FR3067858A1 - Procede d'ablation laser de couches minces en deux etapes pour la realisation de modules photovoltaiques semi-transparents - Google Patents
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Abstract
L'invention concerne un procédé de fabrication de cellules photovoltaïques en couches minces semi-transparentes par ablation laser sélective et locale de la matière composant lesdites couches minces, lesdites couches minces comportant successivement au moins un substrat transparent (1), un premier matériau électriquement conducteur et transparent déposé sur une des faces dudit substrat transparent (1) et jouant le rôle de contact avant et appelé première électrode (2), une ou plusieurs couches photo-active(s) appelée(s) absorbeur (3) et un second matériau électriquement conducteur jouant le rôle de contact arrière et appelé seconde électrode (4), le procédé comportant les étapes suivantes : - une première étape (E1) d'ablation laser consistant à graver à l'aide d'un premier faisceau laser d'une fluence F1, de longueur d'onde principale ?1, un volume V1 de section S1 et de hauteur H1 au sein de l'absorbeur (3) et de la seconde électrode (4) ; - une seconde étape (E2) d'ablation laser consistant à graver à l'aide d'un second faisceau laser d'une fluence F2, de longueur d'onde principale ?2, aligné avec le premier faisceau laser, un volume V2 de section S2 et de hauteur H2 au sein de la première électrode (2) ; ledit procédé étant caractérisé en ce que lesdites étapes (E1, E2) d'ablation laser s'effectuent au travers du substrat transparent (1).
Description
Procédé d'ablation laser de couches minces en deux étapes pour la réalisation de modules photovoltaïques semi-transparents
La présente invention se rapporte à un procédé de fabrication de modules 5 photovoltaïques par ablation laser sélective et locale de la matière des cellules photovoltaïques en couches minces. Elle vise plus spécialement un procédé d'ablation laser de couches minces en deux étapes permettant l'obtention de cellules photovoltaïques semi-transparentes dont le taux de transparence est obtenu par la création d'un réseau plus ou moins dense de zones de transparence géométriques dans la structure desdites couches minces.
ETAT DE LA TECHNIQUE
On distingue dans la littérature plusieurs familles de matériaux 15 photovoltaïques tels que les matériaux solides cristallisés, les matériaux à petites molécules organiques, les couches minces solides. Les couches minces solides sont particulièrement adaptées à la technologie photovoltaïque semi-transparente du fait de leurs très faibles épaisseurs. Les temps de mise en œuvre du procédé selon ladite technologie en sont considérablement réduits et leur coût plus faible dû à la moindre quantité de matière utilisée.
Un module photovoltaïque est composé d'une multitude de cellules photovoltaïques connectées en série et/ou en parallèle. Chaque cellule est constituée d'un empilement de couches minces. L'ordre d'empilement des couches minces est conditionné par la technologie de couches minces considérée.
Par exemple, dans le cas d'une technologie de couches minces dont la couche photo-active (désignée ci-après sous le terme d'absorbeur) est le silicium amorphe, la cellule est constituée d'un empilement de couches minces positionnées dans l'ordre suivant :
- Un substrat transparent (par exemple du verre ou un polymère) ;
- Une électrode avant transparente électriquement conductrice généralement constituée d'un oxyde transparent désigné ci-après par le terme « TCO » (acronyme du terme anglais « Transparent Conductive Oxide ») ;
- Une couche photo-active, l'absorbeur, constituée de silicium amorphe ;
- Une électrode arrière électriquement conductrice, généralement métallique.
L'épaisseur de chaque couche mince varie de quelques centaines de nanomètres à quelques microns.
Rendre des cellules photovoltaïques semi-transparentes est une opportunité intéressante dans l'industrie du bâtiment, notamment pour y intégrer des surfaces vitrées capables de générer de l'énergie électrique. La transparence peut être obtenue par des procédés de gravure, de lithographie et/ou d'ablation laser. Le procédé de lithographie permet d'obtenir d'excellents résultats mais il est lent et coûteux en terme d'investissement. Il comporte plusieurs étapes d'insolation et de gravure des différentes couches (gravures par voie sèche ou par voie humide avec des solutions chimiques adaptées). Les étapes sont successives et peuvent englober jusqu'à 8 étapes. De plus, ce procédé est difficile à mettre en œuvre sur des grandes surfaces (supérieures au mètre carré) qui sont privilégiées dans l'industrie du bâtiment.
La transparence par ablation laser peut être réalisée en une ou deux étapes.
C'est un procédé plus rapide, moins onéreux que la lithographie, et il ne nécessite aucune utilisation de produit chimique. Néanmoins, ce procédé génère souvent des phénomènes thermiques notamment lorsqu'on utilise l'ablation laser en une étape pour ablater simultanément un empilement de couches minces constituées de matériaux dont les seuils d'ablation sont différents. L'effet thermique provoque la fusion des matériaux de l'empilement, qui peut être à l'origine :
- d'une modification locale de la structure chimique de tout ou partie de ces matériaux à proximité de la zone ablatée ;
- d'un redépôt de matériaux sur les bords de la surface ablatée, pouvant créer des contacts entre l'électrode supérieure de la cellule et l'électrode inférieure au niveau des flans des motifs ablatés ;
- de la formation d'alliages à proximité des zones ablatées.
Ces effets thermiques ont pour conséquence de créer des courts-circuits (également appelés « shunts » en anglais) qui vont augmenter les courants de fuite et ainsi diminuer les performances de la cellule photovoltaïque semi-transparente ou du module.------------------------------------------------------------------------------------------Une solution pour minimiser, voire supprimer ces effets thermiques est d'utiliser plusieurs étapes d'ablation laser en adaptant les paramètres de l'ablation laser aux couches minces à ablater.
Le document US 2009/0151783 Al (NEXPOWER) propose de réaliser la transparence des cellules solaires en ablatant :
o la seconde électrode (électrode supérieure) avec une surface Si ; o la couche d'absorption et la première électrode (électrode inférieure) avec un surface S2 ; tel que Si > S2.
Cette technique permet de minimiser les shunts liés par exemple à un redépôt de matériaux sur les bords de la surface ablatée, pouvant créer des contacts entre la seconde électrode de la cellule et l'électrode inférieure au niveau des flans des motifs ablatés.
Toutefois, ce procédé de fabrication utilise un même laser de longueur d'onde principale λ (on définit la longueur d'onde principale λ d'un laser comme la longueur d'onde majoritaire émise par ledit laser) et ne tient donc pas compte des spécificités des seuils d'ablation des différentes couches. Un tel procédé ne permet donc pas de supprimer les effets thermiques indésirables tels que la modification structurelle de tout ou partie des couches ablatées ou la formation d'alliages à proximité des zones ablatées.
Par ailleurs, dans le cas de cellules photovoltaïques dont l'absorbeur est du silicium amorphe, il serait possible de générer la semi-transparence sans ablater l'électrode avant, étant donné que celle-ci est transparente. A titre d'exemple, il est connu que la transmission du verre nu est d'environ 90% alors que celle d'un TCO déposé sur du verre est de 80%. La cellule photovoltaïque semi-transparente obtenue par ablation unique de la seconde électrode et de l'absorbeur présente donc une moins bonne transparence que celle obtenue en ablatant en plus la couche de
TCO. Cela est d'autant plus avantageux que les TCO utilisés dans les cellules photovoltaïques sont texturés pour augmenter la collecte des photons, et génèrent donc une diffusion de la lumière importante leur conférant un aspect laiteux et parfois même coloré. C'est pourquoi, pour obtenir une semi-transparence d'une grande qualité optique, il est préférable d'ablater le TCO.
La présente invention vise à résoudre ces problèmes et à remédier aux inconvénients précités de l'état de la technique en proposant un nouveau procédé d'ablation laser de couches minces photovoltaïques en deux étapes.
BUT DE L'INVENTION
De façon générale, la présente invention vise à proposer un procédé de fabrication de cellules photovoltaïques en couches minces semi-transparentes par ablation laser sélective et locale de la matière desdites cellules permettant de maximiser les performances des modules photovoltaïques semi-transparents en supprimant l'apparition de court-circuits consécutifs aux effets thermiques des procédés classiques d'ablation laser et en maximisant la qualité optique desdites cellules photovoltaïques.
OBJETS DE L'INVENTION
L'invention a pour objet général un procédé de fabrication de cellules photovoltaïques en couches minces semi-transparentes par ablation laser sélective et locale de la matière composant lesdites couches minces. Lesdites cellules peuvent être connectées en série et/ou en parallèle pour former des modules photovoltaïques semi-transparents. Lesdites cellules comportent au moins successivement un substrat transparent, un premier matériau électriquement conducteur et transparent déposé sur une des faces dudit substrat transparent et jouant le rôle de contact avant appelé première électrode, une ou plusieurs couches photo-actives appelée(s) absorbeur et déposée(s) sur ladite première électrode, et un second matériau électriquement conducteur contenant au moins une couche métallique et jouant le rôle de contact arrière appelé seconde électrode. On note :
- Hi, l'épaisseur de l'ensemble des couches {seconde électrode, absorbeur} ;
- Hia, l'épaisseur de la couche d'absorbeur ; _________________________
- Hib, l'épaisseur de la seconde électrode ;
- H2, l'épaisseur de la première électrode.
