JP4434889B2 - 半導体記憶素子の遅延固定ループ及びそのクロックロック方法 - Google Patents
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Description
302 クロック分周器
303 比較器イネーブル信号発生器
304 セミロック検出器
305 位相比較器
306 遅延制御器
307 遅延ライン
308 レプリカモデル
309 出力バッファ
Claims (14)
- 遅延ライン部及びレプリカモデルを含む半導体記憶素子の遅延固定ループにおいて、
外部から入力されるリセット命令信号を利用して、該リセット命令信号を所定時間延長させた比較器イネーブル信号を出力するための比較器イネーブル信号発生部と、
前記比較器イネーブル信号の論理状態によって制御されたセミロック命令信号を出力するためのセミロック検出部とを備え、
前記比較器イネーブル信号がロジックロー状態である場合、位相比較部が、前記セミロック命令信号に制御されて、電源電圧及び接地電圧を出力するように構成されていることを特徴とする遅延固定ループ。 - 前記比較器イネーブル信号がロジックハイ状態である場合、前記位相比較部が、
前記セミロック命令信号に制御されて、前記位相比較部に入力された前記立ち上がりクロックの位相と前記フィードバッククロックの位相とを比較し、比較した結果を出力するように構成されていることを特徴とする請求項1に記載の遅延固定ループ。 - 前記所定時間が、
前記リセット命令信号が入力される前に前記遅延ライン部に入力されていたクロックが、少なくとも前記リセット命令信号が入力された後、前記遅延ライン部から出力されて前記位相比較部で比較されるまでの間に必要とする時間に等しいことを特徴とする請求項2に記載の遅延固定ループ。 - 前記リセット命令信号を所定時間延長するために用いられる、分周クロックを生成するためのクロック分周部をさらに備え、
前記分周クロックが、前記立ち上がりクロックが4分周された第1及び第2の4分周クロックと8分周された8分周クロックであり、前記第1及び第2の4分周クロックと前記8分周クロックとが、1クロックの間、前記ロジックハイ状態を維持し、前記第1及び第2の4分周クロックが、それぞれ異なる区間の間、前記ロジックロー状態を維持するように構成されていることを特徴とする請求項3に記載の遅延固定ループ。 - 前記比較器イネーブル信号発生部が、
前記リセット命令信号に制御されて前記ロジックロー状態にある比較器イネーブル信号を出力するためのスイッチと、
前記第2の4分周クロックに制御されて電源電圧を出力するための第1伝達ゲートと、
前記リセット命令信号の反転信号と前記第1伝達ゲートの出力とが入力されるNANDゲートと、
該NANDゲートの反転出力を前記第1伝達ゲートの出力側に伝送するための第1インバータと、
前記8分周クロックに制御されて前記NANDゲートの出力を出力するための第2伝達ゲートと、
該第2伝達ゲートの出力をラッチするためのラッチと
を備えることを特徴とする請求項4に記載の遅延固定ループ。 - 前記スイッチが、前記電源電圧を出力するためのpMOSトランジスタであることを特徴とする請求項5に記載の遅延固定ループ。
- 前記セミロック検出部が、
前記比較器イネーブル信号に制御され、ソース側が電源電圧端に接続されたpMOSトランジスタと、
前記第2の4分周クロックに制御され、ドレイン側が前記pMOSトランジスタのドレイン側と接続された第1nMOSトランジスタと、
前記位相比較部に入力された前記立ち上がりクロックと前記フィードバッククロックとの位相を比較した結果と前記比較器イネーブル信号とが入力される論理積ゲートと、
前記論理積ゲートの出力に制御され、ドレイン側が前記第1nMOSトランジスタのソース側と接続され、ソース側が接地電圧端子と接続された第2nMOSトランジスタと、
前記pMOSトランジスタのドレイン側と接続されたラッチと
を備えることを特徴とする請求項4に記載の遅延固定ループ。 - 前記位相比較部が、
前記立ち上がりクロックと前記フィードバッククロックとを受信し、遅延ライン部で前記フィードバッククロックの位相をシフトライトするか、シフトレフトするかを決定するための第1Dフリップフロップと、
前記立ち上がりクロックと前記フィードバッククロックとを受信し、前記フィードバッククロックの位相シフトを速くするか、遅くするかを決定するための第2及び第3Dフリップフロップと
を備えることを特徴とする請求項2に記載の遅延固定ループ。 - 前記第1Dフリップフロップが、前記フィードバッククロックを受信する入力端子及び前記立ち上がりクロックを受信するクロック端子を備えることを特徴とする請求項8に記載の遅延固定ループ。
- 前記位相比較部が、
前記セミロック検出信号に制御されて、前記第1Dフリップフロップの出力及び前記電源電圧のうちのいずれかを出力するためのマルチプレクサを、さらに含むことを特徴とする請求項9に記載の遅延固定ループ。 - 前記第3Dフリップフロップが、前記立ち上がりクロックを所定時間遅延させた遅延立ち上がりクロックの位相と前記フィードバッククロックの位相とを比較し、
前記第2Dフリップフロップが、前記フィードバッククロックを所定時間遅延させた遅延フィードバッククロックの位相と前記立ち上がりクロックの位相とを比較するように構成されていることを特徴とする請求項8記載の遅延固定ループ。 - 遅延ライン部及びレプリカモデルを含む半導体記憶素子の遅延固定ループにおいて、
外部から入力されたリセット命令信号を利用して、該リセット命令信号を所定時間延長させた比較器イネーブル信号を出力する第1ステップと、
該比較器イネーブル信号の論理状態に応じて制御されたセミロック命令信号を出力する第2ステップとを含み、
前記比較器イネーブル信号がロジックロー状態である場合、位相比較部が、
前記セミロック命令信号に応じて制御されて、電源電圧及び接地電圧を出力することを特徴とする遅延固定ループのクロックロック方法。 - 前記比較器イネーブル信号がロジックハイ状態である場合、前記位相比較部が、
前記セミロック命令信号に制御されて、前記位相比較部に入力された前記立ち上がりクロックの位相と前記フィードバッククロックの位相とを比較し、比較した結果を出力することを特徴とする請求項12に記載の遅延固定ループのクロックロック方法。 - 前記所定時間が、
前記リセット命令信号が入力される前に前記遅延ライン部に入力されていたクロックが、少なくとも前記リセット命令信号が入力された後、前記遅延ライン部から出力されて前記位相比較部で比較されるまでの間に必要とする時間に等しいことを特徴とする請求項13に記載の遅延固定ループのクロックロック方法。
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