JP3742211B2 - 半導体装置のモールド金型およびマーキング方法 - Google Patents

半導体装置のモールド金型およびマーキング方法 Download PDF

Info

Publication number
JP3742211B2
JP3742211B2 JP02713598A JP2713598A JP3742211B2 JP 3742211 B2 JP3742211 B2 JP 3742211B2 JP 02713598 A JP02713598 A JP 02713598A JP 2713598 A JP2713598 A JP 2713598A JP 3742211 B2 JP3742211 B2 JP 3742211B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
marking
mask
resin
mold
mark
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP02713598A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH11233539A (ja
Inventor
弘之 小路
一夫 楠田
統夫 松村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP02713598A priority Critical patent/JP3742211B2/ja
Priority to TW088101702A priority patent/TW416088B/zh
Priority to DE69925054T priority patent/DE69925054T2/de
Priority to EP99102304A priority patent/EP0935287B1/en
Priority to IDP990088A priority patent/ID21940A/id
Priority to US09/248,142 priority patent/US6270712B1/en
Publication of JPH11233539A publication Critical patent/JPH11233539A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3742211B2 publication Critical patent/JP3742211B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
    • B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
    • B29C33/42—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the shape of the moulding surface, e.g. ribs or grooves
    • B29C33/424—Moulding surfaces provided with means for marking or patterning
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
    • B29C45/26—Moulds
    • B29C45/37—Mould cavity walls, i.e. the inner surface forming the mould cavity, e.g. linings
    • B29C45/372—Mould cavity walls, i.e. the inner surface forming the mould cavity, e.g. linings provided with means for marking or patterning, e.g. numbering articles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
    • H01L31/167—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by at least one potential or surface barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54406—Marks applied to semiconductor devices or parts comprising alphanumeric information
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54473—Marks applied to semiconductor devices or parts for use after dicing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54473—Marks applied to semiconductor devices or parts for use after dicing
    • H01L2223/54486—Located on package parts, e.g. encapsulation, leads, package substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48095—Kinked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1301—Thyristor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/1815—Shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表面にマーキングを施す樹脂モールドパッケージを製造するための半導体装置のモールド金型およびマーキング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、図１３に示すような光結合素子が、樹脂モールドパッケージに封入された半導体装置の１種として広く用いられている。図１３に示すような光結合素子を組立る前に、リードフレーム１，２には、発光素子３および受光素子４をそれぞれダイボンドで接合しておく。さらに各リードフレーム１，２と発光素子３および受光素子４との間に、金などのボンディングワイヤ５を用いてワイヤボンドを施し、さらに発光素子３の周囲にシリコン樹脂などのプリコート樹脂６をコーティングしておく。その後、これらのリードフレーム１，２をスポット溶接あるいはローディングフレームにセットすること等によって、発光素子３および受光素子４を対向させ、光学的に結合するような位置関係に保持する。その状態で、透光性エポキシ樹脂などの１次モールド樹脂７で封止し、さらにその周囲を遮光性エポキシ樹脂などの２次モールド樹脂８で封止する。
【０００３】
１次モールド樹脂７および２次モールド樹脂８による樹脂封止は、トランスファモールド成形で行われる。成形後に、モールド樹脂の外部に露出しているリードフレーム１，２の部分に対して、外装メッキやフォーミングなどの後処理を施し、さらに光結合素子としての電気的な特性検査を行い、樹脂モールドパッケージの表面にマーク９を付加するマーキングを施している。
【０００４】
図１４は、図１３に示す光結合素子の製造工程を示す。ステップａ１からステップａ３までは、発光素子３側の前処理を示し、ステップｂ１およびステップｂ２は受光素子４側の前処理を示す。ステップｃ１〜ステップｃ７までが、光結合素子としての製造工程を示す。
【０００５】
ステップａ１およびステップｂ１では、発光素子３および受光素子４のリードフレーム１，２の所定位置へのダイボンドをそれぞれ行う。なお、「発光素子」および「受光素子」は、以後「ＧＬ」および「ＰＴ」のように、それぞれ略称することもある。ステップａ２およびステップｂ２では、発光素子３および受光素子４にそれぞれ形成されているボンディングパッドとリードフレーム１，２の所定の部分との間でのワイヤボンドをそれぞれ行う。発光素子３については、さらにステップａ３で、プリコート樹脂６によるプリコートが行われる。
【０００６】
ステップｃ１では、モールド金型に、発光素子３が装着されるリードフレーム１と、受光素子４が装着されるリードフレーム２とを、発光素子３および受光素子４が光学的に結合する状態となるようにセットし、１次成形金型を用いて１次モールドを行う。次にステップｃ２で、２次成形金型内に、１次モールド樹脂７の成形品をセットし、２次モールド樹脂８で封止する２次モールドを行う。２次モールドが終了すると、樹脂モールドパッケージの外部に出ているリードフレーム１，２に対して、外装メッキや曲げ加工のフォーミングなどが行われ、ステップｃ３で電気的特性などの検査が行われる。特性検査で良品と判断されれば、ステップｃ４で、樹脂モールドパッケージの表面にマーク９が施される。次にステップｃ５で、マーク９も含めた外観検査を行い、合格品をステップｃ６で梱包し、ステップｃ７で市場や客先などに出荷する。
【０００７】
光結合素子としては、たとえばホトカプラやホトサイリスタなどが含まれ、図１４のステップｃ１での１次モールドで透光性エポキシ樹脂などの１次モールド樹脂７で一旦成形してから、遮光性のエポキシ樹脂など２次モールド樹脂８で成形することが特徴である。トランジスタやダイオードなど、個別の半導体素子を封入する樹脂モールドパッケージや、半導体集積回路を封入する樹脂モールドパッケージでは、透光性の１次モールド樹脂を用いる必要がないので、トランスファモールド成形は１回だけ行われるけれども、図１４のステップｃ３以降の処理は基本的に同等である。
【０００８】
半導体装置のモールド成形用の金型にマーキング部を設け、マーキングをモールド成形と同時に行う先行技術は、たとえば特開平６−１２０２８１に開示されている。この先行技術のマーキング部では、モールド成形用金型の表面に、ピン状体の先端が突出または後退して、全体としてマーキング内容に対応する凹凸を形成する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
従来の光結合素子などの半導体装置の製造工程では、モールドを行った後に、個別に設けられるマーキング工程で、スタンピングあるいはレーザ照射によって、品名、製造年月日、商標等を表すマーク９をパッケージの表面に付加している。このため工程が１つ余分に必要となり、製造効率が悪く、運用コストがかかるとともに、パッケージ表面の粉塵付着や汚れなどによるマーク消え、モールド品の位置決め精度に起因するマーク９の位置ずれ等の不具合が発生することになり、歩留り低下や再修正の手間の増加などによるコストアップの要因ともなっている。
【００１０】
モールド成形金型自体にマーキング内容に応じた凹凸部を形成すれば、モールド成形とマーキングとを同時に行うことができ、前述の不具合やコストアップを回避することができる。しかしながら、光結合素子を含む半導体装置では、同一のモールド成形金型を、複数の品種に適用することもあり、また同一品種に対しても、製造年月日や製造ロットなどを表す部分はマーキング内容の変更が必要である。したがって、モールド成形用金型自体にマーキング内容に対応する凹凸を形成すると、マーキング内容の変更時に金型を交換しなければならず、作業性が悪くコストアップを招くことになる。
【００１１】
モールド成形金型自体に凹凸を形成する方法として、特開平６−１２０２８１の先行技術のように、多数のピン状体を設けて、各ピン状体の出没状態の変化で凹凸を形成することも提案されているけれども、金型の構造が複雑となり、金型のコストも上昇して、最終的には製品のコストアップを招く。
【００１２】
本発明の目的は、モールド成形後のマーキング工程を省略することができ、マーキング内容変更の作業も短時間で行うことができる半導体装置のモールド金型およびマーキング方法を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明は、半導体素子を合成樹脂中に封止して半導体装置の樹脂モールドパッケージを成形するためのモールド金型であって、
半導体素子を収納して、合成樹脂を充填するためのキャビティを有し、分割可能な成形金型と、
該成形金型で、半導体装置の樹脂モールドパッケージのマーキングを施す表面を成形するキャビティ内壁の所定位置に配置され、成形される樹脂モールドパッケージの表面にマーキングを付加するマスクと、
該マスクを該成形金型内の該所定位置に保持し、該キャビティ内壁から該成形金型の合わせ面にかけて覆い、該成形金型に対して着脱可能な治具とを含み、
該マスクは該治具に対して着脱可能であり、
マスクは感光性樹脂を用いて形成され、
マスクには、マーキングで表示すべき内容が凹凸で形成されていることを特徴とする半導体装置のモールド金型である。
【００１４】
本発明に従えば、成形金型は、分割可能であり、半導体素子を収納して合成樹脂を充填するためのキャビティには、樹脂モールドパッケージのマーキングを施す表面を成形する所定位置に、マーキングを付加するマスクが装着される。マスクは、治具によって成形金型内の所定位置に保持され、半導体素子を合成樹脂中に封止して半導体装置の樹脂モールドパッケージを成形する際に同時に付加することができる。これによって、モールド後に行うマーキング工程を省略することができ、しかもマスクは治具に着脱可能であり、治具は成形金型に着脱可能であるので、マーキング内容の変更作業の時間短縮を図り、コストダウンを行うことができる。マスクを成形金型内の所定位置に保持する治具は、マスクによるマーキング内容が変更されても、そのまま用いることができるので、変更部分を最小限に留め、内容変更作業の時間短縮とコストダウンとを図ることができる。
【００１６】
また、感光性樹脂のマスクに形成されている凹凸に従って、成形される樹脂モールドパッケージの表面には、凹凸でマークの内容を表示することができる。
【００２１】
さらに本発明は、半導体素子を合成樹脂中に封止して半導体装置の樹脂モールドパッケージを成形する際に、
成形金型内に、感光性樹脂を用いて形成され、マークの内容を凹凸によって表すマーキング用のマスクを配置しておき、
該マスクが保持するマークの内容に従って、成形される樹脂モールドパッケージの表面にマーキングを施すことを特徴とする半導体装置のマーキング方法である。
【００２２】
本発明に従えば、マスクを感光性樹脂を用いて形成するので、成形金型に硬化前の感光性樹脂を装着し、光でマークの内容を表すように部分的に硬化させ、未硬化部分を溶剤などに溶質させて除去すると、マークの内容に応じた凹凸を形成することができる。
【００２５】
また本発明で前記マスクによって成形される樹脂モールドパッケージの表面にマーキングが施された後で、
マーキングが施された表面に、マーキング内容の視認性を高めるインクをスタンプすることを特徴とする。
【００２６】
本発明に従えば、樹脂モールドパッケージの表面に凹凸で形成されるマークの視認性を、インクをスタンプすることによって高めることができるので、見やすいマークの付加を行うことができる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の基礎となる形態で用いる成形金型１０の概略的な構成を示す。成形金型１０は、マーク面金型１０ａと裏面金型１０ｂとから成り、中間にキャビティ１０ｃを形成する。マーク面金型１０ａには、図２に示す凹凸マスク１１が着脱可能に装着される。凹凸マスク１１のマーク面金型１０ａへの装着のために、治具固定用溝１２が形成されている。一般にキャビティ１０ｃは複数個形成され、１回の成形で複数個のパッケージが得られる。
【００３０】
図２に示すように、凹凸マスク１１には、マーク内容１３に応じた凹部または凸部が形成される。マーク内容１３は、たとえば品名１３ａ、商標１３ｂ、製造年月日コード１３ｃおよび１番リード表示１３ｄなどを含む。
【００３１】
図３は、図２に示す凹凸マスク１１を、マーク面金型１０ａに、マスクセット治具１４を用いて装着している状態を示す。成形金型１０やマスクセット治具１４は、長期間にわたる多数回のモールド成形に使用するので、耐久性のある金属材料、たとえば鉄などを用いて形成する。凹凸マスク１１は、短期間の比較的少数回のモールド成形に使用するので、比較的軟質でマーク内容の凹凸を形成しやすい材料、たとえば合成樹脂などを用いて形成することができる。
【００３２】
図４は、本基礎形態で、光結合素子を製造する工程を示す。ステップａ１からステップａ３までとステップｂ１からステップｂ２までの工程は、図１４に示す従来の製造工程と同様である。ステップｄ１も図１４のステップｃ１と同様である。ステップｄ２では、２次モールドと同時にマーキングも行う。ステップｄ３の特性検査、ステップｄ４の外観検査、ステップｄ５の梱包およびステップｄ６の出荷は、図１４のステップｃ３の特性検査、ステップｃ５の外観検査、ステップｃ６の梱包およびステップｃ７の出荷とそれぞれ同等であるので、重複した説明を省略する。ステップｄ２の２次モールドでは、図３に示すようなマーク面金型１０ａに凹凸マスク１１をマスクセット治具１４で装着した状態で、２次モールドを行う。これによって、光結合素子の２次モールドとその表面へのマーク内容１３の付加とを同時に行うことができ、ステップｄ３の特性検査の後でステップｄ４の外観検査を直ちに行い、マーキング工程を省略することができる。
【００３３】
図５は、図２の凹凸マスク１１によって形成される光結合素子へのマーク付加状態を示す。図５（ａ）は、図２に示す凹凸マスク１１にマーク内容１３に対応する凹部を形成し、凸マーク１５ａを付加した光結合素子１６ａを示す。図５（ｂ）は、図２に示す凹凸マスク１１にマーク内容１３に対応する凸部を形成し、凹マーク１５ｂを形成した光結合素子１６ｂを示す。
【００３４】
図６は、本発明の実施の第１形態に用いる成形金型２０の構成を示す。本実施形態の成形金型２０のマーク面金型２０ａには、図７に示す感光性樹脂マスク２１を形成し、裏面金型２０ｂとの間に形成されるキャビティ２０ｃで樹脂モールドパッケージの成形を行う。
【００３５】
図７に示す感光性樹脂マスク２１は、未硬化の光感光性樹脂をマーク面金型２０ａに塗布などによって装着し、紫外線やレーザ光を照射してマーク内容１３に対応する部分的な硬化を生じさせ、未硬化部分を溶剤などで除去する。図７（ａ）は、図５（ａ）に示すような凸マーク１５ａを形成するための凹タイプマスク２１ａを示す。図７（ｂ）は、図５（ｂ）に示すような凹マーク１５ｂを形成するための凸タイプマスク２１ｂを示す。マークの内容変更時には、感光性樹脂の溶解剤入りの樹脂、あるいはシートで感光性樹脂マスク２１の除去を行い、新たに感光性樹脂を塗布してマスク内容１３に対応する凹凸を形成し、マーク内容の変更を行うことができる。本実施形態によれば、従来の成形金型に対する変更はほとんど必要なく、マスク２１の着脱が可能となる。
【００３６】
図８は、本発明に関連する形態の成形金型３０の概略的な構成を示す。本実施形態の成形金型３０のマスク面金型３０ａには、マーキングシート３１を全面にわたって装着する。マーキングシート３１が全面にわたって装着されたマーク面金型３０ａと裏面金型３０ｂとの間のキャビティ３０ｃで樹脂モールドパッケージを成形し、マーキングシート３１の表面に形成されているマーク内容を成形される樹脂モールドパッケージの表面に転写することによって、モールド成形とマーキングとを同時に行うことができる。
【００３７】
図９は、図８のマーキングシート３０の表面に、複数のマーク内容１３を形成して担持させている状態を示す。マーク内容１３は、成形金型３０のキャビティの配列ピッチに対応して配列し、複数のキャビティに対して同時にマスクのセットが可能にしている。本実施形態では、マーキングシート３１を変えるだけでマーキング内容変更を容易に行うことができ、成形金型３０にマーキングの汚れがつかないようにすることができる。
【００３８】
図１０は、本発明の実施の第２形態として、スタンプインク４０でマークの視認性を向上させる状態を示す。図１０（ａ）は、たとえば図５（ａ）に示す光結合素子１６ａのパッケージの表面の凸マーク１５ａ上にスタンプインク４０を塗布した状態を示し、図１０（ｂ）は図５（ｂ）の光結合素子１６ｂのパッケージの表面上に、凹マーク１５ｂを避けてスタンプインク４０を塗布した状態を示す。スタンプインク４０は、白、シルバー等のパッケージに対する視認性の良好な色を有する紫外線硬化型あるいは熱硬化型樹脂を主成分とし、簡単な作業で塗布した後、硬化させれば、マーキングの視認性を向上させることができる。スタンプインク４０は、パッケージの表面にマーク内容１３が凹凸で形成されている状態の視認性を高めるために塗布するだけであるので、マーキングを施す場合よりも、簡単な作業で塗布可能である。
【００３９】
図１１は、本発明に関連する他の形態として、成形金型５０の表面に、スタンプインク５１でマーク内容１３をスタンピングして付加している状態を示す。この成形金型５０を用いて樹脂モールドパッケージを成形すると、成形される樹脂モールドパッケージの表面にマーキング内容を表示するスタンプインク５１が結合され、成形と同時にマーキングを行うことができるので、後から行うマーキング工程を省略することができる。マーキング内容の変更時には、スタンピングを行うマスクを変更すればよいので、容易に変更を行うことができる。
【００４０】
図１２は、本関連形態で、モールドパッケージ５２の表面に図１１のスタンプインク５１によるマーク内容１３を結合させた状態を示す。スタンプインク５１は、紫外線硬化型樹脂あるいは熱硬化性樹脂であり、モールドパッケージ５２の表面に結合させれば、別工程で付加されるマークと同等以上の耐久性を有する表示を行うことができる。
【００４１】
以上説明した各実施形態では、光結合素子の樹脂モールドパッケージにマークを施しているけれども、一般の半導体装置の樹脂モールドパッケージにも同様に本発明を適用してマークをモールド成形と同時に付加することができる。光結合素子の場合には、モールド成形を１次と２次とに分けて行っているけれども、透光性の樹脂による１次モールドの必要がなければ、モールドを１回で行い、その際にマーキングを同時に施すことができる。
【００４２】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、樹脂モールドパッケージを成形する成形金型に着脱可能なマスクでマークを形成することができるので、モールド工程とマーキング工程とを同時に行い、マーキング工程を省略することができる。
【００４３】
また、成形される樹脂モールドパッケージの表面に凹凸でマーキングを施すことができる。
【００４６】
さらに本発明によれば、感光性樹脂を用いて形成されるマスクで樹脂モールドパッケージの成形と同時にマークを付加することができる。
【００４８】
また本発明によれば、樹脂モールドパッケージの成形と同時にマークを施した後、そのマークの視認性をインクをスタンプして高めることができる。インクのスタンプは、パッケージの表面にマークを付加する工程よりは簡単に行うことができ、簡単な作業で視認性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の基礎となる形態の成形金型１０の構成を示す簡略化した断面図である。
【図２】 図１の成形金型１０内に装着する凹凸マスク１１の平面図である。
【図３】 図１の成形金型１０のマーク面金型１０ａに凹凸マスク１１を装着する状態を示す簡略化した断面図である。
【図４】 図１の成形金型１０を用いる光結合素子の製造工程を示すフローチャートである。
【図５】 図１の成形金型１０を用いて成形される光結合素子１６ａ，１６ｂの簡略化した断面図である。
【図６】 本発明の実施の第１形態に用いる成形金型２０の構成を示す簡略化した断面図である。
【図７】 図６の成形金型２０に用いる感光性樹脂マスク２１の簡略化した斜視図である。
【図８】 本発明に関連する形態に用いる成形金型３０の構成を示す簡略化した断面図である。
【図９】 図８の成形金型３０に用いるマーキングシート３１の部分的な平面図である。
【図１０】 本発明の実施の第２形態で行われるマーキングの状態を示す部分的な断面図である。
【図１１】 本発明に関連する他の形態に用いる成形金型５０の部分的な斜視図である。
【図１２】 図１１の関連形態で成形されるモールドパッケージ状のマークを示す部分的な断面図である。
【図１３】 従来からの光結合素子の構造を示す簡略化した断面図である。
【図１４】 図１３の光結合素子を製造する工程を示すフローチャートである。
【符号の説明】
１０，２０，３０，５０ 成形金型
１０ａ，２０ａ，３０ａ，５０ａ マーク面金型
１１ 凹凸マスク
１２ 治具固定用溝
１３ マーク内容
１４ マスクセット治具
１６ａ，１６ｂ 光結合素子
２１ 感光性樹脂マスク
３１ マーキングシート
４０，５１ スタンプインク
５２ モールドパッケージ

Claims (3)

  1. 半導体素子を合成樹脂中に封止して半導体装置の樹脂モールドパッケージを成形するためのモールド金型であって、
    半導体素子を収納して、合成樹脂を充填するためのキャビティを有し、分割可能な成形金型と、
    該成形金型で、半導体装置の樹脂モールドパッケージのマーキングを施す表面を成形するキャビティ内壁の所定位置に配置され、成形される樹脂モールドパッケージの表面にマーキングを付加するマスクと、
    該マスクを該成形金型内の該所定位置に保持し、該キャビティ内壁から該成形金型の合わせ面にかけて覆い、該成形金型に対して着脱可能な治具とを含み、
    該マスクは該治具に対して着脱可能であり、
    マスクは感光性樹脂を用いて形成され、
    マスクには、マーキングで表示すべき内容が凹凸で形成されていることを特徴とする半導体装置のモールド金型。
  2. 半導体素子を合成樹脂中に封止して半導体装置の樹脂モールドパッケージを成形する際に、
    成形金型内に、感光性樹脂を用いて形成され、マークの内容を凹凸によって表すマーキング用のマスクを配置しておき、
    該マスクが保持するマークの内容に従って、成形される樹脂モールドパッケージの表面にマーキングを施すことを特徴とする半導体装置のマーキング方法。
  3. 前記マスクによって成形される樹脂モールドパッケージの表面にマーキングが施された後で、
    マーキングが施された表面に、マーキング内容の視認性を高めるインクをスタンプすることを特徴とする請求項２記載の半導体装置のマーキング方法。
JP02713598A 1998-02-09 1998-02-09 半導体装置のモールド金型およびマーキング方法 Expired - Fee Related JP3742211B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP02713598A JP3742211B2 (ja) 1998-02-09 1998-02-09 半導体装置のモールド金型およびマーキング方法
TW088101702A TW416088B (en) 1998-02-09 1999-02-04 Molding die and marking method for semiconductor devices
DE69925054T DE69925054T2 (de) 1998-02-09 1999-02-05 Giessform und Markierungsmethode für Halbleitervorrichtungen
EP99102304A EP0935287B1 (en) 1998-02-09 1999-02-05 Molding die and marking method for semiconductor devices
IDP990088A ID21940A (id) 1998-02-09 1999-02-08 Cetakan pembentuk dan metoda penandaan untuk peranti semikonduktor
US09/248,142 US6270712B1 (en) 1998-02-09 1999-02-09 Molding die and marking method for semiconductor devices

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP02713598A JP3742211B2 (ja) 1998-02-09 1998-02-09 半導体装置のモールド金型およびマーキング方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11233539A JPH11233539A (ja) 1999-08-27
JP3742211B2 true JP3742211B2 (ja) 2006-02-01

Family

ID=12212621

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP02713598A Expired - Fee Related JP3742211B2 (ja) 1998-02-09 1998-02-09 半導体装置のモールド金型およびマーキング方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6270712B1 (ja)
EP (1) EP0935287B1 (ja)
JP (1) JP3742211B2 (ja)
DE (1) DE69925054T2 (ja)
ID (1) ID21940A (ja)
TW (1) TW416088B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170002945A (ko) * 2015-06-30 2017-01-09 삼성전기주식회사 반도체 패키지 모듈 제조장치 및 제조방법

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6337122B1 (en) * 2000-01-11 2002-01-08 Micron Technology, Inc. Stereolithographically marked semiconductors devices and methods
JP2002240098A (ja) * 2001-02-15 2002-08-28 Sony Corp 成形用金型、成形用金型の製造方法及び成形用金型によって成形された成形品
US7135356B2 (en) * 2002-02-07 2006-11-14 Semiconductor Components Industries, L.L.C. Semiconductor device and method of producing a high contrast identification mark
US20060166381A1 (en) * 2005-01-26 2006-07-27 Lange Bernhard P Mold cavity identification markings for IC packages
ATE551668T1 (de) * 2006-11-17 2012-04-15 Oberthur Technologies Verfahren zur herstellung einer entität und entsprechende vorrichtung
WO2009008259A1 (ja) * 2007-07-09 2009-01-15 Konica Minolta Opto, Inc. 撮像装置の製造方法、撮像装置及び携帯端末
US20090114796A1 (en) * 2007-11-01 2009-05-07 Shao-Chiu Lin Multipurpose ceramic cake mold
SG173986A1 (en) * 2010-03-01 2011-09-29 Asm Tech Singapore Pte Ltd Apparatus for molding electronic components
CN102306648B (zh) * 2011-08-22 2013-05-15 厦门华联电子有限公司 一种光耦合器
JP5805811B2 (ja) * 2014-03-12 2015-11-10 ビステオン グローバル テクノロジーズ インコーポレイテッド 車両の内外装部材を成形する方法
US20160141187A1 (en) * 2014-11-14 2016-05-19 Infineon Technologies Ag Method of manufacturing an integrated circuit with imprint, integrated circuit with imprint, device for forming an integrated circuit with imprint and verification system for an integrated circuit with imprint
TWI664708B (zh) * 2014-12-16 2019-07-01 Deca Technologies Inc. 標記一半導體封裝之方法
CN112829354B (zh) * 2020-12-31 2022-09-20 广州增威胶业有限公司 一种橡胶鞋底及其制备方法
CN114324286B (zh) * 2022-01-07 2022-08-02 中国人民解放军军事科学院军事医学研究院 一种光敏交联剂及其应用

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DK128123A (ja) * 1967-08-18
JPS5760857A (en) * 1980-09-30 1982-04-13 Nec Corp Semiconductor device
JPS5823457A (ja) 1981-08-03 1983-02-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPS5928350A (ja) * 1982-08-09 1984-02-15 Nec Corp 樹脂封止型半導体装置用金型
US4519972A (en) * 1983-05-18 1985-05-28 Stevenson Michael J Method for use of pattern transfers in rotomolding
JPS60119760A (ja) * 1983-11-30 1985-06-27 Nitto Electric Ind Co Ltd 樹脂封止半導体装置
JPS6220353A (ja) * 1985-07-18 1987-01-28 Matsushita Electric Works Ltd 樹脂封止型電子部品のマ−キング方法
JPS62238616A (ja) 1986-04-09 1987-10-19 松下電器産業株式会社 電子部品の外装方法
JPH01128450A (ja) 1987-11-12 1989-05-22 New Japan Radio Co Ltd 半導体装置の製造方法
US4944908A (en) * 1988-10-28 1990-07-31 Eaton Corporation Method for forming a molded plastic article
JPH02205042A (ja) * 1989-02-02 1990-08-14 Nec Kyushu Ltd 半導体装置用樹脂封止金型
JPH0422142A (ja) * 1990-05-16 1992-01-27 Sharp Corp モールド金型およびこれを利用した光結合装置の製造方法
JPH04171833A (ja) * 1990-11-05 1992-06-19 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置のマーキング方法
JPH06120281A (ja) * 1992-10-08 1994-04-28 Hitachi Ltd モールド金型及びこれを用いたモールド装置
US5388803A (en) * 1993-08-17 1995-02-14 General Electric Company Apparatus for producing textured articles
US5817208A (en) * 1995-08-04 1998-10-06 Matsushita Electronics Corporation Resin sealing die, resin-sealed-type semiconductor device and method of manufacturing the device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170002945A (ko) * 2015-06-30 2017-01-09 삼성전기주식회사 반도체 패키지 모듈 제조장치 및 제조방법
KR102172632B1 (ko) * 2015-06-30 2020-11-03 삼성전기주식회사 반도체 패키지 모듈 제조장치 및 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
JPH11233539A (ja) 1999-08-27
DE69925054D1 (de) 2005-06-09
EP0935287B1 (en) 2005-05-04
ID21940A (id) 1999-08-12
US6270712B1 (en) 2001-08-07
DE69925054T2 (de) 2006-03-02
TW416088B (en) 2000-12-21
EP0935287A2 (en) 1999-08-11
EP0935287A3 (en) 2000-05-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3742211B2 (ja) 半導体装置のモールド金型およびマーキング方法
US7387902B2 (en) Methods for packaging image sensitive electronic devices
CN105765743A (zh) 光电的部件和用于其制造的方法
TW495934B (en) Solid image pickup device
US5382310A (en) Packaging medical image sensors
JP3166216B2 (ja) オンチップレンズ付固体撮像装置およびその製造方法
JPS59175751A (ja) 樹脂封止形半導体装置
JPH09102633A (ja) Ｌｅｄ表示装置、その製造用金型及びｌｅｄ表示装置の製造方法
JPS63308973A (ja) 光反射型センサ−の製造方法
JPS60136254A (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
JP2620685B2 (ja) 固体撮像素子の製造方法
JPS6329973A (ja) 電子写真複写装置
JPH05291546A (ja) 固体撮像素子の製造方法
JPH0410445A (ja) 固体撮像素子の製造方法
JPH0590549A (ja) 固体撮像素子及びその製造方法
JPH0422142A (ja) モールド金型およびこれを利用した光結合装置の製造方法
JP3138260B2 (ja) 固体撮像素子の製造方法
KR100196301B1 (ko) 고체 촬상 소자의 제조 방법
JPH0629431A (ja) 固体撮像素子の製造方法
JPH0521647A (ja) 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JP2748657B2 (ja) 半導体装置
JP2533002B2 (ja) 固体撮像素子の製造方法
JP3122360B2 (ja) 電子スイッチの製造方法、電子スイッチ製造用の成形型
KR100474389B1 (ko) 포토 인터럽트의 제작공법
JPH0786542A (ja) 固体撮像装置およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040330

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040531

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20050809

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20051011

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20051014

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20051108

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20051110

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20051202

A072 Dismissal of procedure [no reply to invitation to correct request for examination]

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A072

Effective date: 20060228

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091118

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091118

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101118

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111118

Year of fee payment: 6

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees