JP6415676B1 - 半導体モジュール - Google Patents
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Abstract
Description
これにより、射出口から合成樹脂がキャビティに射出されると、射出口が配置されていた箇所を成型流入部とする合成樹脂製のモジュール蓋が形成される。
このような構成とすることにより、ナットを収容すると、ナット抑え部のテーパ部が、ナットを上から抑えるようになり、これにより、ナットがナット収容部から抜けることを防ぐことができる。そして、外部端子の端子部を折り曲げると、ナット抑え部もナット収容部及び成型流入部と共に端子部で覆われるため、外観を損なうことがない。
このような構成とすることにより、ナット抑え部のテーパ部の傾斜角度を、ナットの上面の傾斜と同じにするので、ナットの移動を阻止する効果を高くすることができる。
外部端子12は、板状の部材であって、下端部が半導体素子14に直接、或いは回路基板11と電気接続される。外部端子12は、その上部に端子部121を有する。
また、端子内面対向部232の上面は、外部端子12の内面に向けて下方に傾斜する第2傾斜面232aを有する。
保持部23の端子受け部233は、外部端子12の側面に向けて下降するように形成された内向きの斜面233aを有している。この斜面233aに外部端子12の突出部126を載置すると、外部端子12の突出部126の先端が、斜面233aに支持されるので、外部端子12と保持部23とが上下に接触する面積が小さく、外部端子12と保持部23の間の上下の隙間を大きくすることができる。そのため、後述するように、封止材40を注入する際に、外部端子12と保持部23との隙間に封止材40を埋め易くなっている。
一対の保持部23のうちの少なくとも一方(例えば図4の左側)は、梁22に設けられている。梁22は、モジュール筐体20を補強する役目をなしている。なお、梁22を壁201の内周面201a間を接続するように形成しても良い。
また、外部端子12の突出部126の先端を端子受け部233の斜面233aに載置して下から支持するため、封止材40が流れにくい外部端子12と保持部23との上下方向の接触面積が小さくなり、両者の隙間が大きくなる。そのため、封止材40が外部端子12と保持部23との隙間に埋まり、保持部23の斜面233aに沿って封止材40が下に回り込み、封止材40と外部端子12の間に空洞ができるのを防止し、半導体モジュール1に不具合が生じるのを防ぐことができる。このように、封止材40と外部端子12の間に空洞ができないようにする構成には、モジュール蓋30は必須の要件ではない。
また、モジュール蓋30の下面30bには、下方に突出した補強梁37が形成されている。
また、モジュール蓋30は、ナット収容部351と補強梁37が下面30bから下に突出しており、更に溝33の封止材孔331が形成された箇所が、下面30bから下に突出している。
ここで、封止材40は、少なくとも前記保持部23の高さまで(例えば図5の高さLまで)を封止すれば封止する効果を得ることができる。しかし、封止材40を注入した後でモジュール蓋30を被せると、封止材40の量が適量であるか否かを視認することができない。そのため、本発明によれば、以下のようにして封止材40の量の適否を確認できるようにしている。
封止材40は、同量を注入したとしても、ベース板10やモジュール筐体20等の反りの違いにより、半導体モジュール1によって、封止材40の注入高さ、即ち個々の半導体モジュール1にとっての「適量」には、多少のばらつきが発生することがある。そのため、本発明では、以下に説明するように封止材40の量が多少ばらついても、充分な品質が確認された半導体モジュール1が得られるようにしている。
モジュール蓋30の下面30bの高さLを封止材40の適量としている。このとき、封止材孔331が形成された溝33の一部は下方に突出した凸部332とされていることから、モジュール蓋30の下面30bの高さまで封止材40を注入すると、封止材40が封止材孔331の途中まで、埋められる。また、モジュール蓋30とモジュール筐体20との間に隙間は狭く、毛細管現象で封止材40が上昇し、外溝33bに封止材40が乗り上がるが、塀部333により移動を阻止されて、内溝33aに封止材40が流れ込むことはない。このように、モジュール蓋30の外周領域に形成されている封止材孔331の途中まで封止材40が充填される。また、封止材孔331の近傍にある外溝33bは、ここに乗り上がった封止材40で固められて、モジュール蓋30と封止材40が強固に固定される。図6からも明らかなように、外溝33bと封止材孔331は上面から見て、近い位置に形成されていて、封止材40の量が適量であるか、容易に目視確認することができる。
封止材40の注入量が少しだけ多く、例えば溝33の底面の高さを僅かに超えるが、塀部333を超えないLの高さの場合を説明する。封止材40の上面は、溝33の底面を超えるため、封止材孔331を経由して、内溝33aの中に溢れて侵入する。また、外部端子孔31の途中まで封止材40が埋められた状態になるが、外部端子孔31内で毛細管現象は生じないため、封止材40がモジュール蓋30の上面30aにまでは到達することはない。封止材40は溝33の高さを超えるため、モジュール蓋30の外溝33bにも、封止材40が乗り上げるが、塀部333でせき止められて内溝33aと外溝33b間で封止材40が移動しない。溝33の底面はモジュール蓋30の上面30aよりも十分低い深さに形成されているため、溝33内に溢れた封止材40は、モジュール蓋30の上面30aに付着することがなく、端子部121が配置される上面30bには影響しない。また、封止材40が少しだけ多い場合には、段差部36の側面を封止材40が這い上がり、少量の封止材40が段差部36上に乗り上げることがあるが、段差部36はモジュール蓋30の上面30aより低い位置に設けられているため、この段差部36に余分な封止材40を留めることができる。このように、封止材40が少しだけ多い場合、余分な封止材40は封止材孔331から溝33内に溢れるため、モジュール筐体20から外側にこぼれることを防止できる。封止材40がモジュール筐体20の壁201の外側にこぼれると、モジュール筐体20の外観を損なうため、不良品となってしまう。しかし、本発明のように、モジュール蓋30に溝33と塀部333を形成することで、半導体モジュール1の品質を損なわないようにできる。ここで、溝33以外のモジュール蓋30とモジュール筐体20との隙間にも、毛細管現象により封止材40が吸いあがるが、段差部36と上面30aには高さの差があるため、封止材40はモジュール蓋30の上面30aまでは到達しない。このように、溝33、塀部333、段差部36を形成しているため、余分な封止材40が半導体モジュール1の品質を損なうことを防止できるため、廃棄品を減らすことができる。つまり、封止材40の注入量が少し多くても良品ができる。
封止材40の注入量が非常に多く、封止材40が塀部333を乗り越える場合には、内溝33aと外溝33bの間を封止材40が移動するのを阻止することができず、モジュール蓋30の上面30aに、封止材40が付着する恐れがある。また、塀部333と同じ高さの最外周領域の段差部36の上に大量の封止材40が乗り上がることになる。すると、モジュール蓋30の上面30aに封止材40が付着する可能性があることから、不良品と判定して除外する。このように、塀部333及び段差部36の両方が封止材40で覆われているか否かを、不良品の判定基準としており、塀部333と段差部36が同じ高さに設定されているので、目視確認が容易で、作業性が良好になる。なお塀部333と段差部36を同じ高さとすることで、モジュール蓋30を成型するための金型の加工高さを揃えることができ、金型が複雑にならない。
封止材40が封止材孔331に注入されないほど少ない高さLの場合、封止材40が封止材孔331に入っていないことが目視で確認できる。また、外溝33bにも封止材40が乗り上がらず、これも同様に目視で確認できる。このような場合には、モジュール蓋30が強固に固定されていない状態であるので、不良品と一目で判定することができる。
モジュール蓋30の最外周領域の段差部36の高さを塀部333と同じ場合を例示したが、段差部36の高さを前記塀部333の高さより高くしてもよい。このようにすると、塀部333が封止材40で埋まっても、封止材40の高さがモジュール蓋30の上面30aまではまだ距離があるので良品と判定し、更に封止材40の量が多く段差部36まで封止材40が乗りあげたら、封止材40が非常に多く不良品であると判定するなど、判定基準に段階を設けることができる。
また、段差部36を複数段形成してもよい。この場合、封止材40が少しだけ多い場合には、毛細管現象で1段目の段差部36に封止材40が乗りあげるが、1段目より高い段差部36には毛細管現象が生じないため、封止材がモジュール筐体の上面に付着するのを防止できる。2段目以上の段差部36まで封止材40が乗りあげたら、封止材40が非常に多く不良品だと判定するなど、不良品の判定基準を複数段階に設定することができる。
10 ベース板
11 回路基板
12 外部端子
121 端子部
126 突出部
126a 斜辺
14 半導体素子
15 内部端子
20 モジュール筐体
201 壁
201a 内周面
22 梁
23 保持部
231 端子側面対向部
231a 第1傾斜面
232 端子内面対向部
232a 第2傾斜面
233 端子受け部
233a 斜面
234 張出部
234a 第3傾斜面
30 モジュール蓋
30a 上面
30b 下面
31 外部端子孔
32 ゲート端子孔
33 溝
33a 内溝
33b 外溝
331 封止材孔
332 凸部
333 塀部
34 空気孔
35 凹所
351 ナット収容部
352 成型流入部
352a 射出跡
354 ナット抑え部
36 段差部
37 補強梁
40 封止材
50 ナット
Claims (5)
- ベース板と、
前記ベース板上に取り付けられ、複数の外部端子及び半導体素子が実装された回路基板と、
前記ベース板に取り付けられ、前記回路基板を取り囲む壁からなるモジュール筐体と、
前記モジュール筐体の上部に取り付けられ、前記外部端子が引き出される複数の外部端子孔が外周領域に形成されており、前記外部端子孔と対をなすナット収容部が形成されたモジュール蓋とを備え、
前記外部端子の先端の端子部が、前記外部端子孔から前記ナット収容部に向けて折曲されて、前記ナット収容部を覆う半導体モジュールであって、
前記モジュール蓋の端部から引き出される少なくとも2個の外部端子と対向する前記モジュール蓋の前記上面には、前記モジュール蓋の成型時に合成樹脂の射出口が配置される少なくとも2個の成形流入部が、前記モジュール蓋の前記上面より低い高さに形成されており、
前記成形流入部は、前記ナット収容部と共に、前記外部端子の折曲された前記端子部で覆われる位置に配置されていることを特徴とする半導体モジュール。 - 前記成形流入部は、前記外部端子と前記ナット収容部との間に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体モジュール。
- 前記成形流入部は、前記ナット収容部に連続して形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体モジュール。
- 前記ナット収容部の内周面には複数のナット抑え部を有し、前記ナット抑え部は、前記ナット収容部の内方に向けて突出し、複数の前記ナット抑え部の夫々の距離が、上端間が前記ナットの径よりも小さく下端間が前記ナットの径より大きくなるよう傾斜したテーパ部を有することを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の半導体モジュール。
- 前記ナット抑え部の前記テーパ部は、前記ナットの上面の傾斜と等しい角度を有していることを特徴とする請求項4に記載の半導体モジュール。
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2017
- 2017-12-07 JP JP2017235535A patent/JP6415676B1/ja active Active
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JP2019102553A (ja) * | 2017-11-29 | 2019-06-24 | 株式会社三社電機製作所 | 半導体モジュール |
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