JP2008098383A - 表面位置計測システム及び露光方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 被験物の反射率に影響されることなく、高い精度で被験物の位置を検出可能な表面位置計測システムを提供する。
【解決手段】 複数の回路パターンのそれぞれの予測反射率を、複数の回路パターンの製造に用いられたフォトマスクの設計データから算出する反射率算出モジュール202、複数の回路パターンのそれぞれの上の複数の検査領域毎に、予測反射率に基づいて照射条件を変化させながら検査光を照射する検査光源10、及び複数の検査領域のそれぞれの表面位置を検出するために、複数の検査領域のそれぞれで反射された検査光を検出する光検出器11を備える。
【選択図】 図1
【解決手段】 複数の回路パターンのそれぞれの予測反射率を、複数の回路パターンの製造に用いられたフォトマスクの設計データから算出する反射率算出モジュール202、複数の回路パターンのそれぞれの上の複数の検査領域毎に、予測反射率に基づいて照射条件を変化させながら検査光を照射する検査光源10、及び複数の検査領域のそれぞれの表面位置を検出するために、複数の検査領域のそれぞれで反射された検査光を検出する光検出器11を備える。
【選択図】 図1
Description
本発明はリソグラフィ技術に係り、特に、表面位置計測システム及び露光方法に係る。
半導体装置を製造する際、フォトマスクに設けられたマスクパターンの像が、露光装置を用いてレジスト膜上に投影される。この時、マスクパターンの投影像をレジスト膜上で正確に結像させることが、微細な半導体装置を製造する上で重要となる。そのため、マスクパターンの像が投影されるレジスト膜は、露光装置の投影光学系の焦点位置に、正確に配置される必要がある。レジスト膜の配置位置は、レジスト膜に検査光を照射し、レジスト膜から反射された反射光の特性を解析することにより検出されている（例えば、特許文献１参照。）。しかし、レジスト膜の下方に複数の金属配線パターンが配置されていると、複数の金属配線パターンのそれぞれの反射率の違いが、検査光によるレジスト膜の配置位置の検出に影響を及ぼすという問題があった。
特開2002-334826号公報
本発明は、被験物の反射率に影響されることなく、高い精度で被験物の位置を検出可能な表面位置計測システム及び露光方法を提供することを目的とする。
本発明の態様によれば、複数の回路パターンのそれぞれの予測反射率を、複数の回路パターンの製造に用いられたフォトマスクの設計データから算出する反射率算出モジュールと、複数の回路パターンのそれぞれの上の複数の検査領域毎に、予測反射率に基づいて照射条件を変化させながら検査光を照射する検査光源と、複数の検査領域のそれぞれの表面位置を検出するために、複数の検査領域のそれぞれで反射された検査光を検出する光検出器とを備える表面位置計測システムが提供される。
本発明の他の態様によれば、フォトマスクに設けられた複数のマスクパターンの像を、ウェハ上に配置された回路形成用レジスト膜上に投影し、回路形成用レジスト膜を現像して、ウェハ上に複数のレジストパターンを形成し、複数のレジストパターンを用いて、ウェハ上に複数の回路パターンを形成し、フォトマスクの設計データから、複数の回路パターンのそれぞれの予測反射率を算出し、複数の回路パターン上に回路上レジスト膜を形成し、複数の回路パターンのそれぞれの上の回路上レジスト膜の複数の検査領域毎に、予測反射率に基づいて照射条件を変化させながら検査光を照射して、回路上レジスト膜を露光する露光装置の投影光学系に対する回路上レジスト膜の表面位置を検出し、投影光学系の焦点に表面位置を移動させ、回路上レジスト膜を露光することを備える露光方法が提供される。
本発明によれば、被験物の反射率に影響されることなく、高い精度で被験物の位置を検出可能な表面位置計測システム及び露光方法を提供可能である。
次に図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。なお以下の示す実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の技術的思想は構成部品の配置等を下記のものに特定するものではない。この発明の技術的思想は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
本発明の実施の形態に係る図1に示す表面位置計測システムは、中央演算処理装置(CPU)300を備える。CPU300は、シリコン(Si)等からなるウェハ13の上方に設けられた複数の回路パターンのそれぞれの予測反射率を、複数の回路パターンの製造に用いられたフォトマスクである第1フォトマスクの設計データから算出する反射率算出モジュール202を備える。また表面位置計測システムは、複数の回路パターンの上方に配置されたレジスト膜である回路上レジスト膜の複数の検査領域毎に、予測反射率に基づいて照射条件を変化させながら検査光を照射する検査光源10、及び回路上レジスト膜を露光する露光装置3の投影光学系42の焦点に対する回路上レジスト膜表面の位置を検出するために、複数の検査領域のそれぞれで反射された検査光を検出する光検出器11を備える。
露光装置3は、照射光を発する照明光源41、照明光源41の下方に配置される開口絞りホルダ58、照射光を偏光にする偏光子59、照射光を集光する集光光学系43、集光光学系43の下方に配置されるスリットホルダ54、及びスリットホルダ54の下方に配置され、照射光を照射される第1フォトマスクを保持するレチクルステージ15を備える。第1フォトマスクは、図2に示すように、石英ガラス等からなる透明なマスク基板18、マスク基板18上に配置された遮光膜17、及び遮光膜17に囲まれ、マスク基板18上に設けられた複数のマスクパターン5, 6, 7, 8を備える。遮光膜17はクロム(Cr)等からなる。複数のマスクパターン5〜8のそれぞれにおいては、Cr等の遮光物、あるいはモリブデンシリサイド(MoSi)等の半透明物がマスク基板18上に部分的に配置されている。複数のマスクパターン5〜8のそれぞれにおける、遮光物あるいは半透明物によるマスク基板18の被覆率は異なる。そのため、複数のマスクパターン5〜8のそれぞれにおける照射光の透過率は異なる。
第1フォトマスクを保持する図1に示すレチクルステージ15は、レチクル用XYステージ81、レチクル用XYステージ81上部に配置されたレチクル用可動軸83a, 83b、レチクル用可動軸83a, 83bのそれぞれでレチクル用XYステージ81に接続されるレチクル用Z傾斜ステージ82を備える。レチクルステージ15にはレチクルステージ駆動部97が接続される。レチクルステージ駆動部97はレチクル用XYステージ81を水平方向に走査する。またレチクル用可動軸83a, 83bのそれぞれを垂直方向に駆動する。よって、レチクル用Z傾斜ステージ82はレチクル用XYステージ81によって水平方向に位置決めされ、かつレチクル用可動軸83a, 83bのそれぞれにより水平面に対して傾斜をつけて配置することができる。レチクル用Z傾斜ステージ82端部にはレチクル用移動鏡98が配置される。レチクル用Z傾斜ステージ82の配置位置はレチクル用移動鏡98に対向して配置されたレチクル用レーザ干渉計99で計測される。
さらに露光装置3は、レチクルステージ15の下方に配置され、第1フォトマスクに設けられた複数のマスクパターン5〜8の像を投影する投影光学系42、及び投影光学系42の下方に配置され、ウェハ13を保持するウェハステージ32を備える。ウェハステージ32は、ウェハ用XYステージ91、ウェハ用XYステージ91上部に配置されたウェハ用可動軸93a, 93b、ウェハ用可動軸93a, 93bのそれぞれでウェハ用XYステージ91に接続されるウェハ用Z傾斜ステージ92を備える。ウェハステージ32にはウェハステージ駆動部94が接続される。ウェハステージ駆動部94はウェハ用XYステージ91を水平方向に走査する。またウェハ用可動軸93a, 93bのそれぞれを垂直方向に駆動する。よって、ウェハ用Z傾斜ステージ92はウェハ用XYステージ91によって水平方向に位置決めされ、かつウェハ用可動軸93a, 93bのそれぞれにより水平面に対して傾斜をつけて配置することができる。ウェハ用Z傾斜ステージ92端部にはウェハ用移動鏡96が配置される。ウェハ用Z傾斜ステージ92の配置位置はウェハ用移動鏡96に対向して配置されたウェハ用レーザ干渉計95で計測される。
ウェハステージ32に保持されるウェハ13には、例えばトランジスタ等が設けられており、ウェハ13表面には窒化ケイ素(SiN)等からなる第1層間絶縁膜が配置されている。さらに第1層間絶縁膜表面には、ポジ型のフォトレジスト等からなる回路形成用レジスト膜が配置されている。露光装置3は、ステップアンドスキャン法により、レチクルステージ15及びウェハステージ32を移動させながら、図2に示す第1フォトマスクに設けられた複数のマスクパターン5〜8の像を、図3に示すウェハ13の上方の回路形成用レジスト膜表面に規定された複数の露光領域113a, 113b, 113c…のそれぞれに縮小投影する。なお図3においては、第1層間絶縁膜及び回路形成用レジスト膜を透視して示している。
図2に示す複数のマスクパターン5〜8の像が投影された回路形成用レジスト膜を現像することにより、第1層間絶縁膜表面に複数のレジストパターンが形成される。複数のレジストパターンのそれぞれは、複数のマスクパターン5〜8に対応する。さらに複数のレジストパターンをエッチングマスクにして、第1層間絶縁膜はドライエッチング法等により選択的に除去される。第1層間絶縁膜の選択的に除去された部分に銅(Cu)等からなる金属配線を埋め込むことにより、複数のマスクパターン5〜8のそれぞれに対応する図4に示す複数の回路パターン45, 46, 47, 48がウェハ13上に形成される。さらに複数の回路パターン45〜48の上にはSiN等からなる第2層間絶縁膜が形成され、第2層間絶縁膜表面にはポジ型のフォトレジスト等からなるレジスト膜である回路上レジスト膜が形成される。
図1に示すCPU300の透過率算出モジュール201は、図2に示す複数のマスクパターン5〜8のそれぞれの設計データから、図1に示す露光装置3の照明光源41が発する照射光に対する図2に示す複数のマスクパターン5〜8のそれぞれの透過率を算出する。
図1に示す検査光源10が発する検査光に対する図4に示す複数の回路パターン45〜48のそれぞれの反射率は、ウェハ13上の第1層間絶縁膜に埋め込まれた金属配線の割合が上昇するにつれて上昇する。金属配線は、複数のレジストパターンをエッチングマスクとして用いて、第1層間絶縁膜を選択的に除去した部分に埋め込まれている。複数のレジストパターンは、回路形成用レジスト膜に図2に示す複数のマスクパターン5〜8を投影し、現像することにより形成される。したがって、複数のマスクパターン5〜8のそれぞれの透過率と、複数の回路パターン45〜48の反射率とは、図5に示すように相関関係にある。図1に示す反射率算出モジュール202は、予め取得された図5に示す相関関係を用いて、複数のマスクパターン5〜8の透過率から、複数の回路パターン45〜48のそれぞれの予測される反射率である予測反射率を算出する。なお図1に示す反射率算出モジュール202は、複数の回路パターン45〜48のそれぞれに入射する検査光の光強度、入射角、及び波長等の照射条件を一定に保って、複数の回路パターン45〜48のそれぞれの予測反射率を算出する。
図1に示すCPU300の照射条件設定モジュール203は、図4に示す複数の回路パターン45〜48のそれぞれの予測反射率に基づいて、複数の回路パターン45〜48のそれぞれの上方の回路上レジスト膜表面の複数の検査領域に照射する検査光の照射条件を設定する。例えば照射条件設定モジュール203は、複数の回路パターン45〜48のうち、予測反射率が他の回路パターンよりも高い回路パターンの上方の検査領域に照射する検査光の光強度を、他の回路パターンの上方の検査領域を照射する場合より低下させる。複数の回路パターン45〜48のそれぞれの上方の検査領域を照射する検査光の光強度を調節することにより、複数の回路パターン45〜48のそれぞれの上方の検査領域で反射された直後の検査光の光強度が等しくなる。
また検査光がs偏光である場合、検査光の入射角が大きくなるほど複数の回路パターン45〜48のそれぞれにおける検査光の反射率は上昇する。したがって、例えば照射条件設定モジュール203は、複数の回路パターン45〜48のうち、予測反射率が他の回路パターンよりも高い回路パターンの上方の検査領域に照射する検査光の入射角を、他の回路パターンの上方の検査領域を照射する場合より小さく設定する。複数の回路パターン45〜48のそれぞれの上方の検査領域を照射する検査光の入射角を調節することにより、複数の回路パターン45〜48のそれぞれの上方の検査領域における検査光の反射率が等しくなる。
また回路形成用レジスト膜の膜厚に応じて、検査光の波長が長くなるほど、複数の回路パターン45〜48のそれぞれの上方の検査領域における検査光の反射率は上昇あるいは低下する。検査光の波長が長くなるほど、複数の回路パターン45〜48のそれぞれの上方の検査領域における検査光の反射率が上昇する場合、例えば照射条件設定モジュール203は、複数の回路パターン45〜48のうち、予測反射率が他の回路パターンよりも高い回路パターンの上方の検査領域に照射する検査光の波長を、他の回路パターンの上方の検査領域を照射する場合より短く設定する。複数の回路パターン45〜48のそれぞれの上方の検査領域を照射する検査光の波長を調節することにより、複数の回路パターン45〜48のそれぞれの上方の検査領域における検査光の反射率が等しくなる。
照射条件設定モジュール203は、複数の検査領域のそれぞれに対する検査光の光強度、入射角、及び波長のいずれか1つの値のみを照射条件として設定してもよい。あるいは照射条件設定モジュール203は、複数の検査領域のそれぞれに対する検査光の光強度、入射角、及び波長のそれぞれの値の組合せを、照射条件として設定してもよい。例えば照射条件設定モジュール203は、図6に示すように、複数の検査領域のそれぞれに対する検査光の光強度、入射角、波長、及び照射範囲を記録した照射条件のテーブルを作成する。
図1に示すCPU300の光源制御モジュール204は、照射条件設定モジュール203が設定した照射条件に従って、検査光源10が発する検査光の光強度、ウェハ13に対する入射角、波長、及び照射範囲を制御する。CPU300の位置算出モジュール205は、光検出器11が検出した検査光に基づいて、投影光学系42の光軸方向における、投影光学系42の焦点位置に対するウェハ13上の複数の検査領域のそれぞれの表面の位置の実測値を算出する。
ステージ制御モジュール206は、投影光学系42の光軸方向における、投影光学系42の焦点位置と、複数の検査領域のそれぞれの表面の位置の実測値との差を求める。差が投影光学系42の焦点深度よりも大きい場合、ステージ制御モジュール206は、ウェハステージ駆動部94及びウェハ用可動軸93a, 93b等を駆動し、複数の検査領域のそれぞれの表面の位置を投影光学系42の焦点位置に移動させる。
データ記憶装置335は、図7に示すように、マスクパターン記憶モジュール338、透過率記憶モジュール339、反射率記憶モジュール340、及び条件記憶モジュール341を備える。マスクパターン記憶モジュール338は、図2に示す第1フォトマスクの複数のマスクパターン5〜8のそれぞれの設計データを、CADファイル等で保存する。図7に示す透過率記憶モジュール339は、図1に示す透過率算出モジュール201が算出する図2に示す複数のマスクパターン5〜8のそれぞれの透過率を保存する。図7に示す反射率記憶モジュール340は、図1に示す反射率算出モジュール202が算出する図4に示す複数の回路パターン45〜48のそれぞれの予測反射率を保存する。図7に示す条件記憶モジュール341は、図1に示す照射条件設定モジュール203が生成する、図6に示す照射条件のテーブルを保存する。
図1に示すCPU300には、さらに入力装置312、出力装置313、プログラム記憶装置330、及び一時記憶装置331が接続される。入力装置312としては、キーボード、マウス等が使用可能である。出力装置313としては液晶表示装置(LCD)、発光ダイオード(LED)等によるモニタ画面等が使用可能である。プログラム記憶装置330は、CPU300に接続された装置間のデータ送受信等をCPU300に実行させるためのプログラムを保存している。一時記憶装置331は、CPU300の演算過程でのデータを一時的に保存する。
次に、実施の形態に係る露光方法を、図8に示すフローチャートを用いて説明する。なお、図1に示すCPU300による演算結果は、一時記憶装置331に逐次格納される。
(a) ステップS101で、ウェハ13上に第1層間絶縁膜を形成する。次にスピンコータ等の塗布装置を用いて、ウェハ13上の第1層間絶縁膜表面にフォトレジストを塗布し、回路形成用レジスト膜を形成する。ステップS102で、露光装置3のレチクルステージ15に図2に示す第1フォトマスクを配置し、図1に示すウェハステージ32に回路形成用レジスト膜が形成されたウェハ13を配置する。次に第1フォトマスクを照射光で照射し、第1フォトマスクに設けられた複数のマスクパターン5〜8の像を、回路形成用レジスト膜上に投影する。
(b) ステップS103で、加熱装置等を用いてウェハ13上の回路形成用レジスト膜を露光後ベーク(PEB : Post Exposure Bake)処理する。その後、現像装置を用いてウェハ13上の回路形成用レジスト膜を現像し、第1層間絶縁膜上に、複数のマスクパターン5〜8にそれぞれ対応する複数のレジストパターンを形成する。ステップS104で、複数のレジストパターンのそれぞれをエッチングマスクとして用いて、異方性エッチング法等により第1層間絶縁膜を選択的に除去する。次に、第1層間絶縁膜の選択的に除去された部分にCu等をメッキ法により埋め込み、図4に示すウェハ13上に複数の回路パターン45〜48を形成する。
(c) ステップS105で透過率算出モジュール201は、図7に示すマスクパターン記憶モジュール338から、図2に示す第1フォトマスクに設けられた複数のマスクパターン5〜8のそれぞれの設計データを読み出す。次に図1に示す透過率算出モジュール201は、照射光に対する複数のマスクパターン5〜8のそれぞれの透過率を算出する。透過率算出モジュール201は、算出した透過率を図7に示す透過率記憶モジュール339に保存する。
(d) ステップS106で図1に示す反射率算出モジュール202は、透過率記憶モジュール339から複数のマスクパターン5〜8のそれぞれの透過率を読み出す。次に反射率算出モジュール202は、図5に示す透過率と反射率との相関関係を用いて、複数のマスクパターン5〜8のそれぞれを回路形成用レジスト膜に投影することにより形成される複数の回路パターン45〜48のそれぞれの検査光に対する予測反射率を算出する。図1に示す反射率算出モジュール202は、複数の回路パターン45〜48のそれぞれの予測反射率を図7に示す反射率記憶モジュール340に保存する。
(e) ステップS107で、複数の回路パターン45〜48上に第2層間絶縁膜を形成する。次に塗布装置を用いて第2層間絶縁膜上にフォトレジストを塗布し、回路上レジスト膜を形成する。ステップS108で図1に示す露光装置3のレチクルステージ15に第1フォトマスクとは異なるマスクパターンが設けられた第2フォトマスクを配置し、ウェハステージ32に回路上レジスト膜が形成されたウェハ13を配置する。ステップS109で照射条件設定モジュール203は、複数の回路パターン45〜48のそれぞれの予測反射率を反射率記憶モジュール340から読み出す。次に照射条件設定モジュール203は、予測反射率に基づいて、検査光源10が照射する検査光の回路上レジスト膜への入射角、検査光の波長、及び検査光の光強度等の照射条件を算出する。照射条件設定モジュール203は算出した照射条件を図7に示す条件記憶モジュール341に保存する。
(f) ステップS110で図1に示す光源制御モジュール204は、条件記憶モジュール341から照射条件を読み出し、検査光源10が発する検査光の光強度、入射角、波長、及び照射範囲等を制御する。ステップS111で検査光源10は検査条件に従って、複数の回路パターン45〜48のそれぞれの上方の回路上レジスト膜の複数の検査領域毎に検査光を照射する。光検出器11は回路上レジスト膜の複数の検査領域のそれぞれの上で反射された検査光を検出する。その後、位置算出モジュール205は、光検出器11が検出した検出光に基づいて回路上レジスト膜の複数の検査領域のそれぞれの表面の位置の実測値を算出する。
(g) ステップS112でステージ制御モジュール206は、位置算出モジュール205が算出した回路上レジスト膜の表面の位置の実測値に基づいて、ウェハステージ駆動部94及びウェハ用可動軸93a, 93b等を駆動し、回路上レジスト膜の表面の位置を投影光学系42の焦点位置に移動させる。ステップS113で露光装置3の照明光源41から照射光を第2フォトマスクに照射することにより、第2フォトマスクに設けられたマスクパターンを透過した照射光で回路上レジスト膜を露光し、実施の形態に係る露光方法を終了する。
従来の表面位置計測システムでは、図4に示す複数の回路パターン45〜48のそれぞれの上の検査領域に検査光を照射すると、複数の回路パターン45〜48のそれぞれの反射率の違いが、検査領域の表面位置の検出に影響を及ぼすという問題があった。これに対し、実施の形態に係る表面位置計測システムによれば、複数の回路パターン45〜48のそれぞれの上で反射された直後の検査光の光強度が等しくなるよう、図1に示す検査光源10が発する検査光の光強度が設定される。そのため、複数の回路パターン45〜48のそれぞれの反射率の違いが、検査領域の表面位置の検出に影響を及ぼさない。
あるいは実施の形態に係る表面位置計測システムによれば、図4に示す複数の回路パターン45〜48のそれぞれにおける検査光の反射率が等しくなるよう、図1に示す検査光源10が発する検査光のウェハ13に対する入射角が設定される。そのため、入射角を一定に保った場合に生じる複数の回路パターン45〜48のそれぞれの反射率の違いの影響を、無くすことが可能となる。また実施の形態に係る表面位置計測システムによれば、図4に示す複数の回路パターン45〜48のそれぞれにおける検査光の反射率が等しくなるよう、図1に示す検査光源10が発する検査光の波長が設定される。そのため、波長を一定に保った場合に生じる複数の回路パターン45〜48のそれぞれの反射率の違いの影響を、無くすことが可能となる。
（その他の実施の形態）
上記のように、本発明の実施の形態を記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。例えば図1に示す反射率算出モジュールは、図2に示す複数のマスクパターン5〜8の透過率から、図4に示す複数の回路パターン45〜48のそれぞれの予測反射率を算出すると説明した。これに対し、図1に示す反射率算出モジュールは、図2に示す複数のマスクパターン5〜8のそれぞれにおける遮光膜又は半透明物によるマスク基板18の被覆率から、図4に示す複数の回路パターン45〜48のそれぞれの予測反射率を算出してもよい。また図8のステップS105及びステップS106は、ステップS107の前であれば、いつ行ってもよい。以上示したように、本発明の技術的範囲は上記の説明からは妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
上記のように、本発明の実施の形態を記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。例えば図1に示す反射率算出モジュールは、図2に示す複数のマスクパターン5〜8の透過率から、図4に示す複数の回路パターン45〜48のそれぞれの予測反射率を算出すると説明した。これに対し、図1に示す反射率算出モジュールは、図2に示す複数のマスクパターン5〜8のそれぞれにおける遮光膜又は半透明物によるマスク基板18の被覆率から、図4に示す複数の回路パターン45〜48のそれぞれの予測反射率を算出してもよい。また図8のステップS105及びステップS106は、ステップS107の前であれば、いつ行ってもよい。以上示したように、本発明の技術的範囲は上記の説明からは妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
3…露光装置
5, 6, 7, 8…マスクパターン
10…検査光源
11…光検出器
13…ウェハ
32…ウェハステージ
45, 46, 47, 48…回路パターン
202…反射率算出モジュール
203…照射条件設定モジュール
204…光源制御モジュール
205…位置算出モジュール
206…ステージ制御モジュール
5, 6, 7, 8…マスクパターン
10…検査光源
11…光検出器
13…ウェハ
32…ウェハステージ
45, 46, 47, 48…回路パターン
202…反射率算出モジュール
203…照射条件設定モジュール
204…光源制御モジュール
205…位置算出モジュール
206…ステージ制御モジュール
Claims (5)
- 複数の回路パターンのそれぞれの予測反射率を、前記複数の回路パターンの製造に用いられたフォトマスクの設計データから算出する反射率算出モジュールと、
前記複数の回路パターンのそれぞれの上の複数の検査領域毎に、前記予測反射率に基づいて照射条件を変化させながら検査光を照射する検査光源と、
前記複数の検査領域のそれぞれの表面位置を検出するために、前記複数の検査領域のそれぞれで反射された前記検査光を検出する光検出器
とを備えることを特徴とする表面位置計測システム。 - フォトマスクに設けられた複数のマスクパターンの像を、ウェハ上に配置された回路形成用レジスト膜上に投影し、
前記回路形成用レジスト膜を現像して、前記ウェハ上に複数のレジストパターンを形成し、
前記複数のレジストパターンを用いて、前記ウェハ上に複数の回路パターンを形成し、
前記フォトマスクの設計データから、前記複数の回路パターンのそれぞれの予測反射率を算出し、
前記複数の回路パターン上に回路上レジスト膜を形成し、
前記複数の回路パターンのそれぞれの上の前記回路上レジスト膜の複数の検査領域毎に、前記予測反射率に基づいて照射条件を変化させながら検査光を照射して、前記回路上レジスト膜を露光する露光装置の投影光学系に対する前記回路上レジスト膜の表面位置を検出し、
前記投影光学系の焦点に前記表面位置を移動させ、前記回路上レジスト膜を露光すること
を備えることを特徴とする露光方法。 - 前記予測反射率を算出することは、前記フォトマスクの設計データから、前記複数のマスクパターンのそれぞれの透過率を算出することを備えることを特徴とする請求項２に記載の露光方法。
- 前記照射条件は、前記検査光の光強度を含むことを特徴とする請求項２又は３に記載の露光方法。
- 前記照射条件は、前記複数の検査領域のそれぞれに対する前記検査光の入射角を含むことを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の露光方法。
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