JP4151209B2 - 電力用半導体装置 - Google Patents
電力用半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4151209B2 JP4151209B2 JP2000259204A JP2000259204A JP4151209B2 JP 4151209 B2 JP4151209 B2 JP 4151209B2 JP 2000259204 A JP2000259204 A JP 2000259204A JP 2000259204 A JP2000259204 A JP 2000259204A JP 4151209 B2 JP4151209 B2 JP 4151209B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- external connection
- side end
- connection side
- main circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/165—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
- H01L2224/48139—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate with an intermediate bond, e.g. continuous wire daisy chain
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01015—Phosphorus [P]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01023—Vanadium [V]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01068—Erbium [Er]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01074—Tungsten [W]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/30107—Inductance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R4/00—Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation
- H01R4/28—Clamped connections, spring connections
- H01R4/30—Clamped connections, spring connections utilising a screw or nut clamping member
- H01R4/34—Conductive members located under head of screw
Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、電気自動車用等の電力用半導体装置に関し、特に外部導出される主回路端子の構造に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
電気自動車の駆動制御用として用いられるIPM(インテリジェントパワーモジュール)としての電力用半導体装置は、小型、コンパクト化が要求されると共に、温度、振動等、厳しい環境での長寿命、高信頼性が要求される。従来技術による電力用半導体装置を図11乃至図14により説明する。
【0003】
図11、12において、1は樹脂ケース、2は樹脂ケース1にインサートされた主回路端子であり、2aは樹脂ケース1の外側面に露出した主回路端子2の外部接続側端、2bは樹脂ケース1の内側面に露出した主回路端子2の内部接続側端である。主回路端子2は外部接続側端2aの部分が樹脂ケース1の外側露出面である樹脂面1aとほぼ平行となるように略直角に折り曲げられている。また、3は樹脂ケース1の底部を形成する金属ベース板、4は樹脂製の蓋、5は後述する制御基板11に装着された信号回路用コネクタであり、信号回路端子6が配設されている。なお、主回路端子2の外部接続側端2aにカッコで付した(P)、(N)は夫々、正、負の入力を、(U)、(V)、(W)は3相(U、V、W相)の出力を示す。
【0004】
また、7はナットであり、樹脂ケース1には、その成形時に予め形成されたナット挿入用の六角形状の樹脂穴1bに挿入され、外部接続側端2aで覆われている。なお、樹脂ケース1の底部を形成する金属ベース板3には絶縁基板8が搭載され、絶縁基板8には電力用半導体素子9が載置され、主回路端子2の内部接続側端2bと電力用半導体素子9とはアルミワイヤ10で接続されている。また、11は信号回路用コネクタ5が装着された制御基板であり、制御部品12が搭載されると共に、信号用中継端子13を介して電力用半導体素子9と接続されている。そして、絶縁基板8、電力用半導体素子9等はゲル状の封止樹脂14で封止されている。
【0005】
次に、図13により、主回路端子2における外部接続側端2aの構造の詳細とその組立方法を説明する。図13において、樹脂ケース1に形成された樹脂穴1bにナット7を落とし込んだ後、外部接続側端2aがナット7に覆い被さるように、外部接続側端2aを、その外側表面2cおよび内側表面2dが樹脂ケース1の樹脂面1aと略平行となるように折り曲げ部2eで略直角に折り曲げられる。この結果、内側表面2dは樹脂面1aと略同一平面となるがこれらの間には若干の隙間が生じる。なお、樹脂穴1bはその組み立て性を考慮してナット7の寸法よりも大きく形成され、樹脂穴1bに閉じ込められたナット7と樹脂穴1bの内壁面間には隙間Gが存在する。
【0006】
そして、外部接続導体であるバスバー(図示せず)を外部接続側端2aの外側表面2cに当接し、ボルトを外部接続側端2aのボルト孔2fを介してナット7に螺合させ、バスバー(図示せず)を外部接続側端2aに固定する。なお、前記ボルトは、ボルトサイズM6に対し、例えば12N‐m等、比較的大きなトルクで締付られる。そして、自動車への搭載時において、樹脂ケース1には例えば20G等、比較的大きな加速度の振動が加わる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
従来の電力用半導体装置は以上のように構成されており、大きなトルクにより締め付けを行なった場合、ナット7の周囲に、即ち、樹脂ケース1に形成された樹脂穴1bとの間に、隙間Gがあるため、ナット7の角が樹脂穴1bの壁面に当たって高い応力が発生し、樹脂ケース1が破壊することがあるという問題点があった。また、外部接続側端2aについても、それを支持するのがその根元部である折り曲げ部2eだけであるため、大きなトルクにより座屈して変形するという問題点があった。さらに、長期間にわたって受ける大きな加速度による振動に起因する疲労破壊により、折り曲げ部2eから折れるという問題点があった。
【0008】
上記問題点の対策として、図14に示すごとく、ナット7を、その外部接続側端2aの内側表面2dとの当接面だけが露出するように樹脂ケース1と一体成形し、ナット7と成形樹脂との間にクリアランスが生じないタイプのものがあり、上記、樹脂ケース1が破壊する問題点は解決できるが、外部接続側端2aはその折り曲げ部2eより先端部が露出されており、上記座屈変形の問題点および疲労破壊による折り曲げ部2eが折れる問題点は解決できない。
【0009】
この発明は上記のような問題点を解消するためになされたものであり、大きなトルクによる締め付け、および大きな加速度による振動に耐える主回路端子を備えた電力用半導体装置を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
第1の発明に係る電力用半導体装置は、樹脂封止した主回路端子における外部接続側端を、封止樹脂の樹脂面に対して平行となるように折り曲げた形状とし、前記外部接続側端の内側表面にナットを当接させ、前記外部接続側端の外側表面に当接する外部接続導体を前記ナットに螺合するボルトで固定する電力用半導体装置において、前記外部接続側端の外側表面とその周囲の前記樹脂面とが同一平面、若しくは前記外側表面が前記樹脂面よりも若干突出するように前記外部接続側端を前記封止樹脂の内部に埋没させて前記外側表面を前記樹脂面より露出させ、前記ナットと共に一体に成形し、前記主回路端子は、外部接続側端における折り曲げ部半径を、その外側面で2mm以上とし、その折り曲げ加工後にメッキしたものである。
【0011】
また、第2の発明に係る電力用半導体装置は、樹脂ケースにインサートした主回路端子における外部接続側端を、前記樹脂ケースの前記主回路端子が突出した樹脂面に対して平行となるように折り曲げた形状とし、前記外部接続側端の内側表面にナットを当接させ、前記外部接続側端の外側表面に当接する外部接続導体を前記ナットに螺合するボルトで固定する電力用半導体装置において、前記外部接続側端の外側表面とその周囲の前記樹脂面とが同一平面、若しくは前記外側表面が前記樹脂面よりも若干突出するように前記外部接続側端を前記樹脂ケース内に埋没させて前記外側表面を前記樹脂面より露出させ、前記ナットと共に前記樹脂ケースと一体成形し、前記主回路端子は、外部接続側端における折り曲げ部半径を、その外側面で2mm以上とし、その折り曲げ加工後にメッキしたものである。
【0012】
また、第3の発明に係る電力用半導体装置は、第1の発明または第2の発明に係る電力用半導体装置において、ナットがフランジを備えたフランジ付きナットであり、そのフランジ面が主回路端子における外部接続側端の内側表面に当接したものである。
【0014】
また、第4の発明に係る電力用半導体装置は、第1の発明乃至第3の発明に係る電力用半導体装置において、主回路端子の外部接続側端の外周の少なくとも一部に、該外周より突出して樹脂内部へ折り曲げられたアンカー部を備えたものである。
【0015】
また、第5の発明に係る電力用半導体装置は、第1の発明乃至第4の発明に係る電力用半導体装置において、主回路端子の外部接続側端における外周端縁の外側表面側にC面、傾斜面および段付部のうちの少なくとも何れかが形成され、前記外周端縁の外側表面側が樹脂で覆われているものである。
【0016】
また、第6の発明に係る電力用半導体装置は、第1の発明乃至第5の発明に係る電力用半導体装置において、主回路端子の外部接続側端が、その外側表面における折り曲げ部を除く外周端縁近傍の少なくとも一部を、前記外側表面よりも高く突起した樹脂で覆われているものである。
【0017】
【発明の実施の形態】
実施の形態1.
この発明の実施の形態1としての電力用半導体装置を図1乃至図4により説明する。図中、従来例と同じ符号で示されたものは従来例のそれと同一若しくは同等なものを示す。図1、2において、1は樹脂ケース、2は樹脂ケース1にインサートされた主回路端子であり、2aは樹脂ケース1の外側面に露出した主回路端子2の外部接続側端、2bは樹脂ケース1の内側面に露出した主回路端子2の内部接続側端である。なお、外部接続側端2aは、その外側表面2cが樹脂ケース1の外側露出面である樹脂面1aと同一平面となり、その内側表面2dが樹脂面1aから埋没するように略直角に折り曲げられている。また、3は樹脂ケース1の底部を形成する金属ベース板、4は樹脂製の蓋、5は後述する制御基板11に装着された信号回路用コネクタであり、信号回路端子6が配設されている。なお、主回路端子2の外部接続側端2aにカッコで付した(P)、(N)は夫々、正、負の入力を、(U)、(V)、(W)は3相(U、V、W相)の出力を示す。
