JP4105434B2 - 有機発光デバイス - Google Patents

有機発光デバイス Download PDF

Info

Publication number
JP4105434B2
JP4105434B2 JP2001399758A JP2001399758A JP4105434B2 JP 4105434 B2 JP4105434 B2 JP 4105434B2 JP 2001399758 A JP2001399758 A JP 2001399758A JP 2001399758 A JP2001399758 A JP 2001399758A JP 4105434 B2 JP4105434 B2 JP 4105434B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
component
host
emitting layer
emitting device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2001399758A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2002260861A (ja
JP2002260861A5 (ja
Inventor
エイチ.ヤン ラルフ
シ チャンミン
ダブリュ.タン チン
Original Assignee
イーストマン コダック カンパニー
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by イーストマン コダック カンパニー filed Critical イーストマン コダック カンパニー
Publication of JP2002260861A publication Critical patent/JP2002260861A/ja
Publication of JP2002260861A5 publication Critical patent/JP2002260861A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4105434B2 publication Critical patent/JP4105434B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/18Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the nature or concentration of the activator
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6574Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only oxygen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. cumarine dyes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003Carbocyclic compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1011Condensed systems
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/90Multiple hosts in the emissive layer
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/611Charge transfer complexes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/633Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/917Electroluminescent

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機発光ダイオードデバイスに、具体的には、輝度効率を向上させるための有機層の組成設計に関する。
【0002】
【従来の技術】
有機発光ダイオード(OLED)は、有機エレクトロルミネセント(EL)デバイスとしても知られているが、デバイスへの印加電流に応じて発光する電子装置の一種である。OLEDデバイスの構造は、一般に、アノード、有機EL媒体およびカソードを含む。有機EL媒体とは、本明細書では、OLEDデバイスのアノードとカソードの間に配置された有機材料層または有機材料をさす。有機EL媒体は、低分子量化合物、高分子量ポリマー、低分子量化合物のオリゴマーまたはバイオマテリアルを薄膜またはバルク固体の形状で含むことができる。該媒体は非晶質であっても結晶性であってもよい。従来技術には各種構造の有機エレクトロルミネセント媒体が説明されている。Dresnerは、RCA Review, 30, 322 (1969)において、アントラセン被膜の単層を含む媒体について記載している。Tangらは、Applied Physics Letters, 51, 913 (1987)、Journal of Applied Physics, 65, 3610 (1989)および譲受人共通の米国特許第4,769,292号において、有機薄膜の多層構造によるEL媒体を報告し、このような媒体を使用した高効率OLEDデバイスを実証している。OLEDデバイス構造の中には、多層EL媒体が、アノードに隣接した正孔輸送層と、カソードに隣接した電子輸送層とを含み、これら2つの層の間に発光層が配置されているものもある。さらに、好ましいデバイス構造のなかには、発光層が、有機材料のホストにドーパントとして少量の蛍光化合物を含有させたドープ型有機被膜で構成されているものもある。このようなドープ型OLEDデバイスでは、ドーパント/ホスト組成を適切に選定することにより、EL効率および色度が改良される。所望のEL色を得るため、主要発光中心であるドーパントを選定する場合が多い。Tangらの譲受人共通の米国特許第4,769,292号およびChenらの譲受人共通の米国特許第5,908,581号に報告されているドープ型発光層の例として、緑色発光OLED用にクマリン色素をドープしたトリス(8-キノリノール)アルミニウム(AlQ)および橙/赤色発光OLED用に4-ジシアノメチレン-4H-ピラン(DCM)をドープしたAlQが挙げられる。ドープ型発光層の使用には、色度および輝度効率の向上の他にも顕著な利点がある。Shiらは、譲受人共通の米国特許第5,593,788号において、ドープ型発光層の使用によりOLEDデバイスの安定性が著しく向上したことを開示している。Shiらの開示によれば、AlQホストにドーパントとしてキナクリドン化合物を使用したことにより、OLEDデバイスの動作寿命が延びた。キナクリドン系ドーパントは緑色発光を高い輝度効率で提供した。Bryanらは、譲受人共通の米国特許第5,141,671号において、青色発光ホストにドーパントとしてペリレンまたはペリレン誘導体を含有させた発光層について開示している。彼等は、青色相が改良され、しかも動作安定性が向上したOLEDデバイスが得られたことを示している。いずれの開示においても、発光層に特定の蛍光性ドーパントを含めることにより、OLEDデバイスの性能パラメータの実質的に全体を改良することが見出されている。
【0003】
ドープ型発光層の最も一般的な組成は、ホスト母材にドーパントを1種類だけ含めたものである。しかしながら、場合によっては、発光層に2種以上のドーパントを含めることが、色相の改良にとって有益であることが知られている。このような場合の一つが、HamadaらのApplied Phys. Lett. 75, 1682 (1999)に報告されている。黄色発光性ドーパントのルブレンと、赤色発光性ドーパントのDCJ 4-(ジシアノメチレン)-2-メチル-6-[2-(4-ユロリジル)エテニル]-4H-ピランとをAlQホストに内蔵した発光層を使用したことにより、Hamadaらは、色度の優れた赤色発光性OLEDデバイスを製造することができた。その上、DCJドーパントの赤色相は、OLEDデバイスの発光出力強度とは無関係に、実質的に一定に保たれる。対照的に、AlQホストにDCJドーパントしか含有させない場合には、ドーパントDCJからの発光色は認知できるほどに青色シフトし、赤色相というよりは望ましくないオレンジ色で発光する。二元ドーパント系の場合、ルブレンは、AlQホストからDCJ発光体へのエネルギー伝達を仲介するコドーパントとして機能する。単一ドーパント系または二元ドーパント系のいずれにおいても、輝度効率が明るさの増大と共に、すなわち電流密度の増加と共に、低下する傾向にある。赤色発光性ドーパントを使用すると、通常は電流密度の増加と共に色相がオレンジ色の方へシフトする。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
