JP2017090672A - レジストパターン検査方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】レジストパターンを精度良く検査できるレジストパターン検査方法を提供する【解決手段】本実施形態によるレジストパターン検査方法は、第1面1a上にレジストパターン2Aが直接形成された基板1に光を照射し、基板1の第1面1aとは反対の第2面1b側に設けられた受光部13を用いて、基板1からの透過光又は反射光を受光し、受光部13の受光強度に基づいてレジストパターン2Aの位置又は寸法を測定するものである。【選択図】図3
Description
本発明は、レジストパターン検査方法に関する。
LSIの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、縮小投影型露光装置を用いて、フォトマスクのパターンをウェーハ上に縮小転写する手法が採用されている。
例えば、フォトマスクは、石英基板上に形成されたクロム等の遮光膜を加工して作製される。遮光膜の加工は、次のように行われる。まず、遮光膜上にレジストを塗布し、そのレジストに電子線描画装置で所望のパターンを描画する。次に、現像処理により所望の形状のレジストパターンを形成する。続いて、レジストパターンをマスクとしてドライエッチングやウェットエッチングにより遮光膜を加工する。
フォトマスクの遮光膜パターンを検査測定した場合、測定結果にはエッチングプロセス起因のエラーが含まれている。近年、フォトマスクのパターンに要求される精度が厳しくなってきており、遮光膜パターンでなく、エッチングプロセス前のレジストパターンを検査・測定することが求められている。
従来、パターン検査装置は、ランプや連続発振レーザなどの光源から発した光を測定対象のパターン面に照射し、反射光の強度を受光素子で検出して、パターンの寸法や位置を測定していた。このような検査装置において、レジストパターンが形成された基板のパターン面に光を照射した場合、レジストパターンからアウトガスが発生し、受光素子が汚染されて、測定精度が低下するという問題があった。
本発明は、上記従来の実状に鑑みてなされたものであり、レジストパターンを精度良く検査できるレジストパターン検査方法を提供することを課題とする。
本発明の一態様によるレジストパターン検査方法は、第1面上にレジストパターンが直接形成された基板に光を照射し、前記基板の前記第1面とは反対の第2面側に設けられた受光部を用いて、前記基板からの透過光又は反射光を受光し、前記受光部の受光強度に基づいて前記レジストパターンの位置又は寸法を測定することを特徴とするものである。
本発明の一態様によるレジストパターン検査方法では、前記第1面を下向きにして前記基板を検査装置のステージに載置し、前記基板の上方に設けられた前記受光部で受光する。この場合、前記基板の下方に設けられた照射部から光を照射し、前記受光部は前記基板を透過した透過光を受光してもよい。
本発明の一態様によるレジストパターン検査方法では、前記第1面を上向きにして前記基板を検査装置のステージに載置し、前記基板の下方に設けられた前記受光部で受光する。この場合、前記基板の上方に設けられた照射部から光を照射し、前記受光部は前記基板を透過した透過光を受光してもよい。
本発明によれば、レジストパターンを精度良く検査できる。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図1は、本実施形態によるレジストパターン検査方法を説明するフローチャートであり、図2(a)〜(d)はレジストパターン形成方法を説明する工程断面図である。まず、図2(a)に示すように、厚さ6.35mm程度の石英基板1(以下「基板1」と記載する)を準備し、基板1の第1面1a上にレジスト膜2をスピンコート法等によって直接塗布する(ステップS101)。レジスト膜2は電子線に感応する公知の材料を使用することができ、膜厚は例えば300nm程度である。レジスト膜2に紫外線等を照射して硬化させる。
次に、図2(b)に示すように、レジスト膜2上に帯電防止膜3を塗布して形成する(ステップS102)。帯電防止膜3は、後述する電子線照射の際に、レジスト膜2に電荷が蓄積して帯電することを防止するためのものであり、導電性ポリマーを含むものなど、公知の材料を使用することができる。
次に、図2(c)に示すように、電子線描画装置(図示略)により電子線を露光し、検査用のパターンを描画する(ステップS103)。描画する検査用パターンは任意であり、例えばラインアンドスペースパターンである。露光後、レジスト膜2の特性上必要であれば、PEB(Post Exposure Bake)を行う。
続いて、現像液で現像し(ステップS104)、リンスして、図2(d)に示すように、レジストパターン2Aを形成する。帯電防止膜3は、PEB又は現像工程で除去される。レジストパターン2Aは基板1上に直接形成されており、パターンの無い部分では基板1の表面が露出している。
次に、検査装置を用いてレジストパターン2Aの検査を行う(ステップS105)。図3は検査装置の概略構成を示す。検査装置は、レーザ光源11、照射部12、受光部13、ステージ制御部14、信号処理部15、ステージ16及びホルダ17を備えている。
ステージ16上にホルダ17が設けられており、ホルダ17は基板1を保持する。ステージ制御部14は、ステージ16の移動を制御する。
レーザ光源11は、例えばArFエキシマレーザである。照射部12は、レーザ光源11で発生したレーザ光(以下、「光」と記載する)を基板1に照射する。受光部13は、基板1からの反射光を受光する。照射部12及び受光部13は、ステージ16及びホルダ17の上方に設けられ、基板1の上方から基板1に光が照射される。ステージ16が移動することで、光が基板1上を走査できるようになっている。
信号処理部15は、受光部13で測定した受光強度から基板1上のレジストパターン2Aの有無を判定し、レジストパターン2Aの位置や寸法を測定する。
本実施形態では、図3に示すように、レジストパターン2Aが形成された基板1の第1面1aを下向きにしてホルダ17に設置する。第1面1aとは反対側の第2面1bが上向きとなり、照射部12及び受光部13に対向する。
照射部12は、基板1の何もパターンが形成されていない露出された第2面1bへ光を照射する。照射された光は、基板1を透過し、レジストパターン2Aのある部分においては、レジストパターン2Aで反射される。
レジストパターン2Aは、光が照射されるとアウトガスを発生し得る。レジストパターン2Aが形成された基板1の第1面1aを上向きにして基板1をステージ16上に載置した場合、アウトガスにより受光部13が汚染され得る。受光部13が汚染されると、受光強度の測定精度が低下する。
しかし、本実施形態では、図3に示すように、レジストパターン2Aが形成された基板1の第1面1aを下向きにして基板1をステージ16上に載置し、受光部13は基板1の上方(第2面1b側)に設けられている。受光部13とレジストパターン2Aとの間に基板1があり、この基板1が受光部13へ向かうアウトガスを遮るため、アウトガスによる受光部13の汚染を抑制することができる。そのため、アウトガスが発生した場合でも、受光部13における測定精度の低下を抑制し、レジストパターン2Aの位置や寸法を精度良く測定し、検査を行うことができる。
レジストパターン2Aの検査後、基板1からレジストパターン2Aを剥離し、洗浄する(ステップS106)。洗浄後の基板1は、再利用することができる。
このように、本実施形態によれば、受光部13の汚染を抑制して、レジストパターンを精度良く検査できる。また、遮光膜を用いないため、遮光膜の蒸着プロセスやエッチングプロセスが不要であり、検査に要する時間を短縮することができる。また、基板1を容易にリサイクルすることができる。
上記実施形態は反射光による測定であったが、図4に示すように照射部12を基板1の下方に設け、透過光による測定を行ってもよい。基板1には遮光膜が設けられていないため、照射部12から照射された光は、レジストパターン2Aの無い部分において基板1を透過する。受光部13は透過光を受光する。
図5に示すように、照射部12及び受光部13を、ステージ16及びホルダ17の下方に設けると共に、レジストパターン2Aが形成された基板1の第1面1aを上向きにして基板1をステージ16上に載置してもよい。受光部13は、基板1からの反射光を受光する。
図6に示すように、照射部12をステージ16及びホルダ17の上方に設け、受光部13をステージ16及びホルダ17の下方に設け、レジストパターン2Aが形成された基板1の第1面1aを上向きにして基板1をステージ16上に載置してもよい。受光部13は、基板1を透過した透過光を受光する。
レジストパターン2Aから発生するアウトガスが上方へ向かう特性を有する場合は、図5や図6に示すように、受光部13を基板1の下方に設け、レジストパターン2Aが形成された基板1の第1面1aを上向きにして基板1をステージ16上に載置する構成とすることが好ましい。一方、レジストパターン2Aから発生するアウトガスが下方へ向かう特性を有する場合は、図3や図4に示すように、受光部13を基板1の上方に設け、レジストパターン2Aが形成された基板1の第1面1aを下向きにして基板1をステージ16上に載置する構成とすることが好ましい。このような構成とすることで、アウトガスによる受光部13の汚染をさらに抑制し、測定精度の低下を抑制することができる。
照射部12は、ステージ16及びホルダ17の上方と下方の両方に設けられていてもよい。同様に、受光部13は、ステージ16及びホルダ17の上方と下方の両方に設けられていてもよい。レジストパターン2Aから発生するアウトガスの特性に応じて、レジストパターン2Aが形成された基板1の第1面1aを上向きにするか下向きにするかを選択し、さらに透過光と反射光のどちらで測定を行うかを選択した上で、使用する照射部12及び受光部13を決定する。
上記実施形態では、基板1上にレジスト膜2を直接塗布し、レジストパターン2Aが基板1上に直接形成され、レジストパターン2Aの無い部分では基板1の表面が露出している例について説明したが、基板1上に光が透過できる程度の薄膜を形成し、この薄膜上にレジスト膜2を塗布してもよい。この場合、レジストパターン2Aの無い部分では薄膜の表面が露出する。照射部12から照射された光は、この薄膜を透過するため、レジストパターン2Aのある部分とのコントラストをとることができ、パターン検査が可能となる。
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
1 石英基板
2 レジスト膜
2A レジストパターン
3 帯電防止膜
11 レーザ光源
12 照射部
13 受光部
14 ステージ制御部
15 信号処理部
16 ステージ
17 ホルダ
2 レジスト膜
2A レジストパターン
3 帯電防止膜
11 レーザ光源
12 照射部
13 受光部
14 ステージ制御部
15 信号処理部
16 ステージ
17 ホルダ
Claims (5)
- 第1面上にレジストパターンが直接形成された基板に光を照射し、
前記基板の前記第1面とは反対の第2面側に設けられた受光部を用いて、前記基板からの透過光又は反射光を受光し、
前記受光部の受光強度に基づいて前記レジストパターンの位置又は寸法を測定することを特徴とするレジストパターン検査方法。 - 前記第1面を下向きにして前記基板を検査装置のステージに載置し、前記基板の上方に設けられた前記受光部で受光することを特徴とする請求項1に記載のレジストパターン検査方法。
- 前記基板の下方に設けられた照射部から光を照射し、前記受光部は前記基板を透過した透過光を受光することを特徴とする請求項2に記載のレジストパターン検査方法。
- 前記第1面を上向きにして前記基板を検査装置のステージに載置し、前記基板の下方に設けられた前記受光部で受光することを特徴とする請求項1に記載のレジストパターン検査方法。
- 前記基板の上方に設けられた照射部から光を照射し、前記受光部は前記基板を透過した透過光を受光することを特徴とする請求項4に記載のレジストパターン検査方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015220476A JP2017090672A (ja) | 2015-11-10 | 2015-11-10 | レジストパターン検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2015220476A JP2017090672A (ja) | 2015-11-10 | 2015-11-10 | レジストパターン検査方法 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017090672A true JP2017090672A (ja) | 2017-05-25 |
Family
ID=58768337
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2015220476A Pending JP2017090672A (ja) | 2015-11-10 | 2015-11-10 | レジストパターン検査方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2017090672A (ja) |
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2015
- 2015-11-10 JP JP2015220476A patent/JP2017090672A/ja active Pending
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