【0018】
また、7は樹脂ケース1に主回路端子2と共に一体にインサートされたフランジ付きナットであり、フランジ部7aを備え、外部接続側端2aの内側表面2dにフランジ部7aを当接させ、外部接続側端2aで覆った状態で樹脂封止されている。
【0019】
なお、樹脂ケース1の底部を形成する金属ベース板3には絶縁基板8が搭載され、絶縁基板8には電力用半導体素子9が載置され、主回路端子2の内部接続側端2bと電力用半導体素子9とはアルミワイヤ10で接続されている。また、11は信号回路用コネクタ5が装着された制御基板であり、制御部品12が搭載されると共に、信号用中継端子13を介して電力用半導体素子9と接続されている。そして、絶縁基板8、電力用半導体素子9等はゲル状の封止樹脂14で封止されている。
【0020】
次に、図3により、主回路端子2における外部接続側端2aの構造の詳細とその組立方法を説明する。図3において、外部接続側端2aは、その外側表面2cが樹脂ケース1の外側露出面である樹脂面1aと同一平面となり、その内側表面2dが樹脂面1aから埋没するようにその折り曲げ部2eで略直角に折り曲げられている。即ち、主回路端子2は、外部接続側端2aが折り曲げ部2eで略直角に折り曲げられ、メッキ処理された後に樹脂ケース1にインサートされたものであり、外部接続側端2aは、その外側表面2cを除き樹脂中に埋没している。なお、2fは外部接続側端2aに形成された、後述のボルト16が挿入されるボルト孔である。
【0021】
また、フランジ付きナット7は、外部接続側端2aの内側表面2dにフランジ部7aを当接させ、主回路端子2と共に樹脂ケース1に一体にインサートされ、外部接続側端2aが覆い被さるように樹脂封止されている。
【0022】
そして、実用に供する場合には、図4に示すごとく、外部接続導体であるバスバー15を外部接続側端2aの外側表面2cに当接し、ボルト16を外部接続側端2aのボルト孔2fを介してフランジ付きナット7に螺合させ、バスバー15を外部接続側端2aに固定する。なお、ボルト16は、ボルトサイズM6に対し、例えば12N‐m等、比較的大きなトルクで締付られる。そして、自動車への搭載時において、樹脂ケース1には例えば20G等、比較的大きな加速度の振動が加わる。
【0023】
しかし、フランジ付きナット7は樹脂ケース1と一体成形され、成形樹脂との間にクリアランスが存在しないので、大きなトルクにより締め付けを行なった場合でも、フランジ付きナット7の角部が前記樹脂面に当たって高い応力が発生する恐れがなく、従って、樹脂ケース1が破壊することがない。また、外部接続側端2aの外側表面2cは樹脂ケース1における外側の樹脂面1aと同一で、外部接続側端2aがバスバー15と接触するための外側表面2c以外の表面を樹脂ケース1内に埋没させて固定しているので、その支持部である外部接続側端2aの折り曲げ部2eが前記大きなトルクにより座屈変形し難く、かつ、前記大きな加速度における振動に起因する疲労破壊により、折り曲げ部2eが折れる恐れがない。
【0024】
また、外部接続側端2aは樹脂ケース1と一体成形されているために加工精度が高く、成形後の曲げ加工が不要となるため安価であり、外部接続側端2aの外側表面2dと周囲の樹脂面1aと同一面であるため、成形金型(図示せず)は形状が単純になり金型の加工費用を削減できる。
【0025】
さらに、通常のナット(図示せず)の代りにフランジ付きナット7を用い、そのフランジ部7aを外部接続側端2aの内側表面2dに当接させたので、樹脂ケース1との一体成形時に、外部接続側端2aの内側表面2dに当接させたフランジ付きナット7で外側表面2cを成形金型の内面に押圧するが、内側表面2dとは比較的広い当接面を有するフランジ部7aが直接当接して押圧するので、前記一体成形時の樹脂圧による外部接続側端2aの変形が少なく、外側表面2cに樹脂バリが付着する恐れのないものが得られる。
【0026】
実施の形態2.
この発明の実施の形態2としての電力用半導体装置は、図5に示すごとく、主回路端子2における外部接続側端2aの折り曲げ部2eに対して、その外側表面においてR2(半径2mm)以上の折り曲げ加工を行った点が図1乃至図4に示した実施の形態1と異なり、その他の構成は同一である。
【0027】
即ち、主回路端子2に対して、外部接続側端2aの折り曲げ部2eを比較的大きな半径による折り曲げ加工してメッキ層(図示せず)を形成し、その後に樹脂ケース1に一体成形したものであり、通常折れやすい折り曲げ部2eにおける微細亀裂の発生を防止できると共に、前記メッキ層部分における微細亀裂の発生を防止でき、耐食性に優れると共に、長期間の大きな加速度での振動にも耐え得る高信頼性のものが得られる。
【0028】
実施の形態3.
この発明の実施の形態3としての電力用半導体装置は、図6、図7に示すごとく、外部接続側端2aの両側に突き出た突起を樹脂ケース1の内部側に折り曲げたアンカー部2gを備え、これを樹脂ケース1の樹脂内に埋設させた点が図1乃至図4に示した実施の形態1と異なり、その他の構成は同一である。
【0029】
即ち、外部接続側端2aが、樹脂ケース1の樹脂内に埋設されたアンカー部2gを備え、そのアンカー効果により樹脂ケース1に強固に固定されているので、その支持部である外部接続側端2aの折り曲げ部2eが前記大きなトルクにより座屈変形し難く、この大きなトルクでの締め付けに対する強度に優れると共に、前記大きな加速度における振動に起因する疲労破壊により折れる恐れがなく、高信頼性のものが得られる。
【0030】
実施の形態4.
この発明の実施の形態4としての電力用半導体装置は、図8に示すごとく、外部接続側端2aの外周端縁に段付部2hが形成された点が図1乃至図4に示した実施の形態1と異なり、その他の構成は同一である。
【0031】
この段付部2hの断付きによる凹み部分に成形樹脂が回り込み、この樹脂で前記凹み部分が覆われているので、外部接続側端2aの浮き上りを防止でき、大きなトルクでの締め付けに対する強度に優れると共に、前記大きな加速度における振動に起因する疲労破壊により折れる恐れがなく、高信頼性のものが得られる。
【0032】
なお、図8に示した実施の形態4としての電力用半導体装置においては、主回路端子2の外部接続側端2aにおける外周端縁の外側表面2c側に段付部2hが形成されたが、段付部2hの代りに、C面若しくは傾斜面を形成しても、これらの形成面に成形樹脂が回り込み、この樹脂で前記C面若しくは前記傾斜面覆われ、同様な効果が得られる。
【0033】
実施の形態5.
この発明の実施の形態5としての電力用半導体装置は、図9、図10に示すごとく、外部接続側端2aの外側表面2cにおける折り曲げ部2eと直交する両側が、外側表面2cよりも高く突起した樹脂突起部1cで覆われている点が図1乃至図4に示した実施の形態1と異なり、その他の構成は同一である。
【0034】
即ち、外部接続側端2aは外側表面2cよりも高く突起した樹脂突起部1cで押さえられているので、その浮き上りを防止でき、大きなトルクでの締め付けに対する強度に優れ、大きな加速度での振動にも耐えることができる。さらに、樹脂突起部1cは隣合う主回路端子2の間、例えば、P端子2a(P)とN端子2a(N)との間の絶縁バリアとして機能する。従って、隣合う主回路端子2の間を、必要な絶縁沿面距離を確保しつつ近接させることが可能となり、インダクタンスを低減できると共に、樹脂ケース1の小型、コンパクト化を図れる。
【0035】
以上のように、図1乃至図10に示した実施の形態1乃至実施の形態5としての電力用半導体装置においては、外部接続側端2aを、樹脂ケース1と一体成形されているために高い加工精度で、また、成形後の曲げ加工が不要となるため安価に製造できる。
【0036】
また、実施の形態5を除き、樹脂ケース1の樹脂面1aと外部接続側端2aの外側表面2cとが同一平面であるため、金型の内面が比較的シンプルであり、金型の加工費用を削減でき、実施の形態5においても、外部接続側端2aの外側表面2cより高く突起した樹脂突起部1cが存在するが、樹脂突起部1cにおける盛り上げた樹脂部分は精度を必要としないため、同様に金型の加工費用を削減できる。
【0037】
また、図1乃至図10に示した実施の形態1乃至実施の形態5としての電力用半導体装置においては、樹脂ケース1に主回路端子2と共に一体にインサートするナットとしてフランジ付きナット7を用い、外部接続側端2aの内側表面2dにフランジ部7aを当接させたが、フランジ付きナット7を用いたものに限定されるものではなく、外部接続側端2aの肉厚が相応に厚く、樹脂ケース1の成形時に、樹脂圧により外部接続側端2aが変形して外側表面2cに樹脂バリが形成される恐れがなければ、通常のナット(図示せず)を用いても同様な効果が得られる。
【0038】
また、図1乃至図10に示した実施の形態1乃至実施の形態5としての電力用半導体装置は、樹脂ケース1を備えたタイプのものであったが、樹脂ケース1を備えたタイプのものに限定されるものではなく、金属ベース板上の絶縁基板、および該絶縁基板に搭載された電力用半導体素子、主回路端子、制御部品、信号用中継端子等を一体にトランスファー成形し、樹脂ケース1を省略したタイプの電力用半導体装置にも適用して同様な効果が得られる。
【0039】
【発明の効果】
この発明は、以上のように構成されているので、以下に示すような効果を奏する。
【0040】
樹脂封止した主回路端子における、樹脂面に対して平行となるように折り曲げた形状を為す外部接続側端およびその内側表面に当接させたナットを、前記外部接続側端の外側表面とその周囲の前記樹脂面とが同一平面、若しくは前記外側表面が前記樹脂面よりも若干突出するように前記外部接続側端を樹脂内に埋没させてその外側表面を前記樹脂面より露出させて一体に成形したので、前記外部接続側端と前記ナットとは周囲を前記樹脂で固定され、大きなトルクでの締め付けに耐える高信頼性の電力用半導体装置が得られると共に、前記外部接続側端の外側表面とその周囲の樹脂面とが略同一平面を為すために成形金型の形状が単純でその加工費用を削減できる効果がある。
【0041】
また、樹脂ケースにインサートした主回路端子における、前記樹脂ケースの前記主回路端子が突出した樹脂面に対して平行となるように折り曲げた形状を為す外部接続側端およびその内側表面に当接させたナットを、前記外部接続側端の外側表面とその周囲の前記樹脂面とが同一平面、若しくは前記外側表面が前記樹脂面よりも若干突出するように前記外部接続側端を前記樹脂ケース内に埋没させてその外側表面を前記樹脂面より露出させて一体に成形したので、前記外部接続側端と前記ナットとは周囲を前記樹脂ケースで固定され、大きなトルクでの締め付けに耐える高信頼性の電力用半導体装置が得られると共に、前記主回路端子が前記樹脂ケースと一体成形され、成形後の曲げ加工も不要であるために、高い加工精度のものが安価に得られる効果がある。
【0042】
さらに、ナットとしてフランジを備えたフランジ付きナットを用い、そのフランジ面を主回路端子における外部接続側端の内側表面に当接させたので、電力用半導体装置の樹脂成形時において、外部接続側端の表側面を金型内壁により、裏側面を前記フランジ面により挟圧されるが、標準のナットの端面よりも広い前記フランジ面にて前記外部接続側端の内側表面を押圧するので、成形圧により前記外部接続側端が変形せず、その表側面に樹脂バリが生じるのを防止できる効果がある。
【0043】
また、主回路端子の外部接続側端における折り曲げ部半径を、その外側面で2mm以上と大きくし、この折り曲げ加工後にメッキ処理を行ったので、通常折れやすい前記曲げ加工部分における微細亀裂の発生をメッキ部分も含めて防止でき、長期間の大きな加速度での振動にも耐え得る高信頼性のものが得られる効果がある。
【0044】
さらに、主回路端子における外部接続側端の外周の少なくとも一部に、該外周より突出して樹脂内部へ折り曲げられたアンカー部を備えたので、この樹脂ケース内に樹脂封止された前記アンカー部により、前記外部接続側端の固定が強固なものとなり、大きなトルクでの締め付けに対する強度に優れると共に、大きな加速度での振動に耐えることができる効果がある。
【0045】
また、主回路端子の外部接続側端における外周端縁の外側表面側にC面、傾斜面および段付部のうちの少なくとも何れかが形成され、前記外周端縁の外側表面側が樹脂で覆われているので、前記外部接続側端の固定が強固なものとなり、大きなトルクでの締め付けに対する強度に優れると共に、大きな加速度での振動に耐えることができる効果がある。
【0046】
さらにまた、主回路端子の外部接続側端が、その外側表面における折り曲げ部を除く外周端縁近傍の少なくとも一部を、前記外側表面よりも高く突起した樹脂で覆われているので、該樹脂の突起部で押えることにより前記外部接続側端の浮き上りを防止でき、大きなトルクでの締め付けに対する強度に優れると共に、大きな加速度での振動に耐えることができ、かつ主端子間の絶縁のための沿面距離を確保でき、その分、小型コンパクト化を図れる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施の形態1としての電力用半導体装置の外観を示す斜視図である。
【図2】 図1に示した電力用半導体装置におけるA−A断面を示す模式図である。
【図3】 図2に示した電力用半導体装置における主回路端子部分を拡大した部分断面図である。
【図4】 図3に示した主回路端子部分にバスバーをボルトにより締め付けた状態を示す断面図である。
【図5】 本発明の実施の形態2としての電力用半導体装置における主回路端子部分を拡大した部分断面図である。
【図6】 本発明の実施の形態3としての電力用半導体装置における主回路端子部分を拡大した部分平面図である。
【図7】 図6に示した主回路端子部分におけるB−B断面を示す部分断面図である。
【図8】 本発明の実施の形態4としての電力用半導体装置における主回路端子部分を拡大した部分断面図である。
【図9】 本発明の実施の形態5としての電力用半導体装置の外観を示す斜視図である。
【図10】 図9に示した電力用半導体装置におけるC−C断面図である。
【図11】 従来技術による電力用半導体装置の外観を示す斜視図である。
【図12】 図11に示した電力用半導体装置におけるD−D断面を示す模式図である。
【図13】 図12に示した電力用半導体装置における主回路端子部分を拡大した部分断面図である。
【図14】 別の従来技術による電力用半導体装置における主回路端子部分を拡大した部分断面図である。
【符号の説明】
1 樹脂ケース、1a 樹脂面、1b 樹脂穴、1c 樹脂突起部、2 主回路端子、2a 外部接続側端、2b 内部接続側端、2c 外側表面、2d 内側表面、2e 折り曲げ部、2f ボルト孔、2g アンカー部、2h 段付部、3 金属ベース板、4 蓋、5 信号回路用コネクタ、6 信号回路端子、7 フランジ付きナット、7a フランジ部、8 絶縁基板、9 電力用半導体素子、10 アルミワイヤ、11 制御基板、12 制御部品、13 信号用中継端子、14 封止樹脂、15 バスバー、16 ボルト
Claims (6)
- 樹脂封止した主回路端子における外部接続側端を、封止樹脂の樹脂面に対して平行となるように折り曲げた形状とし、前記外部接続側端の内側表面にナットを当接させ、前記外部接続側端の外側表面に当接する外部接続導体を前記ナットに螺合するボルトで固定する電力用半導体装置において、前記外部接続側端の外側表面とその周囲の前記樹脂面とが同一平面、若しくは前記外側表面が前記樹脂面よりも若干突出するように前記外部接続側端を前記封止樹脂の内部に埋没させて前記外側表面を前記樹脂面より露出させ、前記ナットと共に一体に成形し、前記主回路端子は、外部接続側端における折り曲げ部半径を、その外側面で2mm以上とし、その折り曲げ加工後にメッキしたことを特徴とする電力用半導体装置。
- 樹脂ケースにインサートした主回路端子における外部接続側端を、前記樹脂ケースの前記主回路端子が突出した樹脂面に対して平行となるように折り曲げた形状とし、前記外部接続側端の内側表面にナットを当接させ、前記外部接続側端の外側表面に当接する外部接続導体を前記ナットに螺合するボルトで固定する電力用半導体装置において、前記外部接続側端の外側表面とその周囲の前記樹脂面とが同一平面、若しくは前記外側表面が前記樹脂面よりも若干突出するように前記外部接続側端を前記樹脂ケース内に埋没させて前記外側表面を前記樹脂面より露出させ、前記ナットと共に前記樹脂ケースと一体成形し、前記主回路端子は、外部接続側端における折り曲げ部半径を、その外側面で2mm以上とし、その折り曲げ加工後にメッキしたことを特徴とする電力用半導体装置。
- ナットはフランジを備えたフランジ付きナットであり、そのフランジ面が主回路端子における外部接続側端の内側表面に当接したことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の電力用半導体装置。
- 主回路端子の外部接続側端は、その外周の少なくとも一部に、該外周より突出して樹脂内部へ折り曲げられたアンカー部を備えたことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の電力用半導体装置。
- 主回路端子の外部接続側端は、その外周端縁の外側表面側にC面、傾斜面および段付部のうちの少なくとも何れかが形成され、前記外周端縁の外側表面側が樹脂で覆われていることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の電力用半導体装置。
- 主回路端子の外部接続側端は、その外側表面における折り曲げ部を除く外周端縁近傍の少なくとも一部が、前記外側表面よりも高く突起した樹脂で覆われていることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の電力用半導体装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000259204A JP4151209B2 (ja) | 2000-08-29 | 2000-08-29 | 電力用半導体装置 |
US09/714,961 US6521983B1 (en) | 2000-08-29 | 2000-11-20 | Semiconductor device for electric power |
DE10101078A DE10101078B4 (de) | 2000-08-29 | 2001-01-11 | Halbleitervorrichtung für den Anschluß elektrischer Leistung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000259204A JP4151209B2 (ja) | 2000-08-29 | 2000-08-29 | 電力用半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002076255A JP2002076255A (ja) | 2002-03-15 |
JP4151209B2 true JP4151209B2 (ja) | 2008-09-17 |
Family
ID=18747409
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000259204A Expired - Lifetime JP4151209B2 (ja) | 2000-08-29 | 2000-08-29 | 電力用半導体装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6521983B1 (ja) |
JP (1) | JP4151209B2 (ja) |
DE (1) | DE10101078B4 (ja) |
Families Citing this family (80)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6828600B2 (en) * | 1997-05-09 | 2004-12-07 | Eupec Europaeische Gesellschaft Fuer Leistungshalbleiter Mbh | Power semiconductor module with ceramic substrate |
DE10232566B4 (de) * | 2001-07-23 | 2015-11-12 | Fuji Electric Co., Ltd. | Halbleiterbauteil |
JP3813098B2 (ja) * | 2002-02-14 | 2006-08-23 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体モジュール |
JP3952904B2 (ja) * | 2002-08-12 | 2007-08-01 | 住友電装株式会社 | 電気接続箱 |
JP3864130B2 (ja) * | 2002-10-10 | 2006-12-27 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
JP3953959B2 (ja) * | 2003-01-08 | 2007-08-08 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
JP4271112B2 (ja) * | 2004-09-21 | 2009-06-03 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
DE102006012600A1 (de) * | 2006-03-18 | 2007-09-20 | Atmel Germany Gmbh | Elektronisches Bauelement, elektronische Baugruppe sowie Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Baugruppe |
KR101203466B1 (ko) * | 2006-04-20 | 2012-11-21 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | 전력 시스템 모듈 및 그 제조 방법 |
JP5024289B2 (ja) * | 2006-05-30 | 2012-09-12 | 国産電機株式会社 | 樹脂封止型半導体装置及びこの半導体装置を用いた電子装置 |
JP4890208B2 (ja) * | 2006-11-24 | 2012-03-07 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP5028085B2 (ja) * | 2006-12-27 | 2012-09-19 | アイシン・エィ・ダブリュ株式会社 | 電子回路装置とその製造方法 |
DE102007007224B4 (de) * | 2007-02-14 | 2009-06-10 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul mit einem Gehäuse |
JP5252819B2 (ja) * | 2007-03-26 | 2013-07-31 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
SI2149902T1 (sl) * | 2007-05-18 | 2019-03-29 | Sansha Electric Manufacturing Company, Limited | Močnostni polprevodniški moduli in naprava za električni oblok, ki le-tega uporablja |
DE102007034847B4 (de) * | 2007-07-26 | 2019-06-13 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul mit einem Kunststoffgehäuse mit Verbindungseinrichtungen |
TWI402952B (zh) * | 2007-09-27 | 2013-07-21 | Sanyo Electric Co | 電路裝置及其製造方法 |
JP4969388B2 (ja) * | 2007-09-27 | 2012-07-04 | オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド | 回路モジュール |
JP2009081325A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置 |
JP4934559B2 (ja) * | 2007-09-27 | 2012-05-16 | オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド | 回路装置およびその製造方法 |
US20090091889A1 (en) * | 2007-10-09 | 2009-04-09 | Oman Todd P | Power electronic module having improved heat dissipation capability |
JP5339800B2 (ja) * | 2008-07-10 | 2013-11-13 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US8134838B2 (en) * | 2008-07-21 | 2012-03-13 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor module and method |
JP5586866B2 (ja) * | 2008-09-29 | 2014-09-10 | 株式会社日立産機システム | 電力変換装置 |
JP5399802B2 (ja) * | 2009-07-24 | 2014-01-29 | 矢崎総業株式会社 | 金属板及びボルトの合成樹脂部材への固定構造、及び、それを有するコネクタ |
JP5253455B2 (ja) | 2010-06-01 | 2013-07-31 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体装置 |
JP5796956B2 (ja) * | 2010-12-24 | 2015-10-21 | セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 回路装置およびその製造方法 |
EP2538761B1 (en) * | 2011-06-20 | 2014-01-29 | STMicroelectronics Srl | Intelligent Power Module and related assembling method |
US20130334531A1 (en) * | 2012-06-15 | 2013-12-19 | Franz Jost | Systems and methods for measuring temperature and current in integrated circuit devices |
JP6119313B2 (ja) * | 2013-03-08 | 2017-04-26 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
USD754084S1 (en) | 2013-08-21 | 2016-04-19 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
US9497570B2 (en) | 2014-02-06 | 2016-11-15 | Nimbelink Corp. | Embedded wireless modem |
USD731491S1 (en) * | 2014-02-07 | 2015-06-09 | NimbeLink L.L.C. | Embedded cellular modem |
DE102014007443A1 (de) * | 2014-05-21 | 2015-11-26 | Brose Fahrzeugteile Gmbh & Co. Kommanditgesellschaft, Hallstadt | Elektrische Baugruppe für ein Kraftfahrzeug und Verfahren zur Montage einer solchen elektrischen Baugruppe |
CN106415933A (zh) * | 2014-06-16 | 2017-02-15 | 三菱电机株式会社 | 端子连接结构 |
USD762597S1 (en) | 2014-08-07 | 2016-08-02 | Infineon Technologies Ag | Power semiconductor module |
USD776071S1 (en) * | 2014-08-19 | 2017-01-10 | Infineon Technologies Ag | Power semiconductor module |
USD775593S1 (en) * | 2014-08-19 | 2017-01-03 | Infineon Technologies Ag | Power semiconductor module |
JP1536359S (ja) * | 2014-08-19 | 2015-10-26 | ||
USD762185S1 (en) * | 2014-08-21 | 2016-07-26 | Infineon Technologies Ag | Power semiconductor module |
DE102014115847B4 (de) * | 2014-10-30 | 2018-03-08 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls |
JP1529977S (ja) * | 2014-11-04 | 2015-07-27 | ||
USD774479S1 (en) | 2014-11-28 | 2016-12-20 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor module |
USD772184S1 (en) * | 2014-12-24 | 2016-11-22 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor module |
USD748595S1 (en) * | 2015-02-03 | 2016-02-02 | Infineon Technologies Ag | Power semiconductor module |
USD767516S1 (en) * | 2015-02-04 | 2016-09-27 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
USD766851S1 (en) * | 2015-02-04 | 2016-09-20 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
USD755741S1 (en) * | 2015-02-18 | 2016-05-10 | Semiconductor Components Industries, Llc | Power device package |
USD755742S1 (en) * | 2015-02-18 | 2016-05-10 | Semiconductor Components Industries, Llc | Power device package |
JP6547354B2 (ja) * | 2015-03-20 | 2019-07-24 | 富士電機株式会社 | 半導体モジュールおよび樹脂ケース |
JP6541593B2 (ja) * | 2015-05-15 | 2019-07-10 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
USD759604S1 (en) * | 2015-06-17 | 2016-06-21 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
JP6400206B2 (ja) * | 2015-07-27 | 2018-10-03 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP1563812S (ja) * | 2016-04-11 | 2016-11-21 | ||
CN107424985B (zh) * | 2016-05-23 | 2019-09-27 | 台达电子工业股份有限公司 | 功率模块 |
JP6903788B2 (ja) * | 2016-07-26 | 2021-07-14 | 株式会社三社電機製作所 | 半導体素子取付基板 |
JP6750416B2 (ja) * | 2016-09-14 | 2020-09-02 | 富士電機株式会社 | 半導体モジュールおよび半導体モジュールの製造方法 |
JP1578687S (ja) * | 2016-11-08 | 2017-06-12 | ||
JP1580899S (ja) * | 2016-11-15 | 2017-07-10 | ||
JP1577511S (ja) * | 2016-11-15 | 2017-05-29 | ||
USD864132S1 (en) | 2017-01-05 | 2019-10-22 | Rohm Co., Ltd. | Power semiconductor module |
JP1585831S (ja) | 2017-01-05 | 2017-09-11 | ||
USD837752S1 (en) * | 2017-01-31 | 2019-01-08 | Dylan James Sievers | Heatsink |
JP6705393B2 (ja) * | 2017-02-03 | 2020-06-03 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及び電力変換装置 |
US10057989B1 (en) * | 2017-04-10 | 2018-08-21 | Tactotek Oy | Multilayer structure and related method of manufacture for electronics |
JP1603980S (ja) * | 2017-09-07 | 2018-05-14 | ||
DE102017217352A1 (de) * | 2017-09-28 | 2019-03-28 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Stromschiene und leistungsmodul |
JP1603793S (ja) * | 2017-09-29 | 2018-05-14 | ||
USD864884S1 (en) * | 2017-10-23 | 2019-10-29 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
JP6415676B1 (ja) * | 2017-12-07 | 2018-10-31 | 株式会社三社電機製作所 | 半導体モジュール |
JP6919725B2 (ja) * | 2018-01-19 | 2021-08-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、その製造方法及び電力変換装置 |
JP7205076B2 (ja) * | 2018-05-08 | 2023-01-17 | 富士電機株式会社 | 端子構造、半導体モジュール |
JP1632173S (ja) * | 2018-06-01 | 2019-05-27 | ||
JP1643135S (ja) * | 2019-03-15 | 2019-10-07 | ||
JP1644633S (ja) * | 2019-03-26 | 2019-11-05 | ||
USD903611S1 (en) * | 2019-03-29 | 2020-12-01 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
JP1656709S (ja) * | 2019-05-31 | 2020-04-06 | ||
JP7334485B2 (ja) * | 2019-06-07 | 2023-08-29 | 富士電機株式会社 | 半導体モジュールの外部接続部、半導体モジュールの外部接続部の製造方法、半導体モジュール、車両、及び外部接続部とバスバーとの接続方法 |
JP2021077791A (ja) * | 2019-11-11 | 2021-05-20 | 株式会社デンソー | リアクトル |
JP7456292B2 (ja) | 2020-05-29 | 2024-03-27 | 富士電機株式会社 | 半導体モジュール |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4880400A (en) * | 1988-02-24 | 1989-11-14 | Jacobson Mfg. Co., Inc. | Wire-wrap connector |
JP2993278B2 (ja) * | 1992-06-26 | 1999-12-20 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2956363B2 (ja) * | 1992-07-24 | 1999-10-04 | 富士電機株式会社 | パワー半導体装置 |
JPH06120390A (ja) * | 1992-10-05 | 1994-04-28 | Fuji Electric Co Ltd | 樹脂封止形半導体装置の端子構造 |
DE4418426B4 (de) * | 1993-09-08 | 2007-08-02 | Mitsubishi Denki K.K. | Halbleiterleistungsmodul und Verfahren zur Herstellung des Halbleiterleistungsmoduls |
JP3201187B2 (ja) * | 1994-12-08 | 2001-08-20 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP3357220B2 (ja) * | 1995-07-07 | 2002-12-16 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JPH0969603A (ja) * | 1995-09-01 | 1997-03-11 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置、その外装ケースとその製造方法 |
JP3168901B2 (ja) * | 1996-02-22 | 2001-05-21 | 株式会社日立製作所 | パワー半導体モジュール |
JPH09283681A (ja) | 1996-04-16 | 1997-10-31 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JPH10256411A (ja) | 1997-03-12 | 1998-09-25 | Sansha Electric Mfg Co Ltd | 電力用半導体モジュール |
-
2000
- 2000-08-29 JP JP2000259204A patent/JP4151209B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2000-11-20 US US09/714,961 patent/US6521983B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-01-11 DE DE10101078A patent/DE10101078B4/de not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6521983B1 (en) | 2003-02-18 |
DE10101078B4 (de) | 2005-12-15 |
JP2002076255A (ja) | 2002-03-15 |
DE10101078A1 (de) | 2002-03-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4151209B2 (ja) | 電力用半導体装置 | |
JP4377919B2 (ja) | 電気接続箱 | |
US6541851B2 (en) | Lead frame for a semiconductor device | |
JP5038273B2 (ja) | 樹脂モールド半導体センサ及び製造方法 | |
WO2012108011A1 (ja) | パワー半導体モジュール | |
EP2023658A2 (en) | Semiconductor device, lead frame, and microphone package therefor | |
JP2000307056A (ja) | 車載用半導体装置 | |
JPH09102580A (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
US8637971B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device | |
US8174097B2 (en) | Electric sub-assembly | |
JPH09283681A (ja) | 半導体装置 | |
JP2007273884A (ja) | 半導体装置、半導体モジュールおよび半導体モジュールの製造方法 | |
JPH0595047U (ja) | 電子的半導体装置のパッケージおよびコネクタアセンブリ | |
JP3209120B2 (ja) | 圧力センサ | |
JP2578530Y2 (ja) | 端子接続構造 | |
JP2000083311A (ja) | 自動車用電気接続箱 | |
JP3209121B2 (ja) | 圧力センサ | |
JP2002076259A (ja) | パワーモジュール | |
WO2021192409A1 (ja) | 半導体装置 | |
JP4272762B2 (ja) | 放熱板 | |
JP2679037B2 (ja) | 半導体パッケージおよびその製造方法 | |
JP2771746B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2000252606A (ja) | 電子部品および電子部品の実装構造 | |
JPH0628786Y2 (ja) | 電子部品 | |
JPH10215516A (ja) | 電気接続箱 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20040707 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060421 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061016 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080401 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080513 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080610 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080623 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4151209 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110711 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110711 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120711 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120711 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130711 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |