JP4008352B2 - 絶縁膜のエッチング方法 - Google Patents
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Description
技術分野
本発明は絶縁膜のエッチング方法に関し、特に、高アスペクト比のコンタクトホールのエッチングに適用して好適なものである。
背景従来
近年の半導体集積回路の高密度化に伴い、コンタクトホールのアスペクト比が高くなりつつあり、このようなコンタクトホールを形成するために、Ｃ５Ｆ８／Ａｒ／Ｏ２系のエッチングガスが用いられていた。
しかしながら、Ｃ５Ｆ８／Ａｒ／Ｏ２系のエッチングガスでは、エッチングレートが遅くスループットが悪いという問題に加え、レジストマスク選択比が低い、ボーイング（とっくり）形状が発生するという問題もあった。
発明の開示
本発明の目的は、エッチングレートおよびレジストマスク選択比を向上できるとともに、ボーイング形状を抑制することができる絶縁膜のエッチング方法を提供することである。
上述した課題を解決するために、本発明によれば、エッチングガスとして、Ｃ≧４、Ｃ／Ｆ比が０．６２５以上の第１のフルオロカーボン系ガスと、Ｆ≧４、Ｃ／Ｆ比が０．５以下の第２のフルオロカーボン系ガスと、Ａｒガスと、Ｏ２ガスとを少なくとも含む混合ガスを用いる絶縁膜のエッチング方法であって、前記第１のフルオロカーボン系ガスと、前記第２のフルオロカーボン系ガスとの流量比（第１のフルオロカーボン系ガス流量／第２のフルオロカーボン系ガス流量）が０．５０以上であり、かつ、前記混合ガス全体のＣ／Ｆ比が０．５２以上であることを特徴とする。
Ｃが多く、Ｃ／Ｆ比が大きな第１のフルオロカーボン系ガスと、Ｆが多く、Ｃ／Ｆ比が小さな第２のフルオロカーボン系ガスとを混合して用いることにより、第１のフルオロカーボン系ガスによりレジストマスク選択比を稼ぐことが可能となるとともに、第２のフルオロカーボン系ガスにより、ボーイング形状の発生を抑制し、かつ、エッチングレートを稼ぐことが可能となり、エッチングレートおよびレジストマスク選択比の双方を向上させることができる。
また、本発明によれば、第１のフルオロカーボン系ガスは、Ｃが４以上、Ｃ／Ｆ比が０．６２５以上のＣ５Ｆ８ガス或いはＣ４Ｆ６ガスであることを特徴とする。
また、本発明によれば、前記第２のフルオロカーボン系ガスは、ＣＦ４ガス、Ｃ２Ｆ６ガス、Ｃ３Ｆ８ガス、Ｃ４Ｆ８ガスから選択されるいずれか１つであることを特徴とする。
これにより、ボーイング形状の発生を抑制しつつ、エッチングレートを向上させることが可能となり、高アスペクト比のコンタクトホールの形成を効率よく行うことが可能となる。
ここで、第２のフルオロカーボン系ガスのＣ／Ｆ比をより大きくすることにより（すなわち、ＣＦ４→Ｃ２Ｆ６→Ｃ３Ｆ８→Ｃ４Ｆ８とすることにより）、エッチング種（主に、ＣＦＸラジカル）を効率よく生成することが可能となり、エッチングレートをより改善することが可能となる。
また、本発明によれば、前記混合ガスはハイドロフルオロカーボン系ガスをさらに含むことを特徴とする。ここで、前記ハイドロフルオロカーボン系ガスは、ＣＨ２Ｆ２ガスであることが好ましい。
これにより、ボーイング形状やエッチングレートにほとんど影響を及ぼすことなく、レジストマスク選択比をさらに向上させることが可能となる。
また、本発明によれば、前記絶縁膜がシリコン酸化膜であることを特徴とする。さらに、本発明によれば、前記シリコン酸化膜のエッチングにおいて上層或いは下層にシリコン窒化膜が露出することを特徴とする。また、かかるシリコン酸化膜のエッチングが、セルフアラインコンタクトの形成工程において行われることを特徴とする。
また、本発明によれば、エッチングガスとして、Ｃ≧４、Ｃ／Ｆ比が０．６２５以上の第１のフルオロカーボン系ガスと、Ｆ≧４、Ｃ／Ｆ比が０．５以下の第２のフルオロカーボン系ガスと、Ａｒガスと、Ｏ２ガスとを少なくとも含む混合ガスを用いる絶縁膜のエッチング方法であって、前記絶縁膜が形成された基板の温度を、８０〜１２０℃とすることを特徴とする。
基板温度を上記温度範囲とすることによって、エッチングレート、レジストマスク選択比、ボーイングレシオ、ボトム径レシオ、シリコン窒化膜選択比を、良好な値に保つことができる。
発明を実施するための最良の形態
以下、本発明の実施形態に係わるエッチング方法について図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係わるエッチング装置の概略構成を示す断面図である。この実施形態では、第１のフルオロカーボン系ガスを、直鎖の分子構造を持つＣ４Ｆ６とし、第２のフルオロカーボン系ガスを、ＣＦ４とし、Ｃ４Ｆ６／ＣＦ４／Ａｒ／Ｏ２系混合ガスを用いてエッチングする場合を示す。
図１において、処理室１内には、上部電極２およびサセプタ３が設けられている。このサセプタ３は下部電極を兼ねている。また上部電極２には、エッチングガスを処理室１内に導入するガス噴出孔２ａが設けられている。
上記サセプタ３は、サセプタ支持台４上に支持され、サセプタ支持台４は絶縁板５を介して処理室１内に保持されている。上部電極２およびサセプタ３には高周波電源１３、１１がそれぞれ接続され、処理室１内に導入されたエッチングガスをプラズマ化する。
サセプタ支持台４には冷媒室１０が設けられ、液体窒素などの冷媒が冷媒供給管１０ａおよび冷媒排出管１０ｂを介して冷媒室１０内を循環する。そして、ここから生じる冷熱をサセプタ支持台４およびサセプタ３を介してウエハＷに伝熱させることにより、ウエハＷを冷却することができる。
サセプタ３上には静電チャック６が設けられている。静電チャック６は、導電層７がポリイミドフィルム８ａ、８ｂにより挟まれた構成を有する。導電層７には直流高圧電源１２が接続され、導電層７に直流高電圧を与えることにより、ウエハＷにクーロン力を作用させて、サセプタ３上にウエハＷを固定することができる。
また、サセプタ３および静電チャック６には、Ｈｅガスを導入するガス通路９が設けられている。このガス通路９を介してＨｅガスをウエハＷの裏面側に供給することにより、サセプタ３上に載置されたウエハＷを冷却することができる。ガス通路９は、開閉バルブ１８ａおよび流量調整バルブ１８ｂを介してＨｅガス供給源１８に接続され、ウエハＷの裏面でのＨｅガスの圧力を制御することができる。
処理室１には、ガス供給管１ａおよび排気管１ｂが接続されている。ガス供給管１ａは、開閉バルブ１４ａ〜１７ａおよび流量調整バルブ１４ｂ〜１７ｂを介し、Ｃ４Ｆ６ガス供給源１４、ＣＦ４ガス供給源１５、Ａｒガス供給源１６およびＯ２ガス供給源１７に接続されている。
排気管１ｂは真空ポンプに接続され、この真空ポンプで処理室１内を排気することにより、処理室１の圧力を調節することができる。
絶縁膜のエッチングを行う場合、絶縁膜が形成されたウエハＷをサセプタ３上に載置し、静電チャック６により固定する。
次に、処理室１を排気し、処理室１内の圧力を調節しつつ、開閉バルブ１４ａ〜１７ａを開いて、Ｃ４Ｆ６ガス、ＣＦ４ガス、ＡｒガスおよびＯ２ガスを処理室１内に導入する。
Ｃ４Ｆ６ガス、ＣＦ４ガス、ＡｒガスおよびＯ２ガスの流量比は、流量調整バルブ１４ｂ〜１７ｂによって調節することができる。Ｃ４Ｆ６ガスと、ＣＦ４ガスとの流量比（Ｃ４Ｆ６ガス流量／ＣＦ４ガス流量）は、レジストマスク選択比を確保するために、０．５以上であることが好ましい。
次に、高周波電源１３からのＲＦパワー（６０ＭＨｚ）を上部電極２に印加するとともに、高周波電源１１からのＲＦパワー（２ＭＨｚ）をサセプタ３に印加することにより、エッチングガスをプラズマ化して、絶縁膜のエッチングを行う。この際、ウエハＷを効率良く冷却するために、開閉バルブ１８ａを開き、Ｈｅガスを、ガス通路９を通じてウエハＷの裏面側に供給する。ウエハＷの冷却温度は、流量調整バルブ１８ｂを用いてＨｅガスの圧力を調節することにより、制御することができる。エッチング条件は、上部電極２およびサセプタ３のＲＦパワーが１４０〜２１００Ｗ程度、処理室１内の圧力が１．３３〜９．３１Ｐａ（１０〜７０ｍＴｏｒｒ）程度、サセプタ３の温度が−２０〜２０℃程度、ウエハＷの温度が８０〜１２０℃程度であることが好ましい。
分子中のＣ（炭素原子）の数が多い、Ｃ４Ｆ６ガスは、ＣＦ系ラジカル（ＣＦ＊、ＣＦ２ ＊、ＣＦ３ ＊）などの多量のエッチング種を供給しつつ、炭素系ポリマーの堆積を促進して、エッチングレートを向上させつつレジスト選択比を向上させることが可能だが、ボーイング形状を発生させ易い。
Ｃ４Ｆ６ガスが、ボーイングを発生させ易い理由は、炭素系ポリマーが、コンタクトホールの入口付近に多量に堆積するため、その堆積部の下側には逆に堆積が起こり難くなり、この部分でコンタクトホール側壁部のエッチングが進むためである。
そこで、ボーイング形状を発生させ易いＣ４Ｆ６ガスに、分子中のＦ（フッ素原子）の数が多く、かつ、Ｃ／Ｆ比が小さいＣＦ４を加えることにより、コンタクトホール入口での炭素系ポリマーの堆積を抑制し、最終的にボーイング形状の発生を抑制することが可能となる。
炭素系ポリマーが堆積されると、レジスト選択比が向上する理由は、酸化膜のエッチング面では、酸化膜に含まれる酸素がスパッタアウトされて炭素系ポリマーの分解に寄与するのに対し、レジスト表面では、イオン衝撃等によっても炭素系ポリマーが容易には除去されないからである。さらに、ＣＦ４ガスが、炭素系ポリマーの堆積を抑制しつつエッチングを促進するので、エッチングレートを向上させることが可能となる。特に、Ｃ４Ｆ６ガスにＣＦ４ガスを混合することにより、多量のエッチング種を供給しつつ、炭素系ポリマーの堆積を抑制することが可能となる。これによって、アスペクト比が１０以上のコンタクトホールを形成する場合においても、ホールの抜け性の悪化を抑制して、１０以上の高アスペクト比のコンタクトホールを効率よく形成することが可能となる。
なお、絶縁膜は、例えば、ＳｉＯ２膜のほか、ＰＳＧ膜、ＢＳＧ膜、ＢＰＳＧ膜、ＡｓＳＧ膜、ＡｓＰＳＧ膜、ＡｓＢＳＧ膜などでもよい。また、上述した実施形態では、Ｃ４Ｆ６／ＣＦ４／Ａｒ／Ｏ２系ガスを用いた場合について説明したが、直鎖の分子構造を持つＣ４Ｆ６ガスの代わりに、環状の分子構造を持つＣ４Ｆ６、Ｃ５Ｆ８ガスを用いてもよい。また、ＣＦ４ガスの代わりに、Ｃ２Ｆ６ガス、Ｃ３Ｆ８ガス、またはＣ４Ｆ８ガスを用いるようにしてもよい。
また、上述した実施形態では、種類の異なる２系統のフルオロカーボンガスをＡｒ／Ｏ２系ガスと混合する方法について説明したが、種類の異なる３系統以上のフルオロカーボンガスを用いるようにしてもよい。また、ＣＨ２Ｆ２ガス、ＣＨ３Ｆガスなどの分子構造中に水素を有するハイドロフルオロカーボン系ガスをさらに添加してもよい。ＣＨ２Ｆ２ガスなどを添加すれば、ＣＨ２Ｆ２ガスに含まれる水素でフッ素を捕捉させることにより、エッチングガスのＣ／Ｆ比を増加させて、レジスト選択比をさらに向上させることが可能となる。
さらに、上述した実施形態では、上部電極と下部電極の双方に高周波電圧を印加するタイプのＲＩＥ装置を用いてエッチングを行う方法について説明したが、マグネトロンＲＩＥ装置、ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）プラズマエッチング装置、ＨＥＰ（ヘリコン波励起プラズマ）エッチング装置、ＩＣＰ（誘導結合プラズマ）エッチング装置、ＴＣＰ（転送結合プラズマ）エッチング装置などに適用するようにしてもよい。以下、本発明の実施例について実験データを参照しつつ説明する。
図２（ａ）は、本発明の一実施例に係わるエッチング試料の構成を示す断面図である。図２（ａ）において、シリコン基板２１上には、酸化珪素膜２２（熱酸化膜）が積層され、酸化珪素膜２２上には、開口部２４の形成されたフォトレジスト膜２３が積層されている。ここで、酸化珪素膜２２の膜厚Ｔｈは２μｍ、フォトレジスト膜２３の膜厚Ｔｒは６００ｎｍ、開口部２４の径ＨΦは０．１５μｍとした。この図２（ａ）のサンプルを用い、図１のエッチング装置を用いてエッチングＥＴを行った。
図２（ｂ）は、エッチング後のボーイング形状を示す断面図である。図２（ｂ）において、図２（ａ）のサンプルのエッチングＥＴを行うと、ボーイング形状を有するコンタクトホールが酸化珪素膜２２内に形成される。
ボーイングの程度を表すボーイングレシオは、ボーイング径Ｇｃ／トップ径Ｔｃで定義される。このボーイングレシオは、１が最も好ましく、好ましい範囲は０．９５〜１．０５（±５％以内）である。なお、ボーイング径Ｇｃは、コンタクトホール２５の途中で最も膨らんでいる部分の径、トップ径Ｔｃは、コンタクトホール２５の最上部の径である。
また、ボトム径Ｂｃは、コンタクトホール２５の底の径である。ボトム径Ｂｃ／トップ径Ｔｃで定義されるボトム径レシオは、１が最も好ましい。しかし、小さい径で深いホールの場合、ボトム径レシオは小さくなる。一般的にトップ径が０．１５μｍ程度でホールの深さ２〜３μｍの場合、３０％オーバーエッチングして、ボトム径レシオは７０％程度である。
本実施例でのレジストマスク選択比は、酸化珪素膜２２のエッチングレートを、平坦部のフォトレジスト膜２３のエッチングレートで割った値である。レジストマスク選択比は、大きいほどよく、好ましくは５．０以上である。
本発明の一実施例に係わるエッチング結果を従来例と比較するため、従来例によるエッチングを行った。従来例のエッチング条件としてＣ５Ｆ８／Ａｒ／Ｏ２系混合ガスを流量比１５／３８０／１９ｓｃｃｍで用いた。また、上部電極２のＲＦパワーを２１７０Ｗ、下部電極３のＲＦパワーを１５５０Ｗ、圧力を２．００Ｐａ（１５ｍＴｏｒｒ）、ウエハＷ裏面におけるＨｅ圧力をセンターで２０００Ｐａ（１５Ｔｏｒｒ）、エッジで３３３０Ｐａ（２５Ｔｏｒｒ）、トップ温度を６０℃、ウォール温度を５０℃、ボトム温度を２０℃に設定した。エッチング時間はエッチングレート及びレジスト選択比を求める場合は、３０％アンダーエッチングの条件とし、断面形状を評価する場合は３０％オーバーエッチングに相当する４分４８秒間とした。電極間間隔は２５ｍｍである。
この場合、ウエハＷのセンター、ミドル、エッジにおいて、エッチングレートがそれぞれ５６０、５５８、５０４ｎｍ／ｍｉｎ、ファセット面でのレジストマスク選択比がそれぞれ４．９、５．４、５．０、ボーイングレシオがそれぞれ１．０２、１．０６、１．０３、ボトム径Ｂｃがそれぞれ１０７、１０８、９５ｎｍ、ボトム径レシオがそれぞれ７１．３、７２．０、６３．３％であり、ボーイング形状を有する断面形状が得られた。
一方、この実施例のエッチング条件としては、第１のフルオロカーボン系ガスをＣ４Ｆ６とし、第２のフルオロカーボン系ガスをＣＦ４としたＣ４Ｆ６／ＣＦ４／Ａｒ／Ｏ２系混合ガスを、流量比２５／１０／５００／２６ｓｃｃｍで用いた。また、上部電極２のＲＦパワーを１８００Ｗ、下部電極３のＲＦパワーを１８００Ｗ、圧力を２．６６Ｐａ（２０ｍＴｏｒｒ）、ウエハＷ裏面におけるＨｅ圧力をセンターで６６５Ｐａ（５Ｔｏｒｒ）、エッジで３３３０Ｐａ（２５Ｔｏｒｒ）、トップ温度を６０℃、ウォール温度を５０℃、ボトム温度を−１０℃に設定した。エッチング時間は、エッチングレート及び及びレジスト選択比を求める場合は、３０％アンダーエッチングの条件とし、断面形状を評価する場合は３０％オーバーエッチングに相当する４分２４秒間とした。
この場合、ウエハＷのセンター、ミドル、エッジにおいて、エッチングレートがそれぞれ５８８、６０６、６２２ｎｍ／ｍｉｎ、ファセット面でのレジストマスク選択比がそれぞれ５．７、５．３、５．５、ボーイングレシオがそれぞれ１．００、１．００、１．００、ボトム径Ｂｃがそれぞれ９９、９３、１０９ｎｍ、ボトム径レシオがそれぞれ６６．０％、６２．０％、７２．７％であり、ボーイング形状のない断面形状が得られた。
このように、Ｃ５Ｆ８／Ａｒ／Ｏ２系混合ガスに換えて、Ｃ４Ｆ６／ＣＦ４／Ａｒ／Ｏ２系混合ガスを用いてエッチングを行うことにより、ボーイングレシオを±５％以内に抑えることが可能となるとともに、エッチングレートを約１．１２倍、レジスト選択比を約１．０８倍に向上させることができた。
また、Ｃ４Ｆ６／ＣＦ４／Ａｒ／Ｏ２系混合ガスに換えて、第２のフルオロカーボン系ガスをＣ２Ｆ６としたＣ４Ｆ６／Ｃ２Ｆ６／Ａｒ／Ｏ２系混合ガスを用いたエッチングを行った。断面形状を評価する際の３０％オーバーエッチングのエッチング時間は４分３２秒、その他のエッチング条件は、前述した実施例と同一である。
この場合、ウエハＷのセンター、ミドル、エッジにおいて、エッチングレートがそれぞれ６０８、６３６、６８６ｎｍ／ｍｉｎ、ファセット面でのレジストマスク選択比がそれぞれ６．２、５．９、６．０、ボーイングレシオがそれぞれ０．９８、０．９９、１．００、ボトム径Ｂｃがそれぞれ１０５、９９、９９ｎｍ、ボトム径レシオがそれぞれ７０．０％、６６．０％、６６．０％であった。
このように、Ｃ４Ｆ６／ＣＦ４／Ａｒ／Ｏ２系混合ガスに換えて、Ｃ４Ｆ６／Ｃ２Ｆ６／Ａｒ／Ｏ２系混合ガスを用いてエッチングを行うことによっても、ボーイングレシオを±５％以内に抑えつつ、エッチングレートを約１．１９倍、レジスト選択比を１．１８倍に向上させることができた。
また、Ｃ４Ｆ６／ＣＦ４／Ａｒ／Ｏ２系混合ガスに換えて、第１のフルオロカーボン系ガスをＣ５Ｆ８としたＣ５Ｆ８／ＣＦ４／Ａｒ／Ｏ２系混合ガスを用いたエッチングを行った。サンプルは、下地がシリコンで、その上に３μｍ厚のＢＰＳＧ膜を形成したものである。また、エッチングによって形成したホールの直径は、０．２５μｍである。
エッチング条件は、流量比２５／１５／５００／２５ｓｃｃｍ、上部電極２のＲＦパワー１７５０Ｗ、下部電極３のＲＦパワー１８００Ｗ、圧力２．６６Ｐａ（２０ｍＴｏｒｒ）、ウエハＷ裏面におけるＨｅ圧力はセンターで６６５Ｐａ（５Ｔｏｒｒ）、エッジで３３３０Ｐａ（２５Ｔｏｒｒ）、トップ温度２０℃、ウォール温度６０℃、ボトム温度５０℃、エッチング時間は３０％オーバーエッチングに相当する時間である。
この場合、ウエハＷのセンター、ミドル、エッジにおける平均のエッチングレートが６８０．５ｎｍ／ｍｉｎであった。
また、ウエハＷのセンター、ミドル、エッジにおいて、ファセット面でのレジストマスクの残膜量がそれぞれ１８４、１５８、８６ｎｍ（初期膜厚約８００ｎｍ）、ボーイングレシオがそれぞれ１．００、１．００、１．００、ボトム径レシオがそれぞれ０．５９、０．５９、０．５９であった。
一方、比較例として、上記のガス系からＣＦ４を除き、他の条件は上記の場合と同じでＣ５Ｆ８／Ａｒ／Ｏ２系混合ガスを用いたエッチングを行った。この結果、平均のエッチングレートが５６１．１ｎｍ／ｍｉｎ、ウエハＷのセンター、ミドル、エッジにおいて、ファセット面でのレジストマスクの残膜量がそれぞれ９１、１１２、３３ｎｍ（初期膜厚約８００ｎｍ）、ボーイングレシオがそれぞれ１．１５、１．１０、１．０５、ボトム径レシオがそれぞれ０．７７、０．６７、０．６２であった。
このように、第１のフルオロカーボン系ガスとしてＣ５Ｆ８を用い、Ｃ５Ｆ８／ＣＦ４／Ａｒ／Ｏ２系混合ガスを用いた場合、ボトム径レシオが若干悪化するものの、ボーイングレシオが１．００と良好で、比較例に比べて、エッチングレートを約１．２０倍に向上させることができた。また、比較例に比べて、レジストマスクの残膜量が多いことから、レジストマスク選択比も向上していることが分かる。
図３は、本発明の一実施例に係わるフルオロカーボンの種類および流量比をパラメータとした場合のエッチング特性を示す図である。処理条件は、先の実施例と同様であり、オーバーエッチングは３０％である。図３において、Ｃ／Ｆ比の大きい第１のフルオロカーボン系ガスはＣ４Ｆ６、Ｃ／Ｆ比の小さい第２のフルオロカーボン系ガスはＣｘＦｙで示され、曲線Ａ１、Ａ２はＣｘＦｙ＝ＣＦ４、曲線Ｂ１、Ｂ２はＣｘＦｙ＝Ｃ２Ｆ６、曲線Ｃ１、Ｃ２はＣｘＦｙ＝Ｃ３Ｆ８、曲線Ｄ１、Ｄ２はＣｘＦｙ＝Ｃ４Ｆ８の場合を示す。
図３において、総ガス流量が同じで（３５ｓｃｃｍ）、ＣｘＦｙガスに対するＣ４Ｆ６ガスの流量比（Ｃ４Ｆ６ガス流量／ＣｘＦｙガス流量）が大きくなると、レジストマスク選択比は向上し、エッチングレートも増大する。これは、ガス全体としてのＣ／Ｆ比の増加によるエッチング種の増加及び炭素系ポリマーの堆積がエッチングレート向上及びレジストマスク選択比向上に作用するためと考えられる。
一方、Ｃ４Ｆ６ガスの流量が同じ（２５ｓｃｃｍ）でＣｘＦｙガスの流量が増えると、エッチングレートは増大するが、レジストマスク選択比は低下する。これは、ＣｘＦｙガスの流量が増えると、ガス全体としてのＣ／Ｆ比が低下することにより、炭素系ポリマーの堆積が減少するためと考えられる。このため、レジストマスク選択比の観点からは、ＣｘＦｙガスに対するＣ４Ｆ６ガスの流量比（Ｃ４Ｆ６ガス流量／ＣｘＦｙガス流量）は、０．５以上であることが好ましく、１以上がさらに好ましい。また、エッチングレートの観点からは、Ｃ４Ｆ６ガスの流量は２０ｓｃｃｍ以上であることが好ましい。
図４は、本発明の一実施例に係わるエッチングガス全体のＣ／Ｆ比計算結果を示す図である。
図４において、ＣｘＦｙガスに対するＣ４Ｆ６ガスの流量比が１以上の場合、エッチングガス全体のＣ／Ｆ比が０．５以上となることが分かる。図３において、Ｃ／Ｆ比が０．５以上の場合をまる印で示している。図３に示されるとおり、レジストマスク選択比を向上させるためには、２種類のフルオロカーボン系ガスが混合されたエッチングガス全体のＣ／Ｆ比を０．５以上とすることが好ましい。
また、ＣｘＦｙをＣＦ４→Ｃ２Ｆ６→Ｃ３Ｆ８→Ｃ４Ｆ８と換えることにより、レジストマスク選択比をほぼ一定に保ったまま、エッチングレートを向上させることができる。これは、ＣｘＦｙ中のＣの数（ｘ）の増加によりエッチング種が増加するＣｘＦｙ中のＣ／Ｆ比（ｘ／ｙ）が０．５以下に保たれているので、炭素系ポリマーの堆積の影響が小さいからであると考えられる。このため、エッチングレートの観点からは、ＣｘＦｙにおけるＣの数（ｘ）は大きいことが好ましい。
なお、ＣｘＦｙ＝Ｃ４Ｆ８の場合、Ｃの数（ｘ）が大きいため、炭素系ポリマーの堆積が促進される。このため、アスペクト比が１０以上のコンタクトホールをＳｉＯ２膜に形成すると、ホールの抜け性が悪くなる。ただし、ＰＳＧ膜、ＢＳＧ膜、ＢＰＳＧ膜、ＡｓＳＧ膜、ＡｓＰＳＧ膜、ＡｓＢＳＧ膜などの低融点膜に対しては、ホールの抜け性を維持することが可能となるため、ＣｘＦｙ＝Ｃ４Ｆ８の混合ガスは、これらの低融点膜のエッチングに特に適している。
図５〜７は、それぞれＣ／Ｆ比の小さい第２のフルオロカーボン系ガスの流量（添加量）を変化させた場合の、エッチングレート、平坦部におけるレジストマスク選択比、ボーイングレシオ、ボトム径レシオの変化を調べた結果を示すものである。図５はＣＦ４の場合、図６はＣ２Ｆ６の場合、図７はＣ３Ｆ８の場合である。また、これらの図において、図５（ａ）、図６（ａ）、図７（ａ）は、エッチングレートと、平坦部におけるレジストマスク選択比の変化を示し、図５（ｂ）、図６（ｂ）、図７（ｂ）は、ボーイングレシオ、ボトム径レシオの変化を示している。エッチング条件は、Ｃ４Ｆ６／ＣｘＦｙ／Ａｒ／Ｏ２の流量比３５／０〜３５／７００／３６ｓｃｃｍ、上部電極２のＲＦパワー２２００Ｗ、下部電極３のＲＦパワー１８００Ｗ、圧力２．６６Ｐａ（２０ｍＴｏｒｒ）、ウエハＷ裏面におけるＨｅ圧力はセンターで６６５Ｐａ（５Ｔｏｒｒ）、エッジで３３３０Ｐａ（２５Ｔｏｒｒ）、トップ温度６０℃、ウォール温度５０℃、ボトム温度−１０℃である。
エッチング時間は、エッチングレート及びレジスト選択比を求める場合は、３０％アンダーエッチングの条件とし、断面形状を評価する場合は３０％オーバーエッチングに相当する時間とした。
これらの図に示されるとおり、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ８を添加することによって、エッチングレートが向上し、ボーイングレシオも改善され、ボトム径レシオも改善される。一方、レジストマスク選択比は、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ８を添加することによって、一旦上昇するが、添加量を増加させると次第に低下する傾向がある。このため、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ８の添加量は、図中に縦の実線を付したＣ／Ｆ比＝０．５２以上となる範囲（実線より左側）とすることが好ましい。
ところで、所謂セルフアライン技術によりコンタクトホール（セルフアラインコンタクト）を形成するエッチング工程では、図８に示すように、レジストマスク３１を介して、シリコン酸化膜３２等をエッチングし、シリコン基板３３に至るコンタクトホール３４を形成する際に、下層に形成されたゲート電極３５の周囲に形成されたシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）３６が露出する場合がある。
上記のように、シリコン窒化膜が露出する工程においては、コンタクトホールを形成するエッチングにおいて、シリコン窒化膜に対するシリコン酸化膜の選択比（シリコン窒化膜選択比）を高くする必要がある。図９は、ＣＦ４の添加量の違いによる、シリコン酸化膜（ＢＰＳＧ膜）のエッチングレート、レジストマスク選択比（ファセット部）、シリコン窒化膜選択比（ＳｉＮ選択比）の変化を測定した結果を示すものである。
エッチング条件は、Ｃ４Ｆ６／ＣＦ４／Ａｒ／Ｏ２の流量比１６／０〜１０／８００／１６ｓｃｃｍ、上部電極２のＲＦパワー１５３０Ｗ、下部電極３のＲＦパワー１３５０Ｗ、圧力３．９９Ｐａ（３０ｍＴｏｒｒ）、ウエハＷ裏面におけるＨｅ圧力はセンターで６６５Ｐａ（５Ｔｏｒｒ）、エッジで１３３０Ｐａ（１０Ｔｏｒｒ）、トップ温度４０℃、ウォール温度６０℃、ボトム温度５０℃である。また、エッチング時間は、エッチングレート、レジストマスク選択比の測定の場合が９０秒、シリコン窒化膜選択比の測定の場合が１００％オーバーエッチングに相当する時間である。なお、シリコン酸化膜の厚さは１４００ｎｍ、コンタクトホール径は４００ｎｍである。
同図に示すように、ＣＦ４を添加することによって、エッチングレート及びＳｉＮ選択比が向上する。但し、ＣＦ４の添加量が増えると、レジストマスク選択比が低下する傾向がある。したがって、同図に示す例では、ＣＦ４の添加量が１０ｓｃｃｍ程度以下、Ｃ／Ｆ比で示せば、図中実線を付したＣ／Ｆ比＝０．５４以上（実線より左側）とすることが好ましい。
なお、シリコン窒化膜がシリコン酸化膜の上に形成された構造においてシリコン酸化膜をエッチングする場合であっても、上記の場合と同様の効果が得られる。
図１０は、シリコン酸化膜（Ｐ−ＳｉＯ２膜）のエッチングレート、レジストマスク選択比（ファセット部）、ボーイングレシオ（ボーイングＣＤレシオ）、ボトム径レシオ（ボトム径ＣＤレシオ）、シリコン窒化膜選択比の温度依存性を測定した結果を示すものである。
エッチング条件は、Ｃ４Ｆ６／ＣＦ４／Ａｒ／Ｏ２糸混合ガスを、流量比２４／９／７００／３０ｓｃｃｍ（ボトム温度＝−２０，０℃（ウエハ温度＝８０，１００℃）の場合）、３０／１１／８５０／３６ｓｃｃｍ（ボトム温度＝０，２０℃（ウエハ温度＝１００，１２０℃）の場合）とした。
他のエッチング条件は、上部電極２のＲＦパワーを１８００Ｗ、下部電極３のＲＦパワーを２１００Ｗ、圧力を２．６６Ｐａ（２０ｍＴｏｒｒ）〜３．３３Ｐａ（２５ｍＴｏｒｒ）、ウエハＷ裏面におけるＨｅ圧力をセンターで２０００Ｐａ（１５Ｔｏｒｒ）、エッジで４６６０Ｐａ（３５Ｔｏｒｒ）、トップ温度を６０℃、ウォール温度５０℃、ボトム温度−２０〜２０℃（ウエハ温度が８０〜１２０℃）に設定した。エッチング時間は、シリコン酸化膜のエッチングレートとレジストマスク選択比を求める場合は３０％のアンダーエッチングとし、それ以外は２０％オーバーエッチングに相当する時間とした。
同図に示されるとおり、エッチングレート、レジストマスク選択比、ボーイングレシオ、ボトム径レシオ、シリコン窒化膜選択比は、それぞれ温度依存性があることが分かる。
エッチングレートおよびレジストマスク選択比は、ウエハ温度が低い方が大きいが、シリコン窒化膜選択比およびボーイングレシオ、ボトム径レシオは、ウエハ温度が高い方が好ましい。つまりこれらはトレードオフの関係にあることが分かる。ウエハ温度が１４０℃（ボトム温度４０℃）を越えるとレジストが軟化、変質するのでマスクとしての形状が保たれない。したがって、ウエハ温度は、８０〜１２０℃とすることが好ましい。
以上説明したように、本発明によれば、２種類以上のフルオロカーボン系ガスを混合させてエッチングを行うことにより、ボーイングの発生を抑制することが可能となるとともに、エッチングレートおよびレジストマスク選択比を向上させることができる。また、シリコン窒化膜が露出している場合、シリコン窒化膜選択比を向上させることができる。
産業上の利用可能性
本発明に係る絶縁膜のエッチング方法は、半導体装置の製造を行う半導体製造産業等において使用することが可能である。したがって、産業上の利用可能性を有する。
【図面の簡単な説明】
図１は、本発明の一実施例に係わるエッチング装置の概略構成を示す断面図である。
図２は、本発明の一実施例に係わるエッチング試料の構成を示す断面図であり、図２（ａ）はエッチング前、図２（ｂ）はエッチング後を示す。
図３は、本発明の一実施例に係わるフルオロカーボンの種類および流量比をパラメータとした場合のエッチング特性を示す図である。
図４は、本発明の一実施例に係わるエッチングガス全体のＣ／Ｆ比計算結果を示す図である。
図５は、本発明の一実施例に係わるＣＦ４添加量とエッチング特性の関係を示す図であり、図５（ａ）はエッチングレート、レジストマスク選択比を示し、図５（ｂ）はボーイングレシオ、ボトム径レシオを示す。図６は、本発明の一実施例に係わるＣ２Ｆ６加量とエッチング特性の関係を示す図であり、図６（ａ）はエッチングレート、レジストマスク選択比を示し、図６（ｂ）はボーイングレシオ、ボトム径レシオを示す。図７は、本発明の一実施例に係わるＣ３Ｆ８加量とエッチング特性の関係を示す図であり、図７（ａ）はエッチングレート、レジストマスク選択比を示し、図７（ｂ）はボーイングレシオ、ボトム径レシオを示す。図８は、本発明の一実施例に係わるエッチング試料の構成を示す断面図である。
図９は、本発明の一実施例に係わるＣＦ４添加量とエッチング特性の関係を示す図である。
図１０は、本発明の一実施例に係わるエッチング特性の温度依存性を示す図である。
本発明は絶縁膜のエッチング方法に関し、特に、高アスペクト比のコンタクトホールのエッチングに適用して好適なものである。
背景従来
近年の半導体集積回路の高密度化に伴い、コンタクトホールのアスペクト比が高くなりつつあり、このようなコンタクトホールを形成するために、Ｃ５Ｆ８／Ａｒ／Ｏ２系のエッチングガスが用いられていた。
しかしながら、Ｃ５Ｆ８／Ａｒ／Ｏ２系のエッチングガスでは、エッチングレートが遅くスループットが悪いという問題に加え、レジストマスク選択比が低い、ボーイング（とっくり）形状が発生するという問題もあった。
発明の開示
本発明の目的は、エッチングレートおよびレジストマスク選択比を向上できるとともに、ボーイング形状を抑制することができる絶縁膜のエッチング方法を提供することである。
上述した課題を解決するために、本発明によれば、エッチングガスとして、Ｃ≧４、Ｃ／Ｆ比が０．６２５以上の第１のフルオロカーボン系ガスと、Ｆ≧４、Ｃ／Ｆ比が０．５以下の第２のフルオロカーボン系ガスと、Ａｒガスと、Ｏ２ガスとを少なくとも含む混合ガスを用いる絶縁膜のエッチング方法であって、前記第１のフルオロカーボン系ガスと、前記第２のフルオロカーボン系ガスとの流量比（第１のフルオロカーボン系ガス流量／第２のフルオロカーボン系ガス流量）が０．５０以上であり、かつ、前記混合ガス全体のＣ／Ｆ比が０．５２以上であることを特徴とする。
Ｃが多く、Ｃ／Ｆ比が大きな第１のフルオロカーボン系ガスと、Ｆが多く、Ｃ／Ｆ比が小さな第２のフルオロカーボン系ガスとを混合して用いることにより、第１のフルオロカーボン系ガスによりレジストマスク選択比を稼ぐことが可能となるとともに、第２のフルオロカーボン系ガスにより、ボーイング形状の発生を抑制し、かつ、エッチングレートを稼ぐことが可能となり、エッチングレートおよびレジストマスク選択比の双方を向上させることができる。
また、本発明によれば、第１のフルオロカーボン系ガスは、Ｃが４以上、Ｃ／Ｆ比が０．６２５以上のＣ５Ｆ８ガス或いはＣ４Ｆ６ガスであることを特徴とする。
また、本発明によれば、前記第２のフルオロカーボン系ガスは、ＣＦ４ガス、Ｃ２Ｆ６ガス、Ｃ３Ｆ８ガス、Ｃ４Ｆ８ガスから選択されるいずれか１つであることを特徴とする。
これにより、ボーイング形状の発生を抑制しつつ、エッチングレートを向上させることが可能となり、高アスペクト比のコンタクトホールの形成を効率よく行うことが可能となる。
ここで、第２のフルオロカーボン系ガスのＣ／Ｆ比をより大きくすることにより（すなわち、ＣＦ４→Ｃ２Ｆ６→Ｃ３Ｆ８→Ｃ４Ｆ８とすることにより）、エッチング種（主に、ＣＦＸラジカル）を効率よく生成することが可能となり、エッチングレートをより改善することが可能となる。
また、本発明によれば、前記混合ガスはハイドロフルオロカーボン系ガスをさらに含むことを特徴とする。ここで、前記ハイドロフルオロカーボン系ガスは、ＣＨ２Ｆ２ガスであることが好ましい。
これにより、ボーイング形状やエッチングレートにほとんど影響を及ぼすことなく、レジストマスク選択比をさらに向上させることが可能となる。
また、本発明によれば、前記絶縁膜がシリコン酸化膜であることを特徴とする。さらに、本発明によれば、前記シリコン酸化膜のエッチングにおいて上層或いは下層にシリコン窒化膜が露出することを特徴とする。また、かかるシリコン酸化膜のエッチングが、セルフアラインコンタクトの形成工程において行われることを特徴とする。
また、本発明によれば、エッチングガスとして、Ｃ≧４、Ｃ／Ｆ比が０．６２５以上の第１のフルオロカーボン系ガスと、Ｆ≧４、Ｃ／Ｆ比が０．５以下の第２のフルオロカーボン系ガスと、Ａｒガスと、Ｏ２ガスとを少なくとも含む混合ガスを用いる絶縁膜のエッチング方法であって、前記絶縁膜が形成された基板の温度を、８０〜１２０℃とすることを特徴とする。
基板温度を上記温度範囲とすることによって、エッチングレート、レジストマスク選択比、ボーイングレシオ、ボトム径レシオ、シリコン窒化膜選択比を、良好な値に保つことができる。
発明を実施するための最良の形態
以下、本発明の実施形態に係わるエッチング方法について図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係わるエッチング装置の概略構成を示す断面図である。この実施形態では、第１のフルオロカーボン系ガスを、直鎖の分子構造を持つＣ４Ｆ６とし、第２のフルオロカーボン系ガスを、ＣＦ４とし、Ｃ４Ｆ６／ＣＦ４／Ａｒ／Ｏ２系混合ガスを用いてエッチングする場合を示す。
図１において、処理室１内には、上部電極２およびサセプタ３が設けられている。このサセプタ３は下部電極を兼ねている。また上部電極２には、エッチングガスを処理室１内に導入するガス噴出孔２ａが設けられている。
上記サセプタ３は、サセプタ支持台４上に支持され、サセプタ支持台４は絶縁板５を介して処理室１内に保持されている。上部電極２およびサセプタ３には高周波電源１３、１１がそれぞれ接続され、処理室１内に導入されたエッチングガスをプラズマ化する。
サセプタ支持台４には冷媒室１０が設けられ、液体窒素などの冷媒が冷媒供給管１０ａおよび冷媒排出管１０ｂを介して冷媒室１０内を循環する。そして、ここから生じる冷熱をサセプタ支持台４およびサセプタ３を介してウエハＷに伝熱させることにより、ウエハＷを冷却することができる。
サセプタ３上には静電チャック６が設けられている。静電チャック６は、導電層７がポリイミドフィルム８ａ、８ｂにより挟まれた構成を有する。導電層７には直流高圧電源１２が接続され、導電層７に直流高電圧を与えることにより、ウエハＷにクーロン力を作用させて、サセプタ３上にウエハＷを固定することができる。
また、サセプタ３および静電チャック６には、Ｈｅガスを導入するガス通路９が設けられている。このガス通路９を介してＨｅガスをウエハＷの裏面側に供給することにより、サセプタ３上に載置されたウエハＷを冷却することができる。ガス通路９は、開閉バルブ１８ａおよび流量調整バルブ１８ｂを介してＨｅガス供給源１８に接続され、ウエハＷの裏面でのＨｅガスの圧力を制御することができる。
処理室１には、ガス供給管１ａおよび排気管１ｂが接続されている。ガス供給管１ａは、開閉バルブ１４ａ〜１７ａおよび流量調整バルブ１４ｂ〜１７ｂを介し、Ｃ４Ｆ６ガス供給源１４、ＣＦ４ガス供給源１５、Ａｒガス供給源１６およびＯ２ガス供給源１７に接続されている。
排気管１ｂは真空ポンプに接続され、この真空ポンプで処理室１内を排気することにより、処理室１の圧力を調節することができる。
絶縁膜のエッチングを行う場合、絶縁膜が形成されたウエハＷをサセプタ３上に載置し、静電チャック６により固定する。
次に、処理室１を排気し、処理室１内の圧力を調節しつつ、開閉バルブ１４ａ〜１７ａを開いて、Ｃ４Ｆ６ガス、ＣＦ４ガス、ＡｒガスおよびＯ２ガスを処理室１内に導入する。
Ｃ４Ｆ６ガス、ＣＦ４ガス、ＡｒガスおよびＯ２ガスの流量比は、流量調整バルブ１４ｂ〜１７ｂによって調節することができる。Ｃ４Ｆ６ガスと、ＣＦ４ガスとの流量比（Ｃ４Ｆ６ガス流量／ＣＦ４ガス流量）は、レジストマスク選択比を確保するために、０．５以上であることが好ましい。
次に、高周波電源１３からのＲＦパワー（６０ＭＨｚ）を上部電極２に印加するとともに、高周波電源１１からのＲＦパワー（２ＭＨｚ）をサセプタ３に印加することにより、エッチングガスをプラズマ化して、絶縁膜のエッチングを行う。この際、ウエハＷを効率良く冷却するために、開閉バルブ１８ａを開き、Ｈｅガスを、ガス通路９を通じてウエハＷの裏面側に供給する。ウエハＷの冷却温度は、流量調整バルブ１８ｂを用いてＨｅガスの圧力を調節することにより、制御することができる。エッチング条件は、上部電極２およびサセプタ３のＲＦパワーが１４０〜２１００Ｗ程度、処理室１内の圧力が１．３３〜９．３１Ｐａ（１０〜７０ｍＴｏｒｒ）程度、サセプタ３の温度が−２０〜２０℃程度、ウエハＷの温度が８０〜１２０℃程度であることが好ましい。
分子中のＣ（炭素原子）の数が多い、Ｃ４Ｆ６ガスは、ＣＦ系ラジカル（ＣＦ＊、ＣＦ２ ＊、ＣＦ３ ＊）などの多量のエッチング種を供給しつつ、炭素系ポリマーの堆積を促進して、エッチングレートを向上させつつレジスト選択比を向上させることが可能だが、ボーイング形状を発生させ易い。
Ｃ４Ｆ６ガスが、ボーイングを発生させ易い理由は、炭素系ポリマーが、コンタクトホールの入口付近に多量に堆積するため、その堆積部の下側には逆に堆積が起こり難くなり、この部分でコンタクトホール側壁部のエッチングが進むためである。
そこで、ボーイング形状を発生させ易いＣ４Ｆ６ガスに、分子中のＦ（フッ素原子）の数が多く、かつ、Ｃ／Ｆ比が小さいＣＦ４を加えることにより、コンタクトホール入口での炭素系ポリマーの堆積を抑制し、最終的にボーイング形状の発生を抑制することが可能となる。
炭素系ポリマーが堆積されると、レジスト選択比が向上する理由は、酸化膜のエッチング面では、酸化膜に含まれる酸素がスパッタアウトされて炭素系ポリマーの分解に寄与するのに対し、レジスト表面では、イオン衝撃等によっても炭素系ポリマーが容易には除去されないからである。さらに、ＣＦ４ガスが、炭素系ポリマーの堆積を抑制しつつエッチングを促進するので、エッチングレートを向上させることが可能となる。特に、Ｃ４Ｆ６ガスにＣＦ４ガスを混合することにより、多量のエッチング種を供給しつつ、炭素系ポリマーの堆積を抑制することが可能となる。これによって、アスペクト比が１０以上のコンタクトホールを形成する場合においても、ホールの抜け性の悪化を抑制して、１０以上の高アスペクト比のコンタクトホールを効率よく形成することが可能となる。
なお、絶縁膜は、例えば、ＳｉＯ２膜のほか、ＰＳＧ膜、ＢＳＧ膜、ＢＰＳＧ膜、ＡｓＳＧ膜、ＡｓＰＳＧ膜、ＡｓＢＳＧ膜などでもよい。また、上述した実施形態では、Ｃ４Ｆ６／ＣＦ４／Ａｒ／Ｏ２系ガスを用いた場合について説明したが、直鎖の分子構造を持つＣ４Ｆ６ガスの代わりに、環状の分子構造を持つＣ４Ｆ６、Ｃ５Ｆ８ガスを用いてもよい。また、ＣＦ４ガスの代わりに、Ｃ２Ｆ６ガス、Ｃ３Ｆ８ガス、またはＣ４Ｆ８ガスを用いるようにしてもよい。
また、上述した実施形態では、種類の異なる２系統のフルオロカーボンガスをＡｒ／Ｏ２系ガスと混合する方法について説明したが、種類の異なる３系統以上のフルオロカーボンガスを用いるようにしてもよい。また、ＣＨ２Ｆ２ガス、ＣＨ３Ｆガスなどの分子構造中に水素を有するハイドロフルオロカーボン系ガスをさらに添加してもよい。ＣＨ２Ｆ２ガスなどを添加すれば、ＣＨ２Ｆ２ガスに含まれる水素でフッ素を捕捉させることにより、エッチングガスのＣ／Ｆ比を増加させて、レジスト選択比をさらに向上させることが可能となる。
さらに、上述した実施形態では、上部電極と下部電極の双方に高周波電圧を印加するタイプのＲＩＥ装置を用いてエッチングを行う方法について説明したが、マグネトロンＲＩＥ装置、ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）プラズマエッチング装置、ＨＥＰ（ヘリコン波励起プラズマ）エッチング装置、ＩＣＰ（誘導結合プラズマ）エッチング装置、ＴＣＰ（転送結合プラズマ）エッチング装置などに適用するようにしてもよい。以下、本発明の実施例について実験データを参照しつつ説明する。
図２（ａ）は、本発明の一実施例に係わるエッチング試料の構成を示す断面図である。図２（ａ）において、シリコン基板２１上には、酸化珪素膜２２（熱酸化膜）が積層され、酸化珪素膜２２上には、開口部２４の形成されたフォトレジスト膜２３が積層されている。ここで、酸化珪素膜２２の膜厚Ｔｈは２μｍ、フォトレジスト膜２３の膜厚Ｔｒは６００ｎｍ、開口部２４の径ＨΦは０．１５μｍとした。この図２（ａ）のサンプルを用い、図１のエッチング装置を用いてエッチングＥＴを行った。
図２（ｂ）は、エッチング後のボーイング形状を示す断面図である。図２（ｂ）において、図２（ａ）のサンプルのエッチングＥＴを行うと、ボーイング形状を有するコンタクトホールが酸化珪素膜２２内に形成される。
ボーイングの程度を表すボーイングレシオは、ボーイング径Ｇｃ／トップ径Ｔｃで定義される。このボーイングレシオは、１が最も好ましく、好ましい範囲は０．９５〜１．０５（±５％以内）である。なお、ボーイング径Ｇｃは、コンタクトホール２５の途中で最も膨らんでいる部分の径、トップ径Ｔｃは、コンタクトホール２５の最上部の径である。
また、ボトム径Ｂｃは、コンタクトホール２５の底の径である。ボトム径Ｂｃ／トップ径Ｔｃで定義されるボトム径レシオは、１が最も好ましい。しかし、小さい径で深いホールの場合、ボトム径レシオは小さくなる。一般的にトップ径が０．１５μｍ程度でホールの深さ２〜３μｍの場合、３０％オーバーエッチングして、ボトム径レシオは７０％程度である。
本実施例でのレジストマスク選択比は、酸化珪素膜２２のエッチングレートを、平坦部のフォトレジスト膜２３のエッチングレートで割った値である。レジストマスク選択比は、大きいほどよく、好ましくは５．０以上である。
本発明の一実施例に係わるエッチング結果を従来例と比較するため、従来例によるエッチングを行った。従来例のエッチング条件としてＣ５Ｆ８／Ａｒ／Ｏ２系混合ガスを流量比１５／３８０／１９ｓｃｃｍで用いた。また、上部電極２のＲＦパワーを２１７０Ｗ、下部電極３のＲＦパワーを１５５０Ｗ、圧力を２．００Ｐａ（１５ｍＴｏｒｒ）、ウエハＷ裏面におけるＨｅ圧力をセンターで２０００Ｐａ（１５Ｔｏｒｒ）、エッジで３３３０Ｐａ（２５Ｔｏｒｒ）、トップ温度を６０℃、ウォール温度を５０℃、ボトム温度を２０℃に設定した。エッチング時間はエッチングレート及びレジスト選択比を求める場合は、３０％アンダーエッチングの条件とし、断面形状を評価する場合は３０％オーバーエッチングに相当する４分４８秒間とした。電極間間隔は２５ｍｍである。
この場合、ウエハＷのセンター、ミドル、エッジにおいて、エッチングレートがそれぞれ５６０、５５８、５０４ｎｍ／ｍｉｎ、ファセット面でのレジストマスク選択比がそれぞれ４．９、５．４、５．０、ボーイングレシオがそれぞれ１．０２、１．０６、１．０３、ボトム径Ｂｃがそれぞれ１０７、１０８、９５ｎｍ、ボトム径レシオがそれぞれ７１．３、７２．０、６３．３％であり、ボーイング形状を有する断面形状が得られた。
一方、この実施例のエッチング条件としては、第１のフルオロカーボン系ガスをＣ４Ｆ６とし、第２のフルオロカーボン系ガスをＣＦ４としたＣ４Ｆ６／ＣＦ４／Ａｒ／Ｏ２系混合ガスを、流量比２５／１０／５００／２６ｓｃｃｍで用いた。また、上部電極２のＲＦパワーを１８００Ｗ、下部電極３のＲＦパワーを１８００Ｗ、圧力を２．６６Ｐａ（２０ｍＴｏｒｒ）、ウエハＷ裏面におけるＨｅ圧力をセンターで６６５Ｐａ（５Ｔｏｒｒ）、エッジで３３３０Ｐａ（２５Ｔｏｒｒ）、トップ温度を６０℃、ウォール温度を５０℃、ボトム温度を−１０℃に設定した。エッチング時間は、エッチングレート及び及びレジスト選択比を求める場合は、３０％アンダーエッチングの条件とし、断面形状を評価する場合は３０％オーバーエッチングに相当する４分２４秒間とした。
この場合、ウエハＷのセンター、ミドル、エッジにおいて、エッチングレートがそれぞれ５８８、６０６、６２２ｎｍ／ｍｉｎ、ファセット面でのレジストマスク選択比がそれぞれ５．７、５．３、５．５、ボーイングレシオがそれぞれ１．００、１．００、１．００、ボトム径Ｂｃがそれぞれ９９、９３、１０９ｎｍ、ボトム径レシオがそれぞれ６６．０％、６２．０％、７２．７％であり、ボーイング形状のない断面形状が得られた。
このように、Ｃ５Ｆ８／Ａｒ／Ｏ２系混合ガスに換えて、Ｃ４Ｆ６／ＣＦ４／Ａｒ／Ｏ２系混合ガスを用いてエッチングを行うことにより、ボーイングレシオを±５％以内に抑えることが可能となるとともに、エッチングレートを約１．１２倍、レジスト選択比を約１．０８倍に向上させることができた。
また、Ｃ４Ｆ６／ＣＦ４／Ａｒ／Ｏ２系混合ガスに換えて、第２のフルオロカーボン系ガスをＣ２Ｆ６としたＣ４Ｆ６／Ｃ２Ｆ６／Ａｒ／Ｏ２系混合ガスを用いたエッチングを行った。断面形状を評価する際の３０％オーバーエッチングのエッチング時間は４分３２秒、その他のエッチング条件は、前述した実施例と同一である。
この場合、ウエハＷのセンター、ミドル、エッジにおいて、エッチングレートがそれぞれ６０８、６３６、６８６ｎｍ／ｍｉｎ、ファセット面でのレジストマスク選択比がそれぞれ６．２、５．９、６．０、ボーイングレシオがそれぞれ０．９８、０．９９、１．００、ボトム径Ｂｃがそれぞれ１０５、９９、９９ｎｍ、ボトム径レシオがそれぞれ７０．０％、６６．０％、６６．０％であった。
このように、Ｃ４Ｆ６／ＣＦ４／Ａｒ／Ｏ２系混合ガスに換えて、Ｃ４Ｆ６／Ｃ２Ｆ６／Ａｒ／Ｏ２系混合ガスを用いてエッチングを行うことによっても、ボーイングレシオを±５％以内に抑えつつ、エッチングレートを約１．１９倍、レジスト選択比を１．１８倍に向上させることができた。
また、Ｃ４Ｆ６／ＣＦ４／Ａｒ／Ｏ２系混合ガスに換えて、第１のフルオロカーボン系ガスをＣ５Ｆ８としたＣ５Ｆ８／ＣＦ４／Ａｒ／Ｏ２系混合ガスを用いたエッチングを行った。サンプルは、下地がシリコンで、その上に３μｍ厚のＢＰＳＧ膜を形成したものである。また、エッチングによって形成したホールの直径は、０．２５μｍである。
エッチング条件は、流量比２５／１５／５００／２５ｓｃｃｍ、上部電極２のＲＦパワー１７５０Ｗ、下部電極３のＲＦパワー１８００Ｗ、圧力２．６６Ｐａ（２０ｍＴｏｒｒ）、ウエハＷ裏面におけるＨｅ圧力はセンターで６６５Ｐａ（５Ｔｏｒｒ）、エッジで３３３０Ｐａ（２５Ｔｏｒｒ）、トップ温度２０℃、ウォール温度６０℃、ボトム温度５０℃、エッチング時間は３０％オーバーエッチングに相当する時間である。
この場合、ウエハＷのセンター、ミドル、エッジにおける平均のエッチングレートが６８０．５ｎｍ／ｍｉｎであった。
また、ウエハＷのセンター、ミドル、エッジにおいて、ファセット面でのレジストマスクの残膜量がそれぞれ１８４、１５８、８６ｎｍ（初期膜厚約８００ｎｍ）、ボーイングレシオがそれぞれ１．００、１．００、１．００、ボトム径レシオがそれぞれ０．５９、０．５９、０．５９であった。
一方、比較例として、上記のガス系からＣＦ４を除き、他の条件は上記の場合と同じでＣ５Ｆ８／Ａｒ／Ｏ２系混合ガスを用いたエッチングを行った。この結果、平均のエッチングレートが５６１．１ｎｍ／ｍｉｎ、ウエハＷのセンター、ミドル、エッジにおいて、ファセット面でのレジストマスクの残膜量がそれぞれ９１、１１２、３３ｎｍ（初期膜厚約８００ｎｍ）、ボーイングレシオがそれぞれ１．１５、１．１０、１．０５、ボトム径レシオがそれぞれ０．７７、０．６７、０．６２であった。
このように、第１のフルオロカーボン系ガスとしてＣ５Ｆ８を用い、Ｃ５Ｆ８／ＣＦ４／Ａｒ／Ｏ２系混合ガスを用いた場合、ボトム径レシオが若干悪化するものの、ボーイングレシオが１．００と良好で、比較例に比べて、エッチングレートを約１．２０倍に向上させることができた。また、比較例に比べて、レジストマスクの残膜量が多いことから、レジストマスク選択比も向上していることが分かる。
図３は、本発明の一実施例に係わるフルオロカーボンの種類および流量比をパラメータとした場合のエッチング特性を示す図である。処理条件は、先の実施例と同様であり、オーバーエッチングは３０％である。図３において、Ｃ／Ｆ比の大きい第１のフルオロカーボン系ガスはＣ４Ｆ６、Ｃ／Ｆ比の小さい第２のフルオロカーボン系ガスはＣｘＦｙで示され、曲線Ａ１、Ａ２はＣｘＦｙ＝ＣＦ４、曲線Ｂ１、Ｂ２はＣｘＦｙ＝Ｃ２Ｆ６、曲線Ｃ１、Ｃ２はＣｘＦｙ＝Ｃ３Ｆ８、曲線Ｄ１、Ｄ２はＣｘＦｙ＝Ｃ４Ｆ８の場合を示す。
図３において、総ガス流量が同じで（３５ｓｃｃｍ）、ＣｘＦｙガスに対するＣ４Ｆ６ガスの流量比（Ｃ４Ｆ６ガス流量／ＣｘＦｙガス流量）が大きくなると、レジストマスク選択比は向上し、エッチングレートも増大する。これは、ガス全体としてのＣ／Ｆ比の増加によるエッチング種の増加及び炭素系ポリマーの堆積がエッチングレート向上及びレジストマスク選択比向上に作用するためと考えられる。
一方、Ｃ４Ｆ６ガスの流量が同じ（２５ｓｃｃｍ）でＣｘＦｙガスの流量が増えると、エッチングレートは増大するが、レジストマスク選択比は低下する。これは、ＣｘＦｙガスの流量が増えると、ガス全体としてのＣ／Ｆ比が低下することにより、炭素系ポリマーの堆積が減少するためと考えられる。このため、レジストマスク選択比の観点からは、ＣｘＦｙガスに対するＣ４Ｆ６ガスの流量比（Ｃ４Ｆ６ガス流量／ＣｘＦｙガス流量）は、０．５以上であることが好ましく、１以上がさらに好ましい。また、エッチングレートの観点からは、Ｃ４Ｆ６ガスの流量は２０ｓｃｃｍ以上であることが好ましい。
図４は、本発明の一実施例に係わるエッチングガス全体のＣ／Ｆ比計算結果を示す図である。
図４において、ＣｘＦｙガスに対するＣ４Ｆ６ガスの流量比が１以上の場合、エッチングガス全体のＣ／Ｆ比が０．５以上となることが分かる。図３において、Ｃ／Ｆ比が０．５以上の場合をまる印で示している。図３に示されるとおり、レジストマスク選択比を向上させるためには、２種類のフルオロカーボン系ガスが混合されたエッチングガス全体のＣ／Ｆ比を０．５以上とすることが好ましい。
また、ＣｘＦｙをＣＦ４→Ｃ２Ｆ６→Ｃ３Ｆ８→Ｃ４Ｆ８と換えることにより、レジストマスク選択比をほぼ一定に保ったまま、エッチングレートを向上させることができる。これは、ＣｘＦｙ中のＣの数（ｘ）の増加によりエッチング種が増加するＣｘＦｙ中のＣ／Ｆ比（ｘ／ｙ）が０．５以下に保たれているので、炭素系ポリマーの堆積の影響が小さいからであると考えられる。このため、エッチングレートの観点からは、ＣｘＦｙにおけるＣの数（ｘ）は大きいことが好ましい。
なお、ＣｘＦｙ＝Ｃ４Ｆ８の場合、Ｃの数（ｘ）が大きいため、炭素系ポリマーの堆積が促進される。このため、アスペクト比が１０以上のコンタクトホールをＳｉＯ２膜に形成すると、ホールの抜け性が悪くなる。ただし、ＰＳＧ膜、ＢＳＧ膜、ＢＰＳＧ膜、ＡｓＳＧ膜、ＡｓＰＳＧ膜、ＡｓＢＳＧ膜などの低融点膜に対しては、ホールの抜け性を維持することが可能となるため、ＣｘＦｙ＝Ｃ４Ｆ８の混合ガスは、これらの低融点膜のエッチングに特に適している。
図５〜７は、それぞれＣ／Ｆ比の小さい第２のフルオロカーボン系ガスの流量（添加量）を変化させた場合の、エッチングレート、平坦部におけるレジストマスク選択比、ボーイングレシオ、ボトム径レシオの変化を調べた結果を示すものである。図５はＣＦ４の場合、図６はＣ２Ｆ６の場合、図７はＣ３Ｆ８の場合である。また、これらの図において、図５（ａ）、図６（ａ）、図７（ａ）は、エッチングレートと、平坦部におけるレジストマスク選択比の変化を示し、図５（ｂ）、図６（ｂ）、図７（ｂ）は、ボーイングレシオ、ボトム径レシオの変化を示している。エッチング条件は、Ｃ４Ｆ６／ＣｘＦｙ／Ａｒ／Ｏ２の流量比３５／０〜３５／７００／３６ｓｃｃｍ、上部電極２のＲＦパワー２２００Ｗ、下部電極３のＲＦパワー１８００Ｗ、圧力２．６６Ｐａ（２０ｍＴｏｒｒ）、ウエハＷ裏面におけるＨｅ圧力はセンターで６６５Ｐａ（５Ｔｏｒｒ）、エッジで３３３０Ｐａ（２５Ｔｏｒｒ）、トップ温度６０℃、ウォール温度５０℃、ボトム温度−１０℃である。
エッチング時間は、エッチングレート及びレジスト選択比を求める場合は、３０％アンダーエッチングの条件とし、断面形状を評価する場合は３０％オーバーエッチングに相当する時間とした。
これらの図に示されるとおり、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ８を添加することによって、エッチングレートが向上し、ボーイングレシオも改善され、ボトム径レシオも改善される。一方、レジストマスク選択比は、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ８を添加することによって、一旦上昇するが、添加量を増加させると次第に低下する傾向がある。このため、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ８の添加量は、図中に縦の実線を付したＣ／Ｆ比＝０．５２以上となる範囲（実線より左側）とすることが好ましい。
ところで、所謂セルフアライン技術によりコンタクトホール（セルフアラインコンタクト）を形成するエッチング工程では、図８に示すように、レジストマスク３１を介して、シリコン酸化膜３２等をエッチングし、シリコン基板３３に至るコンタクトホール３４を形成する際に、下層に形成されたゲート電極３５の周囲に形成されたシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）３６が露出する場合がある。
上記のように、シリコン窒化膜が露出する工程においては、コンタクトホールを形成するエッチングにおいて、シリコン窒化膜に対するシリコン酸化膜の選択比（シリコン窒化膜選択比）を高くする必要がある。図９は、ＣＦ４の添加量の違いによる、シリコン酸化膜（ＢＰＳＧ膜）のエッチングレート、レジストマスク選択比（ファセット部）、シリコン窒化膜選択比（ＳｉＮ選択比）の変化を測定した結果を示すものである。
エッチング条件は、Ｃ４Ｆ６／ＣＦ４／Ａｒ／Ｏ２の流量比１６／０〜１０／８００／１６ｓｃｃｍ、上部電極２のＲＦパワー１５３０Ｗ、下部電極３のＲＦパワー１３５０Ｗ、圧力３．９９Ｐａ（３０ｍＴｏｒｒ）、ウエハＷ裏面におけるＨｅ圧力はセンターで６６５Ｐａ（５Ｔｏｒｒ）、エッジで１３３０Ｐａ（１０Ｔｏｒｒ）、トップ温度４０℃、ウォール温度６０℃、ボトム温度５０℃である。また、エッチング時間は、エッチングレート、レジストマスク選択比の測定の場合が９０秒、シリコン窒化膜選択比の測定の場合が１００％オーバーエッチングに相当する時間である。なお、シリコン酸化膜の厚さは１４００ｎｍ、コンタクトホール径は４００ｎｍである。
同図に示すように、ＣＦ４を添加することによって、エッチングレート及びＳｉＮ選択比が向上する。但し、ＣＦ４の添加量が増えると、レジストマスク選択比が低下する傾向がある。したがって、同図に示す例では、ＣＦ４の添加量が１０ｓｃｃｍ程度以下、Ｃ／Ｆ比で示せば、図中実線を付したＣ／Ｆ比＝０．５４以上（実線より左側）とすることが好ましい。
なお、シリコン窒化膜がシリコン酸化膜の上に形成された構造においてシリコン酸化膜をエッチングする場合であっても、上記の場合と同様の効果が得られる。
図１０は、シリコン酸化膜（Ｐ−ＳｉＯ２膜）のエッチングレート、レジストマスク選択比（ファセット部）、ボーイングレシオ（ボーイングＣＤレシオ）、ボトム径レシオ（ボトム径ＣＤレシオ）、シリコン窒化膜選択比の温度依存性を測定した結果を示すものである。
エッチング条件は、Ｃ４Ｆ６／ＣＦ４／Ａｒ／Ｏ２糸混合ガスを、流量比２４／９／７００／３０ｓｃｃｍ（ボトム温度＝−２０，０℃（ウエハ温度＝８０，１００℃）の場合）、３０／１１／８５０／３６ｓｃｃｍ（ボトム温度＝０，２０℃（ウエハ温度＝１００，１２０℃）の場合）とした。
他のエッチング条件は、上部電極２のＲＦパワーを１８００Ｗ、下部電極３のＲＦパワーを２１００Ｗ、圧力を２．６６Ｐａ（２０ｍＴｏｒｒ）〜３．３３Ｐａ（２５ｍＴｏｒｒ）、ウエハＷ裏面におけるＨｅ圧力をセンターで２０００Ｐａ（１５Ｔｏｒｒ）、エッジで４６６０Ｐａ（３５Ｔｏｒｒ）、トップ温度を６０℃、ウォール温度５０℃、ボトム温度−２０〜２０℃（ウエハ温度が８０〜１２０℃）に設定した。エッチング時間は、シリコン酸化膜のエッチングレートとレジストマスク選択比を求める場合は３０％のアンダーエッチングとし、それ以外は２０％オーバーエッチングに相当する時間とした。
同図に示されるとおり、エッチングレート、レジストマスク選択比、ボーイングレシオ、ボトム径レシオ、シリコン窒化膜選択比は、それぞれ温度依存性があることが分かる。
エッチングレートおよびレジストマスク選択比は、ウエハ温度が低い方が大きいが、シリコン窒化膜選択比およびボーイングレシオ、ボトム径レシオは、ウエハ温度が高い方が好ましい。つまりこれらはトレードオフの関係にあることが分かる。ウエハ温度が１４０℃（ボトム温度４０℃）を越えるとレジストが軟化、変質するのでマスクとしての形状が保たれない。したがって、ウエハ温度は、８０〜１２０℃とすることが好ましい。
以上説明したように、本発明によれば、２種類以上のフルオロカーボン系ガスを混合させてエッチングを行うことにより、ボーイングの発生を抑制することが可能となるとともに、エッチングレートおよびレジストマスク選択比を向上させることができる。また、シリコン窒化膜が露出している場合、シリコン窒化膜選択比を向上させることができる。
産業上の利用可能性
本発明に係る絶縁膜のエッチング方法は、半導体装置の製造を行う半導体製造産業等において使用することが可能である。したがって、産業上の利用可能性を有する。
【図面の簡単な説明】
図１は、本発明の一実施例に係わるエッチング装置の概略構成を示す断面図である。
図２は、本発明の一実施例に係わるエッチング試料の構成を示す断面図であり、図２（ａ）はエッチング前、図２（ｂ）はエッチング後を示す。
図３は、本発明の一実施例に係わるフルオロカーボンの種類および流量比をパラメータとした場合のエッチング特性を示す図である。
図４は、本発明の一実施例に係わるエッチングガス全体のＣ／Ｆ比計算結果を示す図である。
図５は、本発明の一実施例に係わるＣＦ４添加量とエッチング特性の関係を示す図であり、図５（ａ）はエッチングレート、レジストマスク選択比を示し、図５（ｂ）はボーイングレシオ、ボトム径レシオを示す。図６は、本発明の一実施例に係わるＣ２Ｆ６加量とエッチング特性の関係を示す図であり、図６（ａ）はエッチングレート、レジストマスク選択比を示し、図６（ｂ）はボーイングレシオ、ボトム径レシオを示す。図７は、本発明の一実施例に係わるＣ３Ｆ８加量とエッチング特性の関係を示す図であり、図７（ａ）はエッチングレート、レジストマスク選択比を示し、図７（ｂ）はボーイングレシオ、ボトム径レシオを示す。図８は、本発明の一実施例に係わるエッチング試料の構成を示す断面図である。
図９は、本発明の一実施例に係わるＣＦ４添加量とエッチング特性の関係を示す図である。
図１０は、本発明の一実施例に係わるエッチング特性の温度依存性を示す図である。
Claims (9)
- エッチングガスとして、Ｃ≧４、Ｃ／Ｆ比が０．６２５以上の第１のフルオロカーボン系ガスと、Ｆ≧４、Ｃ／Ｆ比が０．５以下の第２のフルオロカーボン系ガスと、Ａｒガスと、Ｏ2 ガスとを少なくとも含む混合ガスを用いる絶縁膜のエッチング方法であって、
前記第１のフルオロカーボン系ガスと、前記第２のフルオロカーボン系ガスとの流量比（第１のフルオロカーボン系ガス流量／第２のフルオロカーボン系ガス流量）が０．５０以上であり、かつ、前記混合ガス全体のＣ／Ｆ比が０．５２以上であることを特徴とする。 - 請求項１記載の絶縁膜のエッチング方法において、
前記第１のフルオロカーボン系ガスは、Ｃ5 Ｆ8 ガス或いはＣ4 Ｆ6 ガスであることを特徴とする。 - 請求項２記載の絶縁膜のエッチング方法において、
前記第２のフルオロカーボン系ガスは、ＣＦ4 ガス、Ｃ2 Ｆ6 ガス、Ｃ3 Ｆ8 ガス、Ｃ4 Ｆ8 ガスからから選択されたいずれか１つであることを特徴とする。 - 請求項１項記載の絶縁膜のエッチング方法において、
前記混合ガスはハイドロフルオロカーボン系ガスをさらに含むことを特徴とする。 - 請求項４記載の絶縁膜のエッチング方法において、
前記ハイドロフルオロカーボン系ガスは、ＣＨ2 Ｆ2 ガスであることを特徴とする。 - 請求項１記載の絶縁膜のエッチング方法において、
前記絶縁膜がシリコン酸化膜であることを特徴とする。 - 請求項６記載の絶縁膜のエッチング方法において、
前記シリコン酸化膜の上層或いは下層にシリコン窒化膜が露出することを特徴とする。 - 請求項７記載の絶縁膜のエッチング方法において、
前記シリコン酸化膜のエッチングが、セルフアラインコンタクトの形成工程において行われることを特徴とする。 - エッチングガスとして、Ｃ≧４、Ｃ／Ｆ比が０．６２５以上の第１のフルオロカーボン系ガスと、Ｆ≧４、Ｃ／Ｆ比が０．５以下の第２のフルオロカーボン系ガスと、Ａｒガスと、Ｏ2 ガスとを少なくとも含む混合ガスを用いる絶縁膜のエッチング方法であって、前記絶縁膜が形成された基板の温度を、８０〜１２０℃とすることを特徴とする絶縁膜のエッチング方法。
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| JP4963156B2 (ja) * | 2003-10-03 | 2012-06-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
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| US7794616B2 (en) * | 2004-08-09 | 2010-09-14 | Tokyo Electron Limited | Etching gas, etching method and etching gas evaluation method |
| KR100650835B1 (ko) * | 2004-10-29 | 2006-11-27 | 에스티마이크로일렉트로닉스 엔.브이. | 반도체 소자의 소자분리막 형성방법 |
| US7416676B2 (en) * | 2005-02-16 | 2008-08-26 | Tokyo Electron Limited | Plasma etching method and apparatus, control program for performing the etching method, and storage medium storing the control program |
| JP2007242753A (ja) * | 2006-03-07 | 2007-09-20 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
| US7517804B2 (en) | 2006-08-31 | 2009-04-14 | Micron Technologies, Inc. | Selective etch chemistries for forming high aspect ratio features and associated structures |
| JP5214152B2 (ja) * | 2007-02-08 | 2013-06-19 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
| JP4450245B2 (ja) * | 2007-06-07 | 2010-04-14 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
| JP4978512B2 (ja) * | 2008-02-29 | 2012-07-18 | 日本ゼオン株式会社 | プラズマエッチング方法 |
| US20110265883A1 (en) * | 2010-04-30 | 2011-11-03 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for reducing flow splitting errors using orifice ratio conductance control |
| CN103578973B (zh) * | 2012-07-29 | 2017-09-05 | 中国科学院微电子研究所 | 氮化硅高深宽比孔的循环刻蚀方法 |
| CN103903978B (zh) * | 2012-12-27 | 2016-12-28 | 南亚科技股份有限公司 | 蚀刻方法 |
| CN106297831B (zh) * | 2015-05-21 | 2020-04-21 | 新科实业有限公司 | 在衬底形成图案的方法 |
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Family Cites Families (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3038950B2 (ja) * | 1991-02-12 | 2000-05-08 | ソニー株式会社 | ドライエッチング方法 |
| JP3154128B2 (ja) * | 1991-05-24 | 2001-04-09 | ソニー株式会社 | ドライエッチング方法 |
| JP3116569B2 (ja) * | 1992-06-29 | 2000-12-11 | ソニー株式会社 | ドライエッチング方法 |
| KR100246029B1 (ko) * | 1997-10-20 | 2000-03-02 | 구자홍 | 간헐 영상 녹화재생장치 |
| TW394989B (en) * | 1997-10-29 | 2000-06-21 | Matsushita Electronics Corp | Semiconductor device manufacturing and reaction room environment control method for dry etching device |
| JP3003657B2 (ja) * | 1997-12-24 | 2000-01-31 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US6159862A (en) * | 1997-12-27 | 2000-12-12 | Tokyo Electron Ltd. | Semiconductor processing method and system using C5 F8 |
| JPH11330046A (ja) * | 1998-05-08 | 1999-11-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| TW511335B (en) * | 1998-06-09 | 2002-11-21 | Mitsubishi Electric Corp | Integrated circuit |
| US6297163B1 (en) * | 1998-09-30 | 2001-10-02 | Lam Research Corporation | Method of plasma etching dielectric materials |
| JP4776747B2 (ja) * | 1998-11-12 | 2011-09-21 | 株式会社ハイニックスセミコンダクター | 半導体素子のコンタクト形成方法 |
| JP4230029B2 (ja) * | 1998-12-02 | 2009-02-25 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびエッチング方法 |
| US6417090B1 (en) * | 1999-01-04 | 2002-07-09 | Advanced Micro Devices, Inc. | Damascene arrangement for metal interconnection using low k dielectric constant materials for etch stop layer |
| JP2000252259A (ja) * | 1999-02-25 | 2000-09-14 | Sony Corp | ドライエッチング方法及び半導体装置の製造方法 |
| US6184107B1 (en) * | 1999-03-17 | 2001-02-06 | International Business Machines Corp. | Capacitor trench-top dielectric for self-aligned device isolation |
| US6849193B2 (en) * | 1999-03-25 | 2005-02-01 | Hoiman Hung | Highly selective process for etching oxide over nitride using hexafluorobutadiene |
| JP4578651B2 (ja) * | 1999-09-13 | 2010-11-10 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置、プラズマエッチング方法 |
| JP2001135630A (ja) * | 1999-11-10 | 2001-05-18 | Matsushita Electronics Industry Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US6326307B1 (en) * | 1999-11-15 | 2001-12-04 | Appllied Materials, Inc. | Plasma pretreatment of photoresist in an oxide etch process |
| JP3400770B2 (ja) * | 1999-11-16 | 2003-04-28 | 松下電器産業株式会社 | エッチング方法、半導体装置及びその製造方法 |
| US6337244B1 (en) * | 2000-03-01 | 2002-01-08 | Micron Technology, Inc. | Method of forming flash memory |
| US6451703B1 (en) * | 2000-03-10 | 2002-09-17 | Applied Materials, Inc. | Magnetically enhanced plasma etch process using a heavy fluorocarbon etching gas |
| US6337285B1 (en) * | 2000-03-21 | 2002-01-08 | Micron Technology, Inc. | Self-aligned contact (SAC) etch with dual-chemistry process |
| JP4839506B2 (ja) * | 2000-04-28 | 2011-12-21 | ダイキン工業株式会社 | ドライエッチング方法 |
| KR100362834B1 (ko) * | 2000-05-02 | 2002-11-29 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 장치의 산화막 형성 방법 및 이에 의하여 제조된 반도체 장치 |
| EP1281193A2 (en) * | 2000-05-12 | 2003-02-05 | Tokyo Electron Limited | Method of high selectivity sac etching |
| US6362109B1 (en) * | 2000-06-02 | 2002-03-26 | Applied Materials, Inc. | Oxide/nitride etching having high selectivity to photoresist |
| KR100363710B1 (ko) * | 2000-08-23 | 2002-12-05 | 삼성전자 주식회사 | 셀프-얼라인 콘택 구조를 갖는 반도체 장치 및 그 제조방법 |
| US6797639B2 (en) * | 2000-11-01 | 2004-09-28 | Applied Materials Inc. | Dielectric etch chamber with expanded process window |
| KR100874813B1 (ko) * | 2000-11-08 | 2008-12-19 | 다이킨 고교 가부시키가이샤 | 드라이 에칭 가스 및 드라이 에칭 방법 |
| JP4213871B2 (ja) * | 2001-02-01 | 2009-01-21 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の製造方法 |
| TW483111B (en) * | 2001-06-08 | 2002-04-11 | Promos Technologies Inc | Method for forming contact of memory device |
| US6674241B2 (en) * | 2001-07-24 | 2004-01-06 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and method of controlling chemistry |
| US6518164B1 (en) * | 2001-11-30 | 2003-02-11 | United Microelectronics Corp. | Etching process for forming the trench with high aspect ratio |
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