Un laser génère un faisceau généralement de section circulaire. Dans ce cas, la section laser est définie par son centre et son diamètre. Il est connu de l'homme du métier de mettre en forme le faisceau laser pour obtenir un faisceau dont la section représente n'importe quelle forme géométrique. Dans ce cas, on définit le diamètre comme étant la distance maximale entre deux points de la section générée. On définit le centre du cercle circonscrit comme étant le milieu dudit diamètre. Donc tout type de forme est définie par son diamètre D et son centre C.
Le procédé de fabrication selon l'invention des cellules photovoltaïques semitransparentes comprend deux étapes d'ablation laser sélective et locale effectuées successivement.
La première étape Ei consiste à graver à l'aide d'un premier faisceau laser d'une fluence Fi, de longueur d'onde principale Ai, un volume Vi de section Si (de centre Ci et de diamètre Di) et de hauteur Hi au sein de l'absorbeur et de la seconde électrode. Cette première ablation laser s'effectue au travers du substrat transparent et de la première électrode transparente. L'absorption de la longueur d'onde Ai dudit premier faisceau laser par l'absorbeur provoque la sublimation du ou des matériaux constituant ledit absorbeur selon le volume ViA de section Si et de hauteur HiA. Le volume VÎB de section Si et de hauteur HiB au sein de la seconde électrode est alors éjecté, ce phénomène d'éjection de matière sous contraintes physiques étant plus connu sous le terme anglais « lift-off ».
On définit un volume imaginaire Vie de section Si et de hauteur H2.
La seconde étape E2 consiste à graver à l'aide d'un second faisceau laser d'une fluence F2, de longueur d'onde principale λ2, parfaitement ou partiellement aligné avec le premier faisceau laser, un volume V2 de section S2 au sein de la première électrode de telle sorte que V2 soit parfaitement inclus dans le volume Vie. Cette seconde ablation laser s'effectue uniquement au travers du substrat transparent.
On définit une section Si' telle que son centre Ci soit le même centre que la section Si et tel que son diamètre D/ = Di - 60 pm. On définit Vir·'. le volume de section Si' et de hauteur H2. Avantageusement, V2 est parfaitement inclus dans le volume Vie'. Ainsi, le trou réalisé dans l'électrode active possède au moins 30 microns de moins de chaque côté par rapport au trou réalisé dans la couche active et l'électrode métallique. De cette manière les deux électrodes ne peuvent pas avoir de contact au niveau des flans d'ablation ce qui permet d'éviter post-ablation la création de court-circuits de la diode photovoltaïque.
Plus précisément, l'invention a donc pour objet un procédé de fabrication de cellules photovoltaïques en couches minces semi-transparentes par ablation laser sélective et locale de la matière composant lesdites couches minces, lesdites couches minces comportant successivement au moins un substrat transparent, un premier matériau électriquement conducteur et transparent déposé sur une des faces dudit substrat transparent et jouant le rôle de contact avant et appelé première électrode, une ou plusieurs couches photo-active(s) appelée(s) absorbeur et un second matériau électriquement conducteur jouant le rôle de contact arrière et appelé seconde électrode, le procédé comportant les étapes suivantes :
- une première étape d'ablation laser consistant à graver à l'aide d'un premier faisceau laser d'une fluence Fx, de longueur d'onde principale Ai, un volume Vi de section Si et de hauteur Hi au sein de l'absorbeur et de la seconde électrode ;
- une seconde étape d'ablation laser consistant à graver à l'aide d'un second faisceau laser d'une fluence F2, de longueur d'onde principale λ2, aligné avec le premier faisceau laser, un volume V2 de section S2 et de hauteur H2 au sein de la première électrode ;
ledit procédé étant caractérisé en ce que lesdites première et seconde étapes d'ablation laser s'effectuent au travers du substrat transparent.
Avantageusement, le volume V2 ablaté pendant la seconde étape est parfaitement inclus dans le volume ViC de section Si et de hauteur H2 ablaté pendant la première étape. En particulier, les volumes ablatés sont tels que Vie > 1,1 V2.
