JPS60119760A - 樹脂封止半導体装置 - Google Patents
樹脂封止半導体装置Info
- Publication number
- JPS60119760A JPS60119760A JP58227564A JP22756483A JPS60119760A JP S60119760 A JPS60119760 A JP S60119760A JP 58227564 A JP58227564 A JP 58227564A JP 22756483 A JP22756483 A JP 22756483A JP S60119760 A JPS60119760 A JP S60119760A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- semiconductor device
- organic dye
- black organic
- sealed semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54473—Marks applied to semiconductor devices or parts for use after dicing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、レーザーにより表面に鮮明なマーキングを施
しうる樹脂封止半導体装置に関するものである。
しうる樹脂封止半導体装置に関するものである。
近年、半導体素子をエポキシ樹脂等で封止してなる樹脂
封止半導体装置の表面にマーキングする場合に、レーザ
ー発振器から発生するレーザー光を、型抜きしたマスク
を通し、その光像を前記半導体装置上に集束して、所定
のマーキングを施すことが一部で実用化されている。こ
のマーキング方式はレーザービームのエネルギーにより
樹脂封止半導体装置の表面層を数μの深さに破壊して、
表面を粗面化し、この破壊部と非破壊部の表面性状の対
比によってマーキングとして視覚的に認識させるもので
ある。しがし、従来の樹脂封止半導体装置においては、
この破壊部と非破壊部の対比が必ずしも良好でなく、従
って、マーキングが鮮明に見えない問題がある。特に樹
脂封止半導体装置の樹脂成形部分が白色、灰色、黒色等
の有色の場合、及び比較的暗い雰囲気下でこの傾向が著
しいＯ 本発明は上記に鑑みてなされたものであって、比較的暗
い雰囲気下でも、レーザーによるマーキングが明瞭に見
える樹脂封止半導体装置を提供することを目的とする。
封止半導体装置の表面にマーキングする場合に、レーザ
ー発振器から発生するレーザー光を、型抜きしたマスク
を通し、その光像を前記半導体装置上に集束して、所定
のマーキングを施すことが一部で実用化されている。こ
のマーキング方式はレーザービームのエネルギーにより
樹脂封止半導体装置の表面層を数μの深さに破壊して、
表面を粗面化し、この破壊部と非破壊部の表面性状の対
比によってマーキングとして視覚的に認識させるもので
ある。しがし、従来の樹脂封止半導体装置においては、
この破壊部と非破壊部の対比が必ずしも良好でなく、従
って、マーキングが鮮明に見えない問題がある。特に樹
脂封止半導体装置の樹脂成形部分が白色、灰色、黒色等
の有色の場合、及び比較的暗い雰囲気下でこの傾向が著
しいＯ 本発明は上記に鑑みてなされたものであって、比較的暗
い雰囲気下でも、レーザーによるマーキングが明瞭に見
える樹脂封止半導体装置を提供することを目的とする。
本発明によると、上記した種々の欠点は、全組成物基準
で０．０５〜３．Ｏｉ量％の黒色有機染料を含有してな
る樹脂組成物を用いて半導体素子を被覆モールドしてな
る樹脂封止半導体装置とすることにより解決できた。
で０．０５〜３．Ｏｉ量％の黒色有機染料を含有してな
る樹脂組成物を用いて半導体素子を被覆モールドしてな
る樹脂封止半導体装置とすることにより解決できた。
樹脂組成物を構成する樹脂としては、熱硬化性樹脂、特
にエポキシ樹脂を挙げることができる。
にエポキシ樹脂を挙げることができる。
熱硬化性樹脂組成物、特にエポキシ樹脂組成物の場合エ
ポキシ樹脂のほか、通常、硬化剤、硬化促進剤、充填剤
、離型剤を含有し、更に必要に応じて、難燃剤、顔料、
シランカップリング剤等を含有する。従来、エポキシ樹
脂組成物には顔料として金属酸化物、フェロシアン化物
等の無機顔料、カーボンブランクが用いられていたが、
かかる組成物を用いて封止して得られる樹脂封止半導体
装置ではレーザーによる半導体装置表面の破壊部と非破
壊部との対比が鮮明でなく、マーキングが明瞭に見えな
い〇 しかし、本発明に従って、樹脂組成物が黒色有機染料を
全組成物基準でＯ：０５〜３．０重量係含有するとき、
レーザーによるマーキングの破壊部と非破壊部との表面
性状の対比が鮮明となり、マーキングが明瞭に認められ
る。特に黒色有機染料が全一キングが著しく鮮明である
。
ポキシ樹脂のほか、通常、硬化剤、硬化促進剤、充填剤
、離型剤を含有し、更に必要に応じて、難燃剤、顔料、
シランカップリング剤等を含有する。従来、エポキシ樹
脂組成物には顔料として金属酸化物、フェロシアン化物
等の無機顔料、カーボンブランクが用いられていたが、
かかる組成物を用いて封止して得られる樹脂封止半導体
装置ではレーザーによる半導体装置表面の破壊部と非破
壊部との対比が鮮明でなく、マーキングが明瞭に見えな
い〇 しかし、本発明に従って、樹脂組成物が黒色有機染料を
全組成物基準でＯ：０５〜３．０重量係含有するとき、
レーザーによるマーキングの破壊部と非破壊部との表面
性状の対比が鮮明となり、マーキングが明瞭に認められ
る。特に黒色有機染料が全一キングが著しく鮮明である
。
黒色有機染料が０．０５重量％以下のときは破壊部と非
破壊部の対比が鮮明でなく、一方３．０Ｍ景チ以上含有
すると樹脂封止された半導体装置の信頼性（耐湿性）が
低下する等の欠点を有する。
破壊部の対比が鮮明でなく、一方３．０Ｍ景チ以上含有
すると樹脂封止された半導体装置の信頼性（耐湿性）が
低下する等の欠点を有する。
本発明で用いる黒色有機染料としてはアゾ系含金属染料
が好ましい０７ゾ系の染料とし、てはモノアゾ系の染料
が好適である〇 前記染料中に含まれる金属成分としては、銅。
が好ましい０７ゾ系の染料とし、てはモノアゾ系の染料
が好適である〇 前記染料中に含まれる金属成分としては、銅。
カリウム、ナトリウム、クロム、コバルト等を挙げるこ
とができるが、特には銅、クロムが好適である。
とができるが、特には銅、クロムが好適である。
また、前記染料の金属含有率は０．０１〜２０重量％と
される。
される。
さらに染料の融点は１００℃以上分解温度２００℃以上
のものが望ましい。
のものが望ましい。
なお本発明においては前記黒色有機染料を用いる場合、
カーボンブラック、チタン白（酸化チタン）等従来樹脂
組成物中に添加される顔料を併用してもよい。
カーボンブラック、チタン白（酸化チタン）等従来樹脂
組成物中に添加される顔料を併用してもよい。
本発明で用いる樹脂組成物として特にエポキシ樹脂組成
物とするときには、無機質充填剤を、全組成物基準で５
０〜８５重量％用いるのが一般的である。
物とするときには、無機質充填剤を、全組成物基準で５
０〜８５重量％用いるのが一般的である。
無機質充填剤としては、結晶性シリカ、非晶質シリカ、
アルミナ、ガラス繊維、マイカ、タルク、クレー等を挙
けることができる０ 無機質充填剤としては、好ましくは、粒子径１４９μｍ
以上が０．５重量％以下、４６μｍ以下が６０〜９５重
量％ １．−’１０μｍ以下が４０〜７０重量％及び３
μｍ以下が１５〜４０重量％である粒度分布を有する。
アルミナ、ガラス繊維、マイカ、タルク、クレー等を挙
けることができる０ 無機質充填剤としては、好ましくは、粒子径１４９μｍ
以上が０．５重量％以下、４６μｍ以下が６０〜９５重
量％ １．−’１０μｍ以下が４０〜７０重量％及び３
μｍ以下が１５〜４０重量％である粒度分布を有する。
また本発明で用いる組成物中には、前記した如く硬化剤
や、硬化促進剤のほかに、必要に応じて難燃剤、離型剤
、顔料、シラ／カップリング剤等を含有してもよい。
や、硬化促進剤のほかに、必要に応じて難燃剤、離型剤
、顔料、シラ／カップリング剤等を含有してもよい。
本発明においては、樹脂組成物を構成する樹脂としては
、エポキシ樹脂が好ましく用いられるがフェノール樹脂
、尿素樹脂、メラミン樹脂、ポリエステル樹脂、ジアリ
ルフタレート樹脂、ポリフェニレンサルフフイド等も用
いられる０これらの樹脂を含む組成物は、その樹脂に応
じて所要の添加剤を含有することはいう丑でもない０エ
ポキシ樹脂としてはフェノールノボラックエポキシ樹脂
、クレゾールノボラックエポキシ樹脂の如きノボラック
型エポキシ樹脂を用いるのが好ましい。
、エポキシ樹脂が好ましく用いられるがフェノール樹脂
、尿素樹脂、メラミン樹脂、ポリエステル樹脂、ジアリ
ルフタレート樹脂、ポリフェニレンサルフフイド等も用
いられる０これらの樹脂を含む組成物は、その樹脂に応
じて所要の添加剤を含有することはいう丑でもない０エ
ポキシ樹脂としてはフェノールノボラックエポキシ樹脂
、クレゾールノボラックエポキシ樹脂の如きノボラック
型エポキシ樹脂を用いるのが好ましい。
エポキシ樹脂を用いるとき、その硬化剤としては、ノボ
ランク型樹脂（フェノールノボラック、クレゾールノボ
ラック等）、酸無水物系硬化剤（テトラハイドロ無水フ
タル酸、無水トリメリット酸、無水ベンゾフェノンテト
ラカルボン酸等）、アミン（ジアミノジフェニルメタン
、メタフェニレンジアミン、ジアミノジフェニルエーテ
ル等）等が用いられる。
ランク型樹脂（フェノールノボラック、クレゾールノボ
ラック等）、酸無水物系硬化剤（テトラハイドロ無水フ
タル酸、無水トリメリット酸、無水ベンゾフェノンテト
ラカルボン酸等）、アミン（ジアミノジフェニルメタン
、メタフェニレンジアミン、ジアミノジフェニルエーテ
ル等）等が用いられる。
本発明により得られる樹脂封止半導体装置は、上記構成
なので、従来の樹脂封止半導体装置に比して、レーザー
によるマーキングが非常に鮮明となる。
なので、従来の樹脂封止半導体装置に比して、レーザー
によるマーキングが非常に鮮明となる。
本発明の樹脂封止半導体装置をマーキングするときに用
いられるレーザーとしては、炭酸ガスレーザー、半導体
レーザー、ＹＡＧレーザー等を挙げることができる。照
射されるレーザーの強さは、通常エネルギー密度０．２
〜０．５ジユ一ル／ａｗｌである。
いられるレーザーとしては、炭酸ガスレーザー、半導体
レーザー、ＹＡＧレーザー等を挙げることができる。照
射されるレーザーの強さは、通常エネルギー密度０．２
〜０．５ジユ一ル／ａｗｌである。
なお本発明において、樹脂組成物を用いて、半導体素子
を被覆モールドするに当量、予め半導体素子表面にポリ
イミド系樹脂等による表面保護膜を形成しておくことも
できる。
を被覆モールドするに当量、予め半導体素子表面にポリ
イミド系樹脂等による表面保護膜を形成しておくことも
できる。
以下に実施例を挙げて本発明を説明する。
実施例１〜７、比較例１および２
エポキシ樹脂（エポキシ当量２２０、軟化点７７℃のク
レゾールノボラック型樹脂）１６．０部 ブロム化エポキシ樹脂（エポキシ当量２７５、軟化点８
０℃の難燃化樹脂）２．５部 フェノールノボラック樹脂（フェノール当量１０５、軟
化点７５℃） 、 ８．０部硬化剤（２−メチルイミダ
ゾール）０．４部難燃剤（三酸化アンチモン）１部８部 離型剤（カルナウバワックス）０．５部シランカップリ
ング剤（日本ユニカー 社製Ａ−１８７） Ｑ、５部 黒色有機染料 （下記第１表に示す） 無機質充填剤 （下記第１表に示す） 上記の組成の成形用エポキシ樹脂組成物を調製するに際
して、歎燃剤と無機質充填剤とをシランカップリング剤
で処理した後、残余の材料とこれに加えて粉砕混合し、
次に８０°Ｃに加熱したミキシングロールにて１０分間
混合し、シート状に成形し、冷却、粉砕して、樹脂粉末
を得た。この成形用粉末を用いてトランスファープレス
にて、半導体素子付リードフレームを封止し、表面粗さ
１２μの梨地仕上された樹脂封止半導体装ＩＨ，を得た
（成形条件−１７５℃、２分間、トランスファ圧力９０
ｈ／ｃｒｄと後硬化１７５°Ｃ１１０時間）０得られた
半導体装置に炭酸ガスレーザー（渋谷二［業（株）製９
２０型レーザーマーク、エネルギー密度最大０．４ Ｊ
ｏｕｌ／ｃｎｆ ）を用いて、１００万分の１秒間所定
のマスクを通してレーザーを照射して、半導体装置表面
にマーキングを施した。
レゾールノボラック型樹脂）１６．０部 ブロム化エポキシ樹脂（エポキシ当量２７５、軟化点８
０℃の難燃化樹脂）２．５部 フェノールノボラック樹脂（フェノール当量１０５、軟
化点７５℃） 、 ８．０部硬化剤（２−メチルイミダ
ゾール）０．４部難燃剤（三酸化アンチモン）１部８部 離型剤（カルナウバワックス）０．５部シランカップリ
ング剤（日本ユニカー 社製Ａ−１８７） Ｑ、５部 黒色有機染料 （下記第１表に示す） 無機質充填剤 （下記第１表に示す） 上記の組成の成形用エポキシ樹脂組成物を調製するに際
して、歎燃剤と無機質充填剤とをシランカップリング剤
で処理した後、残余の材料とこれに加えて粉砕混合し、
次に８０°Ｃに加熱したミキシングロールにて１０分間
混合し、シート状に成形し、冷却、粉砕して、樹脂粉末
を得た。この成形用粉末を用いてトランスファープレス
にて、半導体素子付リードフレームを封止し、表面粗さ
１２μの梨地仕上された樹脂封止半導体装ＩＨ，を得た
（成形条件−１７５℃、２分間、トランスファ圧力９０
ｈ／ｃｒｄと後硬化１７５°Ｃ１１０時間）０得られた
半導体装置に炭酸ガスレーザー（渋谷二［業（株）製９
２０型レーザーマーク、エネルギー密度最大０．４ Ｊ
ｏｕｌ／ｃｎｆ ）を用いて、１００万分の１秒間所定
のマスクを通してレーザーを照射して、半導体装置表面
にマーキングを施した。
その結果を第１表に併記する。
実施例８〜１４および比較例３
ビスフェノール温エポキシ樹脂 ２５．７部（エポキシ
当量４５０、軟化点４５℃）ジアミノジフェニルメタン
３．１１１！離型剤（ステアリン酸）０．５部 シランカップリング剤 ０．５部 （信越シリコーン社製ＫＢＭ４０３） 黒色有機染料 （第２表に示す） 無機質充填剤 （第２表に示す） 上記の組成物より実施例１の方法に準じて樹脂封止半導
体装置を作成し、さらに同側に準じて半導体装置表面に
マーキングを施した。
当量４５０、軟化点４５℃）ジアミノジフェニルメタン
３．１１１！離型剤（ステアリン酸）０．５部 シランカップリング剤 ０．５部 （信越シリコーン社製ＫＢＭ４０３） 黒色有機染料 （第２表に示す） 無機質充填剤 （第２表に示す） 上記の組成物より実施例１の方法に準じて樹脂封止半導
体装置を作成し、さらに同側に準じて半導体装置表面に
マーキングを施した。
その結果を第２表に併記する。
実施例１５〜２０および比較例４
クレゾールノボラノクエボキシ樹脂１６部（エポキシ当
量２１０、軟化点８０℃）ブロム化エポキシ樹脂 ２．
５部 （エポキシ当量２７５、軟化点８０℃）テトラハイドロ
無水フタル酸 １２部 ２−メチルイミダゾール ０．４部 三酸化アンチモン １．８部 カルナバワックス ０．５部 シランカップリング剤 ０．５部 （信越シリコーン社製、ＫＢＭ４０３）黒色有機顔料（
第３表に示す）０．３部シリカ粉 ６６部 上記の組成物より実施例１の方法に準じて樹脂封止半導
体装置を作成し、さらに回倒に準じて半導体装置表面に
マーキングを施した。
量２１０、軟化点８０℃）ブロム化エポキシ樹脂 ２．
５部 （エポキシ当量２７５、軟化点８０℃）テトラハイドロ
無水フタル酸 １２部 ２−メチルイミダゾール ０．４部 三酸化アンチモン １．８部 カルナバワックス ０．５部 シランカップリング剤 ０．５部 （信越シリコーン社製、ＫＢＭ４０３）黒色有機顔料（
第３表に示す）０．３部シリカ粉 ６６部 上記の組成物より実施例１の方法に準じて樹脂封止半導
体装置を作成し、さらに回倒に準じて半導体装置表面に
マーキングを施した。
その結果を第３表に併記する。
第１表〜第３表から明らかなように、本発明の成形用樹
脂組成物を用いて得られた成形品は、３Ｍカシ−コンピ
ューター（スガ試験機社製）を用いて測定したマーキン
グの明度および色差共に従来品より優れていることが判
る。
脂組成物を用いて得られた成形品は、３Ｍカシ−コンピ
ューター（スガ試験機社製）を用いて測定したマーキン
グの明度および色差共に従来品より優れていることが判
る。
以上の如く本発明の樹脂封止半導体装置にレーザーによ
るマーキングを施すとマーキング性に優れる。
るマーキングを施すとマーキング性に優れる。
特許出願人
日東電気工業株式会社
代表者土方三部
Claims (3)
- （１）全組成物基準で０．０５〜３．０重量％の黒色有
機染料を含有してなる樹脂組成物を用いて半導体素子を
被覆モールドしてなる樹脂封止半導体装置。 - （２）樹脂組成物がエポキシ樹脂組成物である特許請求
の範囲第１項記載の樹脂封止半導体装置。 - （３）黒色有機染料がアゾ系の含金属化合物でおる特許
請求の範囲第１項又は第２項記載の樹脂封止半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58227564A JPS60119760A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 樹脂封止半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58227564A JPS60119760A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 樹脂封止半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60119760A true JPS60119760A (ja) | 1985-06-27 |
| JPH021374B2 JPH021374B2 (ja) | 1990-01-11 |
Family
ID=16862884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58227564A Granted JPS60119760A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 樹脂封止半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60119760A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6234920A (ja) * | 1985-08-07 | 1987-02-14 | Toshiba Corp | エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた樹脂封止型半導体装置 |
| JPS62176151A (ja) * | 1986-01-30 | 1987-08-01 | Toshiba Chem Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| EP0935287A3 (en) * | 1998-02-09 | 2000-05-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Molding die and marking method for semiconductor devices |
| WO2005012386A1 (ja) * | 2003-08-04 | 2005-02-10 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
| US7154121B2 (en) | 2002-12-23 | 2006-12-26 | Epistar Corporation | Light emitting device with a micro-reflection structure carrier |
| US7675185B2 (en) | 2003-12-11 | 2010-03-09 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Epoxy resin molding material for sealing and electronic component |
| JP2017038061A (ja) * | 2014-01-22 | 2017-02-16 | リンテック株式会社 | 保護膜形成フィルム、保護膜形成用シート、保護膜形成用複合シートおよび検査方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6727567B1 (ja) | 2019-06-26 | 2020-07-22 | 株式会社ビック・ツール | 炭素繊維複合材用ドリル |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5242390A (en) * | 1975-09-30 | 1977-04-01 | Nec Corp | Semiconductor light receiving device |
| JPS5255520A (en) * | 1975-10-31 | 1977-05-07 | Asahi Chemical Ind | Image forming element |
| JPS5328960A (en) * | 1976-08-30 | 1978-03-17 | Kubota Ltd | Nitration treatment |
| JPS5561077A (en) * | 1978-10-30 | 1980-05-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Photoelectric converter |
| JPS5867496A (ja) * | 1981-10-19 | 1983-04-22 | Toshiba Corp | マ−キング方法 |
-
1983
- 1983-11-30 JP JP58227564A patent/JPS60119760A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5242390A (en) * | 1975-09-30 | 1977-04-01 | Nec Corp | Semiconductor light receiving device |
| JPS5255520A (en) * | 1975-10-31 | 1977-05-07 | Asahi Chemical Ind | Image forming element |
| JPS5328960A (en) * | 1976-08-30 | 1978-03-17 | Kubota Ltd | Nitration treatment |
| JPS5561077A (en) * | 1978-10-30 | 1980-05-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Photoelectric converter |
| JPS5867496A (ja) * | 1981-10-19 | 1983-04-22 | Toshiba Corp | マ−キング方法 |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6234920A (ja) * | 1985-08-07 | 1987-02-14 | Toshiba Corp | エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた樹脂封止型半導体装置 |
| US4719502A (en) * | 1985-08-07 | 1988-01-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Epoxy resin composition, and resin-sealed semiconductor device in which this composition is used |
| JPS6360543B2 (ja) * | 1985-08-07 | 1988-11-24 | ||
| JPS62176151A (ja) * | 1986-01-30 | 1987-08-01 | Toshiba Chem Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| EP0935287A3 (en) * | 1998-02-09 | 2000-05-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Molding die and marking method for semiconductor devices |
| US6270712B1 (en) | 1998-02-09 | 2001-08-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Molding die and marking method for semiconductor devices |
| US7154121B2 (en) | 2002-12-23 | 2006-12-26 | Epistar Corporation | Light emitting device with a micro-reflection structure carrier |
| WO2005012386A1 (ja) * | 2003-08-04 | 2005-02-10 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
| US7675185B2 (en) | 2003-12-11 | 2010-03-09 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Epoxy resin molding material for sealing and electronic component |
| JP2017038061A (ja) * | 2014-01-22 | 2017-02-16 | リンテック株式会社 | 保護膜形成フィルム、保護膜形成用シート、保護膜形成用複合シートおよび検査方法 |
| US10559505B2 (en) | 2014-01-22 | 2020-02-11 | Lintec Corporation | Protective film-forming film, sheet for forming protective film, complex sheet for forming protective film, and inspection method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH021374B2 (ja) | 1990-01-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5641997A (en) | Plastic-encapsulated semiconductor device | |
| JPH0479320B2 (ja) | ||
| EP0105451A2 (en) | Laser printable polyarylene sulfide compositions | |
| JPS62136861A (ja) | 樹脂封止半導体装置 | |
| JPS60119760A (ja) | 樹脂封止半導体装置 | |
| US4560580A (en) | Process for encapsulating articles with optional laser printing | |
| JPS6047065A (ja) | 成形用樹脂組成物 | |
| JPH0618987B2 (ja) | レーザー印字用エポキシ樹脂組成物 | |
| JPS6314458A (ja) | 樹脂封止半導体装置 | |
| JPS59187050A (ja) | 成形用樹脂組成物 | |
| JP2002275350A (ja) | エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 | |
| JPS60202119A (ja) | 樹脂組成物及び樹脂組成物へのレ−ザ−捺印方法 | |
| JP3389073B2 (ja) | レーザー印字用エポキシ樹脂組成物 | |
| JP2001114989A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2834540B2 (ja) | レーザー印字に適したエポキシ樹脂組成物 | |
| JP2882851B2 (ja) | レーザー印字用エポキシ樹脂組成物 | |
| JP2600029B2 (ja) | 炭酸ガスレーザー印字に適したエポキシ樹脂組成物 | |
| JPH04183741A (ja) | レーザー印字用エポキシ樹脂組成物 | |
| JPH05278337A (ja) | レーザービームマーキング可能なエポキシ樹脂組成物 | |
| JP2740615B2 (ja) | レーザー印字に適したエポキシ樹脂組成物 | |
| JPH04183743A (ja) | 炭酸ガスレーザー印字に適したエポキシ樹脂組成物 | |
| JPH0352943A (ja) | レーザー印字用エポキシ樹脂組成物 | |
| JPH0428757A (ja) | レーザー印字に適したエポキシ樹脂組成物 | |
| JPH04170468A (ja) | 封止用樹脂組成物 | |
| JPH0647646B2 (ja) | レーザー印字用エポキシ樹脂組成物 |