きる。
【図１】本発明によるペリクル枠の実施の形態の一例を
示すもので、（ａ）はペリクル枠の斜視図、（ｂ）はｂ
−ｂ線断面図。
示すもので、（ａ）はペリクル枠の斜視図、（ｂ）はｂ
−ｂ線断面図。
【図２】従来のペリクル枠を示すもので、（ａ）は斜視
図、（ｂ）はｂ´−ｂ´線断面図。
図、（ｂ）はｂ´−ｂ´線断面図。
【図３】光学式座標測定器を用いた測定方法を示す図。
１ ペリクル枠 ２ ペリクル ３ フォトマスク
Claims (3)
- 【請求項１】 フォトマスク上にペリクルを取付けるペ
リクル枠において、 前記フォトマスクの検査に用いる検査光に対して透明な
材質からなることを特徴とするペリクル枠。 - 【請求項２】 フォトマスク上にペリクルを取付けるペ
リクル枠において、 前記フォトマスクの基板と同等の熱膨張係数を有する材
質からなることを特徴とするペリクル枠。 - 【請求項３】 透明基板に所定パターンを形成したフォ
トマスク上にペリクルを取付けるペリクル枠において、 前記透明基板と同一の材質からなることを特徴とするペ
リクル枠。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18911595A JPH0934102A (ja) | 1995-07-25 | 1995-07-25 | ペリクル枠 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18911595A JPH0934102A (ja) | 1995-07-25 | 1995-07-25 | ペリクル枠 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0934102A true JPH0934102A (ja) | 1997-02-07 |
Family
ID=16235640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18911595A Pending JPH0934102A (ja) | 1995-07-25 | 1995-07-25 | ペリクル枠 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0934102A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003511868A (ja) * | 1999-10-08 | 2003-03-25 | エーエスエムエル ユーエス，インコーポレイテッド | レチクルを保護するための取り外し可能なカバー、そのカバーを含むシステム、およびそのカバーを使用する方法 |
| US10571800B2 (en) | 2015-02-03 | 2020-02-25 | Asml Netherlands B.V. | Mask assembly and associated methods |
-
1995
- 1995-07-25 JP JP18911595A patent/JPH0934102A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003511868A (ja) * | 1999-10-08 | 2003-03-25 | エーエスエムエル ユーエス，インコーポレイテッド | レチクルを保護するための取り外し可能なカバー、そのカバーを含むシステム、およびそのカバーを使用する方法 |
| JP2009104187A (ja) * | 1999-10-08 | 2009-05-14 | Asml Holding Nv | レチクルを保護するための取り外し可能なカバー、そのカバーを含むシステム、およびそのカバーを使用する方法 |
| JP2009104188A (ja) * | 1999-10-08 | 2009-05-14 | Asml Holding Nv | レチクルを保護するための取り外し可能なカバー、そのカバーを含むシステム、およびそのカバーを使用する方法 |
| JP2009104186A (ja) * | 1999-10-08 | 2009-05-14 | Asml Holding Nv | レチクルを保護するための取り外し可能なカバー、そのカバーを含むシステム、およびそのカバーを使用する方法 |
| JP4690471B2 (ja) * | 1999-10-08 | 2011-06-01 | エーエスエムエル ホールディング エヌ．ブイ． | レチクルを保護するための取り外し可能なカバーを使用する方法 |
| JP2011139102A (ja) * | 1999-10-08 | 2011-07-14 | Asml Holding Nv | リソグラフィシステム |
| US10571800B2 (en) | 2015-02-03 | 2020-02-25 | Asml Netherlands B.V. | Mask assembly and associated methods |
| US11029595B2 (en) | 2015-02-03 | 2021-06-08 | Asml Netherlands B.V. | Mask assembly and associated methods |
| US11086213B2 (en) | 2015-02-03 | 2021-08-10 | Asml Netherlands B.V. | Mask assembly and associated methods |
| US11635681B2 (en) | 2015-02-03 | 2023-04-25 | Asml Netherlands B.V. | Mask assembly and associated methods |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101735403B1 (ko) | 검사 방법, 템플릿 기판 및 포커스 오프셋 방법 | |
| US4758094A (en) | Process and apparatus for in-situ qualification of master patterns used in patterning systems | |
| JP3242079B2 (ja) | 多層マスクを用いたデバイス作製のためのリソグラフィプロセス | |
| JP5036581B2 (ja) | マスク欠陥検査方法及びマスク欠陥検査装置 | |
| US20100233594A1 (en) | System and method for quality assurance for reticles used in manufacturing of integrated circuits | |
| JPH0792096A (ja) | 異物検査装置並びにこれを備えた露光装置及びデバイ スの製造方法 | |
| JPH0934102A (ja) | ペリクル枠 | |
| JPH10260037A (ja) | 平面度測定方法および装置 | |
| JP2008098383A (ja) | 表面位置計測システム及び露光方法 | |
| US5453830A (en) | Spatially isolated diffractor on a calibration substrate for a pellicle inspection system | |
| KR20040084979A (ko) | 펠리클 구조체의 자세 제어 기구 및 노광 방법 | |
| JP3402746B2 (ja) | フォトマスク検査方法及びその装置 | |
| JPS63103951A (ja) | ゴミ検査装置 | |
| JPH11264798A (ja) | 電子デバイス用ガラス基板並びにこれを用いたフォトマスクブランク及びフォトマスク | |
| JPH1183752A (ja) | 表面状態検査方法及び表面状態検査装置 | |
| CN102944971B (zh) | 掩膜版及光刻材料的曝光检测方法 | |
| TW202324498A (zh) | 異物檢查裝置、曝光裝置及物品之製造方法 | |
| JPS6095435A (ja) | 露光用マスク | |
| JPH0464041A (ja) | ペリクルの欠陥検査方法および装置 | |
| KR101143624B1 (ko) | 위상반전마스크의 뒷면 결함 검사 방법 | |
| JP2022175005A (ja) | 検査装置 | |
| JPS59117117A (ja) | ペリクル保護膜用フレ−ム | |
| KR920010065B1 (ko) | X선 마스크 | |
| JP2930757B2 (ja) | 異物検査装置 | |
| JPS63293917A (ja) | 露光装置 |