Selon l'invention, la valeur de la fluence Fi est choisie de manière à ne pas entraîner de modification physico-chimique de la première électrode.
Avantageusement, les valeurs des fluences Fi et F2 sont choisies de manière à ne pas entraîner de modification physico-chimique du substrat.__________
Dans le cas de cellules photovoitaïques en couches minces semi-transparentes dont l'absorbeur comprend majoritairement une couche du silicium amorphe :
- Le premier laser est un laser vert dont la longueur d'onde principale λι est comprise entre 500 et 580 nm et dont la fluence Fi est comprise 600 et 800 mJ/cm2.
- Le second laser est un laser infra-rouge dont la longueur d'onde principale λ2 est comprise entre 900 et 1100 nm et dont la fluence F2 est comprise entre 4 et 8 J/cm2.
On définit :
- par double tirs laser l'ensemble formé par les deux étapes Ei et E2,
- par double tirs laser isolés des doubles tirs lasers qui permettent de former les zones de transparence qui sont non jointives.
La semi-transparence peut donc être obtenue en réalisant soit des double tirs laser isolés, soit en réalisant des double tirs laser se recouvrant partiellement.
Selon une première variante du procédé selon l'invention, la semi-transparence est réalisée par des doubles tirs laser isolés identiques, les zones de transparence ont toutes la même forme géométrique et forment préférentiellement un réseau ordonné.
Selon une seconde variante du procédé selon l'invention, la semi-transparence est réalisée par des doubles tirs laser isolés différents, les zones de transparence n'ont pas toute les mêmes formes géométriques et/ou les mêmes dimensions, de manière à générer par exemple des gradients de semi-transparence. Lesdites formes géométriques sont obtenues par exemple par mise en forme des faisceaux lasers. Préférentiellement, les formes choisies sont des disques, des surfaces ovales, polygonales, hexagonales, carrées ou toutes combinaisons desdites formes.
Selon une troisième variante du procédé selon l'invention, la semi-transparence des cellules photovoitaïques peut aussi être le résultat de double tirs lasers se recouvrant partiellement. Lorsque les double tirs lasers se recouvrent on obtient alors des tranchées. Avantageusement, les double tirs lasers sont réalisés selon des impacts se recouvrant partiellement pour former des tranchées uniformes. Le réseau de transparence peut alors être un réseau de bandes rectilignes ou courbes.
Avantageusement, les faisceaux laser sont mis en forme pour obtenir des
-----------faisceaux de type « top-hat » dont l'extrémité de la section présente la particularité suivante : tout point de ladite section a la même énergie. La section des faisceaux a préférentiellement un diamètre compris entre 500 et 900 pm.
DESCRIPTION DETAILLEE
L'invention est maintenant décrite plus en détail à l'aide des figures 1 à 4.
La figure IA représente un schéma d'une vue en coupe d'une portion de cellule photovoltaïque à base de silicium amorphe.
La figure IB représente un schéma d'une vue en coupe d'une portion de cellule photovoltaïque à base de silicium amorphe parcouru par un faisceau laser.
La figure 2A représente un schéma d'une vue en coupe d'une portion de cellule photovoltaïque à base de silicium amorphe traversé par un faisceau laser vert focalisant au sein de l'absorbeur.
La figure 2B représente un schéma d'une vue en coupe du résultat de la première étape de l'ablation laser selon l'invention.
La figure 3A représente un schéma d'une vue en coupe d'une portion de cellule photovoltaïque à base de silicium amorphe traversé par un faisceau laser infra-rouge focalisant au sein de la première électrode.
La figure 3B représente un schéma une vue en coupe du résultat de la seconde étape de l'ablation laser selon l'invention.
La figure 4A est un schéma représentant un exemple de module photovoltaïque après réalisation de zones de transparence par double tirs isolés de forme circulaire.
La figure 4B est un schéma représentant un exemple de module photovoltaïque après réalisation de zones de transparence en bandes obtenues par recouvrement partiel des doubles tirs formant des tranchées uniformes.
La portion de cellule photovoltaïque de la figure IA est composée :
- d'un substrat transparent (1) de verre ;
- d'une première électrode transparente conductrice (2) en dioxyde d'étain dopé au fluor (SnO2:F) ;
- d'un absorbeur (3) formé au moins d'une couche de silicium amorphe (aSi)_______ formant une ou plusieurs jonctions n i p ;
- d'une seconde électrode (4) conductrice métallique composée d'aluminium (Al).
L'épaisseur de chaque couche mince varie de quelques centaines de nanomètres à quelques microns.
La figure IB représente un schéma d'une vue en coupe de la portion de cellule photovoltaïque à base de silicium amorphe selon la figure IA, parcourue par un faisceau laser (50) vert de section Si. Les épaisseurs des différentes couches sont :
- Hia l'épaisseur de la couche d'absorbeur (3) ;
- Hib l'épaisseur de la seconde électrode (4) ;
- Hi l'épaisseur de l'ensemble des couches {seconde électrode (4), absorbeur (3)};
- H2 l'épaisseur de la première électrode (2).
Le procédé de fabrication des cellules photovoltaïques semi-transparentes 20 comprend deux étapes d'ablation laser sélective et locale effectuées successivement.
La première étape Eiz décrite en relation avec la figure 2A, consiste à graver à l'aide d'un premier faisceau laser (50) vert (λι = 534 nm) un volume Vi de section Si et de hauteur Hi au sein de l'absorbeur (3) et de la seconde électrode (4). La fluence Fi du laser est de 600 mJ/cm2. Le faisceau est de type top-hat. Le diamètre Di de la section Si vaut 600 pm. Cette première ablation laser s'effectue au travers du substrat (1) transparent et de la première électrode transparente (2) qui ne sont pas împactés par le faisceau laser vert. L'absorption de la longueur d'onde λι du faisceau laser par l'absorbeur (3) provoque la sublimation du ou des matériaux constituant ledit absorbeur selon le volume ViA (53) de section Si et de hauteur HiA. Le volume
Vib (54) de section Si et de hauteur Hib au sein de la seconde électrode est alors éjecté, ce phénomène d'éjection de matière (55) sous contraintes physiques est connu sous le terme anglais de « lift-off ».
Le résultat de la première ablation laser, schématisé sur la figure 2B, laisse une zone vacante (6) de volume Vi au sein de la seconde électrode f41 et de l'absorbeur (3) sans détérioration thermique de la première électrode (2) ou du substrat (1), qui sont transparents pour cette longueur d'onde Ai.
La seconde étape E2, décrite en référence à la figure 3A, consiste à graver à l'aide d'un second faisceau laser (70) infrarouge de longueur d'onde principale λ2 = 1064 nm, de même forme que le faisceau laser (50) vert mais de plus petite section S2, un volume V2 (72) au sein de la première électrode de telle sorte que V2 (72) soit parfaitement inclus dans le volume Vie (71) de section Si de hauteur H2. La fluence du laser vaut F2 = 7J/cm2. Le volume V2 (72) de section S2 et de hauteur H2 au sein de la première électrode est alors éjecté. Cette seconde ablation laser se fait uniquement au travers du substrat (1) qui n'est pas ou très peu affecté thermiquement. Le faisceau laser infrarouge (70) est aligné avec le premier faisceau laser vert (50) et le diamètre de sa section est inférieur de 60 microns à celui du faisceau laser vert. Ces deux conditions permettant d'assurer l'absence de re-dépôt de matière éjectée (73) sur les flans ablatés de l'absorbeur (3) et de la seconde électrode (4). Ainsi, il n'y a pas de formation de contact entre la première électrode (2) et la seconde électrode (4) et on évite donc la création de courts-circuits au sein de la diode photovoltaïque.
La figure 4A est un schéma représentant un exemple de module photovoltaïque après réalisation de zones de transparence par double tirs isolés de forme circulaire. Les zones de transparences blanches sont séparées distinctement des zones actives photovoltaïques noires.
La figure 4B est un schéma représentant un exemple de module photovoltaïque après réalisation de zones de transparence en bandes rectilignes (zones blanches) obtenues par recouvrement partiel des doubles tirs formant des tranchées uniformes blanches.
EXEMPLE DE REALISATION ________________________Le procédé de l'invention a fait l'objet d'un test pratique, réalisé dans le but de produire des modules photovoltaïques à base de silicium amorphe ayant 30 % de transparence. La semi-transparence est réalisée par ablation locale et sélective de disques de 600 microns de diamètre dans l'absorbeur et dans la seconde électrode. Le laser utilisé est un laser vert (534 nm) ayant une fluence de 600 mJ/cm2. Le faisceau est de type top-hat et sa section possède un diamètre de 600 pm. Une mesure de la transmission optique et de la performance du module a été réalisée avant la seconde étape. Nous avons donc une première électrode en oxyde d'étain dopé au fluor sur l'intégralité du substrat, et une surface d'absorbeur et de seconde électrode de 30% de la surface du substrat. La transmission mesurée est de 52,4%.
La seconde étape du procédé de l'invention qui consiste à ablater la première électrode a été réalisée à partir d'un laser infrarouge (1064 nm) de fluence 7J/cm2. Le faisceau est aussi de type top-hat et le diamètre de sa section est égale à 540 nm. Le module photovoltaïque semi-transparent obtenu par le procédé de fabrication selon l'invention présente donc in fine 40 % de surface en SnO2:F. La transmission optique mesurée passe alors à 57,5%, ce qui permet d'améliorer de plus de 5% la transparence effective du module. De plus, les performances électriques sont identiques et ne sont pas détériorées par la seconde étape. Le procédé de fabrication selon l'invention permet donc bien de fabriquer des modules photovoltaïques en couches minces semi-transparentes par ablation laser sélective et locale desdites couches minces. Cela permet de maximiser les performances électriques desdits modules en supprimant l'apparition de courts-circuits consécutifs aux effets thermiques des procédés d'ablation laser connus, tout en maximisant la qualité optique desdits modules photovolta'iques semi-transparents.
Claims (12)
- REVENDICATIONS1 - Procédé de fabrication de cellules photovoltaïques en couches minces semitransparentes par ablation laser sélective et locale de la matière composant lesdites couches minces, lesdites couches minces comportant successivement au moins un substrat transparent (1), un premier matériau électriquement conducteur et transparent déposé sur une des faces dudit substrat transparent (1) et jouant le rôle de contact avant et appelé première électrode (2), une ou plusieurs couches photoactive(s) appelée(s) absorbeur (3) et un second matériau électriquement conducteur jouant le rôle de contact arrière et appelé seconde électrode (4), le procédé comportant les étapes suivantes :- une première étape (Ei) d'ablation laser consistant à graver à l'aide d'un premier faisceau laser (50) d'une fluence Fi, de longueur d'onde principale λι, un volume Vi de section Si et de hauteur Hi au sein de l'absorbeur (3) et de la seconde électrode (4) ;- une seconde étape (E2) d'ablation laser consistant à graver à l'aide d'un second faisceau laser (70) d'une fluence F2, de longueur d'onde principale λ2, aligné avec le premier faisceau laser (50), un volume V2 de section S2 et de hauteur H2 au sein de la première électrode (2) ;ledit procédé étant caractérisé en ce que lesdites étapes (Ex, E2) d'ablation laser s'effectuent au travers du substrat transparent (1).
- 2 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le volume V2 ablaté pendant la seconde étape (E2) est parfaitement inclus dans ue volume Vic défini par une section Si et une hauteur H2 et ablaté pendant la première étape (Ei).
- 3 - Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le volume Vic >1,1 V2.
- 4 - Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que lesdits faisceaux laser (50, 70) sont de type « top hat ».
- 5 - Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que lesdits faisceaux laser (50,70) sont mis en forme selon des disques, des surfaces ovales, polygonales, hexagonales, carrées ou toutes combinaisons desdites formes.
- 6 - Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que les doubles tirs lasers (50, 70) formés par les tirs laser de la première et de la seconde étapes sont identiques et sans recouvrement.
- 7 - Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que les doubles tirs lasers (50, 70) se recouvrent partiellement de manière à former des tranchées.
- 8 - Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que les doubles tirs lasers (50, 70) ont des formes qui varient pour former un gradient de semi-transparence.
- 9 - Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'absorbeur (3) est composé majoritairement de silicium amorphe.
- 10 - Procédé la revendication précédente, caractérisé en ce que le premier faisceau laser (50) a une longueur d'onde principale λι comprise entre 500 et 580 nm et une fluence Fi comprise 600 et 800 mJ/cm2.
- 11 - Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la première électrode (2) est composée de dioxyde d'étain dopé au fluor.
- 12 - Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que le second faisceau laser (70) a une longueur d'onde principale λ2 comprise entre 900 et 1100 nm et une fluence F2 comprise entre 4 et 8 J/cm2.
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| US20060196536A1 (en) * | 2005-03-07 | 2006-09-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin film solar cell and manufacturing method thereof |
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2017
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-
2018
- 2018-06-14 WO PCT/FR2018/000174 patent/WO2018229366A1/fr active Application Filing
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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