JP4340246B2 - 薄膜太陽電池およびその製造方法 - Google Patents
薄膜太陽電池およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4340246B2 JP4340246B2 JP2005062816A JP2005062816A JP4340246B2 JP 4340246 B2 JP4340246 B2 JP 4340246B2 JP 2005062816 A JP2005062816 A JP 2005062816A JP 2005062816 A JP2005062816 A JP 2005062816A JP 4340246 B2 JP4340246 B2 JP 4340246B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent conductive
- solar cell
- conductive film
- photoelectric conversion
- groove
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 90
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 22
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 101
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 93
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 92
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 57
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 4
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 31
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 31
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 21
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 2
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
- H01L31/0463—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate characterised by special patterning methods to connect the PV cells in a module, e.g. laser cutting of the conductive or active layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
- H01L31/0468—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate comprising specific means for obtaining partial light transmission through the module, e.g. partially transparent thin film solar modules for windows
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Description
本発明は薄膜太陽電池およびその製造方法に関し、特に歩留りが高く、光電変換層に短絡が生じた場合でも変換効率の低下を抑制することができる薄膜太陽電池とその製造方法に関する。
図７に、従来の薄膜太陽電池の一部の模式的な斜視断面図を示す。この薄膜太陽電池においては、ガラス基板などの絶縁透光性基板１上に短冊状の透明導電膜２が形成されており、この透明導電膜２上に公知のプラズマＣＶＤ法などにより順次積層されたアモルファスシリコン薄膜からなるｐ層、ｉ層およびｎ層からなる短冊状の光電変換層３と、裏面電極４とを含む太陽電池セル１０、１１が形成されている。また、透明導電膜２は第１分離溝５によって分離されており、光透過用の第１開口溝７を挟んで第１太陽電池セル１０と第２太陽電池セル１１とが隣接し、第１太陽電池セル１０の透明導電膜２と第２太陽電池セル１１の裏面電極４とが接続用溝６を介して電気的に直列に接続されている。
このような構成の薄膜太陽電池は、絶縁透光性基板１によってその表面の保護を図ることができ、またＳｎＯ2などの耐プラズマ性透明導電膜が開発され、プラズマＣＶＤ法によるアモルファスシリコン薄膜の生成が可能になったことから、多用されるようになり、現在の主流となっている。
図６の模式的斜視図に、図７に示す薄膜太陽電池の外観を示す。このような薄膜太陽電池においては、光の透過性をさらに向上させるために、図３の模式的斜視図に示すように、第１開口溝７と直交する第２開口溝８をさらに設けることができる。この図３に示す薄膜太陽電池においては、導線９によって電流が取り出される。
特開２００２−２９９６６３号公報
特開２００２−１２４６９０号公報
図６および図７に示すような薄膜太陽電池は、たとえば特許文献１に開示されているが、光電変換層に短絡が生じた場合には、その短絡箇所に光電流が集中しやすくなるため、透明導電膜によって複数の太陽電池セルが直列に接続されている図６および図７に示す薄膜太陽電池全体の変換効率が大きく低下するという問題があった。
そこで、たとえば特許文献２には、図３に示す構造の薄膜太陽電池において、第２開口溝８を挟んで隣接する太陽電池セルの間の透明導電膜をすべて分離することにより、太陽電池セルの光電変換層に短絡が生じた場合でも薄膜太陽電池全体の変換効率の低下に与える影響を少なくする方法が開示されている。しかしながら、特許文献２の方法おいては、レーザスクライブに用いられるＹＡＧ（Yttrium-Aluminum-Garnet）基本波レーザ光の出力を微妙に調整し透明導電膜の昇華による残渣を残さないようにして透明導電膜、光電変換層および裏面電極を一度に分離して第２開口溝を形成しているが、ＹＡＧ基本波レーザ光の出力の調整が難しいため加工条件が非常に厳しく、歩留りが悪くなるという問題があった。すなわち、透明導電膜、光電変換層および裏面電極を一度に分離することができるＹＡＧ基本波レーザ光の条件は非常に厳しいため第２開口溝の形成が非常に困難であり、ＹＡＧ基本波レーザ光の出力が高すぎると昇華した透明導電膜が再付着して短絡を生じ、低すぎると第２開口溝を形成することができない。また、予め透明導電膜をＹＡＧ基本波レーザ光を用いたレーザスクライブにより分離しておき、光電変換層の形成後に可視レーザ光で光電変換層を分離する方法も考えられるが、加工時間が長くなり、異なるレーザ加工装置で細い分離線を一致させるように位置合わせするのが非常に難しい。
上記の事情に鑑みて、本発明の目的は、歩留りが高く、光電変換層に短絡が生じた場合でも変換効率の低下を抑制することができる薄膜太陽電池とその製造方法を提供することにある。
本発明は、絶縁透光性基板上に設置された透明導電膜と、絶縁透光性基板上において互いに直交し透明導電膜を複数に分離している、第１分離溝と、第２分離溝と、絶縁透光性基板上において互いに直交している、第１分離溝に平行な少なくとも１本の第１開口溝と、第２分離溝に平行な少なくとも２本の第２開口溝と、を含み、第１開口溝を挟んで隣接する位置および第２開口溝を挟んで隣接する位置のそれぞれに絶縁透光性基板上に形成された、光電変換層と、裏面電極と、を含む太陽電池セルが設置されており、第１開口溝を挟んで隣接している一対の太陽電池セルにおいては、一方の太陽電池セルの光電変換層と他方の太陽電池セルの裏面電極とがそれぞれ透明導電膜と接触することによって電気的に接続され、第２開口溝を挟んで隣接している一対の太陽電池セルにおいては、一方の太陽電池セルの光電変換層に接触している透明導電膜と他方の太陽電池セルの光電変換層に接触している透明導電膜とが第２分離溝により分離されておらず電気的に接続されているものと、一方の太陽電池セルの光電変換層に接触している透明導電膜と他方の太陽電池セルの光電変換層に接触している透明導電膜とが第２分離溝により分離されており電気的に絶縁されているものとが混在しており、透明導電膜を分離している第２分離溝が所定の間隔で配置されている薄膜太陽電池である。
ここで、本発明の薄膜太陽電池においては、光電変換層が微結晶シリコンからなる層を含むことができる。
また、本発明の薄膜太陽電池においては、光電変換層がアモルファスシリコンからなる層と微結晶シリコンからなる層とのタンデム構造からなることができる。
また、本発明の薄膜太陽電池においては、第１分離溝と第１開口溝とはその設置位置が互いに重複しておらず、第２分離溝と第２開口溝とはその設置位置が互いに重複していることができる。
また、本発明の薄膜太陽電池においては、第２分離溝の幅と、第２開口溝の幅と、が異なっていてもよい。
また、本発明は、上記のいずれかの薄膜太陽電池を製造する方法であって、絶縁透光性基板上に透明導電膜を形成する工程と、透明導電膜の一部を互いに直交する複数の短冊状に除去して第１分離溝および第２分離溝を形成する工程と、透明導電膜上、第１分離溝上および第２分離溝上に光電変換層と裏面電極とをこの順序で形成する工程と、光電変換層の一部および裏面電極の一部を互いに直交する複数の短冊状に除去することによって第１開口溝および第２開口溝を形成する工程と、を含む、薄膜太陽電池の製造方法である。
ここで、本発明の薄膜太陽電池の製造方法においては、第２分離溝の幅を第２開口溝の幅よりも広くすることができる。
さらに、本発明は、上記のいずれかの薄膜太陽電池を製造する方法であって、絶縁透光性基板上に透明導電膜を形成する工程と、透明導電膜の一部を短冊状に除去して第１分離溝を形成する工程と、透明導電膜上および第１分離溝上に光電変換層と裏面電極とをこの順序で形成する工程と、光電変換層の一部および裏面電極の一部を互いに直交する複数の短冊状に除去することによって第１開口溝および第２開口溝を形成する工程と、第２開口溝おいて露出した透明導電膜の表面の少なくとも一部を短冊状に除去することによって第２分離溝を形成する工程と、を含む、薄膜太陽電池の製造方法である。
ここで、本発明の薄膜太陽電池の製造方法においては、第２分離溝の幅を第２開口溝の幅よりも狭くすることができる。
また、本発明の薄膜太陽電池の製造方法においては、透明導電膜の除去はＹＡＧ基本波レーザ光を用いたレーザスクライブによって行なうことができ、光電変換層および裏面電極の除去はＹＡＧ第２高調波レーザ光を用いたレーザスクライブによって行なうことができる。
本発明によれば、歩留りが高く、光電変換層に短絡が生じた場合でも変換効率の低下を抑制することができる薄膜太陽電池とその製造方法を提供することができる。
以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。
図１に、本発明の薄膜太陽電池の好ましい一例の一部の模式的な斜視断面図を示す。この薄膜太陽電池は、絶縁透光性基板１と、絶縁透光性基板１上に形成された透明導電膜２とを含んでいる。そして、絶縁透光性基板１上には互いに直交しており透明導電膜２を複数に分離している第１分離溝５（図１の矢印Ｂ方向に形成）と第２分離溝１２（図１の矢印Ａ方向に形成）とが形成されている。また、絶縁透光性基板１上には第１分離溝５に平行な第１開口溝７と、第２分離溝１２に平行な第２開口溝８ａ、８ｂとが形成されている。ここで、第１開口溝７と第２開口溝８ａ、８ｂとは互いに直交している。
また、第１開口溝７を挟んで隣接する位置には太陽電池セル１０と太陽電池セル１１とが設置されている。さらに、第２開口溝８ａを挟んで隣接する位置には太陽電池セル１０と太陽電池セル１３とが設置されており、第２開口溝８ｂを挟んで隣接する位置には太陽電池セル１３と太陽電池セル１４とが設置されている。ここで、太陽電池セル１０、１１、１３、１４はそれぞれ絶縁透光性基板１上に形成された光電変換層３と裏面電極４とから形成されている。
第１開口溝７を挟んで隣接している一対の太陽電池セル１０、１１においては、太陽電池セル１０の光電変換層３と太陽電池セル１１の裏面電極４とがそれぞれ透明導電膜２と接触することによって電気的に接続されている。ここで、太陽電池セル１１の裏面電極４は接続用溝６を通して透明導電膜２と接触している。
また、第２開口溝８ａを挟んで隣接している一対の太陽電池セル１０、１３においては、太陽電池セル１０の光電変換層３に接触している透明導電膜２と太陽電池セル１３の光電変換層３に接触している透明導電膜２とが第２分離溝１２により分離されており電気的に絶縁されている。また、第２開口溝８ｂを挟んで隣接している一対の太陽電池セル１３、１４においては、太陽電池セル１３の光電変換層３に接触している透明導電膜２と太陽電池セル１４の光電変換層３に接触している透明導電膜２とが第２分離溝により分離されておらず電気的に接続されている。したがって、この薄膜太陽電池においては、第２開口溝を挟んで隣接している一対の太陽電池セルについて、透明導電膜が第２分離溝により分離されておらず電気的に接続されているものと、透明導電膜が第２分離溝により分離されており電気的に絶縁されているものとが混在していることになる。
従来の特許文献２に記載の薄膜太陽電池においては、第２開口溝を挟んで隣接している一対の太陽電池セルの間の透明導電膜が第２分離溝によりすべて分離されて電気的に絶縁されている。しかしながら、本発明者は、第２開口溝を挟んで隣接している一対の太陽電池セルの間の透明導電膜の一部のみを分離することによって光電変換層に短絡が生じた場合の変換効率の低下が特許文献２に記載の薄膜太陽電池と同等程度であることを見い出し、本発明を完成した。これにより、歩留りの低下の大きな要因となっていた分離溝の形成本数を特許文献２に記載の場合と比べて減少させることができるため、本発明の薄膜太陽電池は特許文献２の薄膜太陽電池と比べて歩留りが高くなる。
なお、図１に示す本発明の薄膜太陽電池においては、第１分離溝５と第１開口溝７とはその設置位置が重複していないが、第２分離溝１２と第２開口溝８ａとは第２分離溝１２の内部に第２開口溝８ａが形成されているためその設置位置が重複している。また、第２分離溝１２の幅Ｄは、第２開口溝８ａの幅ｄよりも広くなっている。また、第１分離溝５および第２分離溝１２はそれぞれ透明導電膜２の断面をその側壁としており、第１開口溝７および第２開口溝８ａ、８ｂはそれぞれ光電変換層３と裏面電極４の断面をその側壁としている。
ここで、絶縁透光性基板１は絶縁性と透光性とを兼ね備えた基板であって、絶縁透光性基板１としてはたとえばガラス基板を用いることができる。また、透明導電膜２としては、たとえばＳｎＯ2（酸化スズ）、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）またはＺｎＯ（酸化亜鉛）などを用いることができる。
また、光電変換層３としては、たとえばアモルファスシリコン薄膜からなるｐ層、ｉ層およびｎ層が順次積層された構造、微結晶シリコン薄膜からなるｐ層、ｉ層およびｎ層が順次積層された構造、またはアモルファスシリコン薄膜からなるｐ層、ｉ層およびｎ層が順次積層された構造と微結晶シリコン薄膜からなるｐ層、ｉ層およびｎ層が順次積層された構造とを組み合わせたタンデム構造などを用いることができる。
また、裏面電極４としては、たとえば銀若しくはアルミニウムなどの金属薄膜またはＺｎＯなどの透明導電膜を公知のスパッタリング法などによって形成したものなどを用いることができる。
図４（ａ）〜（ｄ）の模式的側面図に、図１に示す薄膜太陽電池の製造工程の一例を示す。図４（ａ）〜（ｄ）は図１の矢印Ａ方向から見た模式的な側面図である。まず、図４（ａ）に示すように、絶縁透光性基板１上に透明導電膜２を形成する。ここで、透明導電膜２の形成方法は特に限定されず、たとえば公知のスパッタリング法などを用いることができる。次に、図４（ｂ）に示すように、ＹＡＧ基本波レーザ光（波長；１０６４ｎｍ）を絶縁透光性基板１側から照射することによって、透明導電膜２の一部をレーザスクライブによって短冊状に除去して透明導電膜２を分離して第２分離溝１２を形成する。ここで、図１の矢印Ｂ方向についてもＹＡＧ基本波レーザ光を用いたレーザスクライブによって透明導電膜２の一部を短冊状に除去して透明導電膜２を分離する図１に示す第１分離溝５を形成する。
次いで、図４（ｃ）に示すように、透明導電膜２上、第１分離溝５上および第２分離溝１２上に光電変換層３と裏面電極４とを順次形成する。ここで、図１の矢印Ｂ方向については、光電変換層３の形成後で裏面電極４の形成前に光電変換層３の一部がＹＡＧ第２高調波レーザ光（波長；５３２ｎｍ）を用いたレーザスクライブによって短冊状に除去されて図１に示す接続用溝６が形成される。また、光電変換層３の形成方法および裏面電極４の形成方法は特に限定されず、光電変換層３の形成方法としてはたとえば高周波グロー放電プラズマＣＶＤ法などの公知のプラズマＣＶＤ法などを用いることができ、裏面電極４の形成方法としてはたとえばＤＣマグネトロンスパッタリング法などの公知のスパッタリング法などを用いることができる。
そして、図４（ｄ）に示すように、ＹＡＧ第２高調波レーザ光を絶縁透光性基板１側から照射することによって、光電変換層３および裏面電極４の一部をレーザスクライブにより短冊状に除去して透明導電膜２の表面を露出させて光電変換層３および裏面電極４をそれぞれ分離する。これにより、第２開口溝８ａ、８ｂが形成される。最後に、これらの第２開口溝８ａ、８ｂに直交するようにＹＡＧ第２高調波レーザ光を絶縁透光性基板１側から照射することによって、光電変換層３および裏面電極４の一部をさらに短冊状に除去して光電変換層３および裏面電極４をそれぞれ分離する。これにより、図１に示す第２開口溝８ａ、８ｂに直交する第１開口溝７が形成されて、図１に示す薄膜太陽電池が製造される。
このように、本発明においては、特許文献２に記載の方法のように、ＹＡＧ基本波レーザ光だけで第１分離溝、第２分離溝、第１開口溝および第２開口溝を形成することがないので、透明導電膜の昇華により発生した残滓が光電変換層または裏面電極の断面に付着する確率が減少し、透明導電膜と光電変換層との間および光電変換層と裏面電極との間における絶縁不良の発生率を減少させることができる。
図２に、本発明の薄膜太陽電池の好ましい他の一例の一部の模式的な斜視断面図を示す。この薄膜太陽電池は、第２分離溝１２の幅Ｄが、第２開口溝８ａの幅ｄよりも狭くなっている点に特徴がある。ここで、第２分離溝１２上に第２開口溝８ａが形成されているため、第２開口溝８ａと第２分離溝１２とはその設置位置が重複している。
図５（ａ）〜（ｄ）の模式的側面図に、この薄膜太陽電池の製造工程の一例を示す。この図５（ａ）〜（ｄ）は図２の矢印Ａ方向から見た模式的な側面図である。まず、図５（ａ）に示すように、絶縁透光性基板１上に透明導電膜２を形成する。次に、図５（ｂ）に示すように、透明導電膜２上に光電変換層３と裏面電極４とを順次形成する。ここで、図２の矢印Ｂ方向については、透明導電膜２の形成後で光電変換層３の形成前に透明導電膜２の一部がＹＡＧ基本波レーザ光を用いたレーザスクライブにより短冊状に除去されて透明導電膜２を分離する図１に示す第１分離溝５が形成され、さらに光電変換層３の形成後で裏面電極４の形成前には光電変換層３の一部がＹＡＧ第２高調波レーザ光を用いたレーザスクライブによって短冊状に除去されて接続用溝６が形成される。
次いで、図５（ｃ）に示すように、ＹＡＧ第２高調波レーザ光を絶縁透光性基板１側から照射することによって、光電変換層３および裏面電極４の一部をレーザスクライブにより短冊状に除去して透明導電膜２の表面を露出させて光電変換層３および裏面電極４をそれぞれ分離する。これにより、第２開口溝８ａ、８ｂが形成される。続いて、これらの第２開口溝８ａ、８ｂに直交するようにＹＡＧ第２高調波レーザ光を絶縁透光性基板１側から照射することによって、光電変換層３および裏面電極４の一部を短冊状に除去して透明導電膜２の表面を露出させて光電変換層３および裏面電極４をそれぞれ分離する。これにより、図１に示す第２開口溝８ａ、８ｂに直交する第１開口溝７が形成される。
最後に、図５（ｄ）に示すように、ＹＡＧ基本波レーザ光を絶縁透光性基板１側から照射することによって、図１の矢印Ａ方向に露出した透明導電膜２の表面の一部をレーザスクライブによって短冊状に除去して透明導電膜２を分離して第２分離溝１２を形成し、図２に示す薄膜太陽電池が製造される。
（実施例１）
幅５６０ｍｍ×長さ９２５ｍｍのＳｎＯ2からなる透明導電膜付のガラス基板（旭硝子Ｕタイプ）を用意し、ＹＡＧ基本波レーザ光をガラス基板側から照射することによって、透明導電膜の一部をレーザスクライブによりガラス基板の幅方向に短冊状に除去して透明導電膜を分離する第２分離溝を形成した。第２分離溝の幅は３００μｍであり、第２分離溝は１５０ｍｍピッチで５本設けられた。また、第２分離溝の形成方向と直交する方向（ガラス基板の長さ方向）にもＹＡＧ基本波レーザ光を用いたレーザスクライブにより透明導電膜の一部を短冊状に除去して透明導電膜を分離する第１分離溝を形成した。第１分離溝の幅は１００μｍであり、第１分離溝は１５０ｍｍピッチで３本設けられた。
幅５６０ｍｍ×長さ９２５ｍｍのＳｎＯ2からなる透明導電膜付のガラス基板（旭硝子Ｕタイプ）を用意し、ＹＡＧ基本波レーザ光をガラス基板側から照射することによって、透明導電膜の一部をレーザスクライブによりガラス基板の幅方向に短冊状に除去して透明導電膜を分離する第２分離溝を形成した。第２分離溝の幅は３００μｍであり、第２分離溝は１５０ｍｍピッチで５本設けられた。また、第２分離溝の形成方向と直交する方向（ガラス基板の長さ方向）にもＹＡＧ基本波レーザ光を用いたレーザスクライブにより透明導電膜の一部を短冊状に除去して透明導電膜を分離する第１分離溝を形成した。第１分離溝の幅は１００μｍであり、第１分離溝は１５０ｍｍピッチで３本設けられた。
次いで、透明導電膜上、第１分離溝上および第２分離溝上に光電変換層を形成した。光電変換層はアモルファスシリコン薄膜からなるｐ層、ｉ層およびｎ層と微結晶シリコン薄膜からなるｐ層、ｉ層およびｎ層とをガラス基板側から順次積層したタンデム構造とした。ここで、アモルファスシリコン薄膜からなるｐ層、ｉ層およびｎ層並びに微結晶シリコン薄膜からなるｐ層、ｉ層およびｎ層はそれぞれモノシラン（ＳｉＨ4）を原料ガスとした高周波グロー放電プラズマＣＶＤ法により形成した。また、アモルファスシリコン薄膜からなるｉ層の厚みは０．３μｍであって、微結晶シリコン薄膜からなるｉ層の厚みは２μｍであった。そして、この光電変換層の形成後に、ＹＡＧ基本波レーザ光を用いたレーザスクライブにより光電変換層の一部を除去してガラス基板の長さ方向に接続用溝を形成した。
続いて、光電変換層上に、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、酸化亜鉛層と銀薄膜とを積層して裏面電極を形成した。
最後に、ＹＡＧ第２高調波レーザ光を用いたレーザスクライブによって光電変換層および裏面電極の一部をそれぞれ複数の直交する短冊状に除去して透明導電膜の表面が露出した第１開口溝および第２開口溝を形成した。これにより、図１に示す構造と同一の構造を有する実施例１の薄膜太陽電池が製造された。ここで、ガラス基板の幅方向に伸びる第２開口溝の幅は１５０μｍで、第２開口溝は１．５ｍｍピッチで６００本形成された。また、このガラス基板の幅方向に伸びる第２開口溝の開口率はガラス基板の表面の面積の１０％になるように設定された。
この実施例１の薄膜太陽電池の初期効率（薄膜太陽電池の製造直後の変換効率）は、光電変換層の形成前に透明導電膜の一部をレーザスクライブにより除去してガラス基板の幅方向に５本の第２分離溝を形成しなかったこと以外は実施例１と同様にして作製した太陽電池の初期効率と比べて１．１３倍となっていた。これは、特許文献２の記載の薄膜太陽電池の初期効率と同等程度であった。
なお、実施例１において、ＹＡＧ基本波レーザ光の照射条件は、ビーム径１００μｍ、出力７Ｗ、パルス周波数５ｋＨｚおよび掃引速度２００ｍｍ／秒であった。なお、分離幅３００μｍにおける透明導電膜の分離はＹＡＧ基本波レーザ光を４回掃引することによって形成された。また、ＹＡＧ第２高調波レーザ光の照射条件は、ビーム径１５０μｍ、出力０．８Ｗ、パルス周波数９ｋＨｚおよび掃引速度５００ｍｍ／秒であった。
（実施例２）
幅５６０ｍｍ×長さ９２５ｍｍのＳｎＯ2からなる透明導電膜付のガラス基板（旭硝子Ｕタイプ）を用意し、ＹＡＧ基本波レーザ光をガラス基板側から照射することによって、透明導電膜の一部をレーザスクライブによりガラス基板の長さ方向に短冊状に除去して透明導電膜を分離する第１分離溝を形成した。この第１分離溝の幅は８０μｍであり、第１分離溝は１５０ｍｍピッチで４本設けられた。
幅５６０ｍｍ×長さ９２５ｍｍのＳｎＯ2からなる透明導電膜付のガラス基板（旭硝子Ｕタイプ）を用意し、ＹＡＧ基本波レーザ光をガラス基板側から照射することによって、透明導電膜の一部をレーザスクライブによりガラス基板の長さ方向に短冊状に除去して透明導電膜を分離する第１分離溝を形成した。この第１分離溝の幅は８０μｍであり、第１分離溝は１５０ｍｍピッチで４本設けられた。
次に、透明導電膜上および第１分離溝上に光電変換層を形成した。光電変換層はアモルファスシリコン薄膜からなるｐ層、ｉ層およびｎ層と微結晶シリコン薄膜からなるｐ層、ｉ層およびｎ層とをガラス基板側から順次積層したタンデム構造とした。ここで、アモルファスシリコン薄膜からなるｐ層、ｉ層およびｎ層並びに微結晶シリコン薄膜からなるｐ層、ｉ層およびｎ層はそれぞれモノシラン（ＳｉＨ4）を原料ガスとした高周波グロー放電プラズマＣＶＤ法により形成した。また、アモルファスシリコン薄膜からなるｉ層の厚みは０．３μｍであって、微結晶シリコン薄膜からなるｉ層の厚みは２μｍであった。そして、光電変換層の形成後に、ＹＡＧ基本波レーザ光を用いたレーザスクライブにより光電変換層の一部を除去してガラス基板の長さ方向に伸びる接続用溝を形成した。
続いて、光電変換層上に、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、酸化亜鉛層と銀薄膜とを積層して裏面電極を形成した。
次いで、ＹＡＧ第２高調波レーザ光を用いたレーザスクライブによって光電変換層および裏面電極の一部をそれぞれ複数の直交する短冊状に除去して透明導電膜の表面を露出させて第１開口溝および第２開口溝を形成した。ここで、第２開口溝はガラス基板の幅方向に形成され、幅１５０μｍで、１．５ｍｍピッチで６００本形成された。また、第２開口溝の開口率はガラス基板の表面の面積の１０％になるように設定された。さらに、これらの６００本の第２開口溝のうち１５０ｍｍ間隔の５本の第２開口溝についてＹＡＧ基本波レーザ光をガラス基板側から照射して透明導電膜の一部を除去して幅８０μｍの第２分離溝を形成した。
最後に、ＹＡＧ第２高調波レーザ光を用いたレーザスクライブによって光電変換層および裏面電極の一部をそれぞれ短冊状に除去して透明導電膜の表面の一部を露出させガラス基板の長さ方向に伸びる第１開口溝を形成した。これにより、図２に示す構造と同一の構造の実施例２の薄膜太陽電池が製造された。
この実施例２の薄膜太陽電池の初期効率（薄膜太陽電池の製造直後の変換効率）は、第２分離溝を形成しなかったこと以外は実施例２と同様にして作製した太陽電池の初期効率と比べて１．１１倍となっていた。これは、特許文献２の記載の薄膜太陽電池の初期効率と同等程度であった。
なお、実施例２において、ＹＡＧ基本波レーザ光の照射条件は、ビーム径８０μｍ、出力７Ｗ、パルス周波数５ｋＨｚおよび掃引速度２００ｍｍ／秒であった。また、ＹＡＧ第２高調波レーザ光の照射条件は、ビーム径１５０μｍ、出力０．８Ｗ、パルス周波数９ｋＨｚおよび掃引速度５００ｍｍ／秒であった。
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
本発明によれば、絶縁透光性基板上に設置された透明導電膜と、絶縁透光性基板上において互いに直交し透明導電膜を複数に分離している、第１分離溝と、第２分離溝と、絶縁透光性基板上において互いに直交している、第１分離溝に平行な少なくとも１本の第１開口溝と、第２分離溝に平行な少なくとも２本の第２開口溝と、を含み、第１開口溝を挟んで隣接する位置および第２開口溝を挟んで隣接する位置のそれぞれに絶縁透光性基板上に形成された、光電変換層と、裏面電極と、を含む太陽電池セルが設置されており、第１開口溝を挟んで隣接している一対の太陽電池セルにおいては、一方の太陽電池セルの光電変換層と他方の太陽電池セルの裏面電極とがそれぞれ透明導電膜と接触することによって電気的に接続され、第２開口溝を挟んで隣接している一対の太陽電池セルにおいては、一方の太陽電池セルの光電変換層に接触している透明導電膜と他方の太陽電池セルの光電変換層に接触している透明導電膜とが第２分離溝により分離されておらず電気的に接続されているものと、一方の太陽電池セルの光電変換層に接触している透明導電膜と他方の太陽電池セルの光電変換層に接触している透明導電膜とが第２分離溝により分離されており電気的に絶縁されているものとが混在している薄膜太陽電池を提供することができるので、歩留りが高く、光電変換層に短絡が生じた場合でも変換効率の低下を抑制することができる。このような本発明の薄膜太陽電池は、絶縁透光性基板側から入射した光を第１開口溝および第２開口溝を通して透過することができるシースルー型の薄膜太陽電池に好適に利用することができる。
１ 絶縁透光性基板、２ 透明導電膜、３ 光電変換層、４ 裏面電極、５ 第１分離溝、６ 接続用溝、７ 第１開口溝、８，８ａ，８ｂ 第２開口溝、９ 導線、１０，１１，１３，１４ 太陽電池セル、１２ 第２分離溝。
Claims (10)
- 絶縁透光性基板上に設置された透明導電膜と、
前記絶縁透光性基板上において互いに直交し前記透明導電膜を複数に分離している、第１分離溝と、第２分離溝と、
前記絶縁透光性基板上において互いに直交している、前記第１分離溝に平行な少なくとも１本の第１開口溝と、前記第２分離溝に平行な少なくとも２本の第２開口溝と、を含み、
前記第１開口溝を挟んで隣接する位置および前記第２開口溝を挟んで隣接する位置のそれぞれに前記絶縁透光性基板上に形成された、光電変換層と、裏面電極と、を含む太陽電池セルが設置されており、
前記第１開口溝を挟んで隣接している一対の太陽電池セルにおいては、一方の太陽電池セルの光電変換層と他方の太陽電池セルの裏面電極とがそれぞれ透明導電膜と接触することによって電気的に接続され、
前記第２開口溝を挟んで隣接している一対の太陽電池セルにおいては、一方の太陽電池セルの光電変換層に接触している透明導電膜と他方の太陽電池セルの光電変換層に接触している透明導電膜とが前記第２分離溝により分離されておらず電気的に接続されているものと、一方の太陽電池セルの光電変換層に接触している透明導電膜と他方の太陽電池セルの光電変換層に接触している透明導電膜とが前記第２分離溝により分離されており電気的に絶縁されているものとが混在しており、
前記透明導電膜を分離している前記第２分離溝が所定の間隔で配置されていることを特徴とする、薄膜太陽電池。 - 前記光電変換層が微結晶シリコンからなる層を含むことを特徴とする、請求項１に記載の薄膜太陽電池。
- 前記光電変換層がアモルファスシリコンからなる層と微結晶シリコンからなる層とのタンデム構造からなることを特徴とする、請求項１または２に記載の薄膜太陽電池。
- 前記第１分離溝と前記第１開口溝とはその設置位置が互いに重複しておらず、前記第２分離溝と前記第２開口溝とはその設置位置が互いに重複していることを特徴とする、請求項１から３のいずれかに記載の薄膜太陽電池。
- 前記第２分離溝の幅と、前記第２開口溝の幅と、が異なることを特徴とする、請求項１から４のいずれかに記載の薄膜太陽電池。
- 請求項１から５のいずれかに記載の薄膜太陽電池を製造する方法であって、前記絶縁透光性基板上に前記透明導電膜を形成する工程と、前記透明導電膜の一部を互いに直交する複数の短冊状に除去して前記第１分離溝および前記第２分離溝を形成する工程と、前記透明導電膜上、前記第１分離溝上および前記第２分離溝上に光電変換層と裏面電極とをこの順序で形成する工程と、前記光電変換層の一部および前記裏面電極の一部を互いに直交する複数の短冊状に除去することによって前記第１開口溝および前記第２開口溝を形成する工程と、を含む、薄膜太陽電池の製造方法。
- 前記第２分離溝の幅が前記第２開口溝の幅よりも広いことを特徴とする、請求項６に記載の薄膜太陽電池の製造方法。
- 請求項１から５のいずれかに記載の薄膜太陽電池を製造する方法であって、前記絶縁透光性基板上に前記透明導電膜を形成する工程と、前記透明導電膜の一部を短冊状に除去して前記第１分離溝を形成する工程と、前記透明導電膜上および前記第１分離溝上に光電変換層と裏面電極とをこの順序で形成する工程と、前記光電変換層の一部および前記裏面電極の一部を互いに直交する複数の短冊状に除去することによって前記第１開口溝および前記第２開口溝を形成する工程と、前記第２開口溝おいて露出した前記透明導電膜の表面の少なくとも一部を短冊状に除去することによって前記第２分離溝を形成する工程と、を含む、薄膜太陽電池の製造方法。
- 前記第２分離溝の幅が前記第２開口溝の幅よりも狭いことを特徴とする、請求項８に記載の薄膜太陽電池の製造方法。
- 前記透明導電膜の除去はＹＡＧ基本波レーザ光を用いたレーザスクライブによって行なわれ、前記光電変換層および前記裏面電極の除去はＹＡＧ第２高調波レーザ光を用いたレーザスクライブによって行なわれることを特徴とする、請求項６から９のいずれかに記載の薄膜太陽電池の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005062816A JP4340246B2 (ja) | 2005-03-07 | 2005-03-07 | 薄膜太陽電池およびその製造方法 |
| US11/367,428 US7750233B2 (en) | 2005-03-07 | 2006-03-06 | Thin film solar cell and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005062816A JP4340246B2 (ja) | 2005-03-07 | 2005-03-07 | 薄膜太陽電池およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006245507A JP2006245507A (ja) | 2006-09-14 |
| JP4340246B2 true JP4340246B2 (ja) | 2009-10-07 |
Family
ID=36942961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005062816A Expired - Fee Related JP4340246B2 (ja) | 2005-03-07 | 2005-03-07 | 薄膜太陽電池およびその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7750233B2 (ja) |
| JP (1) | JP4340246B2 (ja) |
Families Citing this family (92)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8420435B2 (en) | 2009-05-05 | 2013-04-16 | Solexel, Inc. | Ion implantation fabrication process for thin-film crystalline silicon solar cells |
| US8399331B2 (en) | 2007-10-06 | 2013-03-19 | Solexel | Laser processing for high-efficiency thin crystalline silicon solar cell fabrication |
| US8129822B2 (en) * | 2006-10-09 | 2012-03-06 | Solexel, Inc. | Template for three-dimensional thin-film solar cell manufacturing and methods of use |
| US9508886B2 (en) | 2007-10-06 | 2016-11-29 | Solexel, Inc. | Method for making a crystalline silicon solar cell substrate utilizing flat top laser beam |
| JP4703433B2 (ja) * | 2006-02-27 | 2011-06-15 | 三洋電機株式会社 | 光起電力装置 |
| US20080264477A1 (en) * | 2006-10-09 | 2008-10-30 | Soltaix, Inc. | Methods for manufacturing three-dimensional thin-film solar cells |
| US8035028B2 (en) * | 2006-10-09 | 2011-10-11 | Solexel, Inc. | Pyramidal three-dimensional thin-film solar cells |
| US8084684B2 (en) | 2006-10-09 | 2011-12-27 | Solexel, Inc. | Three-dimensional thin-film solar cells |
| US8193076B2 (en) | 2006-10-09 | 2012-06-05 | Solexel, Inc. | Method for releasing a thin semiconductor substrate from a reusable template |
| US7999174B2 (en) * | 2006-10-09 | 2011-08-16 | Solexel, Inc. | Solar module structures and assembly methods for three-dimensional thin-film solar cells |
| US20100304521A1 (en) * | 2006-10-09 | 2010-12-02 | Solexel, Inc. | Shadow Mask Methods For Manufacturing Three-Dimensional Thin-Film Solar Cells |
| US8512581B2 (en) * | 2006-10-09 | 2013-08-20 | Solexel, Inc. | Methods for liquid transfer coating of three-dimensional substrates |
| US8293558B2 (en) * | 2006-10-09 | 2012-10-23 | Solexel, Inc. | Method for releasing a thin-film substrate |
| JP2008205063A (ja) * | 2007-02-19 | 2008-09-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール |
| JP4785827B2 (ja) * | 2007-12-27 | 2011-10-05 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池モジュール及びその製造方法 |
| US20090215215A1 (en) * | 2008-02-21 | 2009-08-27 | Sunlight Photonics Inc. | Method and apparatus for manufacturing multi-layered electro-optic devices |
| US20090211622A1 (en) * | 2008-02-21 | 2009-08-27 | Sunlight Photonics Inc. | Multi-layered electro-optic devices |
| US8187906B2 (en) | 2008-02-28 | 2012-05-29 | Sunlight Photonics Inc. | Method for fabricating composite substances for thin film electro-optical devices |
| US20090217967A1 (en) * | 2008-02-29 | 2009-09-03 | International Business Machines Corporation | Porous silicon quantum dot photodetector |
| WO2009123040A1 (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-08 | 株式会社アルバック | 太陽電池の製造方法，太陽電池の製造装置，及び太陽電池 |
| KR20090110987A (ko) * | 2008-04-21 | 2009-10-26 | 삼성전자주식회사 | 광 디스크 드라이브 및 그 제어 방법 |
| US20100144080A1 (en) * | 2008-06-02 | 2010-06-10 | Solexel, Inc. | Method and apparatus to transfer coat uneven surface |
| JP5174900B2 (ja) * | 2008-06-09 | 2013-04-03 | 三菱電機株式会社 | 薄膜光電変換装置およびその製造方法 |
| JP2010021361A (ja) * | 2008-07-10 | 2010-01-28 | Ulvac Japan Ltd | 太陽電池およびその製造方法 |
| US7981778B2 (en) * | 2009-07-22 | 2011-07-19 | Applied Materials, Inc. | Directional solid phase crystallization of thin amorphous silicon for solar cell applications |
| JP2012501249A (ja) | 2008-08-26 | 2012-01-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | レーザー材料除去方法および装置 |
| EP2323169A4 (en) * | 2008-08-29 | 2012-12-26 | Ulvac Inc | METHOD FOR MANUFACTURING A SOLAR CELL |
| JP5376873B2 (ja) * | 2008-09-03 | 2013-12-25 | シャープ株式会社 | 集積型薄膜太陽電池 |
| JP5171490B2 (ja) * | 2008-09-04 | 2013-03-27 | シャープ株式会社 | 集積型薄膜太陽電池 |
| TWI371110B (en) | 2008-09-16 | 2012-08-21 | Nexpower Technology Corp | Translucent solar cell and manufacturing method thereof |
| JP2010074071A (ja) * | 2008-09-22 | 2010-04-02 | Sharp Corp | 集積型薄膜太陽電池およびその製造方法 |
| EP2337086A1 (en) * | 2008-09-22 | 2011-06-22 | Ulvac, Inc. | Fabrication method for a solar cell |
| WO2010057060A2 (en) | 2008-11-13 | 2010-05-20 | Solexel, Inc. | Methods and systems for manufacturing thin-film solar cells |
| US8288195B2 (en) * | 2008-11-13 | 2012-10-16 | Solexel, Inc. | Method for fabricating a three-dimensional thin-film semiconductor substrate from a template |
| US8110428B2 (en) | 2008-11-25 | 2012-02-07 | Sunlight Photonics Inc. | Thin-film photovoltaic devices |
| MY160251A (en) * | 2008-11-26 | 2017-02-28 | Solexel Inc | Truncated pyramid -structures for see-through solar cells |
| US8541680B2 (en) * | 2008-12-03 | 2013-09-24 | Applied Materials, Inc. | Photovoltaic cells including peaks and methods of manufacture |
| US8835748B2 (en) | 2009-01-06 | 2014-09-16 | Sunlight Photonics Inc. | Multi-junction PV module |
| JP2012515453A (ja) * | 2009-01-15 | 2012-07-05 | ソレクセル、インコーポレイテッド | 多孔質シリコン電解エッチングシステム及び方法 |
| US8906218B2 (en) | 2010-05-05 | 2014-12-09 | Solexel, Inc. | Apparatus and methods for uniformly forming porous semiconductor on a substrate |
| US9076642B2 (en) | 2009-01-15 | 2015-07-07 | Solexel, Inc. | High-Throughput batch porous silicon manufacturing equipment design and processing methods |
| KR20100088016A (ko) * | 2009-01-29 | 2010-08-06 | 삼성전자주식회사 | 태양 전지 모듈 및 그 제조 방법 |
| MY162405A (en) * | 2009-02-06 | 2017-06-15 | Solexel Inc | Trench Formation Method For Releasing A Thin-Film Substrate From A Reusable Semiconductor Template |
| US8941160B2 (en) | 2009-02-27 | 2015-01-27 | Kyocera Corporation | Photoelectric conversion module and method of manufacturing the same |
| US8828517B2 (en) | 2009-03-23 | 2014-09-09 | Solexel, Inc. | Structure and method for improving solar cell efficiency and mechanical strength |
| CN102427971B (zh) * | 2009-04-14 | 2015-01-07 | 速力斯公司 | 高效外延化学气相沉积(cvd)反应器 |
| US9099584B2 (en) * | 2009-04-24 | 2015-08-04 | Solexel, Inc. | Integrated three-dimensional and planar metallization structure for thin film solar cells |
| US9318644B2 (en) | 2009-05-05 | 2016-04-19 | Solexel, Inc. | Ion implantation and annealing for thin film crystalline solar cells |
| MY165969A (en) | 2009-05-05 | 2018-05-18 | Solexel Inc | High-productivity porous semiconductor manufacturing equipment |
| TW201041161A (en) * | 2009-05-13 | 2010-11-16 | Axuntek Solar Energy Co Ltd | Solar cell structure and manufacturing method thereof |
| DE102009022318A1 (de) * | 2009-05-22 | 2010-12-23 | Schott Solar Ag | Verfahren zur Herstellung eines photovoltaischen Moduls |
| JP2010272738A (ja) * | 2009-05-22 | 2010-12-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュールの製造方法 |
| US8445314B2 (en) * | 2009-05-22 | 2013-05-21 | Solexel, Inc. | Method of creating reusable template for detachable thin film substrate |
| WO2010138976A1 (en) * | 2009-05-29 | 2010-12-02 | Solexel, Inc. | Three-dimensional thin-film semiconductor substrate with through-holes and methods of manufacturing |
| JP2010282998A (ja) * | 2009-06-02 | 2010-12-16 | Seiko Epson Corp | 太陽電池、太陽電池の製造方法 |
| US20120228275A1 (en) * | 2009-06-29 | 2012-09-13 | Reis Group Holding Gmbh & Co. Kg | Method for exposing an electrical contact |
| KR20110018654A (ko) * | 2009-08-18 | 2011-02-24 | 현대중공업 주식회사 | 태양전지의 단선용 트렌치 라인 |
| JP4951699B2 (ja) * | 2009-08-19 | 2012-06-13 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池モジュール及びその製造方法 |
| WO2011030729A1 (ja) * | 2009-09-08 | 2011-03-17 | 株式会社アルバック | 太陽電池モジュール |
| KR20110032939A (ko) * | 2009-09-24 | 2011-03-30 | 삼성전자주식회사 | 태양 전지 및 그 제조 방법 |
| JP2013506995A (ja) * | 2009-10-01 | 2013-02-28 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 太陽光発電装置及びその製造方法 |
| KR101295547B1 (ko) * | 2009-10-07 | 2013-08-12 | 엘지전자 주식회사 | 박막 태양 전지 모듈 및 그 제조 방법 |
| JPWO2011052426A1 (ja) * | 2009-10-26 | 2013-03-21 | 株式会社アルバック | 太陽電池の評価装置及び評価方法 |
| US20130167915A1 (en) | 2009-12-09 | 2013-07-04 | Solexel, Inc. | High-efficiency photovoltaic back-contact solar cell structures and manufacturing methods using three-dimensional semiconductor absorbers |
| WO2011078171A1 (ja) * | 2009-12-22 | 2011-06-30 | 株式会社アルバック | 太陽電池の評価方法及び評価装置 |
| DE102009060618A1 (de) * | 2009-12-28 | 2011-06-30 | Signet Solar GmbH, 04720 | Dünnschicht-Solarzellenmodul mit in Reihe geschalteten Solarzellen |
| DE102010005970A1 (de) * | 2010-01-28 | 2011-08-18 | SCHOTT Solar AG, 55122 | Verfahren zur Herstellung eines photovoltaischen Dünnschichtmoduls |
| US8241940B2 (en) | 2010-02-12 | 2012-08-14 | Solexel, Inc. | Double-sided reusable template for fabrication of semiconductor substrates for photovoltaic cell and microelectronics device manufacturing |
| US9870937B2 (en) | 2010-06-09 | 2018-01-16 | Ob Realty, Llc | High productivity deposition reactor comprising a gas flow chamber having a tapered gas flow space |
| US8563351B2 (en) * | 2010-06-25 | 2013-10-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for manufacturing photovoltaic device |
| KR20140015247A (ko) | 2010-08-05 | 2014-02-06 | 솔렉셀, 인크. | 태양전지용 백플레인 보강 및 상호연결부 |
| JP5608030B2 (ja) * | 2010-09-29 | 2014-10-15 | 昭和シェル石油株式会社 | 化合物系薄膜太陽電池モジュールの製造方法 |
| US9748414B2 (en) | 2011-05-20 | 2017-08-29 | Arthur R. Zingher | Self-activated front surface bias for a solar cell |
| WO2013009857A1 (en) * | 2011-07-11 | 2013-01-17 | The University Of Toledo | Translucent solar cell |
| GB2492972B (en) | 2011-07-15 | 2013-09-11 | M Solv Ltd | Method and apparatus for dividing a thin film device into separate cells |
| KR20130107115A (ko) * | 2012-03-21 | 2013-10-01 | 삼성에스디아이 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조방법 |
| DE102012111895A1 (de) * | 2012-12-06 | 2014-06-12 | Lpkf Laser & Electronics Ag | Verfahren zur Herstellung eines Solarmoduls |
| CN103258881B (zh) * | 2013-05-07 | 2015-11-11 | 宁波山迪光能技术有限公司 | 薄膜太阳能电池板及其制备方法 |
| JP2016519442A (ja) * | 2013-05-23 | 2016-06-30 | サンパートナー テクノロジーズＳｕｎｐａｒｔｎｅｒ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ | 半透明薄層光起電力モノセル |
| TWI459574B (zh) * | 2013-11-25 | 2014-11-01 | Nexpower Technology Corp | High transmittance thin film solar panels |
| TWI464894B (zh) * | 2014-02-12 | 2014-12-11 | Nexpower Technology Corp | Thin film solar panels for the prevention and treatment of thermal damage |
| FR3026230B1 (fr) * | 2014-09-19 | 2016-11-18 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif photovoltaique semi-transparent avec trou traversant |
| NL2016708B1 (en) * | 2016-04-29 | 2017-11-16 | Stichting Energieonderzoek Centrum Nederland | A method for manufacturing interconnected solar cells and such interconnected solar cells. |
| FR3061606A1 (fr) * | 2016-12-29 | 2018-07-06 | Sunpartner Technologies | Procede d'ablation laser de couches minces pour la realisation de modules photovoltaiques semi-transparents |
| FR3067858A1 (fr) | 2017-06-16 | 2018-12-21 | Sunpartner Technologies | Procede d'ablation laser de couches minces en deux etapes pour la realisation de modules photovoltaiques semi-transparents |
| EP3435424A1 (en) * | 2017-07-27 | 2019-01-30 | Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | A photovoltaic panel and method of manufacturing the same |
| WO2019062788A1 (en) * | 2017-09-29 | 2019-04-04 | (Cnbm) Bengbu Design & Research Institute For Glass Industry Co., Ltd | SEMI-TRANSPARENT THIN FILM SOLAR MODULE |
| US11515440B2 (en) * | 2017-09-29 | 2022-11-29 | Cnbm Research Institute For Advanced Glass Materials Group Co., Ltd. | Semitransparent thin-film solar module |
| US11715805B2 (en) * | 2017-09-29 | 2023-08-01 | Cnbm Research Institute For Advanced Glass Materials Group Co., Ltd. | Semitransparent thin-film solar module |
| EP3493274A1 (de) * | 2017-12-04 | 2019-06-05 | Bengbu Design & Research Institute for Glass Industry | Dünnschichtsolarmodul mit verbessertem shunt-widerstand |
| FR3084203A1 (fr) | 2018-07-20 | 2020-01-24 | Sunpartner Technologies | Procede industriel d'ablation laser de couches minces en une etape pour la realisation de modules photovoltaïques semi-transparents |
| US11495708B2 (en) * | 2019-10-31 | 2022-11-08 | Korea Institute Of Science And Technology | Method of fabricating see-through thin film solar cell |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0660155U (ja) | 1993-01-12 | 1994-08-19 | 鐘淵化学工業株式会社 | 集積型太陽電池モジュール |
| JPH11312816A (ja) | 1998-04-30 | 1999-11-09 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 集積型薄膜太陽電池モジュール |
| JP4053193B2 (ja) | 1999-08-25 | 2008-02-27 | 株式会社カネカ | 薄膜光電変換モジュール |
| JP2004503112A (ja) | 2000-07-06 | 2004-01-29 | ビーピー・コーポレーション・ノース・アメリカ・インコーポレーテッド | 部分透過性光起電モジュール |
| JP4233741B2 (ja) | 2000-09-27 | 2009-03-04 | 三菱重工業株式会社 | 太陽電池モジュール及びその製造方法 |
| JP2002124689A (ja) | 2000-10-12 | 2002-04-26 | Sekisui Chem Co Ltd | アモルファスシリコン太陽電池モジュール、それを用いた電力用太陽光発電システム及び建材一体型太陽電池モジュール |
| JP3720254B2 (ja) | 2000-10-13 | 2005-11-24 | シャープ株式会社 | 薄膜太陽電池及びその製造方法 |
| JP2002299663A (ja) | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | シースルー型薄膜太陽電池モジュール |
| JP4175617B2 (ja) | 2002-07-29 | 2008-11-05 | 日鐵住金建材株式会社 | 落石防止兼用の斜面安定化工法および構造およびこれに用いる連結金具 |
| JP4261169B2 (ja) | 2002-12-03 | 2009-04-30 | 株式会社カネカ | 透光性薄膜太陽電池及び透光性薄膜太陽電池モジュールの製造方法 |
| JP2004330271A (ja) | 2003-05-09 | 2004-11-25 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 透光性薄膜太陽電池の作製方法 |
-
2005
- 2005-03-07 JP JP2005062816A patent/JP4340246B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-03-06 US US11/367,428 patent/US7750233B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7750233B2 (en) | 2010-07-06 |
| US20060196536A1 (en) | 2006-09-07 |
| JP2006245507A (ja) | 2006-09-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4340246B2 (ja) | 薄膜太陽電池およびその製造方法 | |
| AU2004204637B2 (en) | Transparent thin-film solar cell module and its manufacturing method | |
| JP3510740B2 (ja) | 集積型薄膜太陽電池の製造方法 | |
| JP2006332453A (ja) | 薄膜太陽電池の製造方法および薄膜太陽電池 | |
| US8941160B2 (en) | Photoelectric conversion module and method of manufacturing the same | |
| JP2007317868A (ja) | カルコパイライト型太陽電池およびその製造方法 | |
| JP2007073745A (ja) | 集積型薄膜太陽電池およびその製造方法 | |
| CN102239571B (zh) | 薄膜光电变换装置的制造方法 | |
| JP3655025B2 (ja) | 薄膜光電変換装置およびその製造方法 | |
| JP2007324633A (ja) | 集積化タンデム型薄膜シリコン太陽電池モジュール及びその製造方法 | |
| TW201724538A (zh) | 薄膜型太陽能電池及其製造方法 | |
| TWI495136B (zh) | 太陽能電池及其製造方法 | |
| JP2002203976A (ja) | 薄膜太陽電池とその製造方法 | |
| TW201316537A (zh) | 用來製造穿透式太陽能電池模組的方法 | |
| EP2248183A2 (en) | Insulating glass unit with integrated mini-junction device | |
| JP4127994B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JP5451781B2 (ja) | 光電変換装置およびその製造方法 | |
| JP2002280580A (ja) | 集積型光起電力装置及びその製造方法 | |
| JP4061317B2 (ja) | 太陽電池及び太陽電池の製造方法 | |
| JP2001217435A (ja) | 薄膜太陽電池およびその製造方法 | |
| JP2009259926A (ja) | 太陽電池 | |
| JP2013219143A (ja) | 薄膜太陽電池モジュールおよび薄膜太陽電池モジュールの製造方法 | |
| JP2009049227A (ja) | 集積化多接合薄膜シリコン太陽電池モジュール及びその製造方法 | |
| JPH0243776A (ja) | 薄膜太陽電池の製造方法 | |
| JP2808005B2 (ja) | 非晶質太陽電池の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070302 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081029 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081111 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090107 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090630 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090703 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120710 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120710 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130710 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |