JP6547354B2 - 半導体モジュールおよび樹脂ケース - Google Patents

半導体モジュールおよび樹脂ケース Download PDF

Info

Publication number
JP6547354B2
JP6547354B2 JP2015057925A JP2015057925A JP6547354B2 JP 6547354 B2 JP6547354 B2 JP 6547354B2 JP 2015057925 A JP2015057925 A JP 2015057925A JP 2015057925 A JP2015057925 A JP 2015057925A JP 6547354 B2 JP6547354 B2 JP 6547354B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wall
recess
base substrate
resin case
connection hole
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2015057925A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2016178220A (ja
Inventor
貴紀 杉山
貴紀 杉山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
Priority to JP2015057925A priority Critical patent/JP6547354B2/ja
Priority to CN201610078481.7A priority patent/CN105990258B/zh
Priority to US15/018,230 priority patent/US10109543B2/en
Publication of JP2016178220A publication Critical patent/JP2016178220A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6547354B2 publication Critical patent/JP6547354B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • H01L23/06Containers; Seals characterised by the material of the container or its electrical properties
    • H01L23/08Containers; Seals characterised by the material of the container or its electrical properties the material being an electrical insulator, e.g. glass
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • H01L23/04Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • H01L23/04Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/053Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1305Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055Insulated gate bipolar transistor [IGBT]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Description

本発明は、半導体モジュールおよび樹脂ケースに関する。
従来、IGBT等の半導体素子を収納する半導体モジュールが知られている。半導体モジュールは、ベース基板上に設けた半導体素子を樹脂ケースによって囲み、且つ、樹脂ケースに設けた接続端子によって半導体素子と外部電子部品とを接続する(例えば、特許文献1参照)。
[先行技術文献]
[特許文献]
特許文献1 特開2008−294362号公報
特許文献2 特開2006−210500号公報
特許文献3 特開平8−162571号公報
特許文献4 特開2003−7966号公報
樹脂ケースにおいて厚みが大きい部分は、樹脂ケース成形時の冷却に伴う樹脂の収縮量が大きいので、内部にボイドが生じる場合がある。ボイドの発生を低減するために、樹脂ケースの肉厚部分には、予め樹脂材料を充填しない肉盗み(または肉抜きとも称される)部分を設けることが考えられる。
当該肉盗み部分は、樹脂ケースをベース基板に接着することで密閉される。しかし、半導体モジュールを加熱、または、真空雰囲気に曝す等の処理により、樹脂ケースの肉盗み内の気体が膨張する。そして、膨張した気体が樹脂ケースとベース基板とを接着する接着部分に応力を与え、接着部分が剥離してしまう場合がある。
本発明の第1の態様においては、ベース基板と、ベース基板の表面側に設けられた半導体素子と、ベース基板の表面に接着され、且つ、半導体素子が設けられた領域を囲む樹脂ケースとを備え、樹脂ケースは、ベース基板に接着される底面において、ベース基板と離れる高さ方向に形成された凹部と、凹部と樹脂ケースの外部とを接続する接続孔とを有する半導体モジュールを提供する。
本発明の第2の態様においては、表面側に半導体素子が設けられるベース基板の表面に接着され、且つ、半導体素子が設けられる領域を囲む樹脂ケースであって、ベース基板に接着される底面において、ベース基板と離れる高さ方向に形成された凹部と、凹部と樹脂ケースの外部とを接続する接続孔とを有する樹脂ケースを提供する。
なお、上記の発明の概要は、本発明の特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。
本発明の一つの実施形態に係る半導体モジュール100を示す図である。 樹脂ケース20の底面31の一例を示す図である。 比較例に係る壁部30の断面図を示す。 第1の実施例に係る壁部30の断面図を示す。 第1の実施例に係る壁部30の表面を示す。 第1の実施例の変形例に係る壁部30の断面図を示す。 第1の実施例の変形例に係る壁部30の表面を示す。 第2の実施例に係る壁部30の断面図を示す。 第2の実施例の変形例に係る壁部30の断面図を示す。 第3の実施例に係る壁部30の断面図を示す。 第4の実施例に係る壁部30の断面図を示す。 各実施例に適用される壁部30の変形例を示す図である。 連結部60の一例を示す図である。 各実施例に適用される壁部30の変形例を示す図である。
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
図1は、本発明の一つの実施形態に係る半導体モジュール100を示す図である。図1においては半導体モジュール100の斜視図を示す。半導体モジュール100は、ベース基板10、樹脂ケース20および半導体素子12等の内部回路を有する。
ベース基板10は、表面側に半導体素子12等の内部回路を載置する。半導体素子12は、例えばIGBT等のパワー半導体素子である。内部回路とベース基板10との間には絶縁層あるいは両面に金属層が形成された絶縁層が設けられてよい。ベース基板10は、樹脂よりも熱伝導率が高い銅等の材料で形成される。
樹脂ケース20は、ベース基板10の表面に接着される。また、樹脂ケース20は、孔部22にネジ等の接合部材が挿入される。樹脂ケース20は、内部回路が設けられた領域14を囲むように設けられる。本例の樹脂ケース20は、領域14を囲む壁部28および壁部30を有する。
壁部30は、壁部28よりも厚みが大きい壁である。つまり、壁部30は、樹脂ケース20における壁部のうち、最も厚みが大きい壁部である。樹脂ケース20は、領域14の四辺を囲む4つの壁部を有してよい。また、樹脂ケース20において、厚みがほぼ等しい連続した領域を一つの壁部としてもよい。つまり、壁部30は、樹脂ケース20において、最大の厚みを有する連続領域を指してよい。壁部の厚みは、領域14側の内壁と、内壁と対向する外壁との間の厚みを指す。壁部28および壁部30の底面が、ベース基板10の表面に接着される。また、壁部28および壁部30は、ベース基板10の表面に垂直な方向に延伸して設けられる。壁部28および壁部30は一体に成形されてよい。
本例では、樹脂ケース20が囲む領域14には、半導体素子12等の内部回路の少なくとも一部を封止する封止部16が設けられる。封止部16は、ベース基板10の表面から所定の高さまで形成される。図1では、封止部16が形成される高さ方向の位置を点線で示している。封止部16は、全ての半導体素子12を封止できる高さを有してよく、内部回路におけるワイヤ配線を封止できる高さを有してよい。
壁部28および壁部30の少なくとも一部には、1以上の接続端子24が設けられる。本例におけるそれぞれの接続端子24は、壁部28および壁部30のベース基板10とは逆側の表面に挿入される。図1には一つの壁部28の表面だけに接続端子24が設けられているが、接続端子24は他の壁部28および壁部30の表面にも設けられてよい。樹脂ケース20に挿入された側の接続端子24の端部は、半導体素子12等の内部回路と電気的に接続される。また、樹脂ケース20に挿入されていない側の接続端子24の端部は、半導体モジュール100と対向して設けられるプリント基板等の電気部品の挿入孔に挿入される。
また、半導体モジュール100は、領域14を覆う蓋部を更に備えてよい。当該蓋部は、壁部28および壁部30の少なくとも一部の表面に固定されてよい。本例の壁部30は、表面に蓋部あるいは導電部材を固定する1以上のナット26を有する。ナット26は、壁部30の表面に形成された凹部に挿入または収容されてよい。当該蓋部は、半導体モジュール100と接続するプリント基板等の電気部品であってもよい。導電部材は、半導体モジュール100と電源や負荷を電気的に接続する金属部品で、例えば銅線や銅板等であってもよい。
図2は、樹脂ケース20の底面31の一例を示す図である。上述したように、底面31には、ベース基板10と樹脂ケース20とを接着する接着材が塗布される。接着材は、複数の壁部28および壁部30を、途切れずに少なくとも1周するように塗布される。つまり、領域14を途切れずに囲むように、底面31に接着材が塗布される。
樹脂ケース20には、複数の凹部32が設けられる。凹部32は、樹脂ケース20の底面から、ベース基板10と離れる高さ方向に形成される。本例の凹部32は、壁部のうち少なくとも、厚みが最も大きい壁部30に設けられる。凹部32は、壁部30の底面に開口を有し、ベース基板10の表面に対して垂直な高さ方向に延伸する。凹部32は、厚みが予め定められた値以上の複数の壁部に形成されてもよい。
複数の凹部32の開口の大きさは同一であってよく、異なっていてもよい。本例では、複数の凹部32が直線上に配列されており、両端の凹部32の開口面積は、他の凹部32の開口面積よりも小さい。それぞれの凹部32は、分離壁35により分離される。分離壁35は、壁部30の一部である。分離壁35の厚みは、厚みが最も小さい壁部28と同一であってよく、小さくてもよい。
図3は、比較例に係る壁部30の断面図を示す。図3は、図2におけるA−A断面を示す。なお壁部30には、ベース基板10の外周と接触してベース基板10を位置決めする突起38が設けられてよい。突起38は、樹脂ケース20の外周に沿って設けられてよい。また、壁部30の表面にはネジ止め穴36が形成される。また、ネジ止め穴36の上部側には、図1に示したナット26が挿入される凹部27が形成される。凹部27にナット26が設けられることで、ネジ止め穴36に隣接してナット26が設けられる。ネジ止め穴36およびナット26にネジ等が挿入されることで、壁部30の表面に蓋部あるいは導電部材等が固定される。少なくとも一つのネジ止め穴36は、いずれかの凹部32と対向する位置に設けられてよい。
壁部30は、領域14側の内壁54と、内壁54に対向する外壁56とを有する。内壁54および外壁56の間に、凹部32が設けられる。凹部32は、外壁56または内壁54と、凹部32との間の幅が、幅が最も小さい壁部28の幅以上残るように形成されてよい。凹部32は、内壁54および外壁56の中央に形成されてもよい。
壁部30の底面には、接着部34が形成される。接着部34は、凹部32を囲むように形成される。このため、凹部32はベース基板10および樹脂ケース20により密閉される。ベース基板10に樹脂ケース20を接着した後に、領域14に封止部16が形成される。
封止部16は、シリコーンゲルのように、加熱等の所定の処理前は流動性を有しており、且つ、所定の処理により固化する材料で形成される。また、封止部16の材料は絶縁性を有する。
シリコーンゲル等の材料を注入する場合、材料中に水分および気泡が混ざることを回避すべく、真空雰囲気で材料を注入することが好ましい。しかし、樹脂ケース20をベース基板10に接着した後に半導体モジュール100を真空雰囲気に曝すと、凹部32内の気体が膨張する。
また、シリコーンゲル等の材料を固化すべく半導体モジュール100を加熱した場合にも、凹部32内の気体が膨張する。これらのような処理により凹部32内の気体が膨張すると、接着部34に応力がかかり、接着部34が剥離してしまう場合もある。この場合、接着部34の剥離部分からシリコーンゲル等が漏れ出てしまう不良が発生する。
なお、接着部34を離散的に塗布することで、接着部34の間から凹部32内の気体を逃がすことも考えられる。しかし、接着強度が低下してしまう。また、接着部34の間隔を精度よく制御することも困難である。
図4Aは、第1の実施例に係る壁部30の断面図を示す。本例の壁部30は、図3に示した壁部30の構成に対して、接続孔40を更に備える点で相違する。接続孔40以外の構成は、図3に示した壁部30と同一である。
接続孔40は、凹部32と樹脂ケース20の外部とを接続する。これにより、凹部32内の気体が膨張した場合であっても、当該気体を樹脂ケース20の外に逃がすことができる。このため、接着部34の剥離を防ぐことができる。
凹部32は、ベース基板10とは逆側の頂部33を有する。頂部33は、凹部32のうち、ベース基板10の表面との距離が最大となる箇所を指す。本例の凹部32は、直方体形状を有する。当該直方体においてベース基板10とは逆側の面が頂部33に該当する。接続孔40は、凹部32の頂部33と、樹脂ケース20の外部とを接続する。接続孔40は、樹脂ケース20の外部側の開口42と、凹部32側の開口44とを有する。
本例において外部側の開口42は、ネジ止め穴36の底面に形成される。また、凹部32側の開口44は、凹部32の頂部33に形成される。外部側の開口42の直径は、ネジ止め穴36の内径よりも小さいことが好ましい。接続孔40を細くし肉厚の減少を抑えることで、樹脂ケース20の強度を損なわずに当該気体を樹脂ケース20の外に逃がすことができる。また、接続孔40を細くすることで凹部32内に異物が混入する可能性を低減できる。また、ネジ止め穴36は、封止部16が形成された後に、ネジ等により塞がれる。このため、封止部16を形成するときには、凹部32の内部を樹脂ケース20の外部と接続しつつ、ネジ止めした後は凹部32に異物が混入することを防ぐことができる。なお、ネジ止め穴36に挿入されるネジ等は、接続孔40までは到達しないように設けられてよい。接続孔40の直径は、ネジ等の直径よりも小さくてよい。
接続孔40は、凹部32の頂部33から、高さ方向にベース基板10に垂直に延伸して形成されてよい。また、接続孔40は、凹部32側の開口44から樹脂ケース20の外部側の開口42までの間に屈曲する屈曲部を有してもよい。この場合、凹部32の中に異物が落ちる可能性を低くすることができる。
接続孔40の開口42の直径は、ネジ止め穴36の内径の半分以下であってよい。また、接続孔40の開口44の面積は、凹部32の頂部33の面積の半分以下であってよい。また、接続孔40の開口44の直径は、凹部32の幅の半分以下であってよい。凹部32の幅とは、内壁54から外壁56に向かう方向における幅を指す。凹部32の頂部33の面積は、ネジ止め穴36の底面の面積より大きくてよい。接続孔40は、開口42から開口44まで均一な太さを有してよい。
接続孔40の開口42は、ネジ止め穴36の底面の中央に設けられてよい。また、接続孔40の開口44は、凹部32の頂部33の中央に設けられてよい。開口42の直径は、開口44の直径と同一であってよく、小さくてもよい。
図4Bは、第1の実施例に係る壁部30の表面を示す図である。上述したように、接続孔40はネジ止め穴36の底面に設けられる。接続孔40の断面形状は、円形状であってよく、楕円または長円形状であってもよい。図4Bにおいては、断面形状が長円の接続孔40を示している。当該楕円または長円は、壁部30(または外壁56および内壁54)と平行な方向に長軸を有することが好ましい。この場合、外壁56と内壁54の間の肉厚の減少を少なくすることができ、樹脂ケース20の強度を損なわずに当該気体を樹脂ケース20の外に逃がすことができる。
なお、図示しないナット26は、凹部27内に配置される。本例では、凹部27の中央付近にネジ止め穴36が形成される。ナット26は略正六角柱の形状であり、凹部27もナット26を収容可能な六角柱の形状であってよい。凹部27の底面側に配置されるネジ止め穴36は円柱の形状である。この例では凹部27の軸とネジ止め穴36の軸は一致してよい。接続孔40はこれらの軸付近、すなわちネジ止め穴36の中央付近に設けられてよい。さらに好ましくは凹部27の対向する2面が外壁56および内壁54と平行になるように、凹部27を配置するとよい。このとき接続孔40の長軸は凹部27の対向する2辺を含む面付近に位置するので、ナット26にネジを挿入しトルクをかけた際発生し得る樹脂ケース20の割れを防止できる。
図4Cは、第1の実施例の変形例に係る壁部30の断面図を示す。本例の壁部30は、図4Aに示した壁部30の構成に対して、複数の接続孔40を一つの凹部32に対して備える点で相違する。複数の接続孔40を備える点以外の構成は、図4Aに示した壁部30と同一であってよい。
それぞれの接続孔40は、凹部32の頂部33と、ネジ止め穴36の底面とを接続する。それぞれの接続孔40の形状は、図4Aにおいて説明した接続孔40と同一であってよい。ただし、それぞれの接続孔40の樹脂ケース20の外部側の開口の直径の和は、ネジ止め穴36の内径の半分以下であってよい。本例では、それぞれの接続孔40の直径を小さくできるので、凹部32内に大きな異物が混入することを防ぐことができる。それぞれの接続孔40の直径は同一であってよい。また、それぞれの接続孔40の直径は異なっていてもよい。
図4Dは、第1の実施例の変形例に係る壁部30の表面を示す。図4Cの例では、複数の接続孔40が外壁56および内壁54と垂直な方向に配列されていたが、本例の複数の接続孔40は、ネジ締め穴36の中央において壁部30(または外壁56および内壁54)と平行に配列される。この場合、外壁56と内壁54の間の肉厚の減少を少なくすることができ、樹脂ケース20の強度を損なわずに当該気体を樹脂ケース20の外に逃がすことができる。なお、図示しないナット26は、凹部27内に配置される。凹部27およびネジ止め穴36の形状、配置は図4Bで示した例と同様である。複数の接続孔40はこれら凹部27およびネジ止め穴36の軸付近、すなわちネジ止め穴36の中央付近に設けられてよい。複数の接続孔40を凹部27の対向する2辺を含む面付近に配置することにより、ナット26にネジを挿入しトルクをかけた際発生し得る樹脂ケース20の割れを防止できる。
図5Aは、第2の実施例に係る壁部30の断面図を示す。本例の壁部30は、図4Aから図4Dに示した壁部30の構成に対して、接続孔40を設ける位置が相違する。接続孔40の位置以外の構成は、図4Aから図4Dに示した壁部30と同一である。
本例の接続孔40は、凹部32と、壁部30の外壁56とを接続する。つまり、接続孔40は、凹部32に設けられた開口44と、外壁56に設けられた開口46とを有する。接続孔40の凹部32側の開口44は、凹部32の側面に設けられる。凹部32の側面は、例えばベース基板10の表面側から高さ方向に伸びる面である。
本例の接続孔40は、ベース基板10の表面と略平行な水平方向に延伸する。外壁56側の開口46および凹部32側の開口44は、ベース基板10の表面と凹部32の頂部33との間において、頂部33寄りに設けられる。開口44および開口46の位置は、各開口の中心または重心位置により規定される。つまり、ベース基板10の表面を基準とした開口44および開口46の中心位置の高さh2は、頂部33の高さh1の半分より大きい。
ベース基板10および樹脂ケース20の熱膨張係数の違いに応じて、ベース基板10および樹脂ケース20の外周部分は反る。接続孔40を頂部33寄りに設けることで、接続孔40よりもベース基板10側にある樹脂の量を増やすことができるので、樹脂ケース20の強度を保つことができる。接続孔40の開口44および開口46の直径は、頂部33の高さh1の半分以下であることが好ましい。これにより、樹脂ケース20の強度を保つことができる。接続孔40の開口44および開口46の直径は、高さh1の1/4以上であってよい。
また、凹部32は、壁部30の内壁54および外壁56の間において、外壁56寄りに設けられてよい。この場合、接続孔40を短くすることができる。また、凹部32は、内壁54寄りに設けられてもよい。この場合、接続孔40が設けられる側の肉厚を大きくすることができる。
図5Bは、第2の実施例の変形例に係る壁部30の断面図を示す。本例の壁部30は、図5Aに示した壁部30の構成に対して、接続孔40の形状が相違する。接続孔40の形状以外の構成は、図5Aに示した壁部30と同一であってよい。
本例の接続孔40は、凹部32側の開口44から外壁56側の開口46に向かう少なくとも一部の領域で、ベース基板10に近づく方向に延伸する。つまり、本例の接続孔40は、凹部32側の開口44から外壁56側の開口46に向かう少なくとも一部の領域で、水平方向よりも下向き(ベース基板10向き)に延伸する。
図5Bに示した接続孔40は、凹部32側の開口44から外壁56側の開口46に向かう全ての領域で、水平方向よりも下向きに延伸する。接続孔40は、凹部32側の開口44から外壁56側の開口46に向かう一部の領域で、ベース基板10の表面に向けて垂直に下がっていてもよい。このような構成により、接続孔40から異物が侵入することを妨げることができる。
図6は、第3の実施例に係る壁部30の断面図を示す。本例の壁部30は、図4Aから図4Dに示した壁部30に対して、接続孔40の形状が相違する。接続孔40の形状以外の構成は、図4Aから図4Dに示した壁部30と同一であってよい。
本例の接続孔40は、凹部32と、壁部30の内壁54とを接続する。つまり接続孔40は、凹部32側の開口44と、内壁54側の開口48とを有する。本例の開口44は、凹部32の頂部33に設けられる。
接続孔40の内壁54側の開口48は、ベース基板10の表面に垂直な高さ方向において、封止部16の表面よりも高い位置に形成される。本例における開口48の位置は、開口48の最下端の位置により規定される。つまり開口48の全体が、封止部16に覆われずに露出している。
封止部16は、凹部32の頂部33よりも高い位置まで形成されてよい。この場合、接続孔40の凹部側の開口44は頂部33に設けられることが好ましい。本例の接続孔40は、凹部32側の開口44から高さ方向に延伸する第1領域50と、第1領域50の端部と内壁54側の開口48とを接続する第2領域52とを有する。第1領域50は、高さ方向に、ベース基板10の表面とは垂直に延伸してよい。第2領域52は、ベース基板10の表面とは平行に延伸してよい。
このような構成によっても、接着部34の剥離を防ぐことができる。また、壁部30の内壁54側は封止部16によって補強されるので、接続孔40を内壁54側に設けても壁部30の強度を保つことができる。なお、第2領域52は、図5Bに示した接続孔40と同様に、第1領域50の端部から内壁54側の開口48に向かう少なくとも一部の領域において、ベース基板10の表面側に向かう方向に延伸してよい。
また、凹部32は、壁部30の内壁54および外壁56の間において、外壁56寄りに設けられてよい。この場合、接続孔40が設けられる側の壁の肉厚を大きくすることができる。また、凹部32は、内壁54寄りに設けられてもよい。この場合、接続孔40を短くすることができる。
図7は、第4の実施例に係る壁部30の断面図を示す。本例の壁部30は、図4Aから図4Dに示した壁部30に対して、接続孔40の形状が相違する。接続孔40の形状以外の構成は、図4Aから図4Dに示した壁部30と同一であってよい。
本例の接続孔40は、凹部32と、壁部30の内壁54とを接続する。ただし、本例における接続孔40の内壁54側の開口の位置は、封止部16の表面よりも低い。接続孔40の内壁54側の最上端の位置が、封止部16の表面よりも低くてよい。また、凹部32の頂部33も、封止部16の表面よりも低い位置に設けられる。また、接続孔40の下側には、接着部34および樹脂ケース20が残っていることが好ましい。これにより、接着強度の低下を防ぐことができる。
本例では、凹部32および接続孔40の内部にも、封止部16が形成される。封止部16の材料を領域14に注入するときに、凹部32および接続孔40にも同時に封止部16の材料が注入される。このような構成により、凹部32内から気体を除去することができる。
また、封止部16の材料を凹部32の内部に注入した後に加熱すると、当該材料が膨張して接着部34に応力を与える可能性も考えられる。しかし、接続孔40の断面積を大きくすることで、加熱時に膨張した封止部16の材料が領域14に戻る経路を確保できる。このため、接着部34の剥離を防ぐことができる。
接続孔40は、凹部32側の開口と、内壁54側の開口との間を、ベース基板10の表面と平行に延伸してよい。凹部32内に封止部16の材料を十分注入できるように、接続孔40における開口の高さh3は、凹部32の頂部33の高さの半分よりも大きいことが好ましい。
接続孔40の高さh3は、頂部33の高さの90%以上であってもよい。また、接続孔40の上端の高さ位置は、凹部32の頂部33の高さ位置と同一であってもよい。これにより、封止部16の材料を凹部32に注入するときに、凹部32内に残る気体を低減できる。接続孔40の上端の高さ位置は、封止部16の表面よりも低い範囲で、凹部32の頂部33より高くてもよい。
図7に示す接続孔40における奥行き方向の長さは、凹部32の奥行き方向の長さより小さくてよい。奥行き方向は、内壁54と平行な面において高さ方向と直交する方向を指す。接続孔40における奥行き方向の長さは、凹部32の奥行き方向の長さと同一であってもよい。本例においては接続孔40の内部にも封止部16が封止されるので、接続孔40の奥行き方向の長さを大きくしても、樹脂ケース20の強度を保つことができる。
図8は、各実施例に適用される壁部30の変形例を示す図である。図8は、壁部30の底面の一部を示している。壁部30の底面には、複数の凹部32が直線上に配列される。本例の壁部30は、隣接する凹部32どうしを連結する連結部60が形成される。連結部60は、隣接する凹部32を分離する分離壁35に設けられる。また、連結部60により連結された一群の凹部32のうちいずれか一つの凹部32に、第1から第4の実施例に係るいずれかの接続孔40が形成される。
図9Aは、連結部60の一例を示す図である。図9Aは、図8におけるB−B断面を示す。本例の連結部60は、分離壁35を貫通して形成される。連結部60は、図5Aに示した接続孔40と同様に凹部32の頂部寄りに設けられてよい。また、連結部60の高さ方向における直径は、凹部32の高さの半分以下である。連結部60の当該直径は、凹部32の高さの1/4以上であってよい。
本例では、直線上に配置され、連結部60により連結された複数の凹部32のうち、中央の凹部32に接続孔40が設けられる。上述したように、接続孔40は、第1から第4の実施例のいずれの接続孔40であってもよい。このような構成により、接続孔40の個数を減らし、樹脂ケース20の強度を保つことができる。
また、他の例においては、大きさの異なる複数の凹部32のうち、最も大きい凹部32に対して接続孔40が設けられてもよい。また、直線上に配置された凹部32のうち、一つ置きに接続孔40が設けられてもよい。この場合、接続孔40が設けられる凹部32の大きさを、接続孔40が設けられない凹部32よりも大きくしてよい。ここで凹部32の大きさとは、凹部32の内部空間の体積を指す。また、連結部60は、凹部32の側面の中心よりも、内壁54寄りに設けてよい。これにより、樹脂ケース20の外縁部の強度を維持することができる。
図9Bは、各実施例に適用される壁部30の変形例を示す図である。本例の壁部30は、図9Aに示した壁部30に対して、連結部60の形状が相違する。連結部60の形状以外の構造は、図9Aに示した壁部30と同一であってよい。
本例の連結部60は、壁部30の底部を切り欠いて形成される。切り欠きのサイズは、図9Aに示した貫通孔形状の連結部60と同一である。例えば切り欠きの高さh4は、凹部32の高さの半分以下である。また、切り欠きの高さh4は、凹部32の高さの1/4以上であってよい。このような構造によっても、複数の凹部32を連結して、接続孔40の個数を減らすことができる。
各実施例によれば、凹部32内の気体の膨張による接着部34の剥離を防ぐことができる。また、凹部32を設けても接着部34の剥離の可能性が低いので、凹部32を適用できる範囲が広がる。このため、様々な形態の樹脂ケースに凹部32を適用することができ、樹脂ケースにおけるボイドの発生を低減できる。従って、高品質の樹脂ケースおよび半導体モジュールを提供することができる。
なお、接続孔40の断面形状は円形であってよく、矩形であってよく、その他の形状であってもよい。また、連結部60の断面形状は円形であってよく、矩形であってよく、その他の形状であってもよい。接続孔40および連結部60の断面が円形でない場合、これらの直径とは、断面形状における最大幅を指してよい。
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。
10・・・ベース基板、12・・・半導体素子、14・・・領域、16・・・封止部、20・・・樹脂ケース、22・・・孔部、24・・・接続端子、26・・・ナット、27・・・凹部、28・・・壁部、30・・・壁部、31・・・底面、32・・・凹部、33・・・頂部、34・・・接着部、35・・・分離壁、36・・・ネジ止め穴、38・・・突起、40・・・接続孔、42・・・開口、44・・・開口、46・・・開口、48・・・開口、50・・・第1領域、52・・・第2領域、54・・・内壁、56・・・外壁、60・・・連結部、100・・・半導体モジュール

Claims (20)

  1. ベース基板と、
    前記ベース基板の表面側に設けられた半導体素子と、
    前記ベース基板の表面に接着され、且つ、前記半導体素子が設けられた領域を囲む壁部を有する樹脂ケースと
    を備え、
    前記樹脂ケースは、
    前記壁部のうち最も厚みの大きい壁部に少なくとも形成され、且つ、前記ベース基板に接着される底面において、前記ベース基板と離れる高さ方向に形成された凹部と、
    前記凹部と前記樹脂ケースの外部とを接続する接続孔と
    を有し、
    前記凹部は、前記ベース基板とは逆側の頂部を有し、
    前記接続孔は、前記凹部の前記頂部と、前記樹脂ケースの外部とを接続し、前記凹部の前記頂部から前記高さ方向に延伸して形成され、
    前記接続孔は、前記樹脂ケースの外部側の開口を有し、
    前記樹脂ケースは、前記接続孔の前記開口が底面に設けられるネジ止め穴を更に備え、
    前記接続孔の前記開口の直径は、前記ネジ止め穴に挿入されるネジの直径よりも小さい
    半導体モジュール。
  2. ベース基板と、
    前記ベース基板の表面側に設けられた半導体素子と、
    前記ベース基板の表面に接着され、且つ、前記半導体素子が設けられた領域を囲む壁部を有する樹脂ケースと
    を備え、
    前記樹脂ケースは、
    前記壁部のうち最も厚みの大きい壁部に少なくとも形成され、且つ、前記ベース基板に接着される底面において、前記ベース基板と離れる高さ方向に形成された凹部と、
    前記凹部と前記樹脂ケースの外部とを接続する接続孔と
    を有し、
    前記凹部は、前記ベース基板とは逆側の頂部を有し、
    前記樹脂ケースは、前記凹部の前記ベース基板とは逆側の頂部と、前記樹脂ケースの外部とを接続する、前記凹部の前記頂部から前記高さ方向に延伸して形成された前記接続孔を、一つの前記凹部に対して複数備える
    半導体モジュール。
  3. ベース基板と、
    前記ベース基板の表面側に設けられた半導体素子と、
    前記ベース基板の表面に接着され、且つ、前記半導体素子が設けられた領域を囲む壁部を有する樹脂ケースと
    を備え、
    前記樹脂ケースは、
    前記壁部のうち最も厚みの大きい壁部に少なくとも形成され、且つ、前記ベース基板に接着される底面において、前記ベース基板と離れる高さ方向に形成された凹部と、
    前記凹部と前記樹脂ケースの外部とを接続する接続孔と
    を有し、
    前記樹脂ケースは、前記半導体素子が設けられた領域側の内壁と、前記内壁と対向する外壁とを有し、
    前記接続孔は、前記凹部に設けられた凹部側の開口と、前記樹脂ケースの前記外壁に設けられた外壁側の開口を有する
    半導体モジュール。
  4. 半導体モジュールであって、
    ベース基板と、
    前記ベース基板の表面側に設けられた半導体素子と、
    前記ベース基板の表面に接着され、且つ、前記半導体素子が設けられた領域を囲む壁部を有する樹脂ケースと
    を備え、
    前記樹脂ケースは、
    前記壁部のうち最も厚みの大きい壁部に少なくとも形成され、且つ、前記ベース基板に接着される底面において、前記ベース基板と離れる高さ方向に形成された凹部と、
    前記凹部と前記樹脂ケースの外部とを接続する接続孔と
    を有し、
    前記樹脂ケースは、前記半導体素子が設けられた領域側の内壁と、前記内壁と対向する外壁とを有し、
    前記接続孔は、前記凹部に設けられた凹部側の開口と、前記樹脂ケースの前記内壁に設けられた内壁側の開口を有し、
    前記半導体モジュールは、前記樹脂ケースの内壁に囲まれた領域において前記ベース基板の表面から予め定められた高さまで形成され、前記半導体素子を封止する封止部を更に備え、
    前記接続孔の前記内壁側の開口は、前記封止部の表面よりも高い位置に形成される
    半導体モジュール。
  5. 半導体モジュールであって、
    ベース基板と、
    前記ベース基板の表面側に設けられた半導体素子と、
    前記ベース基板の表面に接着され、且つ、前記半導体素子が設けられた領域を囲む壁部を有する樹脂ケースと
    を備え、
    前記樹脂ケースは、
    前記壁部のうち最も厚みの大きい壁部に少なくとも形成され、且つ、前記ベース基板に接着される底面において、前記ベース基板と離れる高さ方向に形成された凹部と、
    前記凹部と前記樹脂ケースの外部とを接続する接続孔と
    を有し、
    前記樹脂ケースは、前記半導体素子が設けられた領域側の内壁と、前記内壁と対向する外壁とを有し、
    前記接続孔は、前記凹部に設けられた凹部側の開口と、前記樹脂ケースの前記内壁に設けられた内壁側の開口を有し、
    前記半導体モジュールは、前記樹脂ケースの内壁に囲まれた領域において前記ベース基板の表面から予め定められた高さまで形成され、前記半導体素子を封止する封止部を更に備え、
    前記接続孔の前記内壁側の開口は、前記封止部の表面よりも低い位置に形成され、
    前記凹部および前記接続孔の内部にも前記封止部が形成され、
    前記接続孔は、前記凹部側の開口と前記内壁側の開口との間を、前記ベース基板の表面と平行に延伸し、
    前記接続孔の前記高さ方向の幅は、前記凹部の高さの半分よりも大きい
    半導体モジュール。
  6. 前記凹部は、前記ベース基板とは逆側の頂部を有し、
    前記接続孔は、前記凹部の前記頂部と、前記樹脂ケースの外部とを接続する
    請求項3から5のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
  7. 前記接続孔は、前記凹部の前記頂部から前記高さ方向に延伸して形成される
    請求項に記載の半導体モジュール。
  8. 前記接続孔は、前記樹脂ケースの外部側の開口を有し、
    前記樹脂ケースは、前記接続孔の前記開口が底面に設けられるネジ止め穴を更に備え、
    前記接続孔の前記開口の直径は、前記ネジ止め穴の内径よりも小さい
    請求項に記載の半導体モジュール。
  9. 前記樹脂ケースは、前記半導体素子が設けられた領域側の内壁と、前記内壁と対向する外壁とを有し、
    前記接続孔の前記開口の直径は、前記内壁から前記外壁に向かう方向における前記凹部の幅の半分以下である
    請求項に記載の半導体モジュール。
  10. 前記凹部は、前記ベース基板とは逆側の頂部を有し、
    前記接続孔の前記外壁側の開口は、前記ベース基板と前記凹部の頂部との間において、前記凹部の頂部寄りに設けられる
    請求項に記載の半導体モジュール。
  11. 前記接続孔は、前記凹部側の開口から前記外壁側の開口に向かう少なくとも一部の領域で、前記ベース基板に近づく方向に延伸する
    請求項または10に記載の半導体モジュール。
  12. 前記樹脂ケースは、前記半導体素子が設けられた領域側の内壁と、前記内壁と対向する外壁とを有し、
    前記接続孔は、前記凹部に設けられた凹部側の開口と、前記樹脂ケースの前記内壁に設けられた内壁側の開口を有する
    請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
  13. 前記凹部は、前記ベース基板とは逆側の頂部を有し、
    前記接続孔の前記凹部側の開口は前記凹部の頂部に設けられる
    請求項に記載の半導体モジュール。
  14. 前記接続孔は、
    前記凹部側の開口から前記高さ方向に延伸する第1領域と、
    前記第1領域の端部と前記内壁側の開口とを接続する第2領域と
    を有する請求項13に記載の半導体モジュール。
  15. 前記樹脂ケースの内壁に囲まれた領域において前記ベース基板の表面から予め定められた高さまで形成され、前記半導体素子を封止する封止部を更に備え、
    前記接続孔の前記内壁側の開口は、前記封止部の表面よりも低い位置に形成され、
    前記凹部および前記接続孔の内部にも前記封止部が形成される
    請求項12に記載の半導体モジュール。
  16. 前記接続孔は、前記凹部側の開口と前記内壁側の開口との間を、前記ベース基板の表面と平行に延伸する
    請求項15に記載の半導体モジュール。
  17. 前記樹脂ケースは、
    複数の前記凹部と、
    それぞれの前記凹部を分離する分離壁と
    を有し、
    それぞれの前記分離壁には、隣接する前記凹部どうしを連結する連結部が形成され、
    前記連結部により連結された複数の前記凹部のうちのいずれか一つに、前記接続孔が形成される
    請求項1から16のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
  18. 複数の前記凹部が直線上に配列され、
    直線上に配列された複数の前記凹部のうち、中央の前記凹部に前記接続孔が形成される
    請求項17に記載の半導体モジュール。
  19. 表面側に半導体素子が設けられるベース基板の表面に接着され、且つ、前記半導体素子が設けられる領域を囲む樹脂ケースであって、
    前記ベース基板に接着される底面において、前記ベース基板と離れる高さ方向に形成された凹部と、
    前記凹部と前記樹脂ケースの外部とを接続する接続孔と
    を有し、
    前記凹部は、前記ベース基板とは逆側の頂部を有し、
    前記接続孔は、前記凹部の前記頂部と、前記樹脂ケースの外部とを接続し、前記凹部の前記頂部から前記高さ方向に延伸して形成され、
    前記接続孔は、前記樹脂ケースの外部側の開口を有し、
    前記樹脂ケースは、前記接続孔の前記開口が底面に設けられるネジ止め穴を更に備え、
    前記接続孔の前記開口の直径は、前記ネジ止め穴に挿入されるネジの直径よりも小さい
    樹脂ケース。
  20. 表面側に半導体素子が設けられるベース基板の表面に接着され、且つ、前記半導体素子が設けられる領域を囲む樹脂ケースであって、
    前記ベース基板に接着される底面において、前記ベース基板と離れる高さ方向に形成された凹部と、
    前記凹部と前記樹脂ケースの外部とを接続する接続孔と
    を有し、
    前記凹部は、前記ベース基板とは逆側の頂部を有し、
    前記樹脂ケースは、前記凹部の前記ベース基板とは逆側の頂部と、前記樹脂ケースの外部とを接続する、前記凹部の前記頂部から前記高さ方向に延伸して形成された前記接続孔を、一つの前記凹部に対して複数備える
    樹脂ケース。
JP2015057925A 2015-03-20 2015-03-20 半導体モジュールおよび樹脂ケース Expired - Fee Related JP6547354B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015057925A JP6547354B2 (ja) 2015-03-20 2015-03-20 半導体モジュールおよび樹脂ケース
CN201610078481.7A CN105990258B (zh) 2015-03-20 2016-02-04 半导体模块及树脂壳体
US15/018,230 US10109543B2 (en) 2015-03-20 2016-02-08 Semiconductor module and resin case

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015057925A JP6547354B2 (ja) 2015-03-20 2015-03-20 半導体モジュールおよび樹脂ケース

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016178220A JP2016178220A (ja) 2016-10-06
JP6547354B2 true JP6547354B2 (ja) 2019-07-24

Family

ID=56925035

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015057925A Expired - Fee Related JP6547354B2 (ja) 2015-03-20 2015-03-20 半導体モジュールおよび樹脂ケース

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10109543B2 (ja)
JP (1) JP6547354B2 (ja)
CN (1) CN105990258B (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USD814431S1 (en) * 2015-05-15 2018-04-03 Mitsubishi Electric Corporation Power semiconductor device
JP6743439B2 (ja) * 2016-03-18 2020-08-19 富士電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP6699742B2 (ja) * 2016-09-20 2020-05-27 三菱電機株式会社 半導体装置
JP1644633S (ja) * 2019-03-26 2019-11-05
USD903611S1 (en) * 2019-03-29 2020-12-01 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device
JP1656709S (ja) * 2019-05-31 2020-04-06

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3621994A1 (de) * 1986-07-01 1988-01-14 Bbc Brown Boveri & Cie Leistungshalbleitermodul
JP3201187B2 (ja) 1994-12-08 2001-08-20 富士電機株式会社 半導体装置
JPH08167677A (ja) * 1994-12-14 1996-06-25 Hitachi Ltd 半導体モジュール
JP3652488B2 (ja) * 1997-12-18 2005-05-25 Tdk株式会社 樹脂パッケージの製造方法
JP4151209B2 (ja) * 2000-08-29 2008-09-17 三菱電機株式会社 電力用半導体装置
JP4540884B2 (ja) 2001-06-19 2010-09-08 三菱電機株式会社 半導体装置
JP2003086722A (ja) * 2001-09-14 2003-03-20 Hitachi Ltd 樹脂封止型パワーモジュール装置
JP4660214B2 (ja) 2005-01-26 2011-03-30 日本インター株式会社 電力用半導体装置
JP4554492B2 (ja) * 2005-11-01 2010-09-29 シャープ株式会社 半導体パッケージの製造方法
JP2007128997A (ja) * 2005-11-02 2007-05-24 Fujifilm Corp 電子機器用ストラップ取付構造
JP5090063B2 (ja) 2007-05-28 2012-12-05 日本インター株式会社 パワー半導体モジュール
JP6107362B2 (ja) * 2013-04-18 2017-04-05 富士電機株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP6208980B2 (ja) * 2013-05-20 2017-10-04 カルソニックカンセイ株式会社 半導体モジュール及びその製造方法
JP6299120B2 (ja) * 2013-09-05 2018-03-28 富士電機株式会社 半導体モジュール

Also Published As

Publication number Publication date
US20160276234A1 (en) 2016-09-22
CN105990258B (zh) 2019-12-13
US10109543B2 (en) 2018-10-23
CN105990258A (zh) 2016-10-05
JP2016178220A (ja) 2016-10-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6547354B2 (ja) 半導体モジュールおよび樹脂ケース
JP6897056B2 (ja) 半導体装置及び半導体装置製造方法
US9443778B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
EP3043379B1 (en) Semiconductor device
KR20150104033A (ko) 초박형 임베디드 반도체 소자 패키지 및 그 제조 방법
CN103515340B (zh) 电源模块封装和用于制造电源模块封装的方法
US10204871B2 (en) Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method
EP3214647A1 (en) Heat-dissipating structure
CN107004644A (zh) 绝缘电路基板、功率模块以及功率单元
US9502320B2 (en) Semiconductor device
JP5897516B2 (ja) 半導体装置
JP5264189B2 (ja) インバータ装置及びその製造方法
US10136511B2 (en) Circuit assembly and method for manufacturing circuit assembly
CN107046373B (zh) 电子功率模块、电子架构、电压转换器和电机
US9147630B2 (en) Power semiconductor assembly and module
JP2016063203A (ja) 電子装置の製造方法、及び電子装置
JP2011151214A (ja) ゲル注入器およびそれを用いたパワーモジュールの製造方法
WO2016143317A1 (ja) 電子装置及びその製造方法
JP2006032392A (ja) 半導体装置
US20230247788A1 (en) Circuit structure
JP5709299B2 (ja) 半導体パワーモジュールおよびその製造方法
JP2017212344A (ja) 半導体装置
US10251256B2 (en) Heat dissipating structure
JP6769556B2 (ja) 半導体装置及び半導体モジュール
WO2014208006A1 (ja) 電子装置およびその電子装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180214

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20181009

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20181023

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20181219

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190528

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190610

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6547354

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees