TWI459574B - High transmittance thin film solar panels - Google Patents

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Description

高透光率薄膜太陽能板
本發明係涉及一種薄膜太陽能板，尤其是具有連續的週期性波浪狀曲線方式的開槽，來形成高透光率的薄膜太陽能板，而適用於建築之用。
太陽能板，利用太陽光照轉換成電能，是目前面對地球資源逐漸匱乏時急需發展的綠色能源，目前綠建築上，各國政府也廣泛地補助以推動太陽能板的普遍性。目前，太陽能板都盡量裝設於屋頂、屋瓦、天井等區域，但是目前太陽能板，多有不透明的矽晶、背電極層等材料，這都會照成光線的遮蔽，或是產生吸熱效應，反而導致室內必須開燈、冷氣，而無法達到綠建築節能的效果。
因此，在太陽能板的設計上增加透光率成為必要的課題，目前的方式，通常有兩種，一種是減少太陽能板上光電轉換單元的面積，但這也有產生的電能與購買安裝費用上的爭議；另一種則是在圖案設計上改善，目前常見的方式，是以形成透光區域，常見的方式是移除部份的背電極層、光電轉換層，及前電極層，而形成複數個透光口，或者形成有開槽，但是仍有透光率不足，或是切割後，因為尖端蓄電，而容易產生圖案受高熱損毀的問題，因此，需要一種能夠增加透光率並改善上述問題的薄膜太陽能板。
本發明的主要目的在於提供一種高透光率薄膜太陽能板，該高透光率薄膜太陽能板，由一入光方向上依序包含透明 基板、前電極層、光吸收層及背電極層。該前電極層上形成有至少一第一開口圖案以及複數個第七開口圖案，該至少一第一開口圖案朝一第一方向上連續延伸，而形成至少一第一分隔線。光吸收層形成在前電極層上且覆蓋該至少一第一分隔線，包含至少一第二開口圖案、至少一第三開口圖案、複數個第五開口圖案及複數個第八開口圖案，該至少一第二開口圖案及該至少一第三開口圖案平行於該至少一第一開口圖案，且朝該第一方向連續延伸，該第二開口圖案，形成至少一第二分隔線。
背電極層形成在該光吸收層上，覆蓋該第二分隔線，且包含至少一第四開口圖案、複數個第六開口圖案及複數個第九開口圖案，該至少一第四開口圖案朝該第一方向延伸，且該至少一第四開口圖案與該至少一第三開口圖案寬度相等且位置重疊，而共同在該第一方向上共同形成一至少一第一開槽。
該等第五開口圖案與該等第六開口圖案寬度相同且位置重疊，而共同形成複數個第二開槽，該等第二開槽為連續的一週期性波浪狀曲線，該等第二開槽的一波形前進方向為與該第一方向正交的一第二方向，且該週期性波浪狀曲線的振幅為10μm至10mm，週期為5μm至500mm，且該等第二開槽之間相互平行，且波形相位為相同、偏移或相反。 該等第七開口圖案、該等第八開口圖案及該等第九開口圖案，寬度相同且位置重疊，且連續延伸而共同形成複數個第三開槽，該等第三開槽的在該第二方向上延伸或前進，與該等第二開槽平行、重疊或交錯，藉由該至少一第一開槽、該等第二開槽、該等第三開槽，將該光吸收層分成複數個區塊。
本發明高透光率薄膜太陽能板主要用於綠建築的材料之用，設計上藉由震盪雷射頭，而以曲線方式形成開槽，能 較傳統直線方式增加約3%以上的透光率，而增加透光性，在作為光電轉換材料的同時，能增加室內的光線，而能夠更廣泛地在商業上使用。
1‧‧‧高透光率薄膜太陽能板
10‧‧‧第一分隔線
11‧‧‧透明基板
12‧‧‧第二分隔線
13‧‧‧前電極層
15‧‧‧光吸收層
17‧‧‧背電極層
20‧‧‧第一開槽
21‧‧‧第一開口圖案
23‧‧‧第二開口圖案
25‧‧‧第三開口圖案
27‧‧‧第四開口圖案
30‧‧‧第二開槽
31‧‧‧第五開口圖案
33‧‧‧第六開口圖案
40‧‧‧第三開槽
41‧‧‧第七開口圖案
43‧‧‧第八開口圖案
45‧‧‧第九開口圖案
50‧‧‧下部開口圖案
A‧‧‧第一方向
B‧‧‧第二方向
C1、C2、C3、C4‧‧‧區域
D‧‧‧週期
M‧‧‧振幅
第一圖為本發明高透光率薄膜太陽能板的上視示意圖。
第二圖為本發明高透光率薄膜太陽能板的上視示意圖在第一圖中A方向的側視圖。
第三A圖為本發明第一圖上區域C1的剖面圖。
第三B圖為本發明第一圖上區域C2的剖面圖。
第三C圖、第三D圖及三E圖，分別為本發明第二開槽及第三開槽交錯或重疊的第一實施例、第二實施例、第三實施例的剖面示意圖。
以下配合圖式及元件符號對本發明之實施方式做更詳細的說明，俾使熟習該項技藝者在研讀本說明書後能據以實施。
同時參閱第一圖及第二圖，本發明高透光率薄膜太陽能板的上視示意圖及本發明高透光率薄膜太陽能板的上視示意圖在第一圖中A方向的側視圖，如第一圖及第二圖所示，本發明的高透光率薄膜太陽能板1由光線進光方向依序為堆疊一透明基板11、一前電極層13、一光吸收層15，以及一背電極層17，該前電極層13形成在該透明基板11上，且包含有至少一第一開口圖案21，該第一開口圖案21朝第一方向A延伸，而形成至少一第一分隔線10。光吸收層15形成在該前電極層13上，覆蓋該至少一第一分隔線10，並包含至少一第二開口圖案23及至少一第三開口圖案25，該第二開口圖案23及該第三開口圖案25平行於該第一開口圖案21，且在第一方向A上連續延伸，該至少一第二開口圖案23形成至少一第二分隔線12。該背電極層17形成在該光吸收層15上，覆蓋該至少一第二開口圖案23， 且包含至少一第四開口圖案27，該第四開口圖案27與該第三開口圖案25寬度相同且位置重疊，且在第一方向A上連續延伸，而共同在第一方向A上形成至少一第一開槽20。
參閱第三A圖，本發明第一圖上區域C1的剖面圖。並同時參閱第一圖，如第一圖及第三A圖所示，在該光吸收層15及一背電極層17上還分別包含複數個第五開口圖案31及複數個第六開口圖案33，該等第五開口圖案31及該等第六開口圖案33寬度相同且位置重疊，且連續延伸，而形成複數個第二開槽30。該等第二開槽30為連續的週期性波浪狀曲線，週期性波浪狀曲線的前進方向為與第一方向A正交的第二方向B，週期性波浪狀曲線，振幅為10μm至10mm，週期為5μm至500mm，且該等第二開槽30之間相互平行，且波形相位可為相同、偏移或相反。
參閱第三B圖，本發明第一圖上區域C2的剖面圖。並同時參閱第一圖，如第一圖及第三B圖所示，在該前電極層13、該光吸收層15及一背電極層17上還分別包含複數個第七開口圖案41、複數個第八開口圖案43及複數個第九開口圖案45，該等第七開口圖案41、該等第八開口圖案43及該等第九開口圖案45，寬度相同且位置重疊，且連續延伸，而共同形成複數個第三開槽40。該等第三開槽40可以為直線、週期性的波浪狀曲線、週期性的三角波線等，直線的延伸方向，或是週期性的前進方向為與第一方向A正交的第二方向B。
該等第三開槽40與該等第二開槽30可以平行、交錯或重疊。藉由第一開槽20、第二開槽30及第三開槽40，可將該光吸收層15分成複數個區塊。
透明基板11為無鹼玻璃、石英玻璃、壓克力等透明材料所製成。該前電極層13由，例如銦錫氧化物及鋁鋅氧化物的透明導電材料所製成，光吸收層15為單晶矽、多晶矽、非 晶矽、微晶矽、銅銦鎵硒薄膜、銅銦鎵硒硫薄膜的至少其中之一。背電極層17為透明導電材料及/或金屬材料，例如鉬、銀、鎳，用以反射光線至光吸收層15中，以增加光電轉換效率。第二開槽30可以利用綠光雷射切割來形成，而第三開槽40可以利用紅外光雷射切割而形成，當第三開槽40為週期性波浪狀曲線時，振幅M為10μm至10mm，週期D為5μm至500mm。
進一步參閱第三C圖，本發明第二開槽及第三開槽交錯或重疊的第一實施例的剖面示意圖。如第三C圖所示，同時參考第一圖中的C3區域，當第二開槽30的寬度大於第三開槽40的寬度時，通常會形成如第三C圖的剖面結構，使得第七開口圖案41的寬度小於第五開口圖案31及第六開口圖案33的寬度。
進一步參閱第三D圖，本發明第二開槽及第三開槽交錯或重疊的第二實施例的剖面示意圖，同時參考第一圖中的C4區域，第二開槽30及第三開槽40交錯或重疊時，使得第七開口圖案41的寬度等於第五開口圖案31及第六開口圖案33的寬度。
進一步參閱第三E圖，在第二開槽30及第三開槽40交錯或重疊時，也可能形成第三E圖的剖面結構，第七開口圖案41的寬度大於第五開口圖案31及第六開口圖案33的寬度，但第七開口圖案41的側壁形成有該光吸收層15，使得實際形成的下部開口圖案50的寬度與第五開口圖案31及第六開口圖案33相等。
本發明高透光率薄膜太陽能板主要用於綠建築的材料之用，設計上藉由震盪雷射頭，而以曲線方式形成開槽，能較傳統直線方式增加約3%以上的透光率，而增加透光性，在作為光電轉換材料的同時，能增加室內的光線，而能夠更廣泛地在商業上使用。
以上所述者僅為用以解釋本發明之較佳實施例，並非企圖據以對本發明做任何形式上之限制，是以，凡有在相同之發明精神下所作有關本發明之任何修飾或變更，皆仍應包括在本發明意圖保護之範疇。
1‧‧‧高透光率薄膜太陽能板
10‧‧‧第一分隔線
12‧‧‧第二分隔線
20‧‧‧第一開槽
30‧‧‧第二開槽
40‧‧‧第三開槽
A‧‧‧第一方向
B‧‧‧第二方向
C1、C2、C3、C4‧‧‧區域
D‧‧‧週期
M‧‧‧振幅

Claims (6)

  1. 一種高透光率薄膜太陽能板，由一入光方向上依序包含：一透明基板；一前電極層，形成在該透明基板上，在該前電極上形成有至少一第一開口圖案，及複數個第七開口圖案，該至少一第一開口圖案朝一第一方向上連續延伸，而形成至少一第一分隔線；一光吸收層，形成在該前電極層上且覆蓋該至少一第一分隔線，包含至少一第二開口圖案、至少一第三開口圖案、複數個第五開口圖案及複數個第八開口圖案，該至少一第二開口圖案及該至少一第三開口圖案平行於該至少一第一開口圖案，朝該第一方向連續延伸，該至少一第二開口圖案形成至少一第二分隔線；以及一背電極層，形成在該光吸收層上且覆蓋該至少一第二分隔線，並包含至少一第四開口圖案、複數個第六開口圖案及複數個第九開口圖案，該至少一第四開口圖案朝該第一方向延伸，且該至少一第四開口圖案與該至少一第三開口圖案寬度相等且位置重疊，而共同在該第一方向上共同形成一至少一第一開槽；其中該等第五開口圖案與該等第六開口圖案寬度相同且位置重疊，而共同形成複數個第二開槽，該等第二開槽為連續的一週期性波浪狀曲線，該等第二開槽的一波形前進方向為與該第一方向正交的一第二方向，且該週期性波浪狀曲線的振幅為10μm至10mm，週期為5μm至500mm，且該等第二開槽之間相互平行，且波形相位為相同、偏移或相反；其中該等第七開口圖案、該等第八開口圖案及該等第九開口圖案，寬度相同且位置重疊，且連續延伸而共同形成複數個第三開槽，該等第三開槽的在該第二方向上延伸或前進，與該等第二開槽平行、重疊或交錯，藉由該至少一第一開槽、該等第二開槽、該等第三開槽，將該光吸收層 分成複數個區塊；以及其中在該第二開槽與該第三開槽重疊或交錯時，該第七開口圖案小於、等於或大於該第五開口圖案及該第六開口圖案。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之高透光率薄膜太陽能板，其中該等第三開槽的至少一個為直線。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之高透光率薄膜太陽能板，其中該等第三開槽的至少一個為一週期性波浪狀曲線，且其振幅為10μm至10mm，週期為5μm至500mm。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之高透光率薄膜太陽能板，其中該透明基板由一無鹼玻璃、一石英玻璃、一壓克力的其中之一所形成；該前電極層為一透明導電材料；該光吸收層為單晶矽、多晶矽、非晶矽、微晶矽、銅銦鎵硒薄膜、銅銦鎵硒硫薄膜的至少其中之一；以及該背電極層為該透明導電材料及/或一金屬材料。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之高透光率薄膜太陽能板，其中該透明導電材料為一銦錫氧化物及一鋁鋅氧化物的至少其中之一；該金屬材料為鉬、銀、鎳的至少其中之一。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之高透光率薄膜大陽能板，其中在該第七開口圖案大於該第五開口圖案及該第六開口圖案時，該第七開口圖案的側壁形成有該光吸收層，使得實際形成的一下部開口圖案的寬度與該第五開口圖案及該第六開口圖案相等。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060196536A1 (en) * 2005-03-07 2006-09-07 Sharp Kabushiki Kaisha Thin film solar cell and manufacturing method thereof
TW201019492A (en) * 2008-11-14 2010-05-16 Nexpower Technology Corp Method for manufacturing see-through holes of thin-film solar cells
US20100294348A1 (en) * 2009-05-21 2010-11-25 Wuxi Suntech Power Co. Thin film solar module
WO2012035780A1 (ja) * 2010-09-16 2012-03-22 三洋電機株式会社 光電変換装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102612755B (zh) * 2009-11-17 2015-04-15 三菱电机株式会社 薄膜太阳能电池及其制造方法
TWI424576B (zh) * 2010-04-30 2014-01-21 Axuntek Solar Energy 穿透式太陽能電池模組及其製造方法
KR20120096339A (ko) * 2011-02-22 2012-08-30 엘지전자 주식회사 박막형 태양전지 모듈 및 그 제조방법
TW201248876A (en) * 2011-05-17 2012-12-01 Axuntek Solar Energy See-through solar battery module and manufacturing method thereof
EP2834847B1 (en) * 2012-04-03 2021-06-02 Flisom AG Thin-film photovoltaic device with wavy monolithic interconnects

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060196536A1 (en) * 2005-03-07 2006-09-07 Sharp Kabushiki Kaisha Thin film solar cell and manufacturing method thereof
TW201019492A (en) * 2008-11-14 2010-05-16 Nexpower Technology Corp Method for manufacturing see-through holes of thin-film solar cells
US20100294348A1 (en) * 2009-05-21 2010-11-25 Wuxi Suntech Power Co. Thin film solar module
WO2012035780A1 (ja) * 2010-09-16 2012-03-22 三洋電機株式会社 光電変換装置

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