各種組成によるドープ型発光層を使用することによりEL効率、色および安定性については著しく改良されているが、発光出力または駆動電流密度が増大するとEL効率が低下するという問題が、特に赤色発光性OLEDデバイスにおいて、いまだに残っている。
本発明の目的は、OLEDの発光出力強度とは実質的に関係なく輝度効率が向上したOLEDデバイスを提供することにある。
本発明の別の目的は、発光出力強度とは実質的に関係なく輝度効率が向上した赤色発光性OLEDデバイスを特に提供することにある。
本発明のさらに別の目的は、発光出力とは実質的に無関係な色度を有する赤色発光性OLEDデバイスを特に提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】
上述の目的は、
(a)基板と、
(b)該基板上に配置されたアノードおよびカソードと、
(c)該アノードと該カソードの間に配置された発光層であって、ホストおよび少なくとも1種のドーパントを含むものとを含んで成る有機発光デバイスにおいて、
(d)該発光層のホストが、2種以上の成分からなる混合物を含む固体有機材料を含有するように選定され、その際
(i)該混合物の第1成分は電子も正孔も輸送することができ、かつ、双極子モーメントが1デバイ未満である実質的に無極性のベンゼノイド化合物であってベンゼン、ナフタレン、フェナントレン、テトラセン、ピレン、ペンタセン、ペリレン、コロネン、クリセンおよびピセンの中から選ばれたものであり、かつ
(ii)該混合物の第2成分は、該発光層に対する体積分率が5〜40%の範囲内にあり、かつ、該第1成分よりも極性が大きい有機化合物であって、下記一般式:
【化3】
Figure 0004105434
(上式中、ZはO、NR”またはSを表し、RおよびR’は、各々独立に、水素、炭素原子数1〜24のアルキル基、炭素原子数5〜20のアリールもしくは異種原子置換型アリール基、ハロまたは、縮合芳香環を完成するのに必要な原子群を表し、そしてR”は水素、炭素原子数1〜24のアルキル基または炭素原子数5〜20のアリール基を表す。)
で表される複素環式ベンゼノイド、又は下記一般式:
【化4】
Figure 0004105434
(上式中、Meは金属を表し、nは1〜3の整数であり、そしてZは、各々独立して、2以上の縮合芳香環を有する核を完成する原子群を表す。)
で表されるオキシノイド化合物のいずれかであり、そして
(e)該発光層のドーパントが該発光デバイスの光を発するように選定されている
ことを特徴とする有機発光デバイスによって達成される。
【0006】
【発明の実施の形態】
図1に、本発明において実施される最も簡単な構造のOLEDデバイスを示す。この構造では、OLEDデバイス100は、基板110の上にアノード120、EL媒体130およびカソード140を配置してなる。動作時、電気導体10により外部電源をアノードとカソードに接続して電流をOLEDに流すことで、EL媒体から発光させる。発光は、所望により、また光学透明性に依存して、アノードまたはカソードの一方からでも双方からでも取り出すことができる。EL媒体は、単層または多層形態の有機材料を含む。
【0007】
図2に、本発明の別のOLEDデバイスの構造を示す。この構造では、OLEDデバイス200は、基板210およびアノード220とカソード240の間に配置されたEL媒体230を含む。EL媒体230は、アノードに隣接した正孔輸送層231、カソードに隣接した電子輸送層233および正孔輸送層と電子輸送層の間に配置された発光層232を含む。動作時、電気導体10により外部電源をアノードとカソードに接続して電流をOLEDに流す。電流がEL媒体を通過し、主として発光層232から発光が起こる。正孔輸送層231は、アノードから発光層へ正孔、すなわち正電荷キャリヤを運搬する。電子輸送層233は、カソードから発光層232へ電子、すなわち負電荷キャリヤを運搬する。正孔と電子が再結合することにより、発光層232から光、すなわちエレクトロルミネセンスが発生する。
【0008】
図3に、本発明のさらに別のOLEDデバイスの構造を示す。この構造では、OLEDデバイス300は、基板310およびアノード320とカソード340の間に配置されたEL媒体330を含む。EL媒体330は、正孔注入層331、正孔輸送層332、発光層333、電子輸送層334および電子注入層335を含む。図2のOLEDデバイス200と同様に、電子と正孔が再結合することにより、発光層333から発光する。正孔注入層331と電子注入層335を設けることにより、それぞれの電極からのキャリヤ注入に対する障壁を低くする。その結果、OLEDデバイスに必要な駆動電圧を下げることができる。
【0009】
本発明によると、発光層(図2の層232または図3の層333)がOLEDデバイスからのエレクトロルミネセンスを主に担う。この発光層について最も一般的に用いられている組成の一つは、ホストと一種以上のドーパントを含む有機薄膜である。ホストは、アノードとカソードから注入された電荷キャリヤの輸送および再結合のための固体媒体またはマトリックスとして働く。ドーパントは、通常はホスト内で均質に少量分布しており、光が発生する発光中心を提供する。本発明は、従来技術の教示に従ってホストとドーパントを含む発光層を使用するが、本発明によるホストは各々特定の電子特性を有する2種以上の成分を含む混合物である点で、従来技術とは区別される。これらのホスト成分および適合するドーパント材料の選定は、以下の基準に従う。
【0010】
1.ホストは、均一混合された2種以上のホスト成分を含む固体有機薄膜であること。
2.第1ホスト成分は、電子も正孔も輸送することができる有機化合物であって、その分子構造が実質的に無極性であること。
3.第2ホスト成分は、第1ホスト成分よりも極性が大きい分子構造を有する有機化合物であること。
4.ドーパントは、第1ホスト成分または第2ホスト成分のいずれかにおいて電子と正孔の再結合により放出されたエネルギーを受容して、そのエネルギーを光として放出することができる発光性有機化合物であること。
【0011】
本発明の選定基準に従い、優れた輝度効率および色度を有するOLEDデバイスを構築した。カンデラ/アンペアで測定された輝度効率が広範囲にわたる明るさまたは電流密度について実質的に一定であることが一層重要である。この点で本発明は、明るさまたは電流密度が増加すると輝度効率がしばしば低下するか、そうでなくても変動する従来技術よりも明らかに有利である。別の重要な利点は、色度も、明るさまたは電流密度とは無関係に実質的に一定に保たれることである。このため、OLEDデバイスの明るさと共に色がシフトするという問題が解消する。
【0012】
本発明の発光層の第1ホスト成分として好適な材料には、本発明の目的のためベンゼノイド化合物と称する一群の化合物が含まれる。該ベンゼノイド化合物は、多環式炭化水素(PAH)および2種以上のPAHの組合せを含んで成る。2種以上のPAHを組み合わせて形成されるベンゼノイド化合物においては、PAH同士が、単結合によって結合されているか、または飽和もしくは不飽和炭化水素基を介して連結されている。ベンゼノイド化合物の構成ブロックとして有用なPAHの一覧を以下に示す。
【0013】
1.ベンゼン
2.ナフタレン
3.アントラセン
4.フェナントレン
5.テトラセン
6.ピレン
7.ペンタセン
8.ペリレン
9.コロネン
10.クリセン
11.ピセン
12.ペリシクレン(Pericyclene)
【0014】
上記PAHのいずれでも、また上記PAHの一種以上を組み合わせて形成されるいずれのベンゼノイド化合物でも、第1ホスト成分として有用であるが、該化合物は室温において被膜形成性であることも必要である。通常、PAH基に含まれる6員環の総数が5以上であるベンゼノイド化合物は被膜形成性である。
【0015】
PAH同士が単結合で結合されている有用なベンゼノイド化合物の代表例を以下に示す。
1)ヘキサフェニルベンゼン
2)ベンゼン-アントラセン-ベンゼン(例、9,10-ジフェニルアントラセン)
3)ナフタレン-アントラセン-ナフタレン(例、9,10-ビス(2-ナフチル)アントラセン)
4)(ベンゼン)2-テトラセン-(ベンゼン)2(例、ルブレン)
5)アントラセン-アントラセン(例、ビアントリル)
6)アントラセン-アントラセン-アントラセン(例、9,10-ジアントリルアントラセン)
7)ピレン-ペリレン
8)ペリレン-アントラセン
【0016】
上記の例において、ハイフン(-)はPAH部分間の単結合を表す。有用なベンゼノイド化合物には、複数のPAH基が1以上の炭化水素基で連結されているものも含まれる。1以上の炭化水素基で置換された上記ベンゼノイドのいずれも有用である。
本発明の発光層の第1ホスト成分として特に好適な材料には、以下の構造を有するベンゼノイド化合物が含まれる。
【0017】
【化3】
Figure 0004105434
【0018】
上式中、置換基R1、R2、R3およびR4は、各々独立に、水素、炭素原子数1〜24のアルキル基、アリール基または炭素原子数5〜30の置換アリール基を表す。
特に好適な材料の具体例を、その化学名および略号と共に以下に示す。
【0019】
【化4】
Figure 0004105434
【0020】
【化5】
Figure 0004105434
【0021】
第1ホスト成分の具体的選定基準の一つは、当該化合物の分子構造が実質的に無極性でなければならないことである。化合物の極性は、当該分子内の電荷分布の測定値である。無極性または実質的に無極性の分子は、各原子が電気的に概ね中性である構造を有する。対照的に、極性化合物は、一部の原子が正または負の部分電荷を有する分子構造を有する。分子の極性は、場合によっては、単位デバイで定義される双極子モーメントの大きさによって表すこともできる。参照のため、Handbook of Chemistry and Physics、第51版、第E70頁に、多数の有機化合物の双極子モーメント値が掲載されている。無極性分子の双極子モーメント値は通常1.0デバイ未満である。
【0022】
有機化合物の中には、個々の基としてはかなり極性が大きい各種部分または原子基を含有することができるが該分子の平均双極子モーメントは比較的小さくなり得るような分子構造をとるものもある。その理由は、分子構造内の個々の部分の双極子モーメントが互いに対向し、これらの双極子モーメントが相殺される場合があるからである。分子内の各種原子基の双極子モーメントの値は、基双極子モーメントとして知られているが、V.I. Minkin、O.A. OsipovおよびY.A. Zhdanovの本Dipole Moments in Organic Chemistryに記載されている。OLEDに有用な分子の無極性または極性を記述する正味および基双極子モーメントの使用のさらなる例が、YoungおよびFitzgeraldのJournal of Physical Chemistry, 99, 4230 (1995)に記載されている。
【0023】
本明細書では、分子内の部分または原子基の双極子モーメントを基双極子モーメントと称する。分子全体の双極子モーメントを分子の正味の双極子モーメントと称する。有機化合物が本明細書でいう実質的に無極性であるというためには、基双極子モーメントまたは分子の正味の双極子モーメントが1デバイ未満でなければならない。
【0024】
本発明における第1ホスト成分として有用であると認められたベンゼノイド化合物のほとんどすべてが、1デバイ未満の双極子モーメントを示し、かつ、これら化合物に含まれる原子基もまた1デバイ未満の双極子モーメントを示す。多くの代表的ベンゼノイド、例えば、ナフタレン、アントラセンおよびペリレンは、基双極子モーメントも正味の双極子モーメントも実際上ゼロである。このような無極性基準を満たす他の有機化合物もまた有用である。
【0025】
本発明の発光層の第2ホスト成分のための材料には、双極子モーメントが第1ホスト成分のそれよりも高い有機化合物が含まれる。上述したように、分子の正味の双極子モーメント値と基双極子モーメント値とはまったく異なることがある。有機化合物が第2ホスト成分として有用であるというためには、該分子の正味の双極子モーメントまたは個々の基双極子モーメントのいずれかが、第1ホスト成分に用いた分子の正味の双極子モーメントまたは個々の基双極子モーメントのいずれかよりも大きいことだけが必要である。発光層の第2ホスト成分として有用な分子の個々の基双極子モーメントまたは正味の双極子モーメントのデバイ値は0.5以上であることが好ましい。
【0026】
第2ホスト成分のバンドギャップは第1ホスト成分のそれよりも小さいことが好ましい。バンドギャップは、分子の最高被占軌道から最低空軌道へ電子を運搬するのに要するエネルギーとして定義される。この条件により、第1ホスト成分から第2ホスト成分へのエネルギー伝達が有利になり、第1ホスト成分において電子と正孔の再結合により生じたエネルギーを第2ホスト成分へ伝達させ、続いて発光性ドーパントへ伝達させ得ることが確実になる。
【0027】
第2ホスト成分についてバンドギャップの小さい材料を選択する別の理由は、第2ホスト成分が正孔トラップ、電子トラップまたはその両方として働き得ることにある。注入されたキャリヤを直接第2ホスト成分において捕捉することは、第2ホスト成分における電子-正孔再結合を促進し、第1ホスト成分におけるキャリヤ再結合の必要性を簡略化するので有益である。この条件下では、第1ホスト成分はキャリヤ輸送のみに関して必要となる。
【0028】
発光層に含まれる第2ホスト成分として有用な材料には、分子構造内に1種以上の電子供与性部分または電子吸引性部分を含めることにより極性を一層高めたベンゼノイドが含まれる。電子供与性部分にはアミノ、アルキルアミノ、アリールアミノ、ジアルキルアミノ、ジアリールアミノ、メトキシおよびフェノキシが含まれる。電子吸引性部分にはシアノ、ニトロ、フルオロ、クロロ、ケト、カルボキシルおよびピリジルが含まれる。
【0029】
第2ホスト成分として有用な別種の材料に、複素環式構造を含むベンゼノイドがある。これらの構造には、下記一般式で表されるベンゾオキサゾリル並びにそのチオおよびアミノ類似体が包含される。
【0030】
【化6】
Figure 0004105434
【0031】
上式中、ZはO、NR”またはSを表し、RおよびR’は、各々独立に、水素、炭素原子数1〜24のアルキル基、炭素原子数5〜20のアリールもしくは異種原子置換型アリール基、ハロまたは、縮合芳香環を完成するのに必要な原子群を表し、そしてR”は水素、炭素原子数1〜24のアルキル基または炭素原子数5〜20のアリール基を表す。
【0032】
上記構造のベンズイミダゾール基の双極子モーメントの概算値は、報文(A.L. McClellan編、Freeman, 1963, p. 238の双極子モーメント実測値表)によると約4デバイである。
第2ホスト成分として好適な別種の材料にオキシノイド化合物がある。企図されるオキシノド化合物の例は、下記構造式を満たす化合物である。
【0033】
【化7】
Figure 0004105434
【0034】
上式中、Meは金属を表し、nは1〜3の整数であり、そしてZは、各々独立して、2以上の縮合芳香環を有する核を完成する原子群を表す。
上記事項から、該金属が1価、2価または3価のいずれであってもよいことは明らかである。該金属は、例えば、リチウム、ナトリウムもしくはカリウムのようなアルカリ金属、マグネシウムもしくはカルシウムのようなアルカリ土類金属またはホウ素もしくはアルミニウムのような土類金属であることができる。一般に、有用なキレート化金属であるとして知られている1価、2価または3価のいずれの金属でも使用することができる。
【0035】
Zは、2以上の縮合芳香環であってその少なくとも一つがアゾール環またはアジン環であるものを含有する複素環式核を完成する。この2つの必須環に、必要に応じて、脂肪族環でも芳香環でもよい追加の環を縮合させることができる。機能の向上を伴わずに分子の嵩高さが増大することを避けるため、環構成原子の数を18以下に維持することが好ましい。
【0036】
有用なキレート化オキシノイド化合物の例とその略称を以下に示す。
トリス(8-キノリノール)アルミニウム(AlQ)
ビス(8-キノリノール)マグネシウム(MgQ)
トリス(8-キノリノール)インジウム(InQ)
8-キノリノールリチウム(LiQ)
【0037】
発光層に含まれるドーパントの材料選定基準は、
1)ドーパント分子が発光層において高い蛍光またはりん光効率を示すこと、並びに
2)該分子が第1ホスト材料および第2ホスト材料のいずれよりも小さいバンドギャップを有すること
である。
赤色発光性OLEDの場合、本発明の好適な種類のドーパントは下記一般式で表される。
【0038】
【化8】
Figure 0004105434
【0039】
上式中、R1、R2、R3およびR4は、各々独立に、炭素原子数1〜10のアルキル基を表し、R5は、炭素原子数2〜20のアルキル基、アリール基、立体妨害型アリールまたはヘテロアリールを表し、そしてR6は、炭素原子数1〜10のアルキル基またはR5と連結する5員もしくは6員の炭素環式環を表す。
これらの材料は、溶液中で1(unity)程度の高い蛍光効率を示し、かつ、橙色/赤色分光領域の光を発する。この種の代表的材料とその略称を以下に示す。
【0040】
【化9】
Figure 0004105434
【化10】
Figure 0004105434
【0041】
本発明におけるドーパントとして有用な別種の蛍光材料として、下記一般式で表される化合物が含まれる。
【0042】
【化11】
Figure 0004105434
【0043】
上式中、XはSまたはOを表し、R1およびR2は、各々独立に、炭素原子数1〜20のアルキル基、アリール基または炭素環式系を表し、R3およびR4は、各々独立に、炭素原子数1〜10のアルキル基、またはそれぞれR1、R2に連結する分岐または非分岐型の5員または6員置換環を表し、そしてR5およびR6は、各々独立に、分岐していてもよい炭素原子数1〜20のアルキル基を表す。
この種の代表的材料とその略称を以下に示す。
【0044】
【化12】
Figure 0004105434
【0045】
本発明の発光層の組成は、第1ホスト成分が最大体積分率を構成し、第2ホスト成分がそれに続く。ドーパントは最小体積分率を構成する。第1ホスト成分の体積分率の好適な範囲は約50%〜95%である。第2ホスト成分の体積分率の好適な範囲は約5%〜約40%である。ドーパントの体積分率の好適な範囲は、0.1%〜10%である。本発明において有用な発光層の厚さは50Å〜2000Åの範囲内である。この範囲内の厚さは、電荷キャリヤの再結合を可能ならしめるに十分な大きさであるため、エレクトロルミネセンスはもっぱら該層において起こる。好適な範囲は100Å〜500Åである。この範囲内では、駆動電圧をはじめとするOLEDデバイスの性能パラメータが全体として最適化される。
【0046】
本発明の発光層を形成するために有用な方法は、真空室内での蒸着法である。この方法はOLEDデバイスの製造に特に有用であり、有機層をはじめとする層構造を、層間に有意な干渉をもたらすことなく、基板上に逐次付着することができる。個別の層の厚さとその組成は、蒸着プロセスにおいて精密に制御することができる。所望の組成の発光層を作製するため、各成分の蒸着速度を蒸着速度モニターにより独立して制御する。
【0047】
図2を参照する。正孔輸送層231と電子輸送層233は、それぞれ正孔と電子を発光層232へ輸送する機能を有する。OLEDデバイスにおいてこれらの層を使用することおよびその材料組成については、Tangらの譲受人共通の米国特許第4,769,292号に記載されており、その記載事項を本明細書の一部とする。典型的な正孔輸送層は、正孔輸送性化合物のNPB、N,N’-ビス(1-ナフチル)-N,N’-ジフェニルベンジジンを含む。
【0048】
図3を参照する。正孔注入層331および電子注入層335は、それぞれアノードからの正孔注入性およびカソード340からの電子注入性を改良する機能を有する。OLEDデバイスにおいて正孔注入層を使用することについては、Van Slykeらの譲受人共通の米国特許第4,720,432号に記載されており、その記載事項を本明細書の一部とする。電子注入層を使用することについては、Hungらの譲受人共通の米国特許第5,776,622号に記載されており、その記載事項を本明細書の一部とする。
【0049】
【実施例】
例1(比較例)
OLEDデバイスを以下のように製造した。透明なインジウム錫酸化物(ITO)導電層を被覆したガラス基板を市販のガラス製スクラバー工具で洗浄して乾燥した。次いで、ITO面を酸化的プラズマで処理し、アノードとしての表面状態を調節した。常用の真空蒸着室内で約10-6torrの真空下で加熱されたるつぼボートから昇華させることにより、下記の層を順に蒸着した:(1)NPBからなる厚さ700Åの正孔輸送層、(2)単一ホスト材料としてのTBADNとドーパントとしての1%DCJTBとからなる厚さ350Åの発光層、(3)AlQからなる厚さ400Åの電子輸送層、および(4)マグネシウムと銀の合金(Mg:Ag体積比約10:1)からなる厚さ約2200Åのカソード。
【0050】
このデバイスのEL特性を、一定電源および光度計を使用して評価した。比較的低い電流密度の1mA/cm2と比較的高い電流密度の100mA/cm2とにおいて、効率、CIE色度座標および駆動電圧を測定した。これらの値を表1に示す。
【0051】
例2
例1(比較例)のものと同様のOLEDデバイスを構築したが、但し、発光層において、第1ホスト成分としてTBADNを、第2ホスト成分としてAlQを、そして蛍光ドーパントとしてDCJTBを使用した。TBADN、AlQおよびDCJTBの相対量は体積比で89:10:1とした。このデバイスのEL特性を表1に示す。
【0052】
例3〜5
例2のものと同様のOLEDデバイスを構築したが、但し、発光層中のTBADN、AlQおよびDCJTBの相対量を、例3では74:25:1に、例4では49:50:1に、そして例5では25:74:1に変更した。これらのデバイスのEL特性を表1に示す。
【0053】
例6(比較例)
例1(比較例)のものと同様のOLEDデバイスを構築したが、但し、発光層中の単一ホスト材料をTBADNではなくAlQとした。このデバイスのEL特性を表1に示す。
【0054】
【表1】
Figure 0004105434
【0055】
比較例の例1および例6は、単一ホスト材料を使用したOLEDデバイスの輝度効率が比較的低いこと(単一ホスト材料がTBADNである例1の場合4cd/A未満、単一ホスト材料がAlQである例6の場合2.5 cd/A未満)を示している。対照的に、第1ホスト材料と第2ホスト材料の混合物を使用したOLEDデバイスの輝度効率は顕著に高くなった(すべての実施例で3cd/Aを超え、例2では5.93 cd/Aもの高さを示した)。例2〜5において、第1ホスト材料のTBADNは実質的に無極性のベンゼノイド系炭化水素である。第2ホスト材料のAlQは、双極子モーメントが5.5デバイであり、比較的極性が高い。TBADN、AlQおよびDCJTBのバンドギャップ値は、それぞれ3.2、2.8および2.4電子ボルトである。
【0056】
低電流密度および高電流密度における輝度効率は、発光層にホスト成分混合物を使用したOLEDデバイス(例2、3、4)において一般に最高となる。単一ホスト成分を使用したOLEDデバイス(比較例の例1と例6)の場合、輝度効率は相当に低くなる。その上、例6のOLEDデバイスは、電流密度の増大に伴ない輝度効率が大幅に低下した。さらに、色度座標CIExおよびCIEyによると、OLEDデバイスの発光色が、発光層中の第2ホスト成分濃度の増加に伴ない赤色シフトする。
【0057】
例7〜10
例2〜5のものと同様のOLEDデバイスを構築したが、但し、第1ホスト材料をADNに変更した。また、第2ホスト材料はAlQとし、蛍光ドーパントはDCJTBとした。発光層の組成およびこれらのデバイスのEL特性を表2に示す。例1〜6におけるTBADN:AlQについて下した推断と同様の推断を、ADN:AlQ混合ホストについて下すことができる。
【0058】
【表2】
Figure 0004105434
【0059】
例11(比較例)
比較例の例1のものと同様のOLEDデバイスを構築したが、但し、発光層中の単一ホスト材料をTBADNではなくADNとし、かつ、蛍光ドーパントをDCJTBではなくC-545Tとした。このデバイスのEL特性を表3に示す。
例12〜14
比較例の例11のものと同様のOLEDデバイスを構築したが、但し、発光層中の第1ホスト成分の材料をADNとし、かつ、第2ホスト成分の材料をAlQとした。発光層の組成およびこれらデバイスのEL特性を表3に示す。
【0060】
【表3】
Figure 0004105434
【0061】
例12〜14を比較例の例11と比較すると、第1ホスト成分と第2ホスト成分としてADNとAlQの混合物を使用したOLEDデバイスの輝度効率は、ADNを単一ホスト材料として使用したデバイスよりも相当高くなることが示される。さらに、CIExおよびCIEy色度座標は、飽和度の高い緑色相を示している。
【0062】
【発明の効果】
本発明の利点は、発光層に含まれる第1および第2ホスト成分並びにドーパントを適切に選定することにより、輝度効率の高いOLEDデバイスが得られることにある。
本発明の別の利点は、OLEDデバイスの発光出力強度との関係が比較的薄い輝度効率を示すOLEDデバイスが得られることにある。
本発明のさらに別の利点は、OLEDデバイスの発光出力強度とは実質的に無関係の色度を示すOLEDデバイスが得られることにある。
本発明のさらなる利点として、優れた効率および色度を示す赤色発光性OLEDデバイスが得られることが挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【図1】有機EL媒体を含むOLEDの構造を示す略図である。
【図2】有機EL媒体の構成が異なるOLEDの構造を示す略図である。
【図3】有機EL媒体の構成が異なるOLEDの構造を示す略図である。
【符号の説明】
10…電気導体
100…OLEDデバイス
110…基板
120…アノード
130…EL媒体
140…カソード
200…OLEDデバイス
210…基板
220…アノード
230…EL媒体
231…正孔輸送層
232…発光層
233…電子輸送層
240…カソード
300…OLEDデバイス
310…基板
320…アノード
330…EL媒体
331…正孔注入層
332…正孔輸送層
333…発光層
334…電子輸送層
335…電子注入層
340…カソード

Claims (6)

  1. (a)基板と、
    (b)該基板上に配置されたアノードおよびカソードと、
    (c)該アノードと該カソードの間に配置された発光層であって、ホストおよび少なくとも1種のドーパントを含むものとを含んで成る有機発光デバイスにおいて、
    (d)該発光層のホストが、2種以上の成分からなる混合物を含む固体有機材料を含有するように選定され、その際、
    (i)該混合物の第1成分は電子も正孔も輸送することができ、かつ、双極子モーメントが1デバイ未満である実質的に無極性のベンゼノイド化合物であってベンゼン、ナフタレン、フェナントレン、テトラセン、ピレン、ペンタセン、ペリレン、コロネン、クリセンおよびピセンの中から選ばれたものであり、かつ
    (ii)該混合物の第2成分は、該発光層に対する体積分率が5〜40%の範囲内にあり、かつ、該第1成分よりも極性が大きい有機化合物であって、下記一般式:
    Figure 0004105434
    (上式中、ZはO、NR”またはSを表し、RおよびR’は、各々独立に、水素、炭素原子数1〜24のアルキル基、炭素原子数5〜20のアリールもしくは異種原子置換型アリール基、ハロまたは、縮合芳香環を完成するのに必要な原子群を表し、そしてR”は水素、炭素原子数1〜24のアルキル基または炭素原子数5〜20のアリール基を表す。)
    で表される複素環式ベンゼノイド、又は下記一般式:
    Figure 0004105434
    (上式中、Meは金属を表し、nは1〜3の整数であり、そしてZは、各々独立して、2以上の縮合芳香環を有する核を完成する原子群を表す。)
    で表されるオキシノイド化合物のいずれかであり、そして
    (e)該発光層のドーパントが該発光デバイスの光を発するように選定されている
    ことを特徴とする有機発光デバイス。
  2. 前記第2成分のバンドギャップが前記第1成分のそれよりも小さい、請求項1記載の有機発光デバイス。
  3. 前記発光層のドーパントのバンドギャップが前記ホストの第1成分および第2成分のそれよりも小さい、請求項1記載の有機発光デバイス。
  4. 前記第2成分の双極子モーメントが0.5デバイ以上である、請求項1記載の有機発光デバイス。
  5. 前記第2成分の分子内の部分の双極子モーメントが0.5デバイ以上である、請求項1記載の有機発光デバイス。
  6. 前記第1ホスト成分が前記ベンゼノイド化合物を含み、かつ、前記第2成分が前記オキシノイド化合物を含む、請求項1記載の有機発光デバイス。
JP2001399758A 2001-01-02 2001-12-28 有機発光デバイス Expired - Lifetime JP4105434B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/753091 2001-01-02
US09/753,091 US6720090B2 (en) 2001-01-02 2001-01-02 Organic light emitting diode devices with improved luminance efficiency

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2002260861A JP2002260861A (ja) 2002-09-13
JP2002260861A5 JP2002260861A5 (ja) 2005-07-28
JP4105434B2 true JP4105434B2 (ja) 2008-06-25

Family

ID=25029115

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001399758A Expired - Lifetime JP4105434B2 (ja) 2001-01-02 2001-12-28 有機発光デバイス

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6720090B2 (ja)
EP (1) EP1221473B1 (ja)
JP (1) JP4105434B2 (ja)
KR (1) KR100843826B1 (ja)
CN (1) CN1311567C (ja)
DE (1) DE60122852T2 (ja)
TW (1) TW520612B (ja)

Families Citing this family (130)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100721656B1 (ko) 2005-11-01 2007-05-23 주식회사 엘지화학 유기 전기 소자
AU2002306698A1 (en) * 2001-03-14 2002-09-24 The Trustees Of Princeton University Materials and devices for blue phosphorescence based organic light emitting diodes
US6565996B2 (en) * 2001-06-06 2003-05-20 Eastman Kodak Company Organic light-emitting device having a color-neutral dopant in a hole-transport layer and/or in an electron-transport layer
US6727644B2 (en) * 2001-08-06 2004-04-27 Eastman Kodak Company Organic light-emitting device having a color-neutral dopant in an emission layer and in a hole and/or electron transport sublayer
US10211268B1 (en) 2012-09-28 2019-02-19 Imaging Systems Technology, Inc. Large area OLED display
KR100577179B1 (ko) * 2001-10-30 2006-05-10 엘지전자 주식회사 유기 전계 발광 소자
US7405188B2 (en) * 2001-12-12 2008-07-29 Wsp Chemicals & Technology, Llc Polymeric gel system and compositions for treating keratin substrates containing same
TWI314947B (en) * 2002-04-24 2009-09-21 Eastman Kodak Compan Organic light emitting diode devices with improved operational stability
US6841267B2 (en) * 2002-04-24 2005-01-11 Eastman Kodak Company Efficient electroluminescent device
AU2003230308A1 (en) * 2002-05-07 2003-11-11 Lg Chem, Ltd. New organic compounds for electroluminescence and organic electroluminescent devices using the same
US20040001969A1 (en) * 2002-06-27 2004-01-01 Eastman Kodak Company Device containing green organic light-emitting diode
US7169482B2 (en) * 2002-07-26 2007-01-30 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Display device with anthracene and triazine derivatives
US7061175B2 (en) * 2002-08-16 2006-06-13 Universal Display Corporation Efficiency transparent cathode
US20040067302A1 (en) * 2002-10-08 2004-04-08 Eastman Kodak Company Laser thermal transfer gap control for oled manufacturing
EP2762546B1 (en) 2002-11-26 2018-06-06 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element, and display and illuminator
US20040126617A1 (en) * 2002-12-31 2004-07-01 Eastman Kodak Company Efficient electroluminescent device
US7037600B2 (en) * 2003-03-18 2006-05-02 City University Of Hong Kong Red-emitting organic electroluminescent elements
US6902833B2 (en) * 2003-04-01 2005-06-07 University Of Southern California Materials and structures for enhancing the performance or organic light emitting devices
WO2004095890A1 (ja) 2003-04-23 2004-11-04 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置、表示装置
US6836495B2 (en) * 2003-05-07 2004-12-28 Eastman Kodak Company Vertical cavity laser including inorganic spacer layers
JP4446697B2 (ja) * 2003-07-29 2010-04-07 大日本印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
KR101246247B1 (ko) * 2003-08-29 2013-03-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전계발광소자 및 그것을 구비한 발광장치
JP2005100977A (ja) * 2003-08-29 2005-04-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電界発光素子およびそれを用いた発光装置
WO2005029923A1 (en) 2003-09-24 2005-03-31 Fuji Photo Film Co., Ltd. Electroluminescent device
US20050069727A1 (en) * 2003-09-30 2005-03-31 Rahul Gupta Oled emissive polymer layer
JP2005108746A (ja) * 2003-10-01 2005-04-21 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 有機エレクトロ・ルミネッセンス素子および有機エレクトロ・ルミネッセンス素子の製造方法
US7175922B2 (en) * 2003-10-22 2007-02-13 Eastman Kodak Company Aggregate organic light emitting diode devices with improved operational stability
US7898168B2 (en) * 2003-10-27 2011-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic electroluminescent device having light-emitting layer with guest dopant
US9085729B2 (en) * 2004-02-09 2015-07-21 Lg Display Co., Ltd. Blue emitters for use in organic electroluminescence devices
US7045952B2 (en) * 2004-03-04 2006-05-16 Universal Display Corporation OLEDs with mixed host emissive layer
US8129906B1 (en) 2004-04-26 2012-03-06 Imaging Systems Technology, Inc. Lumino-shells
TWI373506B (en) 2004-05-21 2012-10-01 Toray Industries Light-emitting element material and light-emitting material
US20060003487A1 (en) * 2004-06-30 2006-01-05 Intel Corporation Low power consumption OLED material for display applications
EP2271183B1 (en) 2004-07-23 2015-03-18 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element, display and illuminator
KR100669717B1 (ko) * 2004-07-29 2007-01-16 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자
US20060088730A1 (en) * 2004-10-25 2006-04-27 Eastman Kodak Company Organic light-emitting devices with improved performance
WO2006059734A1 (en) * 2004-11-30 2006-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element and light emitting device having the light emitting element
TWI299355B (en) * 2005-01-20 2008-08-01 Au Optronics Corp Organic light emitting diode and display including the same
US8057916B2 (en) * 2005-04-20 2011-11-15 Global Oled Technology, Llc. OLED device with improved performance
US20060240281A1 (en) * 2005-04-21 2006-10-26 Eastman Kodak Company Contaminant-scavenging layer on OLED anodes
US8324660B2 (en) 2005-05-17 2012-12-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication
US9153645B2 (en) 2005-05-17 2015-10-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication
TWI333392B (en) * 2005-05-25 2010-11-11 Au Optronics Corp Emission layer and organic light emitting diode using thereof
JP5076891B2 (ja) 2005-07-01 2012-11-21 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JPWO2007055186A1 (ja) 2005-11-09 2009-04-30 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
USRE44831E1 (en) 2006-01-05 2014-04-08 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent device, display, and illuminating device
JP2009524189A (ja) 2006-01-18 2009-06-25 エルジー・ケム・リミテッド 積層型有機発光素子
JP5520479B2 (ja) 2006-02-20 2014-06-11 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、白色発光素子、及び照明装置
EP1998387B1 (en) 2006-03-17 2015-04-22 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent device, display and illuminating device
US8920942B2 (en) 2006-03-23 2014-12-30 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element, display device and illuminating device
WO2007112066A2 (en) 2006-03-24 2007-10-04 Amberwave Systems Corporation Lattice-mismatched semiconductor structures and related methods for device fabrication
EP3093898B1 (en) 2006-03-30 2017-12-13 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescence device and lighting device
WO2007119473A1 (ja) 2006-03-30 2007-10-25 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、照明装置及びディスプレイ装置
EP2016633A1 (en) 2006-05-08 2009-01-21 Eastman Kodak Company Oled electron-injecting layer
US7667391B2 (en) * 2006-08-04 2010-02-23 Eastman Kodak Company Electrically excited organic light-emitting diodes with spatial and spectral coherence
WO2008030574A1 (en) 2006-09-07 2008-03-13 Amberwave Systems Corporation Defect reduction using aspect ratio trapping
WO2008039534A2 (en) 2006-09-27 2008-04-03 Amberwave Systems Corporation Quantum tunneling devices and circuits with lattice- mismatched semiconductor structures
WO2008051503A2 (en) 2006-10-19 2008-05-02 Amberwave Systems Corporation Light-emitter-based devices with lattice-mismatched semiconductor structures
US8945722B2 (en) * 2006-10-27 2015-02-03 The University Of Southern California Materials and architectures for efficient harvesting of singlet and triplet excitons for white light emitting OLEDs
US9397308B2 (en) * 2006-12-04 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device, and electronic device
US8541112B2 (en) 2006-12-13 2013-09-24 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element, display device and lighting device
JP2008195841A (ja) * 2007-02-14 2008-08-28 Toray Ind Inc 発光素子材料および発光素子
EP2117063B1 (en) 2007-02-19 2012-09-26 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Organic electroluminescence element
US9508890B2 (en) 2007-04-09 2016-11-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photovoltaics on silicon
US8237151B2 (en) 2009-01-09 2012-08-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Diode-based devices and methods for making the same
US7825328B2 (en) 2007-04-09 2010-11-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Nitride-based multi-junction solar cell modules and methods for making the same
US8304805B2 (en) 2009-01-09 2012-11-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor diodes fabricated by aspect ratio trapping with coalesced films
US8329541B2 (en) 2007-06-15 2012-12-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. InP-based transistor fabrication
WO2009008198A1 (ja) * 2007-07-07 2009-01-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. ナフタレン誘導体、有機el素子用材料及びそれを用いた有機el素子
CN101884117B (zh) 2007-09-07 2013-10-02 台湾积体电路制造股份有限公司 多结太阳能电池
EP2460866B1 (en) 2008-05-13 2019-12-11 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element, display device and lighting device
DE102008039361A1 (de) * 2008-05-30 2009-12-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektronische Vorrichtung
US8183667B2 (en) 2008-06-03 2012-05-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Epitaxial growth of crystalline material
US8274097B2 (en) 2008-07-01 2012-09-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Reduction of edge effects from aspect ratio trapping
US8981427B2 (en) 2008-07-15 2015-03-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Polishing of small composite semiconductor materials
US8034697B2 (en) 2008-09-19 2011-10-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Formation of devices by epitaxial layer overgrowth
US20100072515A1 (en) 2008-09-19 2010-03-25 Amberwave Systems Corporation Fabrication and structures of crystalline material
US8253211B2 (en) 2008-09-24 2012-08-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor sensor structures with reduced dislocation defect densities
JP5472121B2 (ja) 2009-01-28 2014-04-16 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置および照明装置、ならびに有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
EP3046156A1 (en) 2009-02-06 2016-07-20 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element, and illumination device and display device each comprising the element
WO2010114956A1 (en) 2009-04-02 2010-10-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Devices formed from a non-polar plane of a crystalline material and method of making the same
US8283054B2 (en) * 2009-04-03 2012-10-09 Global Oled Technology Llc Tandem white OLED with efficient electron transfer
JP5472301B2 (ja) 2009-07-07 2014-04-16 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、新規な化合物、照明装置及び表示装置
US8456081B2 (en) * 2010-06-03 2013-06-04 The University Of Southern California Ultrabright fluorescent OLEDS using triplet sinks
KR101753172B1 (ko) * 2010-08-20 2017-07-04 유니버셜 디스플레이 코포레이션 Oled를 위한 바이카르바졸 화합물
TW201211204A (en) * 2010-08-24 2012-03-16 Du Pont Photoactive composition and electronic device made with the composition
US8759826B2 (en) 2010-10-22 2014-06-24 Konica Minolta, Inc. Organic electroluminescent element
US8269230B2 (en) 2010-12-16 2012-09-18 National Yunlin University Of Science And Technology Multilayer-doped organic light emitting diode structure
JP5817742B2 (ja) 2011-02-15 2015-11-18 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置
JP5853964B2 (ja) 2011-02-16 2016-02-09 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
WO2012137675A1 (ja) 2011-04-06 2012-10-11 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子
EP2709182A4 (en) 2011-05-10 2014-11-26 Konica Minolta Inc PHOSPHORESCENT ORGANIC ELECTROLUMINESCENE ELEMENT AND LIGHTING DEVICE THEREWITH
JP5958464B2 (ja) 2011-06-28 2016-08-02 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP5742586B2 (ja) 2011-08-25 2015-07-01 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
US9437833B2 (en) 2011-08-30 2016-09-06 Konica Minolta, Inc. Organic electroluminescence element
WO2013035490A1 (ja) 2011-09-07 2013-03-14 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
WO2013042446A1 (ja) 2011-09-21 2013-03-28 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置および照明装置
US8654806B2 (en) 2011-10-27 2014-02-18 The Regents Of The University Of Michigan Organic semiconductor lasers by triplet managers
WO2013073301A1 (ja) 2011-11-14 2013-05-23 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、及び、面状発光体
US9236583B2 (en) 2011-11-14 2016-01-12 Konica Minolta, Inc. Organic electroluminescent element and planar light-emitting unit
WO2013073356A1 (ja) 2011-11-17 2013-05-23 コニカミノルタ株式会社 透明電極、および電子デバイス
US20150001516A1 (en) 2011-12-27 2015-01-01 Konica Minolta, Inc. Transparent electrode, electronic device, organic electroluminescence element, and method for manufacturing organic electroluminescence elements
JP5978843B2 (ja) 2012-02-02 2016-08-24 コニカミノルタ株式会社 イリジウム錯体化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
WO2013141057A1 (ja) 2012-03-21 2013-09-26 コニカミノルタ株式会社 有機電界発光素子
JP6003981B2 (ja) 2012-04-23 2016-10-05 コニカミノルタ株式会社 透明電極、電子デバイス、および有機電界発光素子
WO2013161603A1 (ja) 2012-04-24 2013-10-31 コニカミノルタ株式会社 透明電極、電子デバイス、および透明電極の製造方法
JP6156366B2 (ja) 2012-04-25 2017-07-05 コニカミノルタ株式会社 ガスバリア性フィルム、電子デバイス用基板および電子デバイス
JP5880274B2 (ja) 2012-05-21 2016-03-08 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
JP5849867B2 (ja) 2012-06-21 2016-02-03 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
WO2014024668A1 (ja) 2012-08-07 2014-02-13 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
EP2890221A4 (en) 2012-08-24 2016-09-14 Konica Minolta Inc TRANSPARENT ELECTRODE, ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING THE TRANSPARENT ELECTRODE
EP2894686B1 (en) 2012-09-04 2018-01-03 Konica Minolta, Inc. Organic electroluminescent element, lighting device and display device
KR101751150B1 (ko) 2012-12-10 2017-06-26 코니카 미놀타 가부시키가이샤 유기 일렉트로루미네센스 소자, 조명 장치 및 표시 장치
KR20170127065A (ko) 2012-12-10 2017-11-20 코니카 미놀타 가부시키가이샤 유기 일렉트로루미네센스 소자 재료, 유기 일렉트로루미네센스 소자, 조명 장치 및 표시 장치
KR20150121107A (ko) 2013-03-29 2015-10-28 코니카 미놀타 가부시키가이샤 이성체 혼합 금속 착체 조성물, 유기 일렉트로루미네센스 소자, 조명 장치 및 표시 장치
JP6314599B2 (ja) 2013-03-29 2018-04-25 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス用化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子、それを具備した照明装置及び表示装置
KR102016564B1 (ko) * 2013-07-19 2019-09-02 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자 및 그 제조방법
JP2015159066A (ja) 2014-02-25 2015-09-03 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス用光拡散シート及び有機エレクトロルミネッセンスパネル
KR102300023B1 (ko) 2014-06-13 2021-09-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법
JP5831654B1 (ja) 2015-02-13 2015-12-09 コニカミノルタ株式会社 芳香族複素環誘導体、それを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
KR102281311B1 (ko) * 2015-04-14 2021-07-26 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
GB2538325A (en) * 2015-05-15 2016-11-16 Cambridge Display Tech Ltd Organic light-emitting device
US10727430B2 (en) * 2015-09-25 2020-07-28 Lg Chem, Ltd. Organic light emitting diode
JP6788314B2 (ja) 2016-01-06 2020-11-25 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、表示装置及び照明装置
US10797256B2 (en) * 2016-07-20 2020-10-06 Joled Inc. Organic electroluminescence device, organic electroluminescence unit, and electronic apparatus
KR102145024B1 (ko) * 2016-12-20 2020-08-14 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
EP3355378B1 (en) * 2017-01-30 2022-12-28 Novaled GmbH Electroluminescent device comprising a defined layer arrangement comprising a light emitting layer, a hole transport layer and an electron transport layer
WO2020159128A1 (ko) * 2019-01-28 2020-08-06 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
KR20200093442A (ko) 2019-01-28 2020-08-05 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
CN114287069A (zh) * 2020-06-01 2022-04-05 株式会社Lg化学 组合物、沉积源、包含所述组合物的有机电致发光器件及其制造方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4720432A (en) 1987-02-11 1988-01-19 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic luminescent medium
US4769292A (en) 1987-03-02 1988-09-06 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone
JP3069139B2 (ja) * 1990-03-16 2000-07-24 旭化成工業株式会社 分散型電界発光素子
US5141671A (en) 1991-08-01 1992-08-25 Eastman Kodak Company Mixed ligand 8-quinolinolato aluminum chelate luminophors
US5593788A (en) 1996-04-25 1997-01-14 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices with high operational stability
US5776622A (en) 1996-07-29 1998-07-07 Eastman Kodak Company Bilayer eletron-injeting electrode for use in an electroluminescent device
US5908581A (en) 1997-04-07 1999-06-01 Eastman Kodak Company Red organic electroluminescent materials
US5935720A (en) * 1997-04-07 1999-08-10 Eastman Kodak Company Red organic electroluminescent devices
JP3951425B2 (ja) 1998-03-24 2007-08-01 旭硝子株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US6312836B1 (en) 1998-04-10 2001-11-06 The Trustees Of Princeton University Color-tunable organic light emitting devices
US6361886B2 (en) * 1998-12-09 2002-03-26 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with improved hole transport layer
US6020078A (en) * 1998-12-18 2000-02-01 Eastman Kodak Company Green organic electroluminescent devices
DE60042883D1 (de) * 1999-03-11 2009-10-15 Arborgen Llc Zusammensetzungen und verfahren zur veränderung der gentranskription
JP4094203B2 (ja) 2000-03-30 2008-06-04 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機発光媒体
CN1118508C (zh) * 2000-05-10 2003-08-20 吉林大学 含纳米硅基氧化物的有机硅改性环氧树脂封装材料及其应用
US6475648B1 (en) 2000-06-08 2002-11-05 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices with improved stability and efficiency

Also Published As

Publication number Publication date
KR20020059256A (ko) 2002-07-12
TW520612B (en) 2003-02-11
US20020127427A1 (en) 2002-09-12
EP1221473B1 (en) 2006-09-06
CN1363960A (zh) 2002-08-14
JP2002260861A (ja) 2002-09-13
KR100843826B1 (ko) 2008-07-03
DE60122852T2 (de) 2007-03-29
CN1311567C (zh) 2007-04-18
EP1221473A1 (en) 2002-07-10
DE60122852D1 (de) 2006-10-19
US6720090B2 (en) 2004-04-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4105434B2 (ja) 有機発光デバイス
EP1359790B1 (en) Organic light-emitting diode devices with improved operational stability
JP4094203B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機発光媒体
JP3987256B2 (ja) 有機系エレクトロルミネセンス素子
EP0825804B1 (en) Blue organic electroluminescent devices
EP0825803B1 (en) Electron transporting materials for organic electroluminescent devices
KR101614403B1 (ko) 청색 발광층을 갖는 백색 oled
KR101907750B1 (ko) 유기 발광 소자
US20060141287A1 (en) OLEDs with improved operational lifetime
EP0857007A1 (en) Organic electroluminescent device
US20060040131A1 (en) OLEDs with improved operational lifetime
JPH11329734A (ja) 有機電界発光素子
US7368178B2 (en) Stable organic light-emitting devices using aminoanthracenes
JPH1060427A (ja) クマリン誘導体を用いた有機el素子
JP3871396B2 (ja) 有機el素子
JP2022542626A (ja) 多環化合物およびこれを含む有機発光素子
KR101508145B1 (ko) 유기 발광 화합물, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
JP2009010181A (ja) 発光素子
KR20000048006A (ko) 정공 전달층내에 아릴에틸렌 유도체를 함유한 전자발광 장치
JP2007258362A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2008141217A (ja) 有機el素子
KR100354861B1 (ko) 유기 엘렉트로루미넷센스 소자
JP3452128B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3778649B2 (ja) 有機電界発光素子
JP2006287248A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機発光媒体

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20041222

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20041222

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20061114

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20070213

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20070216

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070514

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070807

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071106

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20071204

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071218

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20071218

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080226

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080327

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4105434

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110404

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110404

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110404

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120404

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120404

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130404

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130404

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140